51, № 4 УДК 535.421; 546.28; 621.793 ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКОМПОЗИТОВ ОТЖИГОМ ПЛ¨ ЕНОК SiOx В КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩЕЙ СРЕДЕ Н. В. <...> Григория Сковороды, 2 E-mail: sopinsky@isp.kiev.ua Методом многоугловой эллипсометрии изучены фазово-структурные превращения, протекающие при термическом отжиге в воздушной среде вакуумно осаждённых плёнок SiOx. <...> Анализ экспериментальных результатов с помощью набора оптических моделей, учитывающих неоднородность и анизотропность, позволил получить сведения о влиянии конкурирующих процессов фазового разложения и окисления плёнок SiOx на макро- и микроструктуру формирующихся систем в интервале температур отжига 650–1000 ◦С. <...> Тонкоплёночные нанокомпозиты, состоящие из кристаллических или аморфных кремниевых наночастиц в диэлектрической матрице, пригодны для создания источников излучения в кремниевой оптоэлектронике, фотовольтаических преобразователей, элементов энергонезависимой памяти новых поколений и некоторых других применений [1–3]. <...> Одним из самых распространённых методов получения таких структур является термостимулированное диспропорционирование плёнок субоксида кремния SiOx (x < 2). <...> Этот процесс уже достаточно подробно исследован, но изучались преимущественно структурно-фазовые превращения, обусловленные отжигом плёнок SiOx в вакууме или инертной среде. <...> Возможность улучшения рабочих характеристик таких нанокомпозитных плёнок и формирования верхнего диэлектрического слоя в них путём дополнительного отжига в кислородсодержащей среде рассматривалась в [4–8]. <...> Показано, что такой постотжиг (в том числе в воздухе [7]) позволяет повысить эффективность свечения за счёт лучшей пассивации поверхности кремниевых наночастиц [4–7]. <...> В работах [5, 9, 10] показано, что одностадийный отжиг плёнок SiOx позволяет по121 лучать люминисцирующие системы, содержащие кремниевые наночастицы. <...> Эта технология требует дальнейшего тщательного изучения, учитывая то обстоятельство, что диспропорционирование <...>