Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634620)
Контекстум
.

Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) (190,00 руб.)

0   0
АвторыБелоножко Д. Ф., Яросл. гос. ун-т
ИздательствоЯрГУ
Страниц188
ID207116
АннотацияВ сборник вошли научные статьи, отражающие результаты исследований, представленных на научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)», проходившей в Ярославском государственном университете им. П.Г. Демидова 22 - 23 сентября 2008 г. В сборник включены теоретические, экспериментальные и обзорные статьи, посвященные наиболее актуальным проблемам развития микро- и наноэлектроники, квантовым компьютерам и некоторым смежным вопросам. Конференция организована в соответствии с планом мероприятий государственного контракта № 02.552.11.7028 Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
ISBN978-5-8397-0609-5
УДК53:001.2/.4
ББКЗ844я43+З86я43
Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) : сб. трудов науч.-практ. межрегиональной конференции / Д. Ф. Белоножко; Яросл. гос. ун-т .— Ярославль : ЯрГУ, 2008 .— 188 с. : ил. — ISBN 978-5-8397-0609-5 .— URL: https://rucont.ru/efd/207116 (дата обращения: 19.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

П.Г. Демидова Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) Сборник научных трудов научно-практической межрегиональной конференции Ярославль, 22-23 сентября 2008 г. Ярославль 2008 1 УДК 53:001.2/. <...> 4 ББК З 844я43+З86я43 © Ярославский государственный университет, 2008 ISBN 978-5-8397-0609-5 2 Оргкомитет конференции Председатель директор Физико-технологического института РАН, академик <...> И.И. Амиров, А.В. Куприянов Ярославский филиал Физико-технологического института РАН Получение массивов микроигл на поверхности Si, обладающих различными функциональными свойствами [1-5], представляет большой интерес в технологии создания различных устройств и приборов микросистемной техники. <...> Методом растровой электронной спектроскопии было выявлено, что в плазме SF6/C4F8 причиной возникновения микроигл и столбчатых структур являются остатки травления фторуглеродной пленки (ФУП) [9]. <...> Ядром зарождения микроигл являются фторуглеродные нанообразования, которые остаются на поверхности Si после ионно-стимулированного травления (ФУП). <...> Их размеры растут с увеличением числа циклов травление/осаждение, и с определенного цикла из них образуется каркас фторуглеродной микромаски, необходимой для формирования микроигл. <...> Начальная стадия развития микромаскирующего покрытия представляет наибольший интерес, так как неясно, что является причиной возникновения фторуглеродных нанообразований. <...> Величина отрицательного потенциала смещения определяла среднюю энергию бомбардирующих поверхность ионов. <...> Длительность стадии травления равнялась 4 с, а осаждения 8 с. <...> Изображение образующихся на поверхности Si нано- и микроструктур получали с помощью растрового электронного микроскопа BS 340 с приставкой NanoMakerWriter. <...> Близкое к 2 значение фрактальной размерности <...>
Квантовые_компьютеры,_микро-_и_наноэлектроника_(физика,_технология,_диагностика_и_моделирование)_сборник_трудов_научно-практической_межрегиональной_конференции.pdf
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) Сборник научных трудов научно-практической межрегиональной конференции Ярославль, 22-23 сентября 2008 г. Ярославль 2008 1
Стр.1
УДК 53:001.2/.4 ББК З 844я43+З86я43 К 32 Ответственный за выпуск доктор физико-математических наук Д.Ф. Белоножко Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физиК 32 ка, технология, диагностика и моделирование): cборник трудов научно-практической межрегиональной конференции / jтв. за вып. д-р физ.-мат. наук Д.Ф. Белоножко; Яросл. гос. ун-т. – Ярославль: ЯрГУ, 2008. – 188 с ISBN 978-5-8397-0609-5 В сборник вошли научные статьи, отражающие результаты исследований, представленных на научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)», проходившей в Ярославском государственном университете им. П.Г. Демидова 22 – 23 сентября 2008 г. В сборник включены теоретические, экспериментальные и обзорные статьи, посвященные наиболее актуальным проблемам развития микро- и наноэлектроники, квантовым компьютерам и некоторым смежным вопросам. Конференция организована в соответствии с планом мероприятий государственного контракта № 02.552.11.7028 Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» УДК 53:001.2/.4 ББК З 844я43+З86я43 ISBN 978-5-8397-0609-5 2 © Ярославский государственный университет, 2008
Стр.2
Оргкомитет конференции Председатель директор Физико-технологического института РАН, академик А.А. Орликовский Члены Оргкомитета: замдиректора ФТИАН, д-р физ.-мат. наук В.Ф. Лукичев директор ЯФ ФТИАН, д-р техн. наук замдиректора ЦКП «Диагностика микрои наноструктур», д-р физ.-мат. наук, проф. А.С. Рудый замдиректора ЯФ ФТИАН, канд физ.-мат. наук доц. кафедры микроэлектроники ЯрГУ им. П.Г. Демидова, д-р физ.-мат. наук Программный комитет: проф. С.П. Зимин (ЯрГУ) проф. И.А. Кузнецова (ЯрГУ) доц. А.Б. Чурилов (ЯФ ФТИАН) доц. С.А. Кривелевич (ЯФ ФТИАН) доц. О.С. Трушин (ЯФ ФТИАН) Тематика докладов ● Квантовые компьютеры и квантовая информатика ● Микротехнология ● Нанотехнологии в электронике ● Зондовая диагностика наноструктур ● Наноматериалы ● Моделирование процессов микро- и нанотехнологии 3 Э.Ю. Бучин Д.Ф. Белоножко А.Е. Бердников
Стр.3
ФОРМИРОВАНИЕ НАНО- И МИКРОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ, ЦИКЛИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ И.И. Амиров, А.В. Куприянов Ярославский филиал Физико-технологического института РАН Получение массивов микроигл на поверхности Si, обладающих различными функциональными свойствами [1-5], представляет большой интерес в технологии создания различных устройств и приборов микросистемной техники. Такие структуры образуются на поверхности пластины Si во фторосодержащей плазме в циклическом, двухстадийном травление/осаждение (Т/О) процессе в плазме SF6/C4F8, SF6/О2, и закономерности их формирования интенсивно исследуются [6-9]. Методом растровой электронной спектроскопии было выявлено, что в плазме SF6/C4F8 причиной возникновения микроигл и столбчатых структур являются остатки травления фторуглеродной пленки (ФУП) [9]. Ядром зарождения микроигл являются фторуглеродные нанообразования, которые остаются на поверхности Si после ионно-стимулированного травления (ФУП). Их размеры растут с увеличением числа циклов травление/осаждение, и с определенного цикла из них образуется каркас фторуглеродной микромаски, необходимой для формирования микроигл. Предложенный механизм образования микроигл включал стадию зарождения, роста и стационарный участок их формирования. Начальная стадия развития микромаскирующего покрытия представляет наибольший интерес, так как неясно, что является причиной возникновения фторуглеродных нанообразований. Или это случайный процесс, возникающий в результате флуктуаций травления, или он обусловлен сетчатой природой ФУП. Целью работы было исследование влияния параметров процесса на морфологию поверхности кремния в плазмохимическом циклическом (Т/О) процессе в плазме SF6/C4F8 и определение природы возникновения нанообразований. Было проведено исследование морфологии поверхности методом растровой электронной спектроскопии с использованием фрактального анализа полученных изображений. Определение фрактальной размерности позволяет выявить возможный механизм образования наномикроструктур [10, 11]. 4
Стр.4
Содержание ФОРМИРОВАНИЕ НАНО- И МИКРОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ, ЦИКЛИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ 4 И.И. Амиров, А.В. Куприянов .............................................................................. 4 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО МАГНЕТИЗМА ЖЕЛЕЗОСОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦ МЕТОДОМ МЕССБАУРОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ 9 В.И. Бачурин, И.Н. Захарова, М.А. Шипилин, А.М. Шипилин ........................ 9 ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК ПЛАЗМОСТИМУЛИРУЮЩИМ МЕТОДОМ В.Ф. Бочкарев, В.В. Овчаров ............................................................................... 14 ИЗУЧЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА БАЗЕ КРЕМНИЯ, ОСАЖДЕННЫХ В ПЛАЗМЕ НИЗКОЧАСТОТНОГО РАЗРЯДА А.Е. Бердников, А.А. Мироненко, А.А. Попов, В.Д. Черномордик, А.В. Перминов ...................................................................................................... 21 ФОРМИРОВАНИЕ НАНОПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ В КРЕМНИИ ПРИ ОТЖИГЕ В ПРИСУТСТВИИ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА Ю.И. Денисенко .................................................................................................... 28 ВИМС-ИССЛЕДОВАНИЯ АНОДИРОВАННЫХ ПЛЕНОК PBTE С.П. Зимин, Е.А. Богоявленская, Э.Ю. Бучин, С.Г. Симакин, В.М. Васин .. 39 ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК А4В6 С.П. Зимин, Е.С. Горлачев, И.И. Амиров .......................................................... 46 ГЛУБОКОЕ АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ КВАРЦА В МАЛОГАБАРИТНОМ РЕАКТОРЕ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ФТОРУГЛЕРОДНОЙ ПЛАЗМЫ ВЧИ РАЗРЯДА М.О Изюмов, И.И. Амиров ................................................................................. 52 О МЕХАНИЗМЕ ВЛИЯНИЯ СВОБОДНОЙ ПОВЕРХНОСТИ НА ЗАКОНОМЕРНОСТИ РАЗВИТИЯ ТЕРМО-КОНВЕКТИВНОЙ НЕУСТЙОЧИВОСТИ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ А.В. Козин, Д.Ф. Белоножко ............................................................................... 58 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТОНКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ПРОВОЛОКИ С УЧЕТОМ МЕХАНИЗМА ПОВЕРХНОСТНОГО РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И.А. Кузнецова, Р.Р. Хадчукаев .......................................................................... 65 185
Стр.185
ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ НА СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ А.Н. Лаптев, А.В. Проказников, Н.А. Рудь ....................................................... 73 МАГНИТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ MRFM В КВАНТОВОМ КОМПЬЮТЕРЕ М.В. Лоханин, С.А. Голызина............................................................................. 79 ДВУХКУБИТНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ В MRFM КВАНТОВОМ КОМПЬЮТЕРЕ М.В. Лоханин, О.В. Посудников ........................................................................ 82 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ НИЗКОЧАСТОТНО-ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ В КРЕМНИЕВОЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ М.И. Маковийчук ................................................................................................. 86 ЗАВИСИМОСТЬ ЭКВАТОРИАЛЬНОГО ЭФФЕКТА КЕРРА ОТ УГЛА ПАДЕНИЯ СВЕТА ДЛЯ СВЕРХТОНКИХ ПЛЕНОК КОБАЛЬТА И МУЛЬТИСЛОЕВ CO/CU/CO В.В. Наумов, В.А. Папорков, М.В. Лоханин, Е.А. Богоявленская ................. 90 МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ МАГНЕТРОННЫМ МЕТОДОМ В.В. Наумов, Э.Ю. Бучин, Е.С. Горлачев .......................................................... 97 РАДИАЦИОННАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ МДП-СТРУКТУР С НАНОРАЗМЕРНЫМ ДИОКСИДОМ КРЕМНИЯ Л.С. Подвальный ................................................................................................ 103 КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ГРЕБЕНЧАТОГО ПРИВОДА А.В. Постников, О.В. Морозов, В.А. Кальнов, И.И. Амиров ........................ 109 РАСЧЕТ КОНЦЕНТРАЦИОННЫХ ПРОФИЛЕЙ МЕДИ В КОНТАКТНОЙ СИСТЕМЕ CU/TIN/COSI2/SI В.И. Рудаков, В.Н. Гусев ................................................................................... 114 УСТАНОВКА ДЛЯ ЭПИТАКСИИ МЕТОДОМ ГОРЯЧЕЙ СТЕНКИ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ А4В6 НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ ДИАМЕТРОМ 100 ММ В.И. Рудаков, А.Л. Куреня, А.А. Шорников ................................................... 120 О НЕЛОКАЛЬНОСТИ ПРОЦЕССА РАСПЫЛЕНИЯ И ЕЕ РОЛИ В ФОРМИРОВАНИИ НАНОСТРУКТУР ПРИ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКЕ ПОВЕРХНОСТИ А.С. Рудый, П.А. Кузнецов, А.В. Метлицкая ................................................. 125 186
Стр.186
ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРМАЛЛОЕВЫХ НАНОСТРУКТУР МЕТОДОМ МИКРОМАГНИТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ О.С. Трушин, Н. Барабанова, В.П. Алексеев ................................................... 131 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ СТЕНД ДЛЯ ЭКСПРЕСС ДИАГНОСТИКИ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР О.С. Трушин, Д.А. Коканов, В.Ф. Бочкарев, В.В. Наумов, Э.Ю. Бучин ...... 136 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ, ЦИКЛИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ ТРАВЛЕНИЕ/ОСАЖДЕНИЕ А.С. Шумилов, И.И. Амиров ............................................................................ 140 ВОЛЬТ-ЕМКОСТНОЕ ПРОФИЛИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ZNCDHGTE G. Khlyap, V. Laptev, A. Andrukhiv, М.Г. Андрухив, А.С. Рудый, А.Б. Чурилов ................................................................................. 146 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФАЗООБРАЗОВАНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМАХ В УСЛОВИЯХ АССОЦИИРОВАННОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ C.А. Кривелевич ................................................................................................. 153 МОДЕЛИРОВАНИЕ РАЗВИТИЯ ТРЕХМЕРНЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ СТРУКТУР С РАДИАЛЬНОЙ СИММЕТРИЕЙ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ С.Е. Биркган ........................................................................................................ 159 КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ РАДИАЛЬНО-СИММЕТРИЧНЫХ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР С.Е. Биркган, П.Л. Шокин ................................................................................. 165 ОПТИЧЕСКИЙ МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ НЕРАВНОВЕСНОЙ КВАЗИОДНОМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОЙ ПЛАЗМЫ В СИСТЕМЕ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОК В. И. Степанов, А. Б. Чурилов .......................................................................... 170 РОСТ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР КАТАЛИТИЧЕСКИМ ПИРОЛИЗОМ ПАРОВ ЭТАНОЛА ДЛЯ АВТОЭМИССИОННЫХ КАТОДОВ Н.Г. Савинский, А.А. Шорников, М.Л. Гитлин .............................................. 178 187
Стр.187