152 технологии Технологии и компоненты для защиты микропроцессорных реле от электромагнитного импульса Владимир ГУРЕВИЧ, к. т. н. <...> Проблемы защиты микропроцессорных устройств релейной защиты (МУРЗ) от воздействия мощного электромагнитного импульса, способного нарушить их нормальное действие или повредить внутренние элементы, приобрели в последнее время особую актуальность. <...> В данной статье рассматривается комплекс вопросов, связанных с влиянием электромагнитного импульса на МУРЗ, и предложены технологии и компоненты, с использованием которых может быть существенно повышена устойчивость МУРЗ к электромагнитному импульсу. <...> Введение Современные тенденции развития релейной защиты (РЗ), связанные с заменой электромеханических реле защиты микропроцессорными устройствами релейной защиты (МУРЗ), обусловили появление совершенно новой проблемы, неизвестной ранее в релейной защите. <...> Такой проблемой является возможность преднамеренного дистанционного деструктивного воздействия (ПДДВ) на релейную защиту с целью выведения ее из строя или принудительного выполнения операций, не связанных с текущим режимом работы защищаемого электрооборудования. <...> Наиболее мощным и опасным из этих воздействий является электромагнитный импульс высотного ядерного взрыва (ЭМИ ЯВ) [1], рассмотрению мер защиты от воздействия которого на МУРЗ посвящена данная статья. <...> Если электроустановки не имеют между собой гальванической связи, такой, например, как реле защиты, соединенные между собой волоконно-оптическими линиями (ВОЛС), то разность потенциалов особой роли не играет. <...> Но если реле защиты, расположенные на удалении друг от друга, соединены между собой проводной системой связи (витой парой и обычным Ethernet-каналом, на который в последнее время переходят для удешевления систем электроснабжения), то к низковольтным узлам этой системы будет приложено высокое напряжение, неизбежно приводящее к ее повреждению, то есть <...>