УДК 621.38.53
Сильнополевая инжекционная модификация
наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах
© B.В. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия
Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур
с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе
термической пленки SiO2, легированной фосфором, при сильнополевой инжекционной
модификации, проводимой при различных режимах инжекции. <...> Выполнена оценка
временной и температурной стабильности зарядового состояния диэлектрической пленки после модификации. <...> Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах
с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой
туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик приборов с такой структурой. <...> Предложен способ
модификации электрофизических характеристик МДП-структур путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания
постоянного инжекционного тока. <...> Показано,
что для получения приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать
при температурах около 200 °C. <...> Ключевые слова: МДП-структура, наноразмерная диэлектрическая пленка, модификация, сильные электрические поля, инжекция, подзатворный диэлектрик. <...> Важной задачей современной микро- и наноэлектроники
является создание полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и других изделий, изготавливаемых на основе структур металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), с возможностью корректировки
параметров как в процессе, так и после их изготовления. <...> Как было
показано [1–3], в качестве таких диэлектрических пленок можно
использовать многослойный диэлектрик на основе термической
двуокиси кремния, пассивированной слоем фосфорно-силикатного
1
B.В. <...> Пленка <...>