Силовая электроника №1 2014 (50,00 руб.)

СИЛОВАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ПРИВОДЫ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ СИСТЕМЫ ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА АВТОМОБИЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА СОФТ WWW.POWERE.RU ТЕМАТИЧЕСКОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ К ЖУРНАЛУ КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ № 1’2014 ФЕВРАЛЬ ISSN 2079-9322 FBSOA + RBSOA SCSOA SOA Характеристики в состоянии проводимости Ron (Von) E Характеристики выключения SW-loss Eff IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития Основы теории и особенности применения линейных MOSFET Высоковольтные источники питания UltraVolt — гарантия надежности К вопросу о конструировании кабельных муфт высокого напряжения реклама реклама СИЛОВАЯ № 1 (46)’2014 Главный редактор Павел Правосудов pavel@fsmedia.ru Зам. главного редактора Анна Соснина Выпускающий редактор Елена Якименко a.sosnina@mtu-net.ru elena.yakimenko@fsmedia.ru Технический консультант Андрей Колпаков Новостной редактор Наталья Новикова natalia.novikova@fsmedia.ru Литературный редактор Екатерина Трофимова Дизайн и верстка Дмитрий Никаноров dmitry.nikanorov@fsmedia.ru Отдел рекламы Ольга Зайцева olga_z@fsmedia.ru Ирина Запрягаева irina@fsmedia.ru Отдел подписки Наталья Виноградова podpiska@fsmedia.ru Москва 105120, Москва, Нижняя Сыромятническая ул., 10, стр. <...> Свободная цена Журнал «Силовая Электроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций. <...> . .40 Абду Саттар(Abdus Sattar), Владимир Цуканов (Vladimir Tsukanov) Перевод: Иван Полянский Основы теории и особенности применения линейных MOSFET . <...> . . . . . . . . .61 Константин Верхулевский Модуль поддержания выходного напряжения HUGD от GAIA Converter. <...> В конструкции RET отдельные элементы представляют собой сформированные в трех измерениях стальные ленты, которые особым www.powere.ru Силовая Электроника, № 1’2014 Силовая элементная база а б Рис. <...> 7 Силовая Электроника, № 1’2014 Силовая элементная база Краткий обзор основных IGBT-технологий Для опытных инженеров, которые давно занимаются разработкой электроприводов, эта статья о биполярных транзисторах с изолированным затвором (InsulatedGate Bipolar Transistor, IGBT) — обобщение известных истин. <...> Однако для новичков, которые <...>