Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634655)
Контекстум
.

Изучение терморезистора (90,00 руб.)

0   0
Первый авторРудь Н. А.
АвторыСергеев А. Н., Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова
ИздательствоЯрГУ
Страниц60
ID238204
АннотацияВ данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).
Кому рекомендованоПредназначены для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 210100.62 Электроника и наноэлектроника, 011800.62 Радиофизика, 011200.62 Физика (дисциплина «Физический практикум», блок ЕН) очной формы обучения.
УДК621.316.825
ББК22.379.2я73
Рудь, Н. А. Изучение терморезистора : метод. указания / А. Н. Сергеев; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова; Н. А. Рудь .— Ярославль : ЯрГУ, 2012 .— 60 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/238204 (дата обращения: 23.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах; даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости; сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. <...> Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. <...> Физические основы проводимости металлов и полупроводников 1.1. <...> Классификация твёрдых тел по величине электропроводности По величине электропроводности все твердые тела можно разделить на три большие группы: металлы, полупроводники и диэлектрики. <...> Один и тот же полупроводник в зави10Ом ·см, а для полупроводника CdS изменяется в интервале 10 10Ом ·см. Из этих данных следует, что при переходе от одной группы веществ к другой значения электросимости от содержания примесей или дефектов в нем может иметь различную проводимость. <...> Так, например, электропроводность кристаллического кремния изменяется от 10 до проводности могут перекрываться, поэтому классификация твердых тел по величине электропроводности не является совершенно однозначной. <...> Различие между металлами, с одной стороны, и диэлектриками и полупроводниками – с другой, проявляется достаточно четко в ходе температурных зависимостей электропроводности. <...> Одним из них является так называемая валентная аппроксимация. <...> Считается, что все электроны внутренних оболочек атомов образуют вместе с ядром покоящийся атомный остов (т. е. ион) и уравнение (1.4) записывается лишь для валентных электронов, которые движутся в некотором результирующем поле неподвижных ионов. <...> В рамках приближения Борна – Оппенгеймера и валентной аппроксимации волновая функция системы зависит от координат всех валентных электронов. <...> Суть этого заключается в замене потенциальной энергии взаимодействия электронов  вида   1 2 Ur  i го электрона с некоторым эффективным полем (действие на i-й электрон <...>
Изучение_терморезистора_Методические_указания.pdf
Министерство образования и науки Российской Федерации Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова Кафедра микроэлектроники Н. А. Рудь А. Н. Сергеев ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРА Методические указания Рекомендовано Научно-методическим советом университета для студентов, обучающихся по направлениям подготовки Электроника и наноэлектроника, Радиофизика, Физика Ярославль 2012
Стр.1
УДК 621.316.825 ББК В379.2я73 Р83 Рекомендовано Редакционно-издательским советом университета в качестве учебного издания. План 2011 года Рецензент кафедра микроэлектроники Ярославского государственного университета им. П. Г. Демидова Рудь, Н. А. Изучение терморезистора: метод. указания Р83 / Н. А. Рудь, А. Н. Сергеев; Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова. – Ярославль : ЯрГУ, 2012. – 60 с. В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах; даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости; сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Предназначены для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 210100.62 Электроника и наноэлектроника, 011800.62 Радиофизика, 011200.62 Физика (дисциплина «Физический практикум», блок ЕН) очной формы обучения Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083). УДК 621.316.825 ББК В379.2я73  Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 2012 2
Стр.2
Оглавление I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ ....................................................... 3 1. Физические основы проводимости металлов и полупроводников ................................................................... 3 1.1. Классификация твёрдых тел по величине электропроводности ......................................................... 3 1.2. Уравнение Шредингера для твёрдого тела .................... 4 1.3. Зонная структура твердых тел .................................... 10 1.4. Электропроводность металлов ..................................... 12 1.5. Собственная проводимость полупроводников ............. 20 1.6. Примесная проводимость полупроводников ................. 32 2. Электрические свойства терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) ............................................................. 39 3. Технология изготовления терморезисторов с отрицательным ТКС ............................................................ 42 4. Применение терморезисторов с отрицательным ТКС ........ 43 5. Терморезисторы с положительным ТКС из простых полупроводников ................................................ 44 6. Релейный эффект .................................................................... 47 II. ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ ...................................................... 54 1.Экспериментальная установка работы .................................. 54 2. Порядок выполнения работы ................................................. 56 3. Контрольные вопросы ............................................................ 57 Рекомендуемая литература .......................................................... 58 59
Стр.59

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
.
.