Ю.А. Гагарина) ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ В ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ АНТЕННЫХ УСТРОЙСТВАХ В настоящее время при разработке на основе сегнетоэлектрических пленок функциональных устройств микроэлектроники, таких как электронно-перестраиваемые СВЧ-компоненты в интегральном исполнении (фазовращатели, фильтры, резонаторы, фазированные антенные решетки), микрополосковые модуляторы для оптических систем связи, микроэлектромеханические системы (акселерометры, микропомпы, датчики давления, резонаторы), планарная топология электродов становится основой их конструктивной базы. <...> Поэтому изучение особенностей проявления сегнетоэлектрического состояния при такой топологии электродов становится актуальной задачей [1]. <...> Сдерживающим фактором широкого практического применения сегнетоэлектрических пленок является температурная зависимость их диэлектрической проницаемости и, как следствие, температурная зависимость характеристик устройств, созданных на их основе. <...> Температурная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков является их принципиальным свойством, которое проявляется во взаимосвязи нелинейности диэлектрической проницаемости по электрическому полю и температуры. <...> Снижение крутизны температурной зависимости приводит к уменьшению управляемости электрическим полем, а, следовательно, к ограничению функциональных возможностей устройств на сегнетоэлектрических пленках. <...> Таким образом, необходимость температурной стабилизации устройств на основе сегнетоэлектрических пленок становится неизбежным обстоятельством при конструировании устройств. <...> В большинстве сегнетоэлектрических устройств используется переключение поляризации в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, что позволяет при малых толщинах пленок управлять поляризацией весьма малыми напряжениями (единицами вольт). <...> В то же время для оптических и многих СВЧ-приложений <...>