СОДЕРЖАНИЕ
1 Контроль на основе фотонного эха степени
кристалличности
2 Плазма коронного разряда в процессах нанесения
функциональных покрытий
Гаврилова В.А., Каплан А.Р., Кашапов Н.Ф.
3 Исследование нелинейных продольных колебаний
однородного газа и аэрозоля в полуоткрытой
трубе в режиме отсутствия ударных волн.
Анисимов А.А.
4 Влияние геометрических параметров на
пульсационное горение твердого топлива в
установке типа емкость-труба
Яллина Е.В.
5 Тонкие пленки титаната бария-стронция и
нитрида алюминия
Мороз А.В., Сушенцов Н.И., Степанов С.А.,
Грибин А.А., Сливин Д.С., Чернов Д.А.
6 Автоматизированная установка магнетронного
распыления для нанесения функциональных
покрытий.
Мороз А.В., Сушенцов Н.И., Степанов С.А.,
Грибин А.А., Сливин Д.С., Чернов Д.А.
7 Распространение пылевых ионно-звуковых
солитонов в плазме в присутствии
электромагнитного излучения
Извекова Ю.Н., Голубь А.П., Лосева Т.В.,
Попель С.И.
4
7
полученных методом
магнетронного распыления тонких пленок
Степанов С.А., Попов И.И., Вашурин Н.С.,
Сушенцов Н.И., Путилин С.Э.
14
23
29
35
41
47
Стр.4
8 Возбуждение зональных потоков и стримеров в
ионосферной
плазме
в
модуляционного взаимодействия
Извекова Ю.Н., Попель С.И.
9 Пылевые частицы в экзосфере луны
Голубь А.П., Дольников Г.Г., Захаров А.В.,
Извекова Ю.Н., Копнин С.И., Попель С.И.
10 О влиянии пылевых частиц на космическую
погоду
Копнин С.И., Попель С.И.
11 О предельных значениях зарядов нано- и
микромасштабных частиц в комплексной
(пылевой) плазме
Копнин С.И., Морозова Т.И., Попель С.И.
12 Нелинейные колебания однородного газа и
аэрозоля в частично открытой трубе в безударноволновом
режиме
Шайдуллин Л.Р.
13 Дополнение к аналитической теории нелинейных
колебаний газа в трубах с открытым концом.
Фадеев С. А.
14 Пульсационное горение древесины в системе типа
ѐмкость-труба с удлиненной воздухоподающей
трубой.
Ларионов В.М., Габдуллина Г.Н.
15 Разработка двумерного датчика для
ультразвуковой медицинской аппаратуры с
полимерно-порошковым защитным покрытием
Кашапов Н.Ф., Фазлыйяхматов М.Г.
16 Травление пьезоэлектрических
60
67
74
80
86
92
98
кварцевых
элементов в трансформаторно-связанной плазме
высокой плотности
Мельников А.Д.
5
103
результате
54
Стр.5
17 Нанесение защитного полистирольного покрытия
на металлическую поверхность с использованием
импульсного коронного разряда
Понизовский А.З., Гостеев С.Г., Филиппов С.Н.,
Кирьянова В.В., Камушкин Е.А.
18 Исследование особенностей высоковольтного
газового разряда
Колпаков В.А., Колпаков А.И.
19 Расчет свойств дуговой плазмы (неоновая плазма)
Даутов Г.Ю., Файрушин И.И., Егорова Е.А.
обработка
20 Плазменная
в процессах
колорирования хлопчатобумажных трикотажных
полотен
Азанова А.А., Абдуллин И.Ш., Нуруллина Г.Н.
21 Исследование влияния формы напряжения на
зажигание плазменно-электролитного разряда
Кашапов Р.Н., Файзрахманов И.А.
22 Струйная высокочастотная индукционная плазма
в процессах нанесения просветляющих покрытий
Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф.
136
142
109
116
124
132
6
Стр.6
УДК 535.015
КОНТРОЛЬ НА ОСНОВЕ ФОТОННОГО ЭХА СТЕПЕНИ
КРИСТАЛЛИЧНОСТИ ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ
МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
Степанов С.А., Попов И.И., Вашурин Н.С., Сушенцов Н.И.,
Путилин С.Э.
popov@marsu.ru
Аннотация
Предлагаемый метод контроля кристалличности тонких пленок
реализован на трех поликластерных нанопленках: пленках оксида
цинка (ZnO) толщиной 600 нм и 800 нм, трехслойной пленке
толщиной 300 нм, состоящей из трех пленок толщиной по 100 нм - из
кремния, легированного фтором (SiF), кремния, легированного бором
(SiB), и оксида цинка (ZnO). В качестве метода исследования
применена методика регистрации однородной ширины резонансной
спектральной линии γ(1) с помощью первичного фотонного эха.
Величина γ (1) для пленки толщиной 800 нм составила 1,254 ТГц, а для
пленки 600 нм – 0,49 ТГц. Увеличение значения величины γ (1) в
пленке толщиной 800 нм по сравнению с пленкой в 600 нм
подтверждается результатами рентгенодифракционного анализа [1] о
соответственном увеличении в 1,8 раза степени кристалличности
пленки.
Введение
В качестве объекта исследования в данной работе выбраны три
поликластерные нанопленки: пленки оксида цинка (ZnO) толщиной
600 нм и 800 нм, трехслойная пленка толщиной 300 нм, состоящая из
трех пленок толщиной по 100 нм – из кремния, легированного фтором
(SiF), кремния, легированного бором (SiB), и оксида цинка (ZnO).
Данные пленки были получены одним из методов ионно-плазменного
нанесения пленок – методом магнетронного распыления. Как показано
в работе [2], при подобном получении пленок образуются как
рентгеноаморфные, так и поликристаллические (поликластерные)
системы (с различной степенью текстурированности) из-за
формирования их в условиях потери морфологической устойчивости
7
Стр.7