Billups МОДЕЛИРОВАНИЕ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА АМОРФНЫЙ УГЛЕРОД – АЛМАЗ, ИНДУЦИРОВАННОГО ИОНИЗИРУЮЩИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ (Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Московский физико-технический институт (государственный университет), Российский национальный исследовательский медицинский университет им. <...> Н.И. Пирогова, Rice University) e-mail: agkvashnin@gmail.com, opkvashnina@rambler.ru, 111tps@gmail.com, pbsorokin@gmail.com, billups@rice.edu С использованием метода классической молекулярной динамики, была исследована причина образования алмазных кластеров в аморфном углероде под действием ионизирующего излучения. <...> Показано, что активационный барьер перехода графитового кластера в алмазный будет иметь место только для кластеров с размером больше 14 нм, в то время как меньшие частицы могут быть получены только химической функционализацией графеносодержащих материалов, что хорошо согласуется с полученными экспериментальными данными. <...> Ключевые слова: DFT, графен, алмазный кластер, химически индуцированный фазовый переход Метод получения алмазов с использованием химического осаждения из газовой фазы (CVD) в настоящее время является одним из самых эффективных и хорошо изученных методов получения алмазов [1]. <...> Однако, в противоположность к CVD методу, рост алмаза на подложках других составов требует присутствия центров кристаллизации [2]. <...> Контролируемый рост центров кристаллизации алмаза на поверхностях различных составов может быть достигнут путем непосредственной ионной бомбардировки [3] или путем воздействия отрицательно смещенной CVD плазмы на подложку [4,5]. <...> В эксперименте проводилось восстановиАнтрацит Li/NH3 тельное алкилирование материалов, состоящих из аморфного углерода (антрацит [6,7] и суббитуминозный уголь [8]), и было обнаружено формирование нанокластеров алмазов в процессе функционализации угля при воздействии электронного пучка. <...> Данный результат связан с гидрированием углеродных слоев атомами водорода, получаемыми <...>