Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
4(108)’2014
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Амербаев В.М., акад. НАН
Респ. Казахстан, д.т.н., проф.
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.М., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2014
© МИЭТ, 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Фундаментальные исследования
Демин Г.Д., Попков А.Ф., Дюжев Н.А. Перенос
спинового момента и особенности переключения
магнитных состояний в вакуумных туннельных наноструктурах.
................................................................................ 3
Материалы электронной техники
Глушков Г.И., Тучин А.В., Попов С.В., Битюцкая Л.А.
Размерный магнетизм и оптическое перемагничивание
наноструктур силицидов переходных металлов ................ 11
Миляев М.А., Наумова Л.И., Каменский И.Ю.,
Устинов В.В. Спиновые клапаны на основе антиферромагнетика
Mn75Ir25 с управляемыми функциональными
параметрами .......................................................................... 15
Тарасов С.А., Александрова О.А, Ламкин И.А.,
Максимов А.И., Мараева Е.В., Михайлов И.И.,
Мошников В.А., Мусихин С.Ф., Налимова С.С.,
Пермяков Н.В., Спивак Ю.М., Травкин П.Г. Люминесцентные
свойства систем «пористые кремнийсодержащие
матрицы – наночастицы PbS» ..................................... 21
Технология микро- и наноэлектроники
Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кириленко Е.П.,
Козлитин А.И., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М., Набиев Р.М.,
Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Сахаров О.А., Трифонов А.И.
Исследование технологий формирования наноструктурированных
эмиссионных сред для сильноточной
радиочастотной электроники ............................................... 27
Галперин В.А., Кицюк Е.В., Павлов А.А., Шаманаев А.А.
Исследование технологии плазменного наноструктурирования
кремния для формирования высокоэффективных
эмиссионных структур .................................................. 36
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Компьютерный дизайн, верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 04.07.2014.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,6 усл.печ.л.,
10,94 уч.-изд.л.
Заказ № 40.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень российских
рецензируемых научных журналов,
в которых должны быть опубликованы
основные научные результаты
диссертаций на соискание ученых
степеней доктора и кандидата наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования.
Мухамадеев Р.А., Данилина Т.И., Троян П.Е. Моделирование
Bosch-процесса травления микро- и наноструктур
................................................................................... 42
Микроэлектронные приборы и системы
Сергеев В.А., Куликов А.А. Неразрушающий метод определения
напряжения шнурования тока в мощных ВЧ и
СВЧ биполярных транзисторах ......................................... 46
Копцев Д.А., Дмитриев В.А. Разработка интегральных
микросхем приемного тракта на основе SiGeгетеробиполярных
транзисторов для диапазона частот
57-64 ГГц ............................................................................... 54
Нанотехнология
Гусев Е.Э., Егоркин В.И., Зайцев А.А. Исследование
параметров нанесения антиадгезионных слоев в наноимпринт
литографии ........................................................... 59
Информационные технологии
Гагарина Л.Г., Колдаев В.Д. Методологические подходы
к контурной сегментации изображений в автоматизированных
производственных системах ..................... 64
Краткие сообщения
Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В.,
Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Зуев А.В., Бунегина С.Л.
Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем
5-мм диапазона длин волн на основе гетероструктур
AlGaN/GaN ..................................................................... 73
Лугин А.Н. Исследование тензочувствительности и
ТКС при изменении топологии тонкопленочных резисторов
при подгонке ............................................................ 76
Бритков И.М., Евстафьев С.С., Злобин Д.О.,
Бритков О.М., Тимошенков С.П. Измерение угла отклонения
микрозеркала с помощью фоточувствительной
матрицы ................................................................................. 79
Майоров А.С. Исследование интегральных фотоприемных
устройств на кристалле оптоэлектронной ИС ....... 82
Волкова А.В. Определение диаметров многостенных
углеродных нанотрубок по сорбции азота ......................... 85
Конференции. Школы
Конференция и школа молодых ученых по актуальным
проблемам физики полупроводниковых структур
(15–18 сентября 2014 г., Новосибирск) .............................. 88
Contents ................................................................................ 89
Abstracts ............................................................................... 90
К сведению авторов ............................................................ 95
2
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 4(108) 2014
Стр.2