Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 525279)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 22225 (0,85 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Как был открыт эффект замедления нейтронов [Электронный ресурс] / Б. Булюбаш // Знание - сила .— 2017 .— №1(1075) .— С. 73-79 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/560767

Автор: Булюбаш Борис

Эффект замедления нейтронов был открыт в Римском институте физики в октябре 1934 года небольшим исследовательским коллективом, работой которого руководил Энрико Ферми. История этого открытия весьма поучительна

физики в октябре 1934 года небольшим исследовательским коллективом, работой которого руководил Энрико Ферми <...> Авторы открытия (в том числе Энрико Ферми, Бруно Понтекорво и Эмилио Сегре) получиCopyright ОАО «ЦКБ <...> В качестве направления исследований Ферми выбирает физику атомного ядра. <...> Ферми решил использовать вместо альфа-частиц нейтроны и уже в марте 1934 года группа Ферми обнаружила <...> Ферми же, напротив, был постоянно в курсе проблем каждого из своих учеников.

2

ЭНЕРГИЯ ФЕРМИ ОДНОСЛОЙНЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК СТРУКТУРНОГО ТИПА “ARMCHAIR” В ПРИБЛИЖЕНИИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ [Электронный ресурс] / Захарченко, Петров // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2013 .— №1 .— С. 41-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/511824

Автор: Захарченко

для однослойных углеродных нанотрубок структурного типа “armchair” установлено монотонное уменьшение энергии Ферми с увеличением длины углерод–углеродной связи

УДК 538.915 ЭНЕРГИЯ ФЕРМИ ОДНОСЛОЙНЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК СТРУКТУРНОГО ТИПА “ARMCHAIR” В ПРИБЛИЖЕНИИ <...> Ключевые слова: однослойная углеродная нанотрубка, уровень Ферми. <...> Зависимость энергии Ферми от длины углерод–углеродной связи для ОСУНТ (4,4) Рис. 2. <...> Зависимость энергии Ферми от длины углерод–углеродной связи для ОСУНТ (5,5) Рис. 3. <...> Зависимость энергии Ферми от длины углерод–углеродной связи для ОСУНТ (6,6) Рис. 4.

3

Физика твердого тела и полупроводников. Исследование температурной зависимости энергии Ферми методом термоЭДС учеб.-метод. пособие

Автор: Дикарева Р. П.
Изд-во НГТУ

Дано краткое описание работы по исследованию температурной зависимости термоЭДС. Приведены краткие теоретические сведения о термоэлектрических явлениях в полупроводниковых материалах, дано описание лабораторной установки, изложена методика проведения эксперимента и обработки экспериментальных данных, указаны требования к отчету. В конце описания лабораторной работы приведены контрольные вопросы для самоподготовки студентов и список рекомендованной литературы.

Уровень Ферми начинает приближаться к середине запрещенной зоны. <...> Рассчитать энергию Ферми. Построить график температурной зависимости приведенного уровня Ферми. 4. <...> График температурной зависимости приведенного значения уровня Ферми. 5. <...> Как связаны дифференциальная термоЭДС и уровень Ферми? 8. <...> Объяснить температурную зависимость уровня Ферми в полупроводниках nи p-типов. 9.

Предпросмотр: Физика твердого тела и полупроводников. Исследование температурной зависимости энергии Ферми методом термоЭДС.pdf (0,2 Мб)
4

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ СЕНСОРА ГАЗА [Электронный ресурс] / Захаров, Богданов, Лытюк // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки .— 2011 .— №4 .— С. 40-42 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/426465

Автор: Захаров

Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.

.-8::621.315.592 ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ СЕНСОРА <...> Ключевые слова: уровень Ферми, концентрация основной легирующей примеси, многозарядная примесь, абсолютная <...> Целью настоящей работы является разработка модели, позволяющей прогнозировать положение уровня Ферми <...> Положение уровня Ферми Ef может быть найдено из условия электрической нейтральности полупроводника [10 <...> половинного индекса; kT EE fc −=η – безразмерная величина уровня Ферми; Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ»

5

Разговор с Энрико Ферми [Электронный ресурс] / Каховский // Химия и жизнь ХХI век .— 2011 .— №1 .— С. 26-27 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/249587

Автор: Каховский
М.: ПРОМЕДИА

В этом году исполняется 110 лет со дня рождения Энрико Ферми, одного из основоположников квантовой физики.

Ферми (1901—1954) был одним из крупнейших физиков с выдающими� ся достижениями как в теории, так и в <...> Теперь, оглядываясь назад полве� ка спустя, я вижу, что Ферми был аб� солютно прав. <...> Тут проявился стиль научного мыш� ления Ферми. <...> Именно интуиция Ферми помогла нам расстаться с иллюзиями. <...> , с.297) Л.Каховского Энрико Ферми Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»

6

ЭЛЕКТРОННЫЕ МЕХАНИЗМЫ ЭЛЕКТРОПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ МЕТАЛЛОВ [Электронный ресурс] / Троицкий, Сташенко, Новикова // Проблемы машиностроения и автоматизации .— 2009 .— №1 .— С. 66-70 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/424756

Автор: Троицкий

Рассмотрены экспериментальные и теоретические работы, касающиеся электронных механизмов, объясняющих электропластическую деформацию (ЭПДМ).

Роль поверхности Ферми Поверхность Ферми является изоэнергетической поверхностью в импульсном пространстве <...> Полная площадь поверхности Ферми составляет , а средняя скорость электронов на поверхности Ферми равна <...> С одной стороны площадь Ферми возрастает и можно ожидать усилия ЭПЭ в золоте и серебре по сравнению с <...> и V объем, охватываемый поверхностью Ферми. <...> Кадмий имеет также открытую «дырочную» поверхность Ферми.

7

Распределение Ферми - Дирака. Явление Зеебека метод. указания к лаб. работе С-3 по курсу общей физики

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Дан краткий обзор теории изучаемого явления, приведены методика выполнения экспериментов, порядок обработки полученных результатов, контрольные вопросы и список литературы.

Баумана Распределение Ферми — Дирака. <...> Соотношение (1) называется распределением Ферми — Дирака. <...> Наряду с энергией Ферми вводят понятие температуры Ферми ТF : kTF = EF (0), или TF = EF (0) k . (10) <...> и фундаментальных констант статистики Ферми — Дирака. <...> Дайте определение энергии Ферми. 6. Как определить среднее значение энергии ферми-частиц?

Предпросмотр: Распределение Ферми Дирака. Явление Зеебека.pdf (0,1 Мб)
8

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРА ЦАЛЛИСА НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЕ УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ ТОМАСА – ФЕРМИ [Электронный ресурс] / Мадянов, Холин // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Теоретическая и прикладная физика. .— 2006 .— №1 .— С. 34-38 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/559435

Автор: Мадянов

В высокотемпературной модели Томаса – Ферми вместо функции распределения Ферми – Дирака используется функция распределения Цаллиса. Рассмотрено изменение давления, внутренней энергии и показателя адиабаты углерода и золота при температурах 50, 100, 200, 300 эВ, характерных для проблем инерционного термоядерного синтеза

33 УДК 536.71 ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРА ЦАЛЛИСА НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЕ УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ ТОМАСА – ФЕРМИ А. <...> Холин РФЯЦ-ВНИИЭФ В высокотемпературной модели Томаса – Ферми вместо функции распределения Ферми – Дирака <...> Ферми – Дирака на соответствующую функцию распределения Цаллиса. <...> При решении уравнения Томаса – Ферми используются функции Ферми–Дирака 0 ( ) exp( ) 1 n n z dzJ z   <...> статистике Ферми – Дирака.

9

Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений [монография]

Автор: Изюмов Ю. А.
М.: Институт компьютерных исследований

Анализируются физические свойства и электронные модели нового класса высокотемпературных сверхпроводников в слоистых соединениях на основе железа. Несмотря на различный химический состав и различие в кристаллической структуре, они имеют похожие физические свойства, обусловленные электронными носителями в FeAs-слоях и их взаимодействием с флуктуациями магнитного порядка. Исключительный интерес к ним объясняется перспективами практического применения. В монографии дается полная картина формирования их физических свойств на основе теоретических моделей и электронной структуры.

Экспериментальное исследование поверхности Ферми 51 1.4. <...> Ферми помещен в нуль отсчета энергий). <...> Структура дисперсионных кривых, пересекающих уровень Ферми, определяет поверхность Ферми, которая для <...> Поверхность Ферми соединения LaOFeAs [81]. <...> Параметры листов поверхности Ферми и плотность состояний на уровне Ферми имеют типичные значения для

Предпросмотр: Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений (2-ое изд., испр. и доп. ).pdf (0,3 Мб)
10

ОСОБЕННОСТИ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ И МЕХАНИЗМОВ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА N-HFNISN, СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОГО Y [Электронный ресурс] / Ромака [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 7-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591930

Автор: Ромака

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах T = 80−400 K, NAY ≈ 1.9 · 1020 − 5.721 см−3 (x = 0.01−0.30) и H ≤ 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения ∼ 1% атомов Ni из позиции Hf (4a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1−xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского−Эфроса.

Точность расчета положения уровня Ферми εF равна ±8мэВ. <...> Исследование электронной структуры Hf1−xYxNiSn Для прогнозирования поведения уровня Ферми εF, ширины <...> В n-HfNiSn уровень Ферми εF находится на расстоянии ∼ 81.3 мэВ от уровня протекания зоны проводимости <...> Кроме дрейфа уровня Ферми уменьшается ширина запрещенной зоны εg от значений εg(x = 0) = 514.3 мэВ и <...> плотности состояний на уровне Ферми g(εF) (рис. 2, b, кривая 1).

11

№3 [Земля и Вселенная, 2015]

Публикуются статьи по актуальным проблемам астрономии, космонавтики, экологии, геофизики и геодезии. Особое внимание уделяется статьям, пропагандирующим важнейшие научные достижения, содержащим результаты экспериментов в исследовании космического пространства, показывающим мировоззренческое значение наук о Земле и Вселенной и их связь с другими областями знания, разоблачающим антинаучную сущность всякого рода сенсационных гипотез и теорий в области астрономии, космонавтики и геофизики. Публикуемые материалы оказывают методическую помощь преподавателям и лекторам, содействуют широкому участию любителей астрономии, космонавтики и геофизики в наблюдениях и исследованиях космоса

Ферми. <...> Ферми. Энрико Ферми (Enrico Fermi) родился 29 сентября 1901 г. в Риме. <...> Ферми. 1940-е гг. <...> Ферми и Э. <...> Ферми. Стокгольм. 1939 г.

Предпросмотр: Земля и Вселенная №3 2015.pdf (0,2 Мб)
12

Основы физики твердого тела [учеб. пособие для заоч. формы обучения]

Автор: Колпаков
Издательство СГАУ

Основы физики твердого тела. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

проводимости В соответствии с изменением функции Ферми-Дирака уровень Ферми в примесных полупроводниках <...> Вывести выражение для энергии Ферми в собственном полупроводнике. <...> Каков физический смысл понятия уровня Ферми? 5. <...> Постройте график распределения Ферми—Дирака f(E) для значений аргумента, близких уровню Ферми EF=1 эВ <...> близких уровню Ферми EF=1 эВ.

Предпросмотр: Основы физики твердого тела.pdf (0,3 Мб)
13

ИЗУЧЕНИЕ ДИКВАРКОВОЙ И МЕЗОННОЙ КОНДЕНСАЦИИ В МОДЕЛИ НАМБУ–ЙОНА-ЛАЗИНИО С ИМПУЛЬСОМ ФЕРМИ [Электронный ресурс] / Гош, Бхаттачария, Чакрабарти // Теоретическая и математическая физика .— 2017 .— №1 .— С. 104-111 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/581495

Автор: Гош

В рамках модели Намбу–Йона-Лазинио исследуется кварк-антикварковая и дикварковая конденсация, для чего применяется трех- и четырехмерная регуляризация Паули–Вилларса. Вычисляется ширина энергетической щели и длина когерентности для мезонной конденсации 〈qq¯〉 при использовании импульса Ферми частицы в качестве параметра обрезания, а также ширина энергетической щели и критическая длина когерентности (расстояние, вдоль которого не происходит конденсации дикварков) для дикварка 〈qq〉 в зависимости от импульса Ферми. Получены оценки величины импульса Ферми для мезонного и дикваркового конденсатов при ширине энергетической щели порядка 100 МэВ.

Чакрабарти† ИЗУЧЕНИЕ ДИКВАРКОВОЙ И МЕЗОННОЙ КОНДЕНСАЦИИ В МОДЕЛИ НАМБУ–ЙОНА-ЛАЗИНИО С ИМПУЛЬСОМ ФЕРМИ <...> энергетической щели и длина когерентности для мезонной конденсации 〈qq̄〉 при использовании импульса Ферми <...> Получены оценки величины импульса Ферми для мезонного и дикваркового конденсатов при ширине энергетической <...> Основная идея заключается в том, что пара кварков на поверхности Ферми Авторы благодарят за финансовую <...> Для легкого дикварка и мезона мы также изучаем возможные значения импульса Ферми и получаем их оценку

14

СТАТИСТИЧЕСКИЕ КОСМОЛОГИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ ФЕРМИОНОВ С МЕЖЧАСТИЧНЫМ ФАНТОМНЫМ СКАЛЯРНЫМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ [Электронный ресурс] / Ю.Г. Игнатьев, А.А. Агафонов // Пространство, время и фундаментальные взаимодействия .— 2016 .— №3 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/642297

Автор: Игнатьев Ю. Г.

Исследуется космологическая эволюция статистических систем фермионов с межчастичным фантомным скалярным взаимодействием, в котором вклад в полную энергию скалярного поля “кинетического” члена отрицателен. В результате аналитического и численного моделирования таких систем выявлено наличие четырех возможных сценариев в зависимости от параметров системы и начальных условий. Среди выявленных сценариев присутствуют сценарии с ранней, промежуточной и поздней нерелятивистской стадией космологической эволюции при одновременном наличии необходимой инфляционной стадии.

В работах [14], [15] были сформулированы уравнения космологической модели на основе статистических Ферми <...> Математическая модель релятивистской почти вырожденной Ферми системы 3.1. <...> Макроскопические скаляры для почти вырожденной однокомпонентной Ферми-системы В этом разделе мы более <...> В ходе космологической эволюции импульс Ферми изменяется по закону (3.25): ap f = Const. (4.13) 2. <...> Таким образом, в целом, степень вырождения Ферми системы растет со временем. 8.2.

15

Физика наносистем

Автор: Сергеев Николай Александрович
М.: Логос

Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.

В равновесном состоянии уровни Ферми обоих полупроводников должны совпадать. <...> Интеграл Ферми не удается выразить через элементарные функции. <...> В этом случае выше уровня Ферми электронов практически нет. <...> Длина волны Ферми в металлах также очень мала – в пределах от 0,1 до 0,2 нм. <...> Растет также число новых свободных мест ниже существующего уровня Ферми.

Предпросмотр: Физика наносистем (1).pdf (0,3 Мб)
16

Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров учеб. пособие

Автор: Колкер Д. Б.
Изд-во НГТУ

Представлены физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров, а также области применения этих приборов. Предназначено для студентов физико-технического факультета.

, подчиняются статистике Ферми–Дирака. <...> Вид функции Ферми–Дирака схематически показан на рис. 1.4. <...> Размытие функции Ферми тем больше, чем выше температура. <...> ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В предыдущих рассуждениях мы считали, что уровень Ферми задан. <...> Посмотрим теперь, как можно найти положение уровня Ферми.

Предпросмотр: Физические основы светодиодов и полупроводниковых лазеров.pdf (0,4 Мб)
17

Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники»

Изд-во ПГУТИ

Методическая разработка предназначена для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров: 210700 - Инфокоммуникационные технологии и сети связи, 210400 - Радиотехника, 090900 - Информационная безопасность. Для организации практических аудиторных занятий методическая разработка включает в себя сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Это позволит сделать студентам определенные выводы и лучше подготовиться к итоговому тестированию. Кроме это- го, задания с несколькими вариантами могут быть использованы для проведения аудиторных контрольных работ на факультете заочного обучения. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий. Для организации самостоятельной работы студентов методическая разработка содержит рекомендации по изучению дисциплины, список рекомендуемой литературы и список теоретических вопросов для подготовки к итоговому контролю.

Часто пользуются понятием – «энергия Ферми» («уровень Ферми»). <...> Уровень Ферми и его зависимость от концентрации примеси и температуры. <...> Определить положение уровня Ферми в дырочном полупроводнике WFp при температуре t. <...> Дать определение понятию «уровень Ферми». Задача 2.6. <...> Рассчитать энергию уровня Ферми WFp = WFn.

Предпросмотр: Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники».pdf (0,3 Мб)
18

Физика. Введение в твердотельную электронику учеб. пособие

Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.

Квантовую статистику связывают с именами Ферми и Дирака и называют статистикой Ферми-Дирака. <...> N 00 2 1 3 2 4 Нулевой уровень Дно ямы μ  энергия Ферми Уровень Ферми Рис. 2.3. <...> Если энергия электрона больше энергии Ферми настолько, что E – EF >> kT, то распределение Ферми–Дирака <...> Что такое уровень Ферми? 12. <...> Каково заполнение электронами энергетических уровней меньших, больших уровня Ферми и самого уровня Ферми

Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
19

Лекции по квантовой теории металлов

Автор: Журавлев В. А.
М.: Институт компьютерных исследований

Книга представляет собой курс лекций по электронной теории металлов, который читался для студентов старших курсов физических специальностей. Курс естественным образом вводит слушателей в систему современных представлений квантовой теории металлического состояния. Всюду можно видеть стремление автора в ясной форме представить все необходимые выкладки и вычисления, однако по замыслу этот курс призван дать лишь качественное описание только электронной структуры металлов и их свойств.

Заполненную ферми-сферу обычно называют ферми-фоном, т. е. ферми-фон есть вакуумное состояние системы <...> Энергия Ферми. <...> Энергия Ферми. <...> Энергия Ферми. <...> Энергия Ферми. Поверхность Ферми 141 Рис. 18.

Предпросмотр: Лекции по квантовой теории металлов.pdf (0,2 Мб)
20

Физические основы электроники учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Бакалавриат

Автор: Валюхов Дмитрий Петрович
изд-во СКФУ

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Приведена функция распределения Ферми – Дирака и уровень Ферми в собственных и примесных полупроводниках <...> Функция распределения Ферми – Дирака Графики функции распределения Ферми – Дирака ƒ(W) изображены на <...> Что называется уровнем Ферми? 7. Где расположен уровень Ферми в собственном полупроводнике? 8. <...> Функция распределения Ферми – Дирака……………... 2.4. <...> Уровни Ферми в примесных полупроводниках……… 2.11.

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,8 Мб)
21

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОКАЛОРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА В КОРРЕЛИРОВАННЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ C СИНГУЛЯРНОСТЯМИ ВАН ХОВА В ЭЛЕКТРОННОМ СПЕКТРЕ [Электронный ресурс] / Игошев, Кокорина, Некрасов // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №3 .— С. 5-15 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591866

Автор: Игошев

В работе исследована величина магнитного вклада в изотермическое изменение энтропии ΔS при включении магнитного поля в коррелированных металлических ферромагнетиках в рамках невырожденной модели Хаббарда. Полученное в приближении среднего поля аналитическое выражение для ΔS существенно зависит от электронной структуры (плотности электронных состояний), что открывает новые пути увеличения абсолютного значения ΔS по отношению к известному результату, полученному в рамках модели Гайзенберга. Вычислена температурная зависимость ΔS при различных величинах кулоновского взаимодействия U, числа электронов n для бесконечномерной решетки Бете и квадратной решетки с учетом интегралов переноса в первой (t) и второй (t') координационных сферах. Найдено, что присутствие сингулярностей ван Хова в электронном спектре вблизи уровня Ферми может позволить существенно увеличить величину ΔS при фиксированной величине магнитного поля. Проанализирована возможность магнитного фазового перехода первого рода в зависимости от параметров модели

Найдено, что присутствие сингулярностей ван Хова в электронном спектре вблизи уровня Ферми может позволить <...> момент (в единицах ) равен приходящиеся на один узел, определяются уравнениями (5) (6) где – функция Ферми <...> зависимость коэффициента (22) от n определяется через решение уравнения (5) при что задает уровень Ферми <...> ε ∼ ρ μ ρ μ0 eff eff( ) '( ) ρ ε( ) уровня Ферми ) имеем следующие ведущиевклады: (23) (24) (25) (26) <...> Показано, что абсолютная величина имеет максимум при температуре Кюри в случае, если уровень Ферми в

22

Элементы физики твердого тела учеб. пособие

Автор: Федоров Б. В.
ТюмГНГУ

Учебное пособие представляет собой систематизированное и доступное изложение курса физики твердого тела, содержащее основные элементы описания физических свойств твердых тел и процессов, происходящих в них.

Один октант сферы Ферми в пространстве импульсов. <...> На рис. 62 изображена поверхность Ферми магния. <...> Рис. 81 Смещенное полем распределение Ферми. <...> распределения Ферми с распределением Больцмана. <...> В формуле (42) Ef—энергия Ферми.

Предпросмотр: elementy-fiziki.pdf (0,7 Мб)
23

Определение типа проводимости полупроводника

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физические основы полупроводников и микроэлектроники» подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

При этом уровни Ферми в обоих материалах сравняются, т. е. уровень Ферми в полупроводнике понизится относительно <...> уровня Ферми в металле на величину, равную разности термодинамических работ выхода. <...> что 1) термодинамической работой выхода называется разность энергий между уровнем вакуума и уровнем Ферми <...> – электронное сродство, gE∆ – ширина запрещенной зоны полупроводника, а Bψ – разность между уровнем Ферми <...> Следовательно, сдвиг уровня Ферми на величину eV в объеме полупроводника приведет к уменьшению на эту

Предпросмотр: Определение типа проводимости полупроводника.pdf (0,8 Мб)
24

Внешний фотоэффект метод. указания к лаб. работе К-21 по курсу общей физики

Автор: Фетисов И. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В методических указаниях приведены краткие теоретические сведения о законах фотоэффекта и квантовой природе света; методика экспериментальной проверки формулы Эйнштейна для фотоэффекта и определения постоянной Планка; описания лабораторной установки, порядка выполнения работы и анализа результатов измерений.

ионов; б – потенциальная яма для электронов x F Металл Вакуум Э не рг ия э ле кт ро на EF A Уровень Ферми <...> Все уровни вплоть до наивысшего, называемого уровнем Ферми с энергией Ферми EF, заняты электронами, а <...> Она будет минимальна, если ее сообщить электрону, который имеет энергию Ферми и движется наружу в направлении <...> Наибольшую кинетическую энергию 2max max / 2T mv= вне металла будет иметь электрон, испущенный с уровня Ферми <...> Фотоэлектронная эмиссия с уровня Ферми (а) и с более низкого уровня (б) Если электрон испущен с более

Предпросмотр: Внешний фотоэффект.pdf (0,2 Мб)
25

АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЕ ВКЛЮЧЕНИЯ В ОРГАНИЧЕСКОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ (DOEO)4[HGBR4] ⋅ TCE [Электронный ресурс] / Коплак, Дмитриев, Моргунов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования .— 2017 .— №1 .— С. 64-70 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593264

Автор: Коплак

Проведены систематические исследования электронного состояния приповерхностных слоев в органическом полупроводнике (DOEO)4[HgBr4] ⋅ TCE методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. При температурах ниже 50– 70 K обнаружен переход в антиферромагнитное состояние во включениях, имеющих иную структуры по сравнению с объемом кристалла. По данным просвечивающей электронной микроскопии в образцах присутствуют два типа антиферромагнитных включений с размерами 2–5 и 100–400 нм. Разделены вклады антиферромагнитных включений, спинов локализованных и свободных носителей заряда (дырок) в суммарный магнитный момент кристалла.

Спектры УФЭС позволяют определить положение уровня Ферми органического полупроводника (DOEO)4HgBr4 ⋅ <...> На рис. 6а приведены фрагменты спектров УФЭС вблизи уровня Ферми EF при температурах T = 300 K и T = <...> 45 K, из которых видно, что понижение температуры вызывает сдвиг уровня Ферми ΔEF. <...> Спектр начинался вблизи уровня Ферми в отсутствии резкого края поглощения. <...> Сравнение уровней Ферми при температурах T = 300 K (верхняя панель) и T = 70 K (нижняя панель) (а).

26

Изучение терморезистора метод. указания

Автор: Рудь Н. А.
ЯрГУ

В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы электрической проводимости в терморезисторах, даётся классификация материалов по величине и механизму проводимости, сравниваются особенности классической и современной теории проводимости. Описаны устройство и применение терморезисторов с различными типами проводимости. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы общего физического практикума «Изучение терморезистора». Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект № 2.1.1/13083).

энергию в электрическом поле Е могут не все электроны, а лишь те, которые расположены вблизи уровня Ферми <...> Однако функция Ферми – Дирака при быстро спадает до нуля, и поэтому верхний предел интегрирования в ( <...> Таким образом, если уровень Ферми лежит ниже края зоны проводимости Ec более, чем на , то полупроводник <...> Поскольку положение уровня Ферми определяется условием электронейтральности собственного полупроводника <...> Зависимость уровня Ферми от температуры в донорном полупроводнике E Eс EF Ed Ev 0 T Copyright ОАО «ЦКБ

Предпросмотр: Изучение терморезистора Методические указания.pdf (0,5 Мб)
27

КРАЕВЫЕ π-ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ: ТЕОРИЯ, ЭКСПЕРИМЕНТ И ПРИЛОЖЕНИЯ [Электронный ресурс] / Зиатдинов // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2015 .— №5 .— С. 1-7 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/409694

Автор: Зиатдинов

Представлен обзор современного состояния знаний о краевых π-электронных состояниях sp2-гибридизованных сотовидных углеродных сеток. Показано, что наличие таких состояний в наноразмерных углеродных структурах приводит к появлению у них принципиально новых физико-химических свойств. Обсуждаются некоторые подходы к решению задач, стоящих перед нанотехнологией этих перспективных материалов.

Поэтому они не вносят вклад в электронное строение нанографита вблизи уровня Ферми. <...> Вклад краевых состояний в электронное строение нанографеновой ленты вблизи уровня Ферми максимален при <...> В этом случае ≈2% от общего числа -электронов нанографена сконцентрированы вблизи уровня Ферми. <...> Однако и у ленты с шириной ≈10 нм вблизи уровня Ферми еще присутствует непренебрежимый пик плотности <...> Существование пика плотности -электронных состояний вблизи уровня Ферми нанографитов подтверждает и

28

Электронная структура соединений с сильными корреляциями [монография]

Автор: Изюмов Ю. А.
Регулярная и хаотическая динамика

Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем.

и восстанавливать саму поверхность Ферми. <...> Ноль по оси абсцисс соответствует энергии Ферми. <...> импульс k лежит на поверхности Ферми. <...> Прямо на уровне Ферми образовался острый пик. <...> ферми-систем.

Предпросмотр: Электронная структура соединений с сильными корреляциями.pdf (0,3 Мб)
29

Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала: Описание лабораторной работы.

Автор: Худайбергенов Г. Ж.
[Б.и.]

Определены содержание, форма, объем и порядок проведения лабораторной работы.

невзаимодействующих электронов, подчиняющийся принципу Паули, называют свободным электронным газом Ферми <...> То есть в случае Ферми-частиц в каждом состоянии может находиться не более одной частицы. <...> При абсолютном нуле µ равно энергии Ферми εF. <...> С границы Ферми работа выхода равна mv20x/2 – µ. <...> Ферми.

Предпросмотр: Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала Описание лабораторной работы..pdf (0,2 Мб)
30

Электрические параметры нано-МОП транзисторов

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

В данном пособии рассматриваются конструкции и особенности характеристик нано-МОП транзисторов по сравнению с традиционными, а также их физические ограничения.

Зонная диаграмма p+-n++-перехода при обратном смещении и зависимость ε(k) вырожденным, и уровень Ферми <...> В то же время p-полупроводник при Nap = (1 ÷ 5)·1018 см-3 является невырожденным, и уровень Ферми EFр <...> Тогда при nn = 1,1·1020 уровень Ферми лежит выше края зоны проводимости на 0,07 Эв. <...> Аналогично можно показать, что при концентрации дырок p=3,4·1018 см-3 уровень Ферми лежит выше потолка <...> С другой стороны, уровень Ферми в инверсионном слое и в обедненном слое p-области один и тот же.

Предпросмотр: Электрические параметры нано-МОП транзисторов (1).pdf (0,8 Мб)
31

Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях [монография]

Автор: Ирхин В. Ю.
М.: Институт компьютерных исследований

Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f -систем в рамках многоэлектронных моделей.

Поверхность Ферми Исследование поверхности Ферми (ПФ) является одним из наиболее мощных инструментов <...> Экспериментальные и теоретические результаты для поверхностей Ферми Исследование поверхности Ферми в <...> Поверхность Ферми 101 Рис. 2.30. <...> Стивенса операторы — Ферми см. <...> Нееля температура — Ферми вырождения см. Ферми температура вырождения Теорема — Блоха см.

Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f -металлах и их соединениях.pdf (0,3 Мб)
32

НОРМАЛЬНОЕ СОСТОЯНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЕРОВОДОРОДА [Электронный ресурс] / Кутуков, Мазур // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №2 .— С. 11-21 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/585760

Автор: Кутуков

Обобщенная теория нормальных свойств металла на случай электрон-фононных (ЭФ) систем с непостоянной плотностью электронных состояний используется для изучения нормального состояния фаз SH3 и SH2 сероводорода при различных давлениях. Рассчитываются частотная зависимость реальной ReΣ(ω) и мнимой Im Σ(ω) части собственно-энергетической части (СЧ) функции Грина электрона Σ(ω), реальная Re Z (ω) и мнимая части Im Z (ω) комплексной перенормировки массы электрона, реальная Reχ(ω) и мнимая Imχ(ω) части комплексной перенормировки химического потенциала, а также перенормированная сильным электрон-фононным взаимодействием плотность электронных состояний N (ε) Расчеты проведены для стабильной орторомбической структуры IM-3M сероводорода SH3 для трех значений давления P = 170, 180, 225 ГПа и структуры SH2 с симметрией I4/MMM (D4H-17) для трех значений давления P = 150, 180, 225 ГПа при температуре Т = 200 К.

показано, что для плотности электронных состояний SH3 при представленном значении давления уровень Ферми <...> , то есть в пределах энергетического интервала в один электронвольт как вверх, так и вниз от уровня Ферми <...> Факт неоднократного пересечения зоны проводимости и поверхности Ферми, хорошо видный в [4], приводит <...> к наличию многочисленных максимумов и минимумов у поверхности Ферми, а следовательно, и особенностей <...> частично у поверхности Ферми, будем пренебрегать.

33

Страницы развития нейтринной физики [Электронный ресурс] / Понтекорво // Химия и жизнь ХХI век .— 2015 .— №11 .— С. 8-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/514167

Автор: Понтекорво

<…>Теперь я хотел бы дать субъективный отчет о нескольких страницах развития нейтринной физики, к которым я некоторым образом причастен. В 1946 году нейтрино рассматривались, вообще говоря, как недетектируемые частицы.

.> из истории нейтрино: Ферми Следующий колоссальный шаг был сделан Ферми. <...> Ферми познакомился неофициально с гипотезой Паули в Риме на международном Конгрессе по ядерной физике <...> Второй курьез относится к трудностям, с которыми столкнулся Ферми при построении своей теории. <...> Трудно представить себе людей со столь различными характерами, как Ферми и Майорана. <...> В то время как Ферми был очень простым человеком (с небольшой оговоркой: он был гением!)

34

ИНФЛЯЦИЯ РАННЕЙ ХОЛОДНОЙ ВСЕЛЕННОЙ, ЗАПОЛНЕННОЙ НЕЛИНЕЙНЫМ СКАЛЯРНЫМ ПОЛЕМ И НЕИДЕАЛЬНЫМ РЕЛЯТИВИСТСКИМ ФЕРМИ-ГАЗОМ [Электронный ресурс] / Пашицкий, Пентегов // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №3 .— С. 77-91 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592338

Автор: Пашицкий

Рассмотрен один из возможных сценариев эволюции ранней холодной Вселенной, родившейся в результате достаточно большой квантовой флуктуации вакуума размером a0 ≫ lP (где lP — планковская длина) и заполненной как нелинейным скалярным полем ϕ, плотность потенциальной энергии U(ϕ) которого определяет плотность энергии λ вакуума, так и неидеальным ферми-газом с короткодействующим отталкиванием между частицами, уравнение состояния которого характеризуется зависящим от концентрации nF фермионов отношением давления P (nF ) к плотности энергии ε(nF ). При уменьшении nF в процессе расширения ранней Вселенной безразмерная величина ν(nF )=P (nF )/ε(nF ) уменьшается от максимального значения νmax =1при nF →∞до нуля при nF → 0. Взаимодействие скалярного и гравитационного полей, которое характеризуется безразмерной константой ξ, пропорционально скалярной кривизне четырехмерного пространства R = κ[3P (nF ) − ε(nF ) − 4λ] (где κ — гравитационная постоянная Эйнштейна) и содержит как квадратичное, так и линейное по ϕ слагаемые. В результате этого расширяющаяся ранняя Вселенная за конечный отрезок времени достигает точки фазового перехода первого рода при критических значениях скалярной кривизны R = Rc = −μ2/ξ ирадиусаac ≫ a0. После этого ранняя замкнутая Вселенная из плоской точки перегиба потенциала U(ϕ) за конечное время «скатывается» в нулевой минимум потенциала. Выделение полной потенциальной энергии скалярного поля во всем объеме расширяющейся Вселенной в процессе ее «скатывания» должно сопровождаться рождением большого числа массивных частиц и античастиц разного сорта, аннигиляция которых играет роль Большого взрыва. Обсуждается также вопрос о фундаментальности гравитационной постоянной Ньютона GN.

ИНФЛЯЦИЯ РАННЕЙ ХОЛОДНОЙ ВСЕЛЕННОЙ, ЗАПОЛНЕННОЙ НЕЛИНЕЙНЫМ СКАЛЯРНЫМ ПОЛЕМ И НЕИДЕАЛЬНЫМ РЕЛЯТИВИСТСКИМ ФЕРМИ-ГАЗОМ <...> Однако, как показано в разд. 4, использование точного уравнения состояния неидеального ферми-газа, P <...> при любых значениях nF во всем диапазоне от нерелятивистского приближения, когда энергия Ферми равна <...> Здесь ε∞ — плотность энергии идеального ферми-газа в плоском пространстве при NF → ∞. <...> (т. е. для уровня Ферми выполняется соотношение n(NF max) = 2[lF (NF max) + 1]2, см.

35

Учебно-методическое пособие к специальному лабораторному практикуму: [ для специальности "Физика"]

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Лабораторные работы специального практикума носят учебно-исследовательский характер и предполагают индивидуальное выполнение студентом всех экспериментальных заданий. Он построен таким образом, что по мере его выполнения студенты подробно знакомятся с классической литературой по теории вопросов, решаемых в каждой работе. Часть приведенных в пособии заданий имеет научно-исследовательский характер (НИ). Во всех работах приведены контрольные теоретические вопросы для проверки знаний по каждому из соответствующих этапов.

Уровень Ферми при отсутствии возбуждения для электронов и дырок в pn-переходе общий. <...> – Дирака, в которой энергия Ферми заменяется величиной F*, называемой квазиуровнем Ферми. <...> Положения квазиуровней Ферми F*n и F*p зависят от интенсивности возбуждения. <...> определяется обычным уровнем Ферми. <...> Для основных носителей заряда квазиуровень Ферми совпадает с уровнем Ферми для невозбуждённого полупроводника

Предпросмотр: Учебно-методическое пособие к специальному лабораторному практикуму [ для специальности Физика].pdf (0,8 Мб)
36

№3 [Пространство, время и фундаментальные взаимодействия, 2016]

Научный журнал «Пространство, время и фундаментальные взаимодействия» посвящен разделам теоретической физики, связанными с пространством, временем, Вселенной и относящимся к ним физическими явлениями. В журнале публикуются оригинальные статьи и освещаются основные направления российских и зарубежных научных исследований. Основной целью журнала является популяризация фундаментальной науки, пропаганда достижений российской методической школы и повышение интереса к передовой науке в целом.

Математическая модель релятивистской почти вырожденной Ферми системы 3.1. <...> Макроскопические скаляры для почти вырожденной однокомпонентной Ферми-системы В этом разделе мы более <...> Таким образом, для полностью вырожденной Ферми системы закон сохранения энергии импульса частиц (2.7) <...> В ходе космологической эволюции импульс Ферми изменяется по закону (3.25): ap f = Const. (4.13) 2. <...> Таким образом, в целом, степень вырождения Ферми системы растет со временем. 8.2.

Предпросмотр: Пространство, время и фундаментальные взаимодействия №3 2016.pdf (1,2 Мб)
37

Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов метод. указания

ЯрГУ

"Данные методические указания содержат описание зонной модели твердого тела, понятия работы выхода и контактной разности потенциалов. Рассмотрены явление термоэлектронной эмиссии и эффект Шоттки. Кроме этого, приводятся схемы установок и описан порядок выполнения двух лабораторных работ. Данные методические указания предназначены для студентов третьего курса физических специальностей физического факультета. Кроме этого они могут быть использованы студентами других специальностей и форм обучения. Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы ""Развитие научного потенциала высшей школы (грант 2.1.1/466)"" Предназначены для студентов, обучающихся по специальности (дисциплина «», блок ФТД), очной формы обучения."

равновесно, т. е. из металла с большей концентрацией и боле высоким уровнем Ферми в металл с меньшей <...> концентрацией и меньшим уровнем Ферми перемещается больше электронов, чем наоборот. <...> При этом уровни Ферми для обоих металлов должны выравняться. <...> Это означает, что в стационарном состоянии уровни Ферми WF будут находиться на одинаковой высоте (рис <...> Статистика Ферми – Дирака. Энергии Ферми. 7. Назовите свойство электронов, покинувших катод. 8.

Предпросмотр: Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
38

РОЛЬ ФЕРМИОННОГО КОНДЕНСАТА В СТРУКТУРЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СПАРИВАНИЯ В КУПРАТАХ [Электронный ресурс] / Ходель, Кларк, Зверев // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 111-117 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593331

Автор: Ходель

Аномальные свойства спаривательной щели в сверхпроводниках, принадлежащих к семейству купратов, объсняются в предположении, что в нормальной фазе их электронные системы обладают фермионным конденсатом, совокупностью бездисперсионных состояний, примыкающих к номинальной поверхности Ферми. Показано, что в купратах именно фермионный конденсат ответственен за спаривание в D-состоянии. При этом эффективное кулоновское отталкивание в куперовском канале, препятствующее существованию сверхпроводимости обычных металлов в S-канале, делает его высокотемпературным в D-канале

фермионным конденсатом, совокупностью бездисперсионных состояний, примыкающих к номинальной поверхности Ферми <...> p) равна нулю в некоторой области Ω импульсного пространства, примыкающей к номинальной поверхности Ферми <...> В противоположность обычным ферми-системам, ФК числа заполнения n∗(p ∈ Ω) меняются непрерывно, так что <...> , скорость Ферми vF зависит от угла ϕ. <...> Ферми-конденсатный частично-дырочный пропагатор A(p,q;T ) = n∗(p)− n∗(p+ q) ǫ∗(p;T )− ǫ∗(p+ q;T ) (19

39

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И КОНДАКТАНС ОДНОСЛОЙНЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК СТРУКТУРНОГО ТИПА «ARMCHAIR» В ПРИБЛИЖЕНИИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ [Электронный ресурс] / Захарченко [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2008 .— №1 .— С. 28-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/528290

Автор: Захарченко

В работе представлена модель однослойных углеродных нанотрубок с металлическим типом проводимости, построенная в приближении свободных электронов; описан метод расчета электронной структуры и кондактанса, основанный на этой модели, и представлены результаты расчета электронной структуры и кондактанса однослойных углеродных нанотрубок структурного типа «armchair», полученные в рамках представленной модели

состояний, соответствующих каждой энергетической зоне: S ST m n m n e e( ) = ( )Â , , . (8) Уровень Ферми <...> NS= 0 , (11) где C0 — квант проводимости, равный 1/12906 Ом–1; NS — число зон, пересекающих уровень Ферми <...> Затем определяется число зон NS , пересекающих уровень Ферми. <...> Таблица 1 Точные значения энергии Ферми для некоторых нанотрубок структурного типа «armchair» D, нм 0,678 <...> Зависимость энергии Ферми от диаметра нанотрубки D Рис. 5.

40

ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ РАССЕЯНИЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ БАЛЛИСТИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ [Электронный ресурс] / Нагаев // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №1 .— С. 113-120 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/581094

Автор: Нагаев

Приводится обзор недавних результатов по влиянию столкновений между электронами на электрические свойства контактов с непосредственной проводимостью в двумерном электронном газе в отсутствие рассеяния на примесях и их краях. Поправка к проводимости таких контактов от электрон-электронного рассеяния может быть как положительной, так и отрицательной, в зависимости от геометрии контактов. На значение этой поправки сильно влияет магнитное поле.

Однако в выражении для поправки к току (8) A(|p + k|) усредняется по поверхности Ферми с весом τ̄m(p, <...> В силу экспоненциального спадания множителя FL вдали от поверхности Ферми можно считать, что D ∼ T 2. <...> С другой стороны, все четыре импульса должны лежать в пределах δε ∼ T от поверхности Ферми (рис. 7). <...> (Цветной онлайн) Двумерная поверхность Ферми и процесс рассеяния, изменяющий число двигающихся вправо <...> Заштрихованные области показывают части поверхности Ферми, которые дают вклад в такие процессы угольник

41

Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты и в d- и f-металлах и их соединениях

Автор: Ирхин Валентин Юрьевич
[Б.и.]

Монография включает обсуждение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Особое внимание уделено теории магнетизма и кинетических явлений. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных транспортных явлений в ферромагнетиках. Помимо изложения классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f-систем в рамках многоэлектронных моделей. Авторы старались дать в основном тексте по возможности простое физическое рассмотрение переходных металлов. Более трудные математические вопросы изложены в Приложениях.

Поверхность Ферми Исследование поверхности Ферми (ПФ) является одним из наиболее мощных инструментов <...> Экспериментальные и теоретические результаты для поверхностей Ферми Исследование поверхности Ферми в <...> Поверхность Ферми 101 Рис. 2.30. <...> Стивенса операторы — Ферми см. <...> Нееля температура — Ферми вырождения см. Ферми температура вырождения Теорема — Блоха см.

Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты и в d- и f-металлах и их соединениях.pdf (0,2 Мб)
42

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Уровень Ферми EF в примесном полупроводнике при температуре T = 0 K лежит между примесным уровнем и краем <...> в полупроводнике n-типа; EF2 — энергетический уровень Ферми в полупроводнике p-типа; e — элементарный <...> При отсутствии внешнего напряжения уровни Ферми в обоих образцах совпадают, так как образцы nи p-типов <...> Вдали от p-n-перехода структура зон остается неизменной, т. е. уровень Ферми близок к зоне проводимости <...> При этом расстояние от уровня Ферми до края валентной зоны (EF −E2) и до края зоны проводимости (E1−EF

Предпросмотр: Изучение свойств p–n-переходов.pdf (0,1 Мб)
43

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Уровень Ферми EF в примесном полупроводнике при температуре T = 0 K лежит между примесным уровнем и краем <...> в полупроводнике n-типа; EF2 — энергетический уровень Ферми в полупроводнике p-типа; e — элементарный <...> При отсутствии внешнего напряжения уровни Ферми в обоих образцах совпадают, так как образцы nи p-типов <...> Вдали от p-n-перехода структура зон остается неизменной, т. е. уровень Ферми близок к зоне проводимости <...> При этом расстояние от уровня Ферми до края валентной зоны (EF −E2) и до края зоны проводимости (E1−EF

Предпросмотр: Изучение свойств p-n-переходов.pdf (0,1 Мб)
44

Люминесценция кристаллов

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебное пособие подготовлено на кафедре оптики и спектроскопии физического факультета Воронежского государственного университета.

температуру Т и химический потенциал, называемый уровнем Ферми – EF. <...> При не очень большой концентрации примесей уровень Ферми оказывается в запрещенной зоне. <...> Для дальнейшего расчета необходимо вычислить интеграл Ферми – Дирака. <...> относительно валентной зоны. kT EF cp p − =η есть приведенный квазиуровень Ферми для дырок. <...> Расщепление уровня Ферми F на два квазиуровня Ферми Fn и Fp Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство

Предпросмотр: Люминесценция кристаллов.pdf (0,8 Мб)
45

НАНОРАЗМЕРНЫЕ ЧАСТИЦЫ ГРАФИТА, ИХ СОЕДИНЕНИЯ И ПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ [Электронный ресурс] / Зиатдинов // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2013 .— №7 .— С. 1-6 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/413257

Автор: Зиатдинов

Представлены наиболее важные результаты синтеза и исследований нанографенов, нанографитов, а также соединений и пленочных структур нанографитов, полученные за последние годы. Обозначены перспективные направления их дальнейших исследований. Сделан вывод, что рассмотренные углеродные системы являются перспективными материалами элементной базы новой техники.

Энергетические зоны, соответствующие π-электронам зигзагообразных краев, имеют вблизи уровня Ферми частично <...> энергетических зон от волнового числа (а) и плотности электронных состояний от энергии (б) вблизи уровня Ферми <...> Для оценки плотности электронных состояний на уровне Ферми нанографитов мы воспользовались тем, что в <...> известно [5], интенсивность сигнала СРЭП пропорциональна плотности состояний носителей тока на уровне Ферми <...> указывают на наличие пика локальной плотности состояний электронов с энергией на ≈25 мэВ ниже энергии Ферми

46

ЭЛЕКТРОННЫЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОФАЗНЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ MOS2 [Электронный ресурс] / Квашнин, Чернозатонский // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 103-107 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593328

Автор: Квашнин

В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS2 с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS2 приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.

что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS2 приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми <...> увеличение длины участка 1T-MoS2 (до 2.2 нм) приводит к относительному увеличению значения энергии Ферми <...> Из рис. 3 отчетливо можно увидеть наличие электронной плотности на уровне Ферми. <...> Стоит отметить, что основной вклад в формирование энергетических зон около энергии Ферми вносит граница <...> раздела между 1Tи 2H-фазой (синий пик на уровне с энергией Ферми).

47

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов учеб. пособие

Автор: Данилов В. С.
Изд-во НГТУ

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, приме- няемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам

Ферми рабочих областей. <...> , и квазипотенциалов Ферми. <...> Ферми, т. е. <...> В неравновесном состоянии уровень Ферми подложки должен разделиться на два квазиуровня Ферми. <...> и уровнем Ферми FpE подложки.

Предпросмотр: Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов .pdf (1,4 Мб)
48

Современное модельное описание магнетизма. Статья

Автор: Ирхин Валентин Юрьевич
[Б.и.]

Проведено сопоставление основополагающих работ академика С. В. Вонсовского по многоэлектронным полярной и s-d(f) обменной моделям с последующим развитием теории магнетизма переходных и редкоземельных металлов, а также их соединений. Особый упор делается на вывод различных многоэлектронных моделей (Гейзенберга, Хаббарда, Андерсона), а также соотношения и внутреннюю связь между ними. Среди тем, рассмотренных в обзоре, - многоэлектронные подходы при описании систем d- и f-электронов, атомное представление Х-операторов, проблема сильного коллективизированного магнетизма и формирования локальных моментов, роль неквазичастичных (некогерентных состояний). Обсуждается применение этих концепций к сильнокоррелированным системам, в частности, к полуметаллическим ферромагнетикам и решеткам Кондо.

Одноэлектронные операторы рождения и уничтожения Ферми определяются следующим образом: aλc(. . . nλ . <...> Однако оно может быть верным для некоторых электронных групп около уровня Ферми. <...> Неквазичастичные состояния с σ =↓ (нижняя половина рисунка) отсутствуют ниже уровня Ферми. <...> для I > 0 и I < 0 соответственно из-за наличия функций распределения Ферми. <...> Важную роль также может играть изменение топологии поверхности Ферми [126].

Предпросмотр: Современное модельное описание магнетизма. Статья.pdf (0,2 Мб)
49

Радиационные эффекты в монокристаллах TlGaSe2 [Электронный ресурс] / Мустафаева, Асадов, Исмайлов // Прикладная физика .— 2012 .— №3 .— С. 20-24 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432259

Автор: Мустафаева

Изучено влияние γ-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅10^4 — 3,5⋅10^7 Гц. Показано, что γ-облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅10^4 и 2,25⋅10^6 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков.

В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми <...> и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а <...> ⎣ ⎦ ⎥ (1) где e — заряд электрона; k — постоянная Больцмана; NF — плотность состояний вблизи уровня Ферми <...> Экспериментальные результаты позволили оценить плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми <...> [6]: 3 3 , 2 F E R N Δ = π ⋅ (3) можно оценить энергетический разброс локализованных вблизи уровня Ферми

50

Исторический аспект преподавания физики в высшей школе: понятие плотности состояний в оптике, квантовой физике и физике твердого тела [Электронный ресурс] / Гапоненко С.В., Хильманович В.Н. // Физическое образование в вузах .— 2014 .— №2 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/267851

Автор: Гапоненко С.В.

Рассматривается исторический аспект возникновения и развития понятия плотности состояний. Показывается важность этого понятия в квантовой физике, оптике и физике твердого тела, его универсальный, междисциплинарный характер, роль в современной физике. Подчеркиваются некоторые проблемные аспекты, разрешение которых важно для понимания студентами взаимодействия поля и вещества.

Ферми, 1926 г., в которой он использовал понятие плотности состояния для атомов при построении теории <...> В этой работе Ферми разработал статистику газа частиц, подчиняющихся принципу Паули и названых в его <...> честь «фермионами», а статистика позднее получила название функции распределения Ферми–Дирака. <...> Fermi // Zs. fur Phys. – 1926. – Vol. 36. – P. 902"912. / Ферми Э. Научные труды. <...> Ферми Статистический метод определения некоторых свойств атомов. Научные труды.

Страницы: 1 2 3 ... 445