Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Актуальные проблемы современной науки  / №1 (86) 2016

МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБРЫВА ЦЕПИ И КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ (100,00 руб.)

0   0
Первый авторРезниченко
Страниц4
ID411478
АннотацияМатериал содержит краткие теоритические сведения о микросхемах. Более подробно рассматривается принцип работы ее выводов. В статье описывается метод определения обрыва цепи и короткого замыкания.
Резниченко, Н.Е. МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБРЫВА ЦЕПИ И КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ / Н.Е. Резниченко // Актуальные проблемы современной науки .— 2016 .— №1 (86) .— С. 187-190 .— URL: https://rucont.ru/efd/411478 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Актуальные проблемы современной науки, № 1, 2016 Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления Резниченко Н.Е. <...> МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБРЫВА ЦЕПИ И КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ Материал содержит краткие теоритические сведения о микросхемах. <...> Более подробно рассматривается принцип работы ее выводов. <...> THE METHOD OF DETERMINING THE OPEN CIRCUIT AND SHORT CIRCUIT The material contains a brief theoretical information on the chips. <...> The article describes the method to determine the open circuit or short circuit. <...> За последнее десятилетие микроэлектроника сделала огромный шаг вперед. <...> Микросхемы становятся сложнее, пропорционально растет и выполняемый ими набор функций, делая более удобным использование различных электронных средств. <...> Поэтому для контроля работоспособности микросхемы разрабатывается специальный аппаратно-программный комплекс, который включает в себя различные тесты. <...> Как видно, у каждого контакта есть сеть защитных диодов и КМОП-транзисторов. <...> Внутренняя схема КМОП микросхемы КМОП транзисторы на каждом входном выводе действуют как переключатели, позволяя току следовать из VDD (напряжение питания микросхемы) в схему и от схемы до VSS (земля). <...> КМОП транзисторы могут быть повреждены, если на выводах микросхемы будет повышенное напряжение. <...> В каждом сигнальном выводе микросхемы установлены два диода, чтобы защитить данные транзисторы. <...> Первый находится между сигнальным выводом и VDD, а второй между сигнальным выводом и VSS. <...> Если на каком-либо выводе присутствует положительное повышенное напряжение, которое больше, чем VDD, то верхний диод будет иметь прямое смещение и ток будет течь между сигнальным выводом и VDD. <...> Точно так же, если на каком-либо выводе присутствует повышенное отрицательное напряжение, которое больше, чем VSS, то нижний диод будет иметь прямое смещение и ток будет течь между сигнальным 189 Актуальные проблемы современной науки, № 1, 2016 выводом и VSS. <...> Таким образом, защитные диоды предотвращают повреждение КМОП транзисторов в условиях повышенного напряжения. <...> Чтобы гарантировать <...>