Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 563270)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 17184 (2,09 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Нанотехнологии и микромеханика. Ч. 6. Базовые технологические процессы микросистемной техники учеб. пособие

Автор: Потловский К. Г.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены основные технологические процессы производства элементов микросистемной техники с точки зрения физических явлений. Обобщены результаты, полученные при выращивании монокристаллов, а также в процессах диффузии, имплантации, литографии и др.

  На этом первая стадия процесса травления кремния завершается. <...> ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ Как следует из изложенного выше, изотропное травление кремния в многокомпонентных <...> При травлении кремния в составе HNA дырки образуются непосредственно на поверхности кремния при ее контакте <...> Процесс травления кремния в KOH соответствует модели преимущественного травления плоскостей с наименьшей <...> и травлением шестеренка отделяется от оси; 8 — травлением удаляются «жертвенные» слои пористого кремния

Предпросмотр: Нанотехнологии и микромеханика. Часть 6. «Базовые технологические процессы микросистемной техники». Гриф УМО. .pdf (0,5 Мб)
2

Особенности создания чувствительных элементов кремниевых и кварцевых маятниковых акселерометровЕ.В. Ветрова [и др.] // Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы .— 2017 .— №2 .— С. 95-102 .— doi: 10.17238/issn2409-0239.2017.2.95 .— URL: https://rucont.ru/efd/618534 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Ветрова Е. В.

Аннотация. Статья посвящена обзору разработанных вариантов маятниковых акселерометров на основе чувствительных элементов из кварца и кремния (емкостный кремниевый и компенсационный кварцевый маятники), полученных методами групповой объемной микрообработки. Рассмотрены особенности технологии изготовления чувствительных элементов, в частности жидкостное травление кремния и кварца. Проведен анализ конструктивно-технологических проблем, связанных с особенностями материалов изготовления и процессов глубинного жидкостного анизотропного и изотропного травления. Особое внимание уделено особенностям изготовления торсионных элементов, от точности которых зависят выходные характеристики устройства в целом. В программном комплексе SolidWorks Simulation проведено моделирование параметров деформации и жесткости подвижных частей маятников. Результаты моделирования показали, что с помощью варьирования геометрией торсиона можно подобрать необходимые параметры жесткости сочленения в широком диапазоне. Определены наилучшие параметры обработки материалов чувствительных элементов. Отличительная особенность разработанных технологий изготовления чувствительных элементов акселерометров двух типов — их групповой характер. Исследование образцов, проведенное на растровом электронном микроскопе, позволило определить геометрические параметры торсионов чувствительных элементов, от которых главным образом зависела жесткость конструкции и, как следствие, чувствительность акселерометра. Abstract. The article presents the review of the developed variants of pendulum accelerometers based on sensitive elements made of quartz and silicon (capacitive silicon and compensation quartz pendula) obtained by means of batch volume processing. The features of the technology for producing sensitive elements, in particular liquid etching of silicon and quartz, are given. The paper shows the analysis of the design and technological problems connected with the characteristics of the materials of production and process of the deep liquid anisotropic and isotrope etching. A special attention is given to the design features of torsional elements, because, in general, the output characteristics of the device depend on the production accuracy of such elements. Simulation of the deformation parameters and stiffness of the movable parts of the pendula was carried out in the SolidWorks Simulation program complex. The simulation results showed that it is possible to choose the necessary parameters of stiffness of the joint in a wide range by changing the geometry of the torsion bar. The best parameters for materials processing of the sensitive elements were determined. A distinctive feature of the developed technologies for producing sensitive elements of two types of accelerometers is their group character. A study of the produced samples carried out on the scanning electron microscope made it possible to determine the geometric parameters of the torsion bars of the sensitive elements. The stiffness of the structure and consequently the sensitivity of the accelerometer depended mainly on those parameters.

кремния Травильный агент Температура Скорость травления кремния, мкм/ч (100)* (110)* (111)* KOH :H2O <...> определяется: 1) ориентацией исходной пластины кремния; 2) формой маски для локального травления; 3) <...> Травление осуществлялось раствором KOH :H2O при температуре 80◦ через маску оксида кремния. <...> V-образный профиль травления кремния Рис. 3. <...> Метод размерного стоп-травления кремния в производстве изделий микромеханики // Нанои микросистемная

Предпросмотр: Особенности созданиячувствительных элементов кремниевых и кварцевых маятниковых акселерометров.pdf (8,2 Мб)
3

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПЕРВИЧНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИНФОРМАЦИИАверин, Пауткин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки .— 2014 .— №2 .— С. 24-32 .— URL: https://rucont.ru/efd/552490 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Аверин

Актуальность и цели. Цель работы: анализ технологических особенностей формообразования кремниевых кристаллов акселерометров – элементов первичных преобразователей информации, выполненных на основе базовых МЭМС-технологий. Применение монокристаллического кремния в качестве конструкционного материала при создании датчиков позволило вывести на качественно новый уровень технические характеристики приборов, получивших общее название МЭМС-датчиков. Одними из наиболее распространенных приборов, выполненных по МЭМС-технологиям, являются микромеханические акселерометры емкостного и пьезорезисторного типа. Материалы и методы. Кремниевые микромеханические акселерометры изготавливаются по технологиям поверхностной либо объемной микромеханики. Показаны преимущества и недостатки рассмотренных технологий: поверхностная микрообработка позволяет формировать множество чувствительных элементов для создания акселерометров массового производства, а технологии объемной микрообработки менее производительны, но обеспечивают получение чувствительных элементов акселерометров с высокими выходными параметрами. Результаты и выводы. Преимущества чувствительного элемента, выполненного по технологии объемной микромеханики, заключаются в высоких метрологических и эксплуатационных характеристиках за счет большой величины инерционной массы по сравнению с чувствительными элементами, выполненными по технологии поверхностной микрообработки. Отличительной особенностью чувствительных элементов пьезорезисторного типа по сравнению с емкостными является более сложный технологический процесс, обусловленный необходимостью формирования пьезорезисторов на поверхности упругих перемычек. Выходные параметры МЭМС-приборов определяются технологическими особенностями изготовления кремниевых кристаллов МЭМС-акселерометров.

Различают два типа травления кремния: анизотропное и изотропное. <...> на открытых участках в буферном травителе и проводят анизотропное травление кремния в растворе КОН, <...> Инерционная масса и упругая перемычка сформированы анизотропным травлением кремния. <...> Верхняя и нижняя пластины, полученные анизотропным травлением кремния, отделены от инерционной массы <...> Инерционная масса и упругие перемычки формируются методами анизотропного травления кремния, пьезорезисторы

4

Получение пористого кремния

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики твердого тела и наноструктур физического факультета Воронежского государственного университета.

Электрохимическое (электролитическое) и химическое травление кремния во многом аналогичны. <...> травление поверхности кремния Si0 + 2h+ → Si2+; б) диспропорционирование ионов Si2+ в растворе вблизи <...> При этом происходит растворение (травление) кремния с образованием ПК [5, 7]. Рис. 2. <...> Непосредственно перед травлением пластины кремния отмыть в изопропиловом спирте и высушить на воздухе <...> Схема электрохимического травления образцов пористого кремния СКУТ – система контроля и установки тока

Предпросмотр: Получение пористого кремния .pdf (0,7 Мб)
5

ВЛИЯНИЕ ТИПА И СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ POR-SI, ПОЛУЧЕННОГО ГАЛЬВАНИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМПятилова [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 42-46 .— URL: https://rucont.ru/efd/591936 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Пятилова

Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.

Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 <...> К ним относятся stain etching [8–10], локальное химическое травление кремния с использованием металла <...> с электролитом [3], тип металла [21], длительность травления [22]. <...> Раствор HF/C2H5OH/H2O2 широко применяется в технологии создания пористого кремния гальваническим травлением <...> Фотографии процесса горения пористого кремния, сформированного при травлении длительностью 30мин на p-Si

6

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ГРАДАЦИИ В ФТОРИДСОДЕРЖАЩИХ РАСТВОРАХ В ПРИСУТСТВИИ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО ОЗОНАМантузов [и др.] // Естественные и технические науки .— 2015 .— №6 .— С. 468-475 .— URL: https://rucont.ru/efd/491113 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Мантузов

Установлено влияние концентрированного озона на закономерности электрохимического травления образцов полупроводниковых пластин кремния (ППП Si) солнечной градации в фторидсодержащих растворах. В присутствии концентрированного озона изменяется характер электрохимического травления, имеется предельный ток в широком интервале потенциалов от –1,0 В и до +2,0 B.

Карпова) ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ГРАДАЦИИ В ФТОРИДСОДЕРЖАЩИХ <...> кремний. <...> При токах короткого замыкания 0,5-0,6 mA/см2 происходит только травление кремния без образования пористого <...> кремния (por-Si). <...> В этих условиях электрохимическое травление до потенциала 2,0 В протекает по механизму селективного травления

7

Плазменные технологии в микроэлектронике. Часть 1. Плазмохимическое травление материалов электронной техники

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

кремния. <...> Таким образом, осуществляется «цепная реакция» травления кремния атомами фтора. <...> Суммарная же химическая реакция травления кремния атомами фтора обычно записывается как Si + 4F* → ↑SiF4 <...> кремния. <...> В частности, травление кремния и его диоксида может протекать одновременно с процессом полимеризации

Предпросмотр: Плазменные технологии в микроэлектронике. Часть 1. Плазмохимическое травление материалов электронной техники.pdf (0,7 Мб)
8

Детекторные диоды Шоттки с пониженной высотой барьера на основе структур кремния, легированных сурьмойЗакамов, Чеченин // Прикладная физика .— 2012 .— №3 .— С. 95-99 .— URL: https://rucont.ru/efd/432272 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Закамов

Рассмотрена возможность получения низкобарьерных контактов Шоттки на n-типе кремния за счет выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сильно легированного приповерхностного слоя (толщиной около 4 нм). Получены омические контакты и низкобарьерные контакты с дифференциальным сопротивлением 1—2 кОм. Опробован способ частичного стравливания высоколегированного поверхностного слоя ионами аргона для получения барьера Шоттки. Проведено измерение емкости низкобарьерных контактов и отклика на внешний высокочастотный сигнал.

На рис. 1 представлены профили концентрации кремния, кислорода и сурьмы в зависимости от времени травления <...> Методом химического травления были сформированы контакты диаметром 40 и 20 мкм. <...> кремния аргоном. <...> По оценкам, травление кремния было проведено на глубину 1,5—2 нм. <...> ВАХ контактов на пластине кремния R158 после травления поверхности аргоном и на пластине R257 диаметром

9

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 1. Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование учеб. пособие

Автор: Королёв М. А.
М.: Лаборатория знаний

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала, введение примесей в кремний, выращивание окисла кремния и его охлаждение, литография, создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.

Химическое травление кремния . . . . . . . . . . . . . . . 31 Кинетика травления кремния . . . . . . <...> Химическое травление кремния Кинетика травления кремния Процесс травления состоит из нескольких этапов <...> Химическое травление кремния Кинетика травления кремния Две теории саморастворения кремния Зависимость <...> Химическое травление кремния Кинетика травления кремния Процесс травления состоит из нескольких этапов <...> Химическое травление кремния Кинетика травления кремния Две теории саморастворения кремния Зависимость

Предпросмотр: Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 1. Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование.pdf (0,4 Мб)
10

Технология микросистемной техники. В 3 ч. Ч. 1. Методы микрообработки учеб. пособие

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены современные методы микрообработки, применяемые в технологии изготовления микросистем: объемная микрообработка, поверхностная микрообработка, технология LIGA. Приведены сведения о материалах, применяемых в микросистемной технике, и о методах соединения слоев микросистем.

Наиболее распространенным травильным реагентом для направленного травления кремния является смесь КОН <...> Объемная микрообработка кремния: а – изотропное травление; б – анизотропное травление; в – анизотропное <...> Травление с барьерным слоем Для кремния известно много травильных растворов. <...> Селективное травление с помощью примесей Мембраны из кремния изготавливаются в основном с помощью тонкого <...> нитрида кремния, нм/мин Низкая 1 0,1 0,1 200 200 Скорость травления оксида кремния, нм/мин 10…30 10

Предпросмотр: Технология микросистемной техники. Часть 1. Методы микрообработки.pdf (0,3 Мб)
11

№5 [Технологии в электронной промышленности, 2008]

«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.

При травлении кремния контролирующими стадиями могут быть либо диффузия реагента к поверхности, либо <...> Кислотное травление кремния представляет собой окислительно-восстановительный процесс с растворением <...> Для травления кремния применяют водные растворы гидрооксида (КОН) калия или натрия (NaOH). <...> Суммарная реакция щелочного травления кремния имеет вид: Si + 2KOH + H2O = K2SiO3 + 2H2. <...> Травление кремния выполняют при 90–100 °С в растворах, содержащих 10–30% щелочи.

Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №5 2008.pdf (0,9 Мб)
12

№1 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2020]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

при температуре 350 С и проводили фотолитографию и травление окон к аморфному кремнию. <...> и приводить к прекращению травления кремния p-типа задолго до достижения p–n-перехода. <...> Время травления кремния p-типа толщиной 500 мкм составляет примерно 11 ч. <...> ВАХ кремния p-типа при электрохимическом травлении в 30%-ном растворе KOH Fig.2. <...> остановка травления кремния pтипа.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2020.pdf (1,4 Мб)
13

Основы технологии материалов микроэлектроники учеб.-метод. пособие

Автор: Каменская А. В.
Изд-во НГТУ

В пособии кратко изложены основные представления о технологических методах и процессах, используемых в производстве основных материалов микроэлектроники. Рассмотрены физические явления и равновесные закономерности, лежащие в основе управления фазовыми и химическими превращениями веществ.

Травление кремния Химическая инертность кремния объясняется наличием на исходной пластине оксидной пленки <...> Максимальная скорость травления кремния достигается при соотношении НN03:НF==1:4,5 в молярных долях. <...> Травление кремния в щелочных составах проводят при температуре 90…100 °C. <...> Этот травитель обеспечивает высокую скорость травления кремния (около 0,05 мкм/с при температуре 120 <...> Травление арсенида галлия Арсенид галлия травят как в щелочных, так и в кислотных травителях.

Предпросмотр: Основы технологии материалов микроэлектроники.pdf (0,5 Мб)
14

№2 [Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы, 2017]

Научно-технический журнал «Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы» является рецензируемым изданием, входит в Перечень ведущих научных журналов и изданий ВАК. Журнал имеет англоязычное название: «Rocket-Space Device Engineering and Information Systems». Тематика журнала охватывает теоретические и прикладные вопросы разработки приборов, комплексов и систем для космических аппаратов и наземных станций для управления ими, приема и обработки данных от спутников ДЗЗ, навигации и связи.

кремния Травильный агент Температура Скорость травления кремния, мкм/ч (100)* (110)* (111)* KOH :H2O <...> определяется: 1) ориентацией исходной пластины кремния; 2) формой маски для локального травления; 3) <...> Травление осуществлялось раствором KOH :H2O при температуре 80◦ через маску оксида кремния. <...> V-образный профиль травления кремния Рис. 3. <...> Метод размерного стоп-травления кремния в производстве изделий микромеханики // Нанои микросистемная

Предпросмотр: Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы №2 2017.pdf (0,1 Мб)
15

№2 [Вестник Московского государственного технического университета имени Н.Э. Баумана. Серия "Приборостроение", 2011]

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Освещаются вопросы по направлениям: информатика и вычислительная техника; системы управления; радиоэлектроника, оптика и лазерная техника; гироскопические навигационные приборы; технология приборостроения, биомедицинская техника и технология.

кремния с нижней стороны микроактюатора. <...> кремния с обратной стороны микроактюатора. <...> Таким образом, травление кремния с обратной стороны микроактюатора способствует экспоненциальному уменьшению <...> Таким образом, операцию травления кремния с обратной стороны микроактюатора можно использовать как технологический <...> в 9 раз, что позволяет рассматривать травление как один из способов регулирования нагрузки на балках

Предпросмотр: Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Серия Приборостроение №2 2011.pdf (0,1 Мб)
16

№2 [Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки, 2014]

Издание представляет публикацию результатов фундаментальных, перспективных исследований, проводимых учеными Поволжья

Различают два типа травления кремния: анизотропное и изотропное. <...> на открытых участках в буферном травителе и проводят анизотропное травление кремния в растворе КОН, <...> Инерционная масса и упругая перемычка сформированы анизотропным травлением кремния. <...> Верхняя и нижняя пластины, полученные анизотропным травлением кремния, отделены от инерционной массы <...> Инерционная масса и упругие перемычки формируются методами анизотропного травления кремния, пьезорезисторы

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки №2 2014.pdf (0,6 Мб)
17

№6 [Технологии в электронной промышленности, 2008]

«Технологии в электронной промышленности» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка печатных плат, о фирмах, работающих на рынке производства электроники. Тематически журнал охватывает все сферы производства печатных плат и ориентирован прежде всего на технологов и конструкторов, работающих в электронной промышленности.

Например, при выращивании на кремнии маскирующих пленок газы и влага удаляются с поверхности по мере <...> Травление кремния выполняется при плотностях ионного тока свыше 10 А/м2 и энергии ионов 1–10 кэВ. <...> При больших энергиях ионы глубоко внедряются в кремний и распыление не наблюдается. <...> Травление кремния хлористым водородом Травление кремния хлористым водородом широко используется перед <...> Для травления кремния и некоторых металлов применяют галогеносодержащие молекулярные газы, так как именно

Предпросмотр: Технологии в электронной промышленности №6 2008.pdf (0,6 Мб)
18

№4 [Физика и техника полупроводников, 2017]

Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных <...> Прямым экспериментальным опровержением обсуждаемой гипотезы может служить сплошное травление кремния, <...> Это означает, что наблюдаемое спонтанное травление кремния, протекающее как порообразование, является <...> величин, соответствующих скоростям травления кремния в ванадиевом растворе. <...> Процессы травления кремния в HF с участием окислителей и процессы анодного травления тождественны, однако

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №4 2017.pdf (0,1 Мб)
19

Разработка датчиков расхода жидкости и газа на основе микросенсора теплового потока учеб. пособие

Автор: Сажин О. В.
М.: ФЛИНТА

Учебное пособие посвящено проблемам разработки и создания датчиков расхода жидкости и газа на основе микросенсора теплового потока. Изложение материала ведется на примере конкретных разработок датчиков расхода, выполненных недавно в НПО Автоматики имени академика Н. А. Семихатова. Описана как разработанная технология изготовления датчиков расхода, так и предлагаются альтернативные решения. Особое внимание уделено методике испытаний опытных образцов датчиков. Обсуждаются основные результаты испытаний.

проводится окисление пластин с обеих сторон на толщину слоя до 1,2–2,0 мкм с целью получения масок травления <...> Для этого на поверхность нитрида кремния газофазным методом осаждается поликристаллический кремний слоем <...> формирования топологии поверхности пластины в целом, в частности формируются скрайберные дорожки и маски травления <...> В области мембран на непланарной стороне пластины проводится травление кремния до толщины 10–20 мкм, <...> Таким образом, несущим элементом сформированной мембраны являтся нитрид и окись кремния.

Предпросмотр: Разработка датчиков расхода жидкости и газа на основе микросенсора теплового потока.pdf (0,5 Мб)
20

Труды Физико-технологического института Академии наук Том 26 : Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование

М.: НАУКА

Представленный сборник освещает лишь небольшую часть спектра возможных устройств, исследуемых в Физико-технологическом институте РАН. Первые две статьи посвящены "нестандартной" возможности использования механических систем в качестве элемента квантового бита. Далее рассматривается технология ключей с малыми управляющими напряжениями, что является актуальной проблемой, а также представлена статья по моделированию ключа с пружинным подвесом. В следующей статье описана технология глубокого анизотропного травления при изготовлении микроакселерометра. В трех последних статьях авторы несколько отступают от традиционного понимания МНЭМС, тем не менее, в них описана технология быстрых нейтральных пучков, которая может быть успешно применена и к производству таких систем.

Глубокое плазменное травление кремния с тыльной стороны пластины; г – формирование структуры «кремний <...> Зубцы гребенок имеют рифленые стенки, что является результатом глубокого плазменного травления кремния <...> Аспектнонезависимое анизотропное травление кремния в плазмохимическом, циклическом процессе // Микроэлектроника <...> Исследована кинетика процесса травления диоксида кремния пучками БНЧ хладона CF4 в зависимости от скорости <...> Зависимость глубины травления диоксида кремния пучком БНЧ хладона CF4 от числа проходов подложки в зоне

Предпросмотр: Труды Физико-технологического института Академии наук.pdf (0,5 Мб)
21

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

кремния. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 5 2016 450 глубокое травление кремния на обратной стороне пластины для формирования <...> Контроль травления осуществлялся по времени анизотропного травления канавок минимальной ширины. <...> Зубцы гребенок имеют рифленые стенки, что является результатом глубокого плазменного травления кремния <...> (50, 100 циклов травления) на заключительной стадии.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2016.pdf (1,0 Мб)
22

Конструктивно-технологические основы микроэлектроники учеб. пособие

Автор: Филяк М. М.
ГОУ ОГУ

В учебном пособии представлены общие сведения о технологии интегральных микросхем, дана их классификация и кратко описаны основные технологические операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем. Рассмотрены также операции изготовления гибридных интегральных микросхем.

Травление применяют для создания: − диффузионных масок в слое термически окисленного кремния; − омических <...> Рисунок 3.27 – Преимущественное травление кремния вдоль кристаллографического направления (100). 73 Copyright <...> диоксид кремния (слой), необходимо, чтобы скорость травления кремния была меньше скорости травления диоксида <...> кремния. <...> Что такое степень анизотропии травления? 23. Какие процессы травления вы знаете?

Предпросмотр: Конструктивно-технологические основы микроэлектроники.pdf (3,1 Мб)
23

№8 [Физика плазмы, 2018]

Анализ литературы показывает, что при травлении кремния, а также ряда тугоплавких металлов и их сплавов <...> кремния. <...> кремния, под которым понимают травление материала химически активными ионами, ускоренными электрическим <...> становится газовое травление кремния молекулярным хлором. <...> кремния.

Предпросмотр: Физика плазмы №8 2018.pdf (0,0 Мб)
24

№1 [Компоненты и технологии, 2010]

На сегодняшний день журнал Компоненты и технологии занимает лидирующие позиции на рынке изданий, ориентированных на специалистов в области электроники, в России и по всей территории бывшего СССР. Постоянными являются следующие рубрики: Рынок Компоненты: Пассивные элементы; ВЧ/СВЧ элементы; Датчики; Оптоэлектроника; Элементы защиты; Усилители; Источники питания; АЦП/ЦАП; ПАИС; Интерфейсы; Память; ПЛИС; ЦСП (цифровые сигнальные процессоры); Микроконтроллеры; Системы на кристалле; Микросхемы для телекоммуникаций Блоки питания Силовая электроника Интерфейс пользователя Цифровая обработка сигнала Беспроводные технологии Системы идентификации Схемотехника, проектирование, моделирование

и ионного легирования; плазмохимическое травление кремния во фторосодержащей среде до разделения пластины <...> Пленка двуокиси кремния должна быть тоньше, чем 200 нм. <...> 2 мкм; ориентированное травление кремния в обеспечении формирования структурных элементов чувствительных <...> элементов с вертикальными стенками; • • • • плазмохимическое травление кремния для профилирования и <...> разделения кристаллов; формирование прецизионным травлением кремния Х-образных элементов (консолей) в

Предпросмотр: Компоненты и технологии №1 2010.pdf (0,5 Мб)
25

№5 [Тонкие химические технологии, 2007]

Журнал "Тонкие химические технологии" (прежнее название [2006-2014] "Вестник МИТХТ") выходит один раз в два месяца и публикует обзоры и статьи по актуальным проблемам химической технологии и смежных наук. Журнал основан в 2006 году. Учредителем журнала является Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), ныне Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова. Журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора (кандидата) наук. Журнал реферируется в международной базе данных Chemical Abstracts, входит в международный каталог периодических изданий Ulrich. Под новым названием "Тонкие химические технологии" журнал "Вестник МИТХТ" выходит, начиная с 1-го выпуска 10-го тома за 2015 год.

ко всему объему материала (или массе кремния до травления). <...> Это, разумеется, относится к той части материала (кремния), которая при травлении становится пористой <...> , вытравленного из пор при формировании слоев ПК, к массе исходного кремния, подвергаемого травлению <...> Преимущественно это относится к процессу и механизму травления кремния и образования наноструктур. <...> Типичный спектр ФЛ ПК, полученного травлением исходного монокристаллического кремния.

Предпросмотр: Вестник МИТХТ №5 2007.pdf (0,8 Мб)
26

№5 [Микроэлектроника, 2017]

Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.

поверхности кремния; 2) реакции на поверхности, химическое травление кремния атомами хлора; 3) ионно-химическое <...> Одним из таких материалов является карбид кремния (SiC). <...> МИС МШУ на карбиде кремния. <...> Вслед за этим осуществляют 5-минутную первую стадию травления кремния в смеси элегаза с HCl при расходах <...> Далее осуществляют 5-минутную первую стадию травления кремния в смеси элегаза с HCl при расходах 0.1

Предпросмотр: Микроэлектроника №5 2017.pdf (0,1 Мб)
27

Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) сб. трудов науч.-практ. межрегиональной конференции

ЯрГУ

В сборник вошли научные статьи, отражающие результаты исследований, представленных на научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)», проходившей в Ярославском государственном университете им. П.Г. Демидова 22 - 23 сентября 2008 г. В сборник включены теоретические, экспериментальные и обзорные статьи, посвященные наиболее актуальным проблемам развития микро- и наноэлектроники, квантовым компьютерам и некоторым смежным вопросам. Конференция организована в соответствии с планом мероприятий государственного контракта № 02.552.11.7028 Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».

Наличие кремния в пленке можно объяснить переосаждением летучих продуктов травления SiF4. <...> В приборе используется высокоаспектное глубокое травление кремния для изготовления отдельных плоских <...> кремния, сформированные методами контактной фотолитографии и травления. <...> Таблица 1 Параметры первого процесса травления кремния Стадии: t , сек Wсм, Вт Uсм, V Q(SF6), sccm Q( <...> Определены технологические параметры режимов глубокого анизатропного травления кремния: расходы газов

Предпросмотр: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) сборник трудов научно-практической межрегиональной конференции.pdf (1,2 Мб)
28

№5 [PUBLISH/Дизайн. Верстка. Печать, 2017]

"PUBLISH/ДИЗАЙН. ВЕРСТКА. ПЕЧАТЬ" - журнал, посвященный современным полиграфическим и издательским технологиям. Тематика статей: допечатная подготовка, цифровая и традиционная офсетная печать, бумага и расходные материалы для полиграфии, графический дизайн и вёрстка. Журнал регулярно публикует обзорные материалы, посвященные оборудованию для печати и допечатной подготовки. Специалисты журнала проводят самостоятельные тестирования полиграфического оборудования. Особой популярностью среди читателей пользуются тестовые полосы, демонстрирующие возможности новейших печатающих устройств (от лазерных принтеров до офсетных машин) и особенности запечатываемых материалов. Publish активно сотрудничает с лучшими зарубежными изданиями, лицензируя статьи из уникального журнала для индустрии красок - Ink World Magazine ("Мир красок"); материалы популярнейшего института FLAAR, занимающегося независимым тестированием широкоформатных принтеров; руководства для типографий рулонной офсетной печати от Web Offset Champion Group; прикладные исследования PrintCity. Специальные проекты: журналы в журнале Adobe Magazine и Corel Magazine; приложение "Расходные материалы".

При анизотропном жидкостном травлении иногда, как и при изотропном травлении, возможно протравливание <...> Анизотропное жидкостное травление часто применяют совместно с глубоким реактивным ионным травлением кремния <...> Для изотропного жидкостного травления кремния в качестве травителя обычно используется смесь плавиковой <...> (ГРИТ) кремния7. • Глубокое реактивное ионное травление (ГРИТ) стекла. • Технология LIGA (от немецкого <...> (компания Kulite) 1967: Глубокое анизотропное травление кремния (H.

Предпросмотр: PUBLISHДизайн. Верстка. Печать №5 2017.pdf (1,1 Мб)
29

№3 [Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2017]

Научно-производственный рецензируемый журнал на новой правовой основе (решение о его издании принято ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» и ОАО «Научно-исследовательский институт физических измерений») публикует материалы, представляющие результаты научных исследований: оригинальные статьи и тематические обзоры в области информатики, измерительной техники, автоматики, управления техническими системами, электроники, систем мониторинга, контроля и диагностики, а также других направлений исследований.

Зависимость скорости плазмохимического травления алмаза в сравнении со скоростью травления кремния приведена <...> Соотношение скоростей плазмохимического травления кремния и пленок поликристаллического алмаза С другой <...> Влияние аспектного отношения на среднюю скорость травления канавок кремния при давлении 5 Па 3. <...> Влияние давления в камере на скорость травления кремния и алмаза 4. <...> исследования показывают, что в случае повышения температуры травления пластина из кремния играет роль

Предпросмотр: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль №3 2017.pdf (0,5 Мб)
30

Вакуумно-плазменные процессы и технологии Учебно-методическое пособие

Ивановский государственный химико-технологический университет

Рассмотрены процессы образования активных частиц в плазме и их взаимодействия с поверхностью твердого тела, а так же технологические применения неравновесной плазмы для травления и модификации полимерных и неорганических материалов. Пособие предназначено для студентов специальности Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники и может быть полезно для студентов и аспирантов, специализирующихся по технологии микроэлектроники и в смежных областях.

, и травлению неорганических металлов кремния, нитрида кремния, диоксида кремния, алюминия и других. <...> Фторсодержащие газы нашли наиболее широкое применение при травлении кремния и его соединений, а также <...> Это связано с тем, что травление кремния осуществляется атомами фтора. Рис. 4.10.2. <...> Затем через полученное окно проводят травление оксида кремния до кремния в растворах. <...> SiO2, а переход на следующий плоский участок соответствует началу травления кремния.

Предпросмотр: Вакуумно-плазменные процессы и технологии.pdf (0,2 Мб)
31

№10 [Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017]

Исследована динамика формирования положительного клина травления на границе кремний–полиимид. <...> кремний–полиимид; h1 и h2 – глубина клина травления на границах кремний-алюминиевая маска и кремний–полиимид <...> ; h3 – толщина пластины кремния; α1 и α2 – углы наклона клина травления на границах кремний-алюминиевая <...> на границе раздела кремний–полиимид, формируя положительный клин травления. <...> Была исследована динамика формирования положительного клина травления кремния на границе кремний–полиимид

Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №10 2017.pdf (0,1 Мб)
32

№2 [Электросвязь, 2018]

Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г. Журнал «Электросвязь» — это: - результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных; - вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений; - оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи. Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.

Так, если изготовление происходит с помощью травления, то неизбежно возникает плохо контролируемый процесс <...> Произвольное расположение треугольных ямок травления говорит о том, что это не результат пластического <...> Далее следовала операция первой фотолитографии, особенность которой заключается в том, что после травления <...> окисла, не снимая фоторезиста, проводится травление кремния в травителе 2:9:4 (смесь плавиковой, уксусной <...> Полупроводниковый кремний на пороге ХХI века // Известие ВУЗов.

Предпросмотр: Электросвязь №2 2018.pdf (0,1 Мб)
33

Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремнияПятилова [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 22-30 .— URL: https://rucont.ru/efd/376608 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Пятилова

Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. Установлено влияние интенсивности массопереноса ионов Ag+ за счет градиента температур на морфологию поверхности формируемой структуры в зависимости от линейного размера маскикатализатора.

слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в <...> В ряду благородных металлов, имеющих каталитические свойства для травления кремния, серебро является <...> Установлено, что процесс травления при повышенных температурах приводит к травлению областей кремния, <...> РЭМ-изображения поверхности структур кремния после травления при Т = 50 °С (а, б) и 75 °С (в, г). <...> Проведенный EDS-анализ поверхности кремния, сформированной в результате травления при температуре 25

34

№2 [Справочник. Инженерный журнал, 2014]

В журнале: технология и оборудование механической и физико-технической обработки; технология машиностроения; технологии и машины обработки давлением; технологическая оснастка; современные материалы, зарубежные аналоги отечественных материалов; сварка, родственные процессы технологии; методы контроля и диагностика в машиностроении; машины, агрегаты и процессы; теория механизмов и машин; машиноведение, системы приводов и детали; стандартизованные и нормализованные детали и узлы; организация производства; стандартизация и управление качеством; конструкторско-технологические решения объектов техники; транспортное, горное и строительное машиностроение; техническое обслуживание и ремонт техники; системы автоматизированного проектирования; техническое законодательство; обновленные сведения стандартов (ГОСТов, ИСО) и известных справочников, например "Справочника конструктора-машиностроителя" В. И. Анурьева; конспекты лекций для втузов.

Кремний – конструкционный материал Идеальный, свободный от примесей кремний при низкой температуре имеет <...> методом анизотропного химического травления. <...> Под кремниевой объемной микрообработкой понимают технологию глубинного объемного травления, причем травление <...> На рис. 12 показаны этапы жидкого анизотропного травления. <...> позволяют проводить травление кремния на глубину до нескольких сотен микрон при хорошем приближении

Предпросмотр: Справочник. Инженерный журнал №2 2014.pdf (0,6 Мб)
35

Особенности процесса глубинного анизотропного травления кремния в технологии изготовления траншейных МОП-транзисторовАнуров, Заботин, Подгородецкий // Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы .— 2015 .— №4 .— С. 66-73 .— doi: 10.17238/issn2409-0239.2015.4.66 .— URL: https://rucont.ru/efd/522720 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Ануров

В докладе рассмотрены особенности травления тренчей для формирования затвора в технологии изготовления вертикальных силовых МОП-транзисторов и представлены зависимости геометрии тренчей от параметров травления. Показано, что пропорциональное изменение расходов газов не оказывает существенного влияния на режим травления и вид тренчей, а соотношение времени травления и осаждения пассивации сильно влияет на наклон стенок тренча и шероховатость дна

КРЕМНИЯ 67 1. <...> травления кремния в технологии изготовления МОП-транзисторов. 2. <...> Bosch-процесс травления кремния: a) образец с маской, б) первый шаг травления, в) шаг осаждения, г) второй <...> Зависимость скорости травления кремния от температуры электрода Рис. 8. <...> , зависимость представлена на рис. 7. • Скорость травления кремния возрастает с температурой.

Предпросмотр: Особенности процесса глубинного анизотропного травления кремния в технологии изготовления траншейных МОП-транзисторов.pdf (0,8 Мб)
36

Прецизионное травление тонких легированных слоев кремнияБоровкова, Гришина, Матюхина // Прикладная физика .— 2017 .— №2 .— С. 48-50 .— URL: https://rucont.ru/efd/604727 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Боровкова

Проведен выбор состава травителя для прецизионного удаления тонкого высоколегированного геттерирующего слоя кремния. Наиболее контролируемый процесс удаления обеспечивает травитель состава HNO3:HF:CH3COOH = 40:1:1. Он позволяет при полном стравливании геттерирующего слоя сохранить требуемую толщину контактного слоя, предотвращающего выход области объемного заряда рп-перехода на тыльную поверхность базы фоточувствительного элемента, обеспечивая тем самым снижение величины темновых токов и увеличение процента выхода годных изделий

-t Прецизионное травление тонких легированных слоев кремния А. Ю. Боровкова, Т. Н. Гришина, Е. С. <...> Например, скорость травления кремния в смеси HNO3:HF:CH3COOH = 4:2:1 составляет примерно 2030 мкм/мин <...> Известно [7, 8], что с увеличением содержания азотной кислоты в травителе скорость травления кремния <...> Как следует из приведенных данных, скорость травления легированных слоев превышает скорости травления <...> травления кремния, мкм/мин [5] Время травления геттерирующего слоя, сек Поверхностное сопротивление

37

Введение в микросистемную технику учеб. пособие по курсу «Микросистемная техника»

Автор: Нарайкин О. С.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Микросистемная техника – активно развивающееся направление, создающее функционально законченные нано- и микроразмерные устройства, характеристики которых кардинальным образом отличаются от характеристик устройств аналогичного назначения, созданных по традиционным технологиям. Учебное пособие содержит сведения о физических принципах функционирования электромеханических систем и об основных технологиях их производства. Приведены примеры использования микроэлектромеханических систем в различной аппаратуре как бытового, так и специального назначения.

Результат анизотропного травления кремния Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» <...> травление кремния, его соединений и различных металлов в од� ном процессе. <...> ; 2) после нанесения слоя поликристаллического кремния литографией и последующим травлением формируется <...> отделяется от оси; 8) травлением удаляются жертвенные слои пористого кремния. <...> Пассивные клапаны (рис. 27) изготовляются методом ани� зотропного травления кремния.

Предпросмотр: Введение в микросистемную технику.pdf (0,1 Мб)
38

№3 [Микроэлектроника, 2018]

Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.

Были получены значения селективности к резисту в процессах анизотропного травления кремния в плазме газов <...> Плазмостойкость резиста XR-1541 исследовалась в процессе анизотропного плазмохимического травления кремния <...> Данный образец перед проведением процесса плазмохимического травления кремний был отожжен на воздухе. <...> резиста XR-1541 рассчитывалась как отношение глубины анизотропного травления кремния dSi к уменьшению <...> Зависимость селективности резиста XR-1541 в процессе ПХ травления кремния от дозы экспонирования маски

Предпросмотр: Микроэлектроника №3 2018.pdf (0,0 Мб)
39

ИЗГОТОВЛЕНИЕ МЭМС-СТРУКТУР ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗА С ПРИМЕНЕНИЕМ ОРГАНИЧЕСКИХ ЩЕЛОЧЕЙД.С. Веселов, Воронов, Ванюхин // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2015 .— №1 .— С. 49-53 .— URL: https://rucont.ru/efd/581530 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Веселов Денис Сергеевич

Приведены результаты исследования способов приготовления и процессов анизотропного травления кремния в растворах органических щелочей при формировании чувствительных элементов газовых датчиков методом МЭМС. Получены значения скоростей травления кремния, уровня локальной неравномерности и равномерности поверхности травления по всей площади образцов, стойкости к травлению термического окисла кремния и мембранных пленок. Полученные растворы исследованы на пригодность к проведению глубокого анизотропного травления кремния

КРЕМНИЯ Наибоëее эффективныìи тепëоизоëируþщиìи конструкöияìи поëупровоäниковых ìетаëë-оксиäных ЧЭ äат <...> Рельеф поверхности травления в растворе гидроокиси тетраметиламмония при t = 85 °С: а — профиëоãраììа <...> Зависимости скоростей травления кремния от времени для различных температур осуществëяëосü по профиëоãраììе <...> Область травления со слоем осадка, локально блокирующего травление: а — ìикрофотоãрафия; б — профиëоãраììа <...> Зависимости скоростей травления кремния от времени окисления растворов с различной концентрацией пирокатехина

40

№4 [Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2017]

Научно-производственный рецензируемый журнал на новой правовой основе (решение о его издании принято ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» и ОАО «Научно-исследовательский институт физических измерений») публикует материалы, представляющие результаты научных исследований: оригинальные статьи и тематические обзоры в области информатики, измерительной техники, автоматики, управления техническими системами, электроники, систем мониторинга, контроля и диагностики, а также других направлений исследований.

кремния с возможностью создания вертикального профиля травления. <...> Вторым анизотропным травлением формируют крестообразную форму торсиона путем травления кремния в плоскостях <...> кремния до получения промежуточной фигуры травления. <...> Известны характеристики анизотропного травления кремния ориентации (100): скорости травления плоскостей <...> Метод размерного стоп-травления кремния в производстве изделий микромеханики / Е. И. Иващенко, Ю.

Предпросмотр: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль №4 2017.pdf (0,5 Мб)
41

№4 [Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы, 2015]

Научно-технический журнал «Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы» является рецензируемым изданием, входит в Перечень ведущих научных журналов и изданий ВАК. Журнал имеет англоязычное название: «Rocket-Space Device Engineering and Information Systems». Тематика журнала охватывает теоретические и прикладные вопросы разработки приборов, комплексов и систем для космических аппаратов и наземных станций для управления ими, приема и обработки данных от спутников ДЗЗ, навигации и связи.

., Сиренко А.Н. 59 Особенности процесса глубинного анизотропного травления кремния в технологии изготовления <...> травления кремния в технологии изготовления МОП-транзисторов. 2. <...> Bosch-процесс травления кремния: a) образец с маской, б) первый шаг травления, в) шаг осаждения, г) второй <...> Зависимость скорости травления кремния от температуры электрода Рис. 8. <...> , зависимость представлена на рис. 7. • Скорость травления кремния возрастает с температурой.

Предпросмотр: Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы №4 2015.pdf (0,1 Мб)
42

№8 [Физика плазмы, 2017]

В результате профиль структур после травления приобретает трапециевидную форму. <...> Диаметры катода см и анода см (а); микрофотография выращенной на кремнии пленки, вид сверху (б) и под <...> Ионно-стимулированное травление кремния в хлоре активно исследуется в последние десятилетия [3–7]. <...> Как атомы, так и молекулы хлора могут быть важны при ионно-стимулированном травлении. <...> Качество травления, в частности, скорость травления, селективность и анизотропия, сильно зависит от относительных

Предпросмотр: Физика плазмы №8 2017.pdf (0,1 Мб)
43

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2015]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Влияние переноса ионов Ag + на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния .... <...> слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в <...> Установлено, что процесс травления при повышенных температурах приводит к травлению областей кремния, <...> РЭМ-изображения поверхности структур кремния после травления при Т = 50 °С (а, б) и 75 °С (в, г). <...> Влияние переноса ионов Ag + на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2015.pdf (1,0 Мб)
44

МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ОДНОКОНДЕНСАТОРНОГО МЭМС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С ПЛОСКОПАРАЛЛЕЛЬНЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИДрагунов, Васюков, Доржиев // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2015 .— №4 .— С. 59-70 .— URL: https://rucont.ru/efd/465520 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Драгунов

В данной статье развита математическая модель и проведено моделирование работы одноконденсаторного электростатического микроэлектромеханического преобразователя энергии механических колебаний в электрическую. Анализировался преобразователь с последовательным включением компонентов. В качестве переменного конденсатора рассматривалась МЭМС с плоскопараллельными электродами и с изменением межэлектродного зазора вне плоскости устройства. При создании модели преобразователя задача о перемещении подвижного электрода была сведена к задаче о колебаниях балочки с заделанными концами и сосредоточенной массой. Получены выражения, позволяющие по экспериментальным данным рассчитать зависимости от времени изменения заряда на обкладках переменного конденсатора и смещения его подвижного электрода. Для проверки адекватности созданной модели и корректности сделанных допущений проведено сопоставление результатов моделирования с результатами эксперимента, в котором использовался микроэлектромеханический конденсатор, изготовленный с использованием технологий микроэлектроники из (100) Si. Представлены результаты исследования эффективности работы преобразователя на разных частотах и при воздействии случайной вибрации, имеющей характер шума, белого в полосе частот 0…100 Гц. Сопоставление показало, что результаты моделирования отражают основные особенности эксперимента как при детерминированных, так и при случайных колебаниях и могут быть использованы на этапе предварительного проектирования.

конструкцией электродов [1, 2], однако для их изготовления необходима дорогостоящая технология глубокого травления <...> кремния с высоким аспектным соотношением, часто недоступная на отечественных предприятиях электронной <...> очередь преобразователи с плоскопараллельными электродами [1, 3] могут быть изготовлены путем изотропного травления <...> Вибрационный элемент представлял собой (100) пластину кремния с вытравленными на ней балочками упругого <...> Так как балочки изготавливались с использованием анизотропного травления кремния, их поперечное сечение

45

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРАМартынов [и др.] // Оптика и спектроскопия .— 2017 .— №1 .— С. 89-92 .— URL: https://rucont.ru/efd/593952 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Мартынов

Оптические устройства на базе фотонных кристаллов представляют большой интерес в связи с возможностями их эффективного применения в области лазерной физики и для биосенсинга. Фотонные кристаллы позволяют управлять распространением электромагнитных волн и контролировать свойства излучения люминофоров, внедренных в фотонную структуру. Одним из наиболее интересных материалов для изготовления одномерных фотонных кристаллов является пористый кремний. Однако при использовании данного материала важным вопросом является контроль показателя преломления слоев за счет изменения пористости, а также дисперсия показателя преломления. Кроме того, важно иметь возможность моделирования оптических свойств структуры для точного подбора параметров изготовления и получения одномерных фотонных кристаллов с заданными свойствами. Для решения данных задач мы использовали математическую модель на основе метода матриц переноса, модели Бруггемана, а также дисперсионной зависимости показателя преломления кремния. По полученным с использованием предложенной модели параметрам были изготовлены образцы микрорезонаторов методом электрохимического травления кремния и измерены их спектры отражения. Показано хорошее соответствие рассчитанных параметров с полученными экспериментально. В результате применения модели была достигнута добротность микрорезонаторов 160 в видимой области спектра

Прогнозирование оптических свойств ФК исходя из параметров электрохимического травления кремния, в свою <...> Образцы ФК на основе пористого кремния готовили методом электрохимического травления, описанным в работе <...> Варьируемыми параметрами в процессе изготовления являются плотность тока травления и время травления <...> При этом плотность тока травления задает пористость структуры и скорость травления, а время травления <...> Полученные зависимости для пористости и скорости травления от плотности тока травления были линейными

46

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС-СТРУКТУРД.С. Веселов, Воронов // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2016 .— №4 .— С. 28-30 .— URL: https://rucont.ru/efd/579517 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Веселов Денис Сергеевич

Проведено исследование процессов глубокого анизотропного травления кремния в различных растворах органических щелочей. Предложена альтернатива формированию толстых маскирующих слоев для сохранения ориентированности жидкостного травления. Выработаны рекомендации по применению растворов для получения требуемого рельефа в кремниевых подложках в процессе изготовления МЭМС-структур. Представлены технологические решения, направленные на стабилизацию концентрации растворов травителей и их температуры в процессе длительного анизотропного травления кремния

26 Sensors & Systems · ¹ 4.2016 УДК 681.3.049.77:776.442 ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ <...> КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС-СТРУКТУР FEATURES OF SILICON WET ETCHING FOR MEMS STRUCTURES <...> ПРОЦЕССЫ АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ ДЛЯ РАЗЛИЧНЫХ ТРАВИТЕЛЕЙ Наибоëее распространенныìи анизотропныìи <...> УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ Анизотропное травëение креìния выпоëняется при повыøенной теìпературе

47

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2019]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

В работе исследованы характеристики процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния в <...> (эффект «черного кремния») на поверхности дна структуры после травления, равномерность глубины травления <...> по пластине, селективность травления кремния по отношению к маске из фоторезиста. <...> Процессы глубокого анизотропного плазменного травления (ГАПТ) кремния на основе Bosch-процесса широко <...> равномерность глубины травления по пластине, селективность травления кремния по отношению к маске из

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2019.pdf (1,4 Мб)
48

Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителейЖуков, Попова, Герасименко // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 32-38 .— URL: https://rucont.ru/efd/376569 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Жуков

Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. Рассмотрены механизмы подавления оптической связи и показана степень влияния каждого из них. Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. Показана принципиальная возможность снижения оптической связи между ячейками с 2040 % до 0,10,7 % в диапазоне перенапряжения 25 В соответственно.

кремния с ориентацией (100) [4]. <...> Самые распространенные варианты анизотропного травления кремния в 33%-ном КОН, ЭДП и 20%-ном TMAH. <...> V-образные канавки в кремнии, полученные анизотропным травлением в этилендиамине (размеры даны в мк) <...> оксида кремния nox. <...> Область научных интересов: технологии фотолитографии, жидкостные химические процессы травления.

49

№3 [Прикладная физика, 2012]

Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом. Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам. В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.

, поскольку обеспечивает высокие скорости травления [4]. <...> На рис. 1 представлены профили концентрации кремния, кислорода и сурьмы в зависимости от времени травления <...> кремния аргоном. <...> По оценкам, травление кремния было проведено на глубину 1,5—2 нм. <...> ВАХ контактов на пластине кремния R158 после травления поверхности аргоном и на пластине R257 диаметром

Предпросмотр: Прикладная физика №3 2012.pdf (0,7 Мб)
50

№5 [Автометрия, 2019]

Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы. В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: * анализ и синтез сигналов и изображений; * системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности; * вычислительные и информационно-измерительные системы; * физико-технические основы микро- и оптоэлектроники; * оптические информационные технологии; * моделирование в физико-технических исследованиях; * нанотехнологии в оптике и электронике. Журнал практикует выпуск специализированных номеров. Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией. Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”. Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.

Классически гребень волновода имеет прямоугольную форму и формируется плазмохимическим травлением (ПХТ <...> Кроме того, основной проблемой ПХТ является воспроизводимость глубины травления (высоты гребня волновода <...> hc), поскольку травление кремния проводится без стоп-слоя. <...> Этот материал обладает высокой избирательностью травления в определённых средах по отношению к материалу <...> Планарные матричные и линейчатые ФПУ (соответственно МФПУ и ЛФПУ) не требуют травления и дополнительной

Предпросмотр: Автометрия №5 2019.pdf (0,2 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 344