Силовая электроника №3 2012 (50,00 руб.)

СИЛОВАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ПРИВОДЫ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ СИСТЕМЫ ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА АВТОМОБИЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА СОФТ WWW.POWERE.RU ТЕМАТИЧЕСКОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ К ЖУРНАЛУ КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ № 3’2012 ИЮНЬ ISSN 2079-9322 Бескорпусные сварочные диоды «ПротонЭлектротекс» Электронные компоненты высокой мощности для систем защиты РЭА от импульсных перенапряжений Микроконтроллеры Texas Instruments для управления электроприводами Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения реклама реклама Реклама СИЛОВАЯ № 3 (36)’2012 Главный редактор Павел Правосудов pavel@finestreet.ru Зам. главного редактора Анна Соснина Выпускающий редактор Елена Якименко a.sosnina@mtu-net.ru elena.yakimenko@finestreet.ru Технический консультант Андрей Колпаков Новостной редактор Наталья Новикова natalia.novikova@finestreet.ru Литературный редактор Екатерина Трофимова Дизайн и верстка Дмитрий Никаноров dmitry.nikanorov@finestreet.ru Отдел рекламы Ольга Зайцева olga_z@finestreet.ru Ирина Запрягаева irina@finestreet.ru Отдел подписки Наталья Виноградова podpiska@finestreet.ru Москва 105120, Москва, Нижняя Сыромятническая ул., 5/7, стр. <...> Свободная цена Журнал «Силовая Электроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций. <...> Мацерат Проблемы разработки и выбора унифицированных узлов и блоков вторичного электропитания для РЭА морского флота. <...> . . . . . . . .14 Владимир Веревкин, Виктор Костусяк Особенности учета потерь мощности при включении высоковольтных тиристоров большой площади . <...> . . . . . . . . . . . . . . .20 ЭЛЕКТРОНИКА В номере: ЭЛЕКТРОНИКА СИЛОВАЯ Гурген Барегамян, Норик Петросян Исследование и оптимизация параметров резонансного инвертора в источнике вторичного электропитания . <...> www.landata.ru PT Electronics — дистрибьютор SEMIKRON Компания PT Electronics заключила дистрибьюторское соглашение с немецкой фирмой SEMIKRON, которая является одним из лидеров на рынке силовых полупроводников, предлагая широкую номенклатуру продукции для различного применения: от одиночных IGBT и MOSFET до законченных функциональных устройств <...>