КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi (154,00 руб.)

УДК 621.384.4 КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi А.М. <...> Попов1 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2ОАО «Швабе-Фотосистемы» (г. Москва) CMOS Array of 320240 Elements for Spectral Range of 3–5 µm Based on PtSi Photodiodes A.M. <...> Popov1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2OAO «Shvabe-Fotosistemy», Moscow Приведены результаты разработки и исследований матричного фотоприемного устройства формата 320Ч240 элементов на основе фотодиодов из силицида платины для спектрального диапазона 35 мкм. <...> Показано, что матричное фотоприемное устройство имеет возможность регулировки времени накопления фотосигнала при фиксированной кадровой частоте и позволяет вычитать постоянную составляющую фона в выходном устройстве. <...> The results of the development and studies on the focal plane array (FPA) of the format 320x240 on the PtSi basis have been presented. <...> It has been shown that FPA posses the possibility of regulating the time of the current accumulation at fixed frame frequency and the possibility of subtracting the background forming constant in the output device. <...> Матричные фотоприемные устройства ИК спектрального диапазона 35 мкм на основе силицида платины успешно реализованы рядом зарубежных фирм в разных вариантах считывания фотосигнала, например с помощью ПЗС, КМОП, приборов с вытягиванием заряда (SWEEP), и в разных форматах исполнения  от 128Ч128 до 640Ч320 элементов и более [1–3]. <...> Преимуществом этого класса приборов является полная совместимость с кремниевой ПЗС- и КМОП-технологией. <...> В настоящей работе рассматриваются конструкция и технология изготовления матричных фотоприемных устройств на основе силицида платины (PtSi), адаптированных к КМОП-технологии. <...> Фотоэлектрические параметры диодов Шоттки на основе PtSi. <...> Исследование фотоэлектрических и электрофизических параметров фотодиодов выполнено на тестовых элементах, встроенных по краям фоточувствительного поля матрицы. <...> В работе [4] описаны теоретические исследования фотоэлектрических параметров фотодиодов Шоттки. <...> Типичная <...>