Силовая электроника №5 2010 (50,00 руб.)

СИЛОВАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ПРИВОДЫ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ СИСТЕМЫ ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА АВТОМОБИЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА СОФТ WWW.POWERE.RU ТЕМАТИЧЕСКОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ К ЖУРНАЛУ КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ № 5’2010 НОЯБРЬ ISSN 20799322 Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них IGBTдрайверы InPower Systems с программноуправляемыми характеристиками Защитные функции современных драйверов IGBT Мощные высоковольтные источники питания реклама реклама Реклама СИЛОВАЯ № 5 (28)’2010 Главный редактор Павел Правосудов pavel@finestreet.ru Зам. главного редактора Анна Соснина Выпускающий редактор Елена Якименко a.sosnina@mtu-net.ru elena.yakimenko@finestreet.ru Технический консультант Андрей Колпаков Литературный редактор Екатерина Трофимова Дизайн и верстка Дмитрий Никаноров dmitry.nikanorov@finestreet.ru Отдел рекламы Ольга Зайцева olga_z@finestreet.ru Ирина Запрягаева irina@finestreet.ru Отдел подписки Наталья Виноградова podpiska@finestreet.ru Москва 105120, Москва, Нижняя Сыромятническая ул., 5/7, стр. <...> Свободная цена Журнал «Силовая Электроника» зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций. <...> ЭЛЕКТРОНИКА В номере: Рынок Виктор Войтович, Александр Гордеев, Анатолий Думаневич Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. <...> . . . .12 Олег Радюшкин Методы оценки срока эксплуатации электролитических конденсаторов . <...> . . . . . . .50 Алексей Мальцев, Иван Мальцев Тепловое сопротивление как показатель надежности мощных выпрямительных мостов . <...> Отличительным признаком является ширина запрещенной энергетической зоны, т. е. разница в энергиях частицы-носителя заряда, когда она находится в связанном энергетическом состоянии (валентная зона) и в свободном состоянии — как составляющая токодвижения (проводимости) в кристаллической www.powere.ru Силовая Электроника, № 5’2010 Таблица 1. <...> Сравнительные характеристики параметров ультрабыстрых диодов на GaAs, SiC и GaN Параметр, характеристики Предельная рабочая температура p-n-перехода TJ, °С Подвижность электронов µn, см2/В·с ** Отсечка прямого <...>