Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №3 2016

Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии (154,00 руб.)

0   0
Первый авторСоколов
АвторыФедотов С.Д., Стаценко В.Н., Тимошенков С.П., Емельянов А.В.
Страниц10
ID376645
АннотацияМетодами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). Проведен рентгеноструктурный анализ слоев КНС. Переходная область кремний– сапфир исследована методом фотоЭДС. Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более.
УДК538.911
Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии / Е.М. Соколов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 12-21 .— URL: https://rucont.ru/efd/376645 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY УДК 538.911 Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии Е. <...> Емельянов2 1АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Study on Silicon on Sapphire Structural Properties in Process of Hybrid-Chloride Gas-Phase Epitaxy E.M. <...> Emelyanov2 1Epiel JSC, Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). <...> Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. <...> Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. <...> Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. <...> Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более. <...> The surface of silicon on sapphire (SOS) epitaxial layers have been investigated by the atomic-force and UV scattering methods. <...> The problem of accumulating the silicon  Е.М. Соколов, С.Д. Федотов, В.Н. Стаценко, С.П. Тимошенков, А.В. Емельянов, 2016 208 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 3 2016 Исследование структурных свойств кремния на сапфире… synthesis secondary products has been considered and experimentally confirmed. <...> The studies on the SOS surface and layers structure have enabled to determine that the growth of films is realized according to the Stranski-Krastanov mechanism. <...> Гетероэпитаксиальные слои (ГЭС) кремния на сапфире (КНС) известны уже более 50 лет [1] и до сих пор остаются востребованными среди различных технологий <...>