МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.315.592 Определение концентрации свободных носителей заряда в твердых растворах CdxHg1–xTe по спектрам отражения в дальней инфракрасной области А. <...> Лысенко2 1АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (г. Москва) Determination of Charge Free Carrier Concentration in CdxHg1–xTe Solid Solutions By Far Infrared Reflection Spectra A.G. <...> Lysenko2 1State Scientific Research and Design Institute of Rare Metal Industry GIREDMET, Moscow 2National Research University Higher School of Economics, Moscow Предложен бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в монокристаллических образцах твердых растворов CdxHg1–xTe и многослойных эпитаксиальных гетероструктурах на их основе по спектрам отражения в дальней инфракрасной области. <...> На спектральной зависимости коэффициента отражения, полученной при комнатной температуре, определены характеристическая точка и отвечающее ей волновое число. <...> С помощью рассчитанных градуировочных кривых получено значение концентрации тяжелых дырок. <...> Показано, что при построении градуировочных кривых необходимо учитывать взаимодействие плазменных колебаний с продольными оптическими фононами. <...> Ключевые слова: спектры отражения; твердые растворы CdxHg1–xTe; определение концентрации свободных носителей заряда; плазмон-фононное взаимодействие. <...> The contactless non-destructive method of charge free carrier concentration determination in monocrystalline samples of CdxHg1–xTe solid solutions and А.Г. Белов, И.А. Денисов, В.Е. Каневский, Н.В. Пашкова, А.П. Лысенко, 2016 270 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 3 2016 Определение концентрации свободных носителей заряда… multilayer epitaxial heterostructures on their base by far infrared reflection spectra has been suggested. <...> Метод определения концентрации свободных носителей заряда (КСНЗ), основанный на анализе инфракрасных спектров отражения (плазменном резонансе), наиболее перспективен. <...> По характеристическим точкам на спектральной зависимости <...>