Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 556330)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 92269 (0,96 сек)

Уточняется продление лицензии
1

№2 [История и педагогика естествознания, 2019]

Научный рецензируемый сборник статей по педагогике естествознания и истории естествознания

Развитие физики полупроводников в нашей стране Физико-технический институт им. А.Ф. <...> полупроводников или микроэлектроники, например «Физика полупроводников» В.Л. <...> Кафедра физики полупроводников. <...> Кафедра физики полупроводников. <...> Институт физики полупроводников им. А.В.

Предпросмотр: История и педагогика естествознания №2 2019.pdf (0,5 Мб)
2

№5 [Автометрия, 2020]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

ЛАТЫШЕВ Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Д. М. <...> Пирогова, 2 3Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А. В. <...> Нами в Институте физики полупроводников им. А. В. <...> Института физики полупроводников им. <...> физики полупроводников им.

Предпросмотр: Автометрия №5 2020.pdf (0,3 Мб)
3

№1 [Вестник Томского государственного университета, 2005]

Журнал является мультидисциплинарным периодическим изданием. Первоначально (с 1889 г.) он выходил под названием «Известия Томского университета», затем - «Труды Томского государственного университета», в 1998 году издание университетского журнала было возобновлено уже под современным названием. В настоящее время выходит ежемесячно. Входит в Перечень ВАК.

Kнига-Cервис» 5 полупроводников, физика полупроводниковых приборов, физика поверхности, теория полупроводников <...> Преснов Виктор Алексеевич и развитие физики полупроводников в Томске // Физики о физике и физиках: Сб <...> тела, физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов, оптика полупроводников), был включен <...> физики полупроводников СФТИ. <...> О.н.и. – физика полупроводников, микрофотоэлектроника, радиационная физика полупроводников, физика поверхности

Предпросмотр: Вестник Томского государственного университета №1 2005.pdf (0,7 Мб)
4

№7 [ФИЗИКА В ШКОЛЕ с разделом "АСТРОНОМИЯ", 2020]

Журнал публикует обзоры исследований и достижений отечественной науки и техники, материалы, отражающие государственную политику в области образования, статьи из опыта работы методистов и педагогов-практиков по активизации учащихся и развитию их познавательной самостоятельности, знакомит с возможностями информационно-образовательной среды кабинета физики и нового учебного оборудования, педагогическими технологиями и книжными новинками, предлагает варианты планирования тем и приемы конструирования уроков. Все это позволяет учителям не только учитывать требования к современному уровню физического образования, но и быть готовыми к планируемым нововведениям. Журнал «Физика в школе» - старейшее и авторитетнейшее учебно-методическое пособие для учителей физики средних школ и приравненных к ним учреждений образования: колледжей, лицеев, техникумов.

Анализ учебной литературы по физике показал, что в базовом курсе физики полупроводники рассматриваются <...> Тиллабоева в работе «Физика полупроводников» поясняет: «В полупроводниках проводимость зависит от внешних <...> Полупроводники pи n-типа Физика, химия 1 3 p-n переход и его свойства. <...> Пирометры Физика, математика, техника 1 8 Обобщение и контроль знаний по теме «Физика полупроводников <...> Физика полупроводников // Сб. статей. Физико-математические науки. — Фергана, 2017. 10. Буров В.А.

Предпросмотр: ФИЗИКА В ШКОЛЕ с разделом АСТРОНОМИЯ №7 2020.pdf (0,6 Мб)
5

Определение концентрации свободных носителей заряда в твердых растворах CdxHg1–xTe по спектрам отражения в дальней инфракрасной области [Электронный ресурс] / Белов, Денисов, Каневский // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 74-82 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376653

Автор: Белов

Предложен бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в монокристаллических образцах твердых растворов CdxHg1–xTe и многослойных эпитаксиальных гетероструктурах на их основе по спектрам отражения в дальней инфракрасной области. На спектральной зависимости коэффициента отражения, полученной при комнатной температуре, определены характеристическая точка и отвечающее ей волновое число. С помощью рассчитанных градуировочных кривых получено значение концентрации тяжелых дырок. Показано, что при построении градуировочных кривых необходимо учитывать взаимодействие плазменных колебаний с продольными оптическими фононами.

Зингер и др. // Физика и техника полупроводников. – 1987. – Т. 21. – № 3. – С. 568–570. <...> Область научных интересов: физика полупроводников, метрология. <...> Область научных интересов: технология и физика полупроводников. <...> Область научных интересов: физика полупроводников. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

6

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов метод. указания

Автор: Бочкарева Л. В.
ЯрГУ

Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов: метод. указания / Л.В. Бочкарева, А.С. <...> Практикум по физике полупроводников / В.Ф. Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 35–56. <...> Практикум по физике полупроводников / В.Ф. Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 35–56. <...> Практикум по физике полупроводников / В.Ф. Лысов. – М.: Просвещение, 1976. – С. 82–92. <...> Основы физики и техники полупроводников / Л.Л. Неменов, М.С.

Предпросмотр: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
7

Определение типа проводимости полупроводника

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского <...> Введение в физику полупроводников / В.И. <...> Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М. : Энергоатомиздат, 1985. – С. 177–183, 248–258. 3. <...> Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. <...> Физика полупроводников : учебное пособие для студ. физич. специальностей вузов / В.Л.

Предпросмотр: Определение типа проводимости полупроводника.pdf (0,8 Мб)
8

Исследование in situ анодного окисления алюминия в водных растворах щавелевой кислоты методом эллипсометрии [Электронный ресурс] / Кручинин [и др.] // Научный вестник Новосибирского государственного технического университета .— 2015 .— №2 .— С. 169-183 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/395248

Автор: Кручинин

Методом эллипсометрии in situ изучен процесс анодного окисления алюминия в растворах щавелевой кислоты. Эксперименты проводились в специально разработанной электрохимической ячейке. Значения параметров растущего слоя проводилось с помощью решения обратной задачи эллипсометрии методом подгонки расчетных спектральных зависимостей эллипсометрических углов под экспериментальные данные в соответствии с основным уравнением эллипсометрии. Экспериментально определено время быстрой стадии образования барьерного слоя и медленной стадии образования толстого оксида. Определены кинетические закономерности стадий процесса образования анодного оксида.

Лаврентьева, 13, Институт физики полупроводников им. А.В. <...> Лаврентьева, 13, Институт физики полупроводников им. А.В. <...> Лаврентьева, 13, Институт физики полупроводников им. А.В. <...> Кручинин Владимир Николаевич, кандидат химических наук, старший научный сотрудник Института физики полупроводников <...> сотрудник Института физики полупроводников им.

9

№5 [Автометрия, 2016]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

ЛАТЫШЕВ Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Д. М. <...> Неизвестный Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> Маркса, 20 2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> Неизвестный1 1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> Латышев1, 2 1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г.

Предпросмотр: Автометрия №5 2016.pdf (0,2 Мб)
10

ОПТИМИЗАЦИЯ АЛГОРИТМА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ УСТАНОВЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДА И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ КОНТАКТАМИ [Электронный ресурс] / Михайлов, Митин, Кожевников // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №4 .— С. 133-146 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552608

Автор: Михайлов

Актуальность и цели. В настоящее время возможности вычислительных комплексов позволяют использовать математическое моделирование в качестве одного из основных методологических подходов при решении различных научных и инженерных задач. Усложнение объектов исследования неизбежно приводит и к усложнению математических моделей, поэтому поиск новых приемов оптимизации алгоритмов расчета является важной задачей. Данная работа посвящена актуальной проблеме разработки, анализа и оптимизации математических моделей многослойных полупроводниковых структур. Целью работы является разработка методики последовательной настройки и адаптации алгоритма локально-полевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых структурах при условии неомичности металлических контактов. Материалы и методы. Моделирование проводится в одномерной системе координат. Система уравнений модели включает уравнение непрерывности, уравнение Пуассона с соответствующими граничными и начальными условиями и выражение для плотности полного тока через структуру. В качестве неидеального омического контакта рассматривается контакт металл–полупроводник с потенциальным барьером 0,3 эВ. Методика оптимизации алгоритма заключается в выборе соответствующих начальных и граничных условий, исходя из известных физических представлений, корректировке соответствующих условий, повышающей точность и сходимость решения, поиске оптимального соотношения между шагом по времени и по координате, обеспечивающего устойчивость и малое время установления стационарного решения. Оптимизация производится поэтапно для нескольких типов исследуемой структуры с последовательным усложнением. Результаты. Разработанная методика последовательной настройки и адаптации алгоритма локальнополевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых струк- турах n+– n – n+ при условии неомичности металлических контактов, позволяет повысить точность решения и сократить время и количество вычислений. Корректность получаемых результатов (распределений концентрации электронов, напряженности электрического поля и потенциала, вольт-амперных характеристик) подтверждается их качественным согласованием с известными физическими представлениями. Выводы. Разработанная методика имеет как методическую, так и практическую ценность и может быть использована при разработке других математических моделей более сложных структур, в том числе при учете влияния различных внешних физических факторов.

№ 4 (28), 2013 Физико-математические науки. Физика Physical and mathematical sciences. <...> Гольдберг // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 1. – С. 1282–1308. 6. <...> Еремеев // Физика и техника полупроводников. – 2000. – Т. 34, № 1. – С. 106–112. 8. Косяченко , Л . <...> Болтовец // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 34, № 7. – С. 897–903. 10. Павлов , Г . <...> Физика полупроводников / К. В. Шалимова. – СПб. : Лань, 2010. – 400 с. 15. Турчак , Л . И .

11

Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели [Электронный ресурс] / Бокова, Тучин, Битюцкая // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №1 .— С. 5-9 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376539

Автор: Бокова

Методом теории функционала плотности исследована электронная структура мультиграфена. Определена зависимость усредненного межплоскостного расстояния от числа слоев (n = 2,...,6). Проведен анализ перераспределения заряда и электронной плотности двух- и трехслойного мультиграфенов под действием одноосного сжатия при давлении до 50 ГПа.

проводимости касаются либо располагаются близко, поэтому МГ являются полуметаллами или узкозонными полупроводниками <...> Бокова Анна Михайловна – магистрант кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного <...> Тучин Андрей Витальевич – аспирант кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного <...> Битюцкая Лариса Александровна – кандидат технических наук, доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники

12

Сильнополевая инжекционная модификация наноразмерных диэлектрических пленок в МДП-приборах [Электронный ресурс] / Андреев // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2013 .— №6 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/276455

Автор: Андреев
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Проведено исследование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур с многослойным подзатворным диэлектриком наноразмерной толщины на основе термической пленки SiO2, легированной фосфором, при сильнополевой инжекционной модификации, проводимой при различных режимах инжекции. Выполнена оценка временной и температурной стабильности зарядового состояния диэлектрической пленки после модификации. Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в МДП-структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик приборов с такой структурой. Предложен способ модификации электрофизических характеристик МДП-структур путем сильнополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик в режиме протекания постоянного инжекционного тока. Способ позволяет непосредственно во время модификации контролировать изменение параметров МДП-структуры. Показано, что для получения приборов с высокой термополевой стабильностью после модификации зарядового состояния инжекцией электронов их необходимо отжигать при температурах около 200 °C.

Физика и техника полупроводников, 2010, т. 44, вып. 4, с. 527–532. [17] Гороховатский Ю.А. <...> Автор более 160 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупроводников и диэлектриков <...> Автор более 180 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупроводников и диэлектриков <...> Автор 5 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупроводников и диэлектриков. е-mail <...> Автор 8 научных публикаций в области микроэлектроники и физики полупроводников и диэлектриков. е-mail

13

МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИССИПАТИВНЫХ ПРОЦЕССОВ НА ЭТАПЕ ПРЕДПЛАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ [Электронный ресурс] / Богатиков [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2008 .— №2 .— С. 8-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522188

Автор: Богатиков

Исследуется синхронизация тепловых колебаний атомов, моделируемых методом молекулярной динамики. Обнаруженные эффекты локальной синхронизации и динамического наноструктурирования рассматриваются как механизм эмиссии тепла на этапе предплавления кристаллических веществ

10 ВЕСТНИК ВГУ, СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> Компьютерное моделирование в физике. Часть 1. / Х. Гулд, Я. Тобочник. — М.: Мир, 1990. — C. 349. 7. <...> -м.н., ассистент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники ВГУ; тел.: (4732) 208-481, e-mail: <...> полупроводников и микроэлектроники ВГУ; тел.: (4732) 208-481, e-mail: me144@phys.vsu.ru Бормонтов Евгений <...> Николаевич — доктор физико-математических наук, профессор, зав. кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники

14

Личностно-ориентированное обучение студентов в техническом вузе [Электронный ресурс] / Сазонова, Ткачева // Известия Балтийской государственной академии рыбопромыслового флота .— 2014 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/245095

Автор: Сазонова

Рассмотрена новая педагогическая парадигма личностно-ориентированного подхода к обучению. Показано, что личностно-ориентированное обучение может быть реализовано при применении дополнительных образовательных программ. Использование таких программ усиливает мотивацию к обучению и эффективность повышения качества обучения. В статье в качестве примера приводятся три дополнительные образовательные программы, разработанные и внедренные в учебный процесс преподавателями кафедры инженерной педагогики

)", «Реализация компьютерных технологий: элементы физики полупроводников и полупроводниковых приборов <...> )"; б) «Реализация компьютерных технологий: элементы физики полупроводников и полупроводниковых приборов <...> ДОП «Реализация компьютерных технологий: элементы физики полупроводников и полупроводниковых приборов <...> ДОП «Реализация компьютерных технологий: элементы физики полупроводников и полупроводниковых приборов <...> полупроводников и полупроводниковых приборов».

15

Шумы в спектрозональных многоканальных фотоячейках для фотоприемников с разделением цветов с вертикально интегрированными p–n-переходами [Электронный ресурс] / Денисова, Уздовский, Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 19-26 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588820

Автор: Денисова

Исследованы характеристики динамического диапазона многоканальной фотоячейки, а также отношение сигнал/шум для считываемых фотосигналов из n- и p-областей фотоячейки. Установлено, что значения фоточувствительностей определяются как выбранными конструктивными параметрами фотоячейки, так и максимально возможными управляющими напряжениями. Показано, что считываемый фотосигнал многоканальной фотодиодной структуры пропорционален световому потоку

физики МИЭТ, г. <...> Область научных интересов: физика полупроводников, моделирование фотоэлектрических процессов в фотоприемных <...> Уздовский Валерий Владимирович – доктор физико-математических наук, профессор кафедры общей физики МИЭТ <...> Область научных интересов: физика полупроводников, фотоэлектрические процессы в объемных каналах фотоприемников <...> Область научных интересов: физика полупроводников, структуры металлдиэлектрикполупроводник, приборы

16

ЛЕОНИД ВЕНИАМИНОВИЧ КЕЛДЫШ (07.04.1931−10.11.2016) [Электронный ресурс] / Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №1 .— С. 139-139 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591929

Леонид Вениаминович Келдыш, выдающийся физиктеоретик, действительный член Российской академии наук, скончался на восемьдесят шестом году жизни. Он внес фундаментальный вклад в теорию твердого тела, физику полупроводников, квантовую теорию неравновесных процессов и нелинейную оптику. Он построил теорию туннельных явлений в полупроводниках и впервые представил корректный анализ вероятности туннельного перехода с учетом структуры используемых материалов. Предсказал непрямой туннельный эффект с участием фононов и эффект сдвига полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля (эффект Франца–Келдыша). Он предложил использовать пространственно-периодические поля, создаваемые сверхрешетками, для управления электронными и оптическими свойствами кристаллов.

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 1 Леонид Вениаминович Келдыш (07.04.1931−10.11.2016 <...> Он внес фундаментальный вклад в теорию твердого тела, физику полупроводников, квантовую теорию неравновесных <...> полупроводников, Премия имени М.В. <...> Редколлегия журнала ” Физика и техника полупроводников“, активным членом которой Леонид Вениаминович <...> Коллеги и ученики, редакционная коллегия журнала ” Физика и техника полупроводников“ 135 Copyright ОАО

17

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge — ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ [Электронный ресурс] / Неизвестный // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 5-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481510

Автор: Неизвестный

Рассмотрена возможность дальнейшего улучшения параметров полупроводниковых интегральных схем путём замены слоя кремния в МДП-транзисторе материалом с более высокой подвижностью носителей заряда. Показано, что по совокупности свойств для этого больше всего подходит германий. Приведены разработки, созданные в данном направлении в различных лабораториях как в России, так и за рубежом

Т. 52, № 5 5 ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОИ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 621.315.592; 621.3.049; 621.382.3 МДП-ТРАНЗИСТОРЫ <...> Неизвестный Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> Тогда же было решено проводить в Институте физики полупроводников СО АН СССР научные исследования по <...> Приведены примеры макетов МДПТ на германии, созданных как за рубежом, так и в Институте физики полупроводников <...> Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с. 21. Ржанов А. В.

18

RAMAN-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЕМОГЛОБИНА В ДИАГНОСТИКЕ РЕЗИСТЕНТНОЙ АРТЕРИАЛЬНОЙ ГИПЕРТЕНЗИИ [Электронный ресурс] / Громов [и др.] // Атеросклероз .— 2016 .— №4 .— С. 22-29 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/575700

Автор: Громов

С помощью Raman-спектроскопии изучено изменение содержания комплексов гемоглобина у пациентов с артериальной гипертензией (42 мужчины), в том числе, резистентной (19 человек)

Бориса Богаткова, 175/1 2 ФГБУН «Институт физики полупроводников им. А. В. <...> сотрудник, лаборатория эллипсометрии, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики <...> полупроводников им. <...> полупроводников им. <...> полупроводников им.

19

Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость [Электронный ресурс] / Лысенко [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №2 .— С. 66-73 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/377962

Автор: Лысенко

Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизолирующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсивности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент которой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки  значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения,  суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. Приведена качественная модель, объясняющая экспериментальные результаты.

Полуизолирующие слои теллурида кадмия // Журнал технической физики.  2005.  Т. 75. – Вып.11.  С. 122,123 <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: физика полупроводниковых материалов. <...> Область научных интересов: электроника, физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

20

Дискурсивное сообщение как средство коммуникации профессионального сообщества [Электронный ресурс] / Федоров // Вестник Московского университета. Серия 7. Философия .— 2012 .— №5 .— С. 70-85 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/378175

Автор: Федоров

Исследуются особенности дискурсивных сообщений. Анализируется роль автора и читателя по отношению к данным сообщениям, рассматривается их взаимодействие в рамках литературного произведения. Выявляются проблемы восприятия читателем научных статей в контексте разработки им результатов, представленных в сообщении.

На примере анализа научной статьи по прикладной физике выявляется наличие проблем восприятия научных <...> полупроводников. <...> полупроводников, позволившие связать в предлагаемой модели исследуемые характеристики объекта между <...> полупроводников. <...> полупроводников).

21

Внутренний фотоэффект в полупроводниках

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Кашкаров Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники <...> S и учтем, что VlS =⋅ есть объем полупроводника, а ФФ JSj = – фототок. <...> Дайте определение удельной фотопроводимости полупроводника. 4. <...> Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М. : Энергоатомиздат, 1985. – С. 357–370. 2. Киреев П.С. <...> Физика полупроводников / П.С. Киреев. – М. : Высш. школа, 1975, – С. 537–559. 3. Рывкин С.М.

Предпросмотр: Внутренний фотоэффект в полупроводниках.pdf (0,8 Мб)
22

Методика расчета тепловых характеристик кремниевых ограничителей напряжения в импульсном режиме [Электронный ресурс] / Григорьев, Александрова, Гафуров // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 19-25 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376567

Автор: Григорьев

Исследована зависимость тепловых характеристик ограничителей напряжения при прохождении импульсной перегрузки. Проанализированы зависимости импульсного напряжения ограничения и тока от времени. На основе анализа зависимостей проведены расчеты тепловых характеристик ограничителей напряжения. Показано, что параметры ограничителей напряжения деградируют при достижении плотности тока 160 – 300 А/см2 и критической температуры 250 – 300 °С. Представлены зависимости теплового сопротивления и критической температуры ограничителей напряжения от плотности тока и длительности импульса.

. // Физика и техника полупроводников.  2011.  Т. 45.  Вып. 2.  С. 256262. 2. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: микроэлектроника, физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

23

Полупроводниковые материалы радиоэлектронных средств метод. указания

Автор: Петрушанский
ГОУ ОГУ

В данных методических указаниях представлен порядок работы с контрольно-обучающим программным комплексом, включающим теоретический материал, методики выполнения лабораторных работ, вопросы для самопроверки студентов, задачи и тесты для контроля усвоенного материала.

«БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 2 УДК 537.311.322(07) ББК 31.233я7 П 31 Рецензент кандидат физико-математических <...> 5 Сформулируйте основное положение физики полупроводников для равновесной системы. 6 Как подвижность <...> Физика твердого тела: учеб. пособие для вузов / Г. И. <...> Практикум по физике полупроводников: учеб. пособие для пед. ин-ов / В.Ф. <...> Основы физики полупроводников: учеб. для вузов / П. Ю. – М.: Физматлит, 2002. – 560 с.

Предпросмотр: Полупроводниковые материалы радиоэлектронных средств.pdf (0,2 Мб)
24

Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных [Электронный ресурс] / Ермолаев, Земляков, Егоркин // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №5 .— С. 33-40 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376595

Автор: Ермолаев

Приведены результаты исследований терагерцовых детекторов с пространственной последовательно и параллельно соединенной транзисторной структурой на основе арсенид-галлиевой наногетероструктуры с асимметричным Т-образным затвором в каждом транзисторе. Показано, что детекторы демонстрируют фототоковый и фотовольтаический/фотопроводящий терагерцовые отклики без использования дополнительных антенных элементов. Измерена чувствительность свыше 1000 В/Вт и 50 мА/Вт соответственно для последовательного и параллельного соединения транзисторов. Получена эквивалентная мощность шума ниже 10–11 Вт/Гц0,5.

Земляков Валерий Евгеньевич – кандидат технических наук, старший научный сотрудник кафедры квантовой физики <...> Область научных интересов: технология СВЧ-приборов на широкозонных полупроводниках, акустоэлектроника <...> , микроэлектроника, физика полупроводников. <...> Область научных интересов: акустоэлектроника, микроэлектоника, наноэлектроника, физика полупроводников <...> Область научных интересов: плазмоника, микроэлектроника, наноэлектроника, физика полупроводников, плазма

25

О повышении экологичности производства и применения люминесцентных ламп [Электронный ресурс] / Горбунов, Карасев, Федоренко // Светотехника .— 2009 .— №6 .— С. 17-20 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/263004

Автор: Горбунов
М.: ПРОМЕДИА

Приведены некоторые основные промежуточные результаты исследований, проводимых специалистами ГОУВПО "Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева", по повышению экологической безопасности люминесцентных ламп (ЛЛ) путем замены жидкой ртути, используемой в них в качестве активного вещества, на амальгамы. Исследования посвящены поиску оптимальных составов амальгам, вариантов расположения амальгамы в ЛЛ и соответствующих конструктивных решений, отработке технологии изготовления амальгам и амальгамных ЛЛ в целом, разработке метода измерения количества ртути в люминесцентных лампах, созданию опытных образцов амальгамных ЛЛ, определению их характеристик и сравнению последних с аналогичными характеристиками обычных ЛЛ (с жидкой ртутью).

» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» «СВЕТОТЕХНИКА», 2009, № 620 «Фундаментальные и прикладные проблемы физики <...> полупроводников и источников света». – Саранск, 2007. – С. 51. 9. <...> //Тезисы докладов V Всероссийской конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников <...> источников света // Тезисы докладов V Всероссийской конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики <...> полупроводников и источников света». – Саранск, 2007. – С. 56–57. 2.

26

ГЕНЕРАЦИЯ КВАНТОВОГО КЛЮЧА В ОДНОФОТОННЫХ СИСТЕМАХ СВЯЗИ [Электронный ресурс] / Третьяков [и др.] // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 44-54 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481516

Автор: Третьяков

Представлен краткий обзор экспериментальных работ в области квантовой криптографии и генерации квантового ключа посредством одиночных фотонов в атмосферных и оптоволоконных квантовых линиях связи. Дано описание двух экспериментальных установок для генерации квантового ключа, созданных в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Приведены результаты исследования зависимости скорости генерации квантового ключа от среднего числа фотонов µ в лазерном импульсе. Для µ > 0,3 обнаружено расхождение между теорией и экспериментом, которое может быть связано с ненулевой вероятностью появления многофотонных импульсов в квантовой передаче, регистрируемых детекторами одиночных фотонов как однофотонные, а также с отбрасыванием при просеивании квантового ключа тех случаев, когда одновременно срабатывают несколько детекторов одиночных фотонов, поскольку тогда результат измерения не определяется

Неизвестный1 1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> Пирогова, 2 3Институт лазерной физики СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. <...> Дано описание двух экспериментальных установок для генерации квантового ключа, созданных в Институте физики <...> полупроводников им. <...> полупроводников им.

27

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ДИФФУЗИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ P–N-ПЕРЕХОДА [Электронный ресурс] / Боднарь, Хусаинов // Естественные и технические науки .— 2014 .— №1 .— С. 17-21 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/490289

Автор: Боднарь

Метод позволяет по данным вольт-фарадной характеристики р–п-перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан р–п-переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси. Метод может применяться для неразрушающего контроля концентрационных профилей приборных структур с одним или несколькими р–ппереходами, созданными с применением диффузионных процессов, к которым относится также постимплантационный отжиг

Естественные и технические науки, № 1, 2014 23 Физика Физика полупроводников Боднарь О.Б., доктор технических <...> диффузии, в результате которого создан р–п-переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник <...> Ключевые слова: полупроводники, коэффициент диффузии, р–п-переход, примесные атомы, неразрушающий метод <...> В слаболегированном полупроводнике диффузионным методом создают p–n-переход и при двух значениях приложенного <...> Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М.: Энергия, 1976. – 416 с. 2. Полянин А.Д.

28

КАРДИОМЕТАБОЛИЧЕСКИЕ ФАКТОРЫ И КОЛОРЕКТАЛЬНЫЙ РАК [Электронный ресурс] / Кручинина [и др.] // Атеросклероз .— 2016 .— №1 .— С. 46-60 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/366835

Автор: Кручинина

Отмечается нарастание распространенности метаболического синдрома и висцерального ожирения в общей популяции. Фактическая распространенность метаболического синдрома среди населения составляет 24 % в США, от 24,6 % до 30,9 % в Европе. Как показали многие клинические испытания (NAHANES III, INTERHART), метаболический синдром связан с повышенным риском диабета и сердечно-сосудистых заболеваний. Кроме того, отдельные компоненты метаболического синдрома связаны с развитием рака, в частности, колоректального, эта ассоциация подтверждается многими эпидемиологическими исследованиями. Колоректальный рак является важной проблемой общественного здравоохранения: в 2000 году в общей сложности в мире было диагностировано 944717 случаев заболевания колоректальным раком. Последние отчеты показывают, что лица с метаболическим синдромом имеют более высокий риск развития рака толстой или прямой кишки. Кроме того, кластеры компонентов метаболического синдрома повышают риск, связанный с развитием рака. Механизм, который патофизиологически связывает метаболический синдром и колоректальный рак, в основном связан с абдоминальным ожирением и резистентностью к инсулину. Популяционные и экспериментальные исследования показали, что гиперинсулинемия, повышенное содержание С-пептида, повышенный индекс массы тела, высокие уровни фактора роста инсулина-1, низкие уровни фактора роста инсулин-связывающего белка-3, высокий уровень лептина и низкий уровень адипонектина – все эти факторы вовлечены в канцерогенез. Понимание патологических механизмов, которые связывают метаболический синдром и его компоненты с канцерогенезом, имеет большое клиническое значение и перспективы для улучшения здоровья населения при целом ряде заболеваний, включая рак, который представляется одной из основных причин смертности в обществе.

175/1, Новосибирск 630089 Россия. 2Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики <...> полупроводников им. <...> полупроводников им. <...> полупроводников им. <...> полупроводников им.

29

ДИНАМИКА НАКОПЛЕНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ДЫРОК В КВАНТОВЫХ ЯМАХ ГЕТЕРОСТРУКТУР N-ALGAAS/GAAS [Электронный ресурс] / Яременко [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №4 .— С. 5-12 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/541720

Автор: Яременко

Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок

Яременко Наталья Георгиевна – доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник ФИРЭ им. <...> Область научных интересов: физика полупроводников, фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых <...> Область научных интересов: физика полупроводников, фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых <...> Карачевцева Мария Виссарионовна – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник ФИРЭ <...> Область научных интересов: физика полупроводников, математическое моделирование физических процессов

30

Эффективный метод производства flip–chip-компонентов [Электронный ресурс] / Адарчин // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2014 .— №3 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/279838

Автор: Адарчин
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Проведен анализ известных методов сборки полупроводниковых приборов с помощью монтажа flip–chip и выявлены их основные недостатки. Предложена методика ормирования шариковых выводов, позволяющая значительно повысить эффективность сборки интегральных микросхем. Осуществлен подбор материалов для формирования ассива шариковых выводов, а также определены режимы формирования контактов. Особое внимание уделено установлению технологических параметров применительно к рупносерийному производственному оборудованию, что является существенным заделом для практического применения метода.Предложенный метод можно использовать ак при производстве корпусных интегральных микросхем, так и при бескорпусном монтаже полупроводниковых электронных устройств на печатные платы и гибридные нтегральные микросхемы.

Область научных интересов: электроника, надежность, физика полупроводников. e-mail: adarchin@rambler.ru <...> Область научных интересов: электроника, надежность, физика полупроводников. e-mail: tarchenkova@rambler.ru

31

Методика расчёта спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами [Электронный ресурс] / Войцеховский, Горн // Прикладная физика .— 2013 .— №5 .— С. 5-9 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432197

Автор: Войцеховский

В работе представлено описание теоретической модели расчёта спектров фотолюминесценции структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и содержащих потенциальные и квантовые ямы (КЯ). В основу модели положен расчёт зонной диаграммы посредством самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шрёдингера. Особенностью представленной модели является, в частности, то, что при расчётах была учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ.

полупроводников СО РАН (г. <...> В. и др. // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 101. 6. Шалимова К.В. <...> Физика полупроводников. — М.: Энергия, 1976. 7. Шик А.Я. <...> Физика низкоразмерных систем. — СПб.: Наука, 2001. 8. <...> Статистика электронов в полупроводниках. — М.: Мир, 1964. 10. Hansen G. L. et al. // J. Appl.

32

ПОЛУПРОВОДИКОВЫЙ БРЭГГОВСИЙ МИКРОРЕЗОНАТОР ДЛЯ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ [Электронный ресурс] / Гайслер, Щеглов // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2014 .— №4 .— С. 21-32 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/465471

Автор: Гайслер

Эффективные излучатели одиночных фотонов (ИОФ) являются ключевым элементом в реализации систем квантовой криптографии и квантовых вычислений. Одним из перспективных вариантов создания излучателей одиночных фотонов является использование одиночных полупроводниковых квантовых точек, интегрированных в светодиод с микрорезонатором. Такой излучатель представляет собой надежный и миниатюрный твердотельный прибор, который не нуждается в использовании лазерной накачки. В последние годы усилия в этой области сконцентрированы на разработке оптимальной конструкции ИОФ, которая обеспечивает наибольшую внешнюю квантовую эффективность и низкую расходимость выходного излучения. В данной работе предложена и реализована конструкция полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов на основе InAs квантовых точек. Резонатор состоит из двух полупроводниковых брэгговских зеркал р- и n-типа легирования, AlGaAs апертурного кольца и слоя InAs квантовых точек, расположенного между брэгговскими зеркалами. В сравнении с предыдущими конструкциями микрорезонаторов, содержащих AlO-апертуры, данный тип микрорезонатора состоит только из согласованных по параметрам решетки полупроводниковых материалов, что обеспечивает надежную работу при криогенных температурах и устойчивость к термоциклированию. В работе показано, что AlGaAs кольцо одновременно выполняет функции эффективной оптической и токовой апертуры. Кроме того, это кольцо обеспечивает эффективное селективное позиционирование InAs квантовых точек в пределах своего внутреннего диаметра, размеры которого составляют единицы микрон. В работе также показано, что внешняя квантовая эффективность в микрорезонаторах данного типа может достигать уровня 80 %, в то время как расходимость выходного излучения не превышает числовой апертуры 0,2, что обеспечивает высокую эффективность ввода излучения в стандартное оптическое волокно. Низкотемпературные спектры электролюминесценции изготовленных диодов содержат узкие пики, отвечающие излучению одиночной InAs квантовой точки, что является экспериментальным подтверждением возможности создания эффективных излучателей одиночных фотонов на основе предложенной конструкции микрорезонатора.

ДОКЛАДЫ АН ВШ РФ 2014 октябрь–декабрь № 4 (25) ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ © 2014 А.В. <...> Щеглов Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. <...> полупроводников СО РАН им. <...> -мат. наук, старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова. <...> структурирование поверхности полупроводников и металлов зондовыми методами.

33

Вспоминая об академике Ю. К. Пожеле (к 90-летию со дня рождения) [Электронный ресурс] / Прикладная физика .— 2015 .— №5 .— С. 111-112 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431838

Юрас Карлович Пожела – выдающийся литовский учёный, видный специалист в области физики полупроводников, доктор физико-математических наук, профессор, академик АН СССР, академик АН Литовской ССР, президент АН Литовской ССР.

Юрас Карлович Пожела – выдающийся литовский учёный, видный специалист в области физики полупроводников <...> , доктор физико-математических наук, профессор, академик АН СССР, академик АН Литовской ССР, президент <...> «Поведение некоторых полупроводников в сильных электрических полях». <...> В 1967–1984 годах директор Института физики полупроводников АН Литовской ССР. Научные заслуги Ю. К. <...> и техника полупроводников» (с 1967 г.) и «Прикладная физика» (с 1998 г.).

34

№3 [Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации, 2019]

Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций. В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов. «Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера

Пыргаева5 1Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А.В. <...> -мат. наук, доцент, ученый секретарь Филиала Института физики полупроводников им. А. В. <...> Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и диэлектриков, тонкие пленки, спектроскопия. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и диэлектриков, физическая электроника.

Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №3 2019.pdf (1,2 Мб)
35

ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКОЕ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ В НАНОСТРУКТУРАХ Si-Ni [Электронный ресурс] / Сигов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2013 .— №1 .— С. 102-107 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/511829

Автор: Сигов

разработана технология формирования наноструктурированных магнитных материалов на кремниевой подложке со средним размером наноструктур ∼25 нм и узким распределением наноструктур по размерам. Установлен однодоменный характер намагничивания отдельных наноструктур. Осуществлено полностью оптическое намагничивание наноструктур циркулярно-поляризованным светом при комнатной температуре

СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> -м.н., доцент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета E-mail:

36

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ [Электронный ресурс] / Шамирзаев, Гайслер, Шамирзаев // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 31-36 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481514

Автор: Шамирзаев

Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму

Маркса, 20 2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. <...> полупроводниковых гетероструктур на основе соединений нитрида галлия — одно из магистральных направлений физики <...> полупроводников. <...> Дефектная структура сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире // Физика твердого тела <...> Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // Физ. и техн. полупроводников

37

Полупроводниковые источники света [Электронный ресурс] / Гладун А.Д., Игошин Ф.Ф., Юрьев Ю.В. // Физическое образование в вузах .— 2014 .— №4 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/285605

Автор: Гладун А.Д.

Предложена учебная лабораторная работа для практикума по общей физике. С помощью дифракционного монохроматора МУМ в работе исследуется спектр излучения светодиодов и полупроводникового лазера. Измеряется зависимость интенсивности лазера от величины тока, протекающего через pn#переход; определяется пороговая величина тока, соответствующая переходу от режима светоизлучающего диода к режиму лазерной генерации.

источники света Анатолий Деомидович Гладун, Фёдор Фёдорович Игошин, Юрий Вячеславович Юрьев Московский физико <...> пер., д. 9; e#mail: gladun.ad@mipt.ru Предложена учебная лабораторная работа для практикума по общей физике <...> Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985. 2. Киреев П.С. <...> Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1975. 3. Игошин Ф.Ф., Самарский Ю.А., Ципенюк Ю.М. <...> Лабораторный практикум по общей физике. Квантовая физика. – М.: Физматкнига, 2012.

38

Создание тканеинженерного эквивалента костной ткани и перспективы его использования в травматологии и ортопедии [Электронный ресурс] / Ларионов [и др.] // Хирургия позвоночника .— 2014 .— №3 .— С. 70-78 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/423468

Автор: Ларионов

Цель исследования. Анализ экспериментальных образцов тканеинженерного эквивалента костной ткани (ТЭКТ) на основе наноструктурированных биорезорбируемых синтетических полимерных клеточных матриц (БСПКМ) и остеогенных дифференцированных клеток для возмещения дефектов кости.Материал и методы. Разработаны и получены наноструктурированные БСПКМ, которые послужили основой для создания ТЭКТ. Осуществлен перенос культивируемых клеток на поверхность БСПКМ, изучены закономерности клеточного роста, экспансии, клеточного поведения на поверхности БСПКМ. Выполнено изучение рельефа поверхности и заданных свойств образцов ТЭКТ с использованием методов светооптической, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии.Результаты. Показана возможность создания экспериментального образца ТЭКТ на основе БСПКМ, который максимально копирует структуру костной ткани на микро- и наноуровне. Поверхность БСПКМ имела дополнительную наноструктурированность из-за нанесения продольных наноканавок, направленную на увеличение адгезивных и остеокондуктивных свойств. Заключение. Разработана стратегия создания БСПКМ и ТЭКТ, получены экспериментальные образцы, пригодные для дальнейших исследований с целью формирования биодеградируемых имплантатов для нужд травматологии и ортопедии, вертебрологии.

Цивьяна 2Институт физики полупроводников им. А.В. <...> Производство экспериментальных образцов БСПКМ было осуществлено на базе института физики полупроводников <...> науч. сотрудник; Иван Александрович Корнеев, инженер; Александр Иванович Комонов, инженер, Институт физики <...> полупроводников им.

39

ТРЁХСПЕКТРАЛЬНОЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЁМНОЕ УСТРОЙСТВО [Электронный ресурс] / Неизвестный, Шумский // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 37-43 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481515

Автор: Неизвестный

Описаны конструкция и характеристики трёхспектрального многоэлементного фотоприёмного устройства с диапазоном чувствительности 0,6–12,0 мкм, состоящего из трёх линеек фотоприёмников с чувствительностью в областях 0,6–0,9, 3–5 и 8–12 мкм. Приведены методы изготовления линеек, фотоприёмного устройства в целом и его фотоэлектрические характеристики

Шумский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. <...> полупроводников СО РАН Ю. <...> Надбарьерный фототок в гетеропереходах Ge—GaAs // Физ. и техн. полупроводников. 1989. 23, вып. 11. <...> Физика, химия, механика. 1985. № 7. С. 66–72. 6. Васин О. И., Климов А. Э., Неизвестный И. Г. и др. <...> Физика, химия, механика. 1988. № 12. С. 55–60. 7. Белый В. И., Расторгуев А. А., Вицина Н. Р. и др.

40

ЭНЕРГИЯ ФЕРМИ ОДНОСЛОЙНЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК СТРУКТУРНОГО ТИПА “ARMCHAIR” В ПРИБЛИЖЕНИИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ [Электронный ресурс] / Захарченко, Петров // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2013 .— №1 .— С. 41-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/511824

Автор: Захарченко

для однослойных углеродных нанотрубок структурного типа “armchair” установлено монотонное уменьшение энергии Ферми с увеличением длины углерод–углеродной связи

СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> А., ассистент кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного университета <...> К., профессор кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского государственного университета

41

Метод исследования гальваномагнитных свойств [Электронный ресурс] / Голубятников [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 16-21 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376607

Автор: Голубятников

На монокристаллических объемных образцах CdхHg1хTe (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах CdхHg1хTe/Cd1-уZnуTe (КРТ/КЦТ) (х  0,2) проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при температуре 295 и 77 К. Образец вместе с криостатом вращался в поле электромагнита на угол от 0 до 360 с шагом 6. Показано, что для объемного образца КРТ p-типа при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого напряжения представляют собой синусоиды, т.е. коэффициент Холла не зависит от индукции магнитного поля. Однако для эпитаксиальных гетероструктур КРТ/КЦТ при температуре 77 К угловые зависимости измеряемого сигнала заметно отличаются от синусоидальных.

Варавин и др. // Физика и техника полупроводников.  2004.  Т. 38. – № 10.  С. 1203–1206. 3. <...> Варавин и др. // Физика и техника полупроводников.  2004.  Т. 38. – №10.  С. 1207–1210. 4. <...> Каневский и др. // Физика и техника полупроводников.  2007.  Т. 41. – №10.  С. 1178–1181. 5. <...> Область научных интересов: электроника, физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

42

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА КВАНТОВОЙ ИНФОРМАТИКИ II: КВАНТОВЫЕ КОММУНИКАЦИИ С ОДИНОЧНЫМИ ФОТОНАМИ [Электронный ресурс] / Третьяков [и др.] // Микроэлектроника .— 2017 .— №2 .— С. 53-63 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593625

Автор: Третьяков

Квантовая криптография способна обеспечить практически полную защищенность данных, передаваемых в оптических телекоммуникационных системах одиночными фотонами на основе законов квантовой механики. В статье представлен краткий обзор элементной базы и экспериментальных исследований в области квантовой криптографии и передачи данных одиночными фотонами в атмосферных и оптоволоконных квантовых линиях связи. Приводится описание двух экспериментальных установок, предназначенных для генерации однофотонного квантового ключа в атмосферном и оптоволоконном квантовых каналах, а также результаты выполненных на них экспериментов по генерации квантового ключа

Асеев Институт физики полупроводников им. А. В. <...> области создания элементной базы квантовых коммуникаций, полученные нами за последние годы в Институте физики <...> полупроводников им. <...> особенности работы такой оптической схемы на примере экспериментальной установки, созданной нами в Институте физики <...> полупроводников им.

43

Схема управления питанием носимого прибора наблюдения [Электронный ресурс] / Голицын // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 55-61 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376572

Автор: Голицын

Предложено схемотехническое решение безопасного одновременного подключения нескольких источников питания электронного прибора с обеспечением минимального энергопотребления схемой объединения источников. Рассмотрена возможность включения и выключения прибора одной кнопкой, а также использования этой кнопки в качестве функциональной с целью экономии площади, занимаемой панелью управления прибором.

Голицын Филиал Института физики полупроводников им. А.В. <...> Голицын Александр Андреевич  старший инженер-электроник филиала Института физики полупроводников им.

44

МАТЕРИАЛОВЕДЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ В ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ МДП-СТРУКТУР НА Ge [Электронный ресурс] / Горохов, Астанкова // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 14-20 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481511

Автор: Горохов

На основе материаловедческих исследований композиций диэлектрических слоёв разработан новый технологический маршрут изготовления МДП-транзистора на Ge. Применив процесс gate-first и модифицированную прослойку термического GeO2 с повышенной вязкостью на границе раздела с Ge-подложкой, удалось закапсулировать в ней нежелательные примеси. Увеличение плотности окисного слоя вблизи германия после взаимодействия с осаждённой плёнкой Si3N4 препятствовало диффузии в канал транзистора адсорбированных поверхностью подложки примесей. Это позволило повысить подвижность электронов в МДП-транзисторе и исключить её снижение при криогенных температурах

Астанкова Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. <...> Отметим, что эта идея была реализована в 1980-х годах в Институте физики полупроводников (ИФП СО АН СССР <...> Физика, химия, механика. 1983. № 4. С. 103–108. 12. Горохов Е. Б., Мищенко А. М., Коваленко И. <...> Физика, химия, механика. 1983. № 5. С. 67–72. 13. <...> Свойства структур металл—диэлектрик—полупроводник /Под ред. А. В. Ржанова.

45

№5 [Автометрия, 2019]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

ЛАТЫШЕВ Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Д. М. <...> Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. 372 с. 21. <...> Бакарову (Институт физики полупроводников СО РАН), Г. М. Гусеву, A. D. <...> Пыргаева3 1Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А. В. <...> Голицын1, 2 1Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А. В.

Предпросмотр: Автометрия №5 2019.pdf (0,2 Мб)
46

Краткий обзор теории полупроводниковых структур учеб. пособие

Автор: Авдеев С. П.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур.

Уравнение непрерывности и основная система уравнений в физике полупроводников ....................... <...> Пособие рассчитано на широкий круг читателей, знакомых с курсами физики твердого тела и физики полупроводников <...> Физика полупроводников [Текст] / В. Л. БончБруевич, С. Г. <...> Физика полупроводников [Текст] : учебник / К. В. <...> Физика и химия полупроводников [Текст] : учебное пособие / В. В. Митрофанов, В. А.

Предпросмотр: Краткий обзор теории полупроводниковых структур .pdf (0,7 Мб)
47

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА КВАНТОВОЙ ИНФОРМАТИКИ I: КУБИТЫ КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНЫХ АТОМОВ В ОПТИЧЕСКИХ ЛОВУШКАХ [Электронный ресурс] / Бетеров [и др.] // Микроэлектроника .— 2017 .— №2 .— С. 40-52 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593624

Автор: Бетеров

Дан краткий обзор современного состояния экспериментальных исследований по созданию элементной базы квантовых компьютеров с кубитами на основе одиночных нейтральных атомов, захваченных в оптические ловушки. Обсуждаются требования к кубитам, особенности одиночных нейтральных атомов в качестве кубитов, методы создания квантового регистра, выполнения однокубитовых квантовых логических операций в лазерном и СВЧ поле, и двухкубитовых операций посредством диполь-дипольного взаимодействия при кратковременном лазерном возбуждении атомов в ридберговские состояния. Приведены результаты экспериментов по наблюдению взаимодействия двух ридберговских атомов в условиях резонансов Фёрстера, управляемых постоянным и радиочастотным электрическим полем

Асеев Институт физики полупроводников им. А.В. <...> некоторые экспериментальные и теоретические результаты, полученные нами за последние годы в Институте физики <...> полупроводников им. <...> В то же время, кубиты в полупроводниках и сверхпроводниках находятся в начальной стадии разработки и <...> Такие исследования выполняются и нами в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

48

Фильтрация остаточной неоднородности и дефектов изображения в тепловизорах с использованием микросканирования [Электронный ресурс] / Кремис, Толмачев, Гладков // Прикладная физика .— 2017 .— №1 .— С. 59-65 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588935

Автор: Кремис

В работе изложен метод фильтрации остаточной неоднородности и дефектов изображения в матричных тепловизорах на основе частотного разложения с использованием микросканирования. Метод не ухудшает пространственное разрешение и РТЭШ тепловизоров. Приведены результаты применения метода в тепловизионных каналах, использующих фотоприемники производства ИФП СОРАН трех типов: КРТ320256, КРТ384288, QWIP384288

Г. // Прикладная физика. 2011. № 2. С. 80. 3. Кремис И. И., Толмачев Д. <...> . // Прикладная физика. 2016. № 6. С. 109. 4. Кремис И. И. // Прикладная физика. 2010. № 4. <...> О. // Прикладная физика. 2015. № 3. С. 57. 7. Лебедев Д. Г., Лыонг К. <...> И.; заявитель и патентообладатель Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников <...> И.; заявитель и патентообладатель Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников

49

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Область научных интересов: физика полупроводников, метрология. <...> Область научных интересов: технология и физика полупроводников. <...> Область научных интересов: физика полупроводников. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов. <...> Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2016.pdf (1,0 Мб)
50

№3 [Вестник Томского государственного университета, 2003]

Журнал является мультидисциплинарным периодическим изданием. Первоначально (с 1889 г.) он выходил под названием «Известия Томского университета», затем - «Труды Томского государственного университета», в 1998 году издание университетского журнала было возобновлено уже под современным названием. В настоящее время выходит ежемесячно. Входит в Перечень ВАК.

Преснова начата подготовка специалистов по физике полупроводников. <...> полупроводников и полупроводниковых приборов, физике поверхности полупроводников, кристаллохимии, теории <...> , а после образования отдела полупроводников – научным руководителем лаборатории физики полупроводников <...> До этого в СФТИ была открыта лаборатория физики полупроводников, а затем – проблемная лаборатория полупроводников <...> После преобразования лаборатории полупроводников в отдел физики полупроводников (1970 г.) многие годы

Предпросмотр: Вестник Томского государственного университета №3 2003.pdf (0,3 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 1846