УДК 541.13 А.Ш. Алиев, М.Н. Мамедов ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ CdSe НА Pt ЭЛЕКТРОДЕ (Институт химических проблем Национальной АН Азербайджана) E-mail: chim.prob.tur@rambler.ru держащего большую концентрацию иона Cd2+ при низких концентрациях H2SeO3 на платиновом электроде. <...> Установлена область потенциалов, при которых на электроде образуется пленка, по составу близкая к CdSe. <...> Показано, что свободная фаза Se находится в нижних слоях осадка. <...> Исследован механизм электроосаждения CdSe из сернокислого электролита, соТонкие слои CdSe являются перспективным материалом для создания оптоэлектронных устройств [1–3], твердотельных солнечных батарей [4], а также фотоэлектрохимических преобразователей регенеративного типа [5, 6], так как это соединение устойчиво в окиcлительно-восстановительной системе S2-–S 2 2 . <...> Электроосаждение тонких слоев CdSe из растворов, содержащих H2SeO3, CdSO4 и H2SO4, проведено ранее в ряде работ [7–10]. <...> Однако в последнее время вновь возрос интерес к получению тонких слоев CdSe электрохимическим путем [11–13]. <...> Вместе с тем, по данным [8, 14] в составе пленок CdSe, полученных из селенокислых электролитов, всегда присутствует свободная фаза селена. <...> Предполагается, что вхождение Se в состав пленок связано с протеканием реакции: H2SeO3+2H2Se=3Se+3H2O (1) Скорость этой реакции увеличивается с повышением концентрации H2SeO3. <...> Поэтому для получения тонких слоев CdSe, свободных от селена, применялись электролиты с низкой концентрацией H2SeO3 и относительно высокой концентрацией CdSO4 [7–9]. <...> В работе [7] применялся электролит, содержащий 7–34 ммоль H2SeO3 и 17–42 ммоль H2SeO3 и 10–100 ммоль CdSO4, а в [8] – 0,5 ммоль H2SeO3 и 100 ммоль CdSO4, принимая во внимание, что скорость реакции (1) ограничена низкой концентрацией H2SeO3 в электролите. <...> Протекание реакции (1) справедливо лишь в том случае, когда наблюдается образование коллоидного раствора селена, а не покрытия, что требует дополнительных исследований. <...> Кроме того, в этих работах основное внимание уделялось изучению морфологии, кристаллической <...>