Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 636193)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
  Расширенный поиск
539.2

Свойства и структура молекулярных систем


← назад
Результаты поиска

Нашлось результатов: 5

Свободный доступ
Ограниченный доступ
1

АНАЛИЗ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ КОЛЛОИДНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СЕМЕЙСТВА CdSe: РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНАЯ ДИАГНОСТИКА И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

Автор: Панкин

Коллоидные квантовые точки семейства CdSe изучены методами спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) и компьютерного моделирования. Зарегистрированы XANES спектры за /С-красм кадмия коллоидных квантовых точек на основе наночастиц CdSe различного размера. Проведено моделирование атомной структуры частиц CdSe, а также CdSe, допированных атомами переходных металлов Мп и Со, на основе теории функционала плотности

2

АНАЛИЗ ЛОКАЛЬНОЙ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СЕМЕЙСТВА CdS

Автор: Кравцова

Проведен микроволновой синтез квантовых точек на основе CdS, варьировались температура (Т = 180 и 150 °С) и продолжительность синтеза (10 и 5 мин).

3

АТОМНАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК НА ОСНОВЕ CdS

Автор: Кравцова

Проведен ab initio компьютерный дизайн квантовых точек на основе CdS и допированных атомами кобальта квантовых точек CdS. Изучены особенности атомной и электронной структуры полупроводниковых коллоидных квантовых точек на основе CdS различного размера и оценено влияние примесного атома кобальта. Обоснована чувствительность спектроскопии рентгеновского поглощения в ближней к краю области (XANES) для верификации параметров наноразмерной атомной структуры, определенных методами компьютерного моделирования для малых квантовых точек семейства CdS, и для определения параметров локального окружения атомов кобальта в квантовой точке.

4

Анализ моделей формирования и упорядочения пористой структуры оксида алюминия

Автор: Аверин
ПРОМЕДИА: М.

Принцип действия приборов наноэлектроники в основном базируется на поверхностных эффектах, что обуславливает интенсивное использование для их создания материалов с развитой поверхностью, к каким относится пористый оксид алюминия. Однако до сих пор отсутствует единая теория, объясняющая рост при различных условиях формирования упорядоченной оксидной структуры на алюминии, определяющей выходные параметры приборов наноэлектроники. Проанализированы основные модели формирования гексагонально-упорядоченной структуры оксида алюминия: физико-геометрическая, коллоидно-электрохимическая, плазменная и механических напряжений.

5

Алмазный диод

ПРОМЕДИА: М.

Британские ученые сделали тринзистор из аморфного углерода.