Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 535020)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 210160 (1,43 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

ОПТИМИЗАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ ЗАДАЧИ ТЕПЛОВОЙ МАСКИРОВКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО ТЕЛА [Электронный ресурс] / Терешко, Алексеев, Левин // Доклады Академии Наук .— 2017 .— №4 .— С. 34-38 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591159

Автор: Терешко

Исследуется обратная задача теплопереноса, связанная с построением многослойных материальных оболочек, маскирующих присутствие цилиндрического тела во внешне приложенном температурном поле. В качестве исходной математической модели используется стационарное уравнение теплопроводности для анизотропной среды. С помощью оптимизационного метода указанная обратная задача сводится к соответствующей задаче управления. Предлагается численный алгоритм ее решения, основанный на методе роя частиц, обсуждаются результаты вычислительных экспериментов

температурном поле. <...> температуры , линейное по и не зависящее от , которое ниже мы будем называть внешне приложенным полем <...> Хорошо видно, что внешне приложенное поле испытывает возмущение, свидетельствующее о наличии в области <...> В случае, когда , а , функционал имеет смысл нормы относительного возмущения внешне приложенного поля <...> Для всех случаев найденное внешнее поле температуры в подобласти оказывалось близким к приложенному полю

2

Спектральные методы исследования в органической химии. Ч. II. ЯМР-спектроскопия, масс-спектрометрия учеб. пособие

Автор: Краснокутская Е. А.
Изд-во ТПУ

ЯМР-спектроскопия и масс-спектрометрия являются одними из наиболее информативных методов для установления структуры органических молекул. Кроме того, они находят широкое применение в количественном анализе органических субстратов. В пособии представлен материал, включающий краткое рассмотрение теоретических основ методов ЯМР- спектроскопии и масс-спектрометрии, особенностей интерпретации аналитических результатов. Приведены примеры установления структур органических молекул с использованием указанных методов.

В приложенном магнитном поле с напряженностью Н0 ядро со спиновым числом I может принимать 2I + 1 ориентаций <...> В магнитном поле протоны мгновенно ориентируются в направлении поля Н0 (подобно маленьким стержневым <...> Приложенное поле Н0 заставляет электроны электронных оболочек циркулировать вокруг ядра, индуцируя тем <...> В результате ядро оказывается экранированным от полной напряженности приложенного магнитного поля. <...> в сильное поле.

Предпросмотр: Спектральные методы исследования в органияеской химии. Часть II. ЯМР-спектроскопия, масс-спектрометрия.pdf (0,3 Мб)
3

Электричество и магнетизм: лабораторный практикум. Ч. 1

Омский госуниверситет

Включает 6 лабораторных работ. Для студентов физического факультета. Может использоваться при обучении студентов других специальностей.

При дальнейшем увеличении приложенного напряжения и тока нагрев термистора приводит к уменьшению его <...> Когда приложенное напряжение достигнет значения Umax, начинается сильный рост тока (участок ВС на характеристике <...> Если поменять полярность внешней батареи, то приложенное поле стремится оттянуть заряды обоих типов от <...> I I б обр пр= (1) Кривая зависимости тока I от напряжения U, приложенного к полупроводнику, называется <...> Необходимо учитывать, что α вычисляется только при одинаковых значениях напряжения, приложенного к диодам

Предпросмотр: Электричество и магнетизм лабораторный практикум. Ч. 1.pdf (0,2 Мб)
4

Свойства материалов. Анизотропия, симметрия, структура Properties of Materials. Anisotropy, Symmetry, Structure

Автор: Ньюнхем Роберт Э.
М.: Институт компьютерных исследований

Книга посвящена изучению симметрии и связанных с ней физических свойств анизотропных и текстурированных материалов, охватывает обширный диапазон разделов и является хорошим вводным курсом в основы кристаллофизики - науки, изучающей физические свойства кристаллов на основе симметрии. В доступной форме изложено учение о симметрии, симметрии кристаллов, симметрии физических явлений и математических величин: скалярных, векторных и тензорных характеристик материалов. Выявляются общие закономерности, устанавливающие связи между симметрией кристаллов и их физическими свойствами. Даются многочисленные приложения симметрии для описания электрических, оптических, магнитных, акустических и др. свойств материалов.

Когда статическое магнитное поле накладывается на приложенное электрическое поле, результирующая деформация <...> упругость), приложенных электрических полей (пьезоэлектричество) или приложенных магнитных полей (пьезомагнетизм <...> ось наиболее близка к направлению приложенного поля. <...> Здесь поле диполя встречно приложенному полю E, что уменьшает дипольные моменты и показатель преломления <...> усиливают поле, приложенное в этом направлении (раздел 25.5).

Предпросмотр: Свойства материалов. Анизотропия, симметрия, структура.pdf (0,3 Мб)
5

№1 [Прикладная аналитическая химия, 2012]

Научно-практический журнал «Прикладная аналитическая химия» основан в 2009 году. Тематика журнала: теоретические основы аналитической химии, практические методы качественного и количественного анализа различных веществ, в том числе лекарственных и дезинфекционных препаратов.

Е0 – постоянное поле, приложенное к слою. <...> Зависимости темнового тока jd (кривая 1) и фототока при 1064 нм (кривая 2) от приложенного поля Е0. <...> Кинетические кривые были измерены при различных значениях приложенного поля E0 в слоях, состав которых <...> Е0, приложенного к слою. <...> В композите 6 (таблица 1) при 20 оC коэффициент Γ двухлучевого усиления при увеличении приложенного поля

Предпросмотр: Прикладная аналитическая химия №1 2012.pdf (1,0 Мб)
6

Электродинамические свойства материальных сред учеб. пособие по курсам «Электродинамика и распространение радиоволн», «Методы и средства взаимодействия СВЧ-поля с биообъектами»

Автор: Митрохин В. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В учебном пособии рассматриваются электродинамические свойства и характеристики самых различных материальных сред: проводников и диэлектриков, плазмы и сверхпроводников, жидких кристаллов и магнетиков, перколяционных, киральных и биологических систем. Основное внимание уделяется таким характеристикам сред, как удельная проводимость, диэлектрическая и магнитная проницаемости, их дисперсионным свойствам.

В момент приложения электродвижущей силы (ЭДС) под влиянием возникшего электрического поля на хаотическое <...> формулами (3.3) и (3.4) диэлектрическая проницаемость плазмы существенным образом зависит от частоты приложенного <...> Поляризация сегнетоэлектриков нелинейно зависит от приложенного электрического поля E. <...> жидкий кристалл будет действовать сила, стремящаяся совместить направление директора с направлением приложенного <...> Поэтому в приложениях смектики пока используются меньше, чем холестерики и нематики. 6.5.

Предпросмотр: Электродинамические свойства материальных сред.pdf (0,3 Мб)
7

№4 [Техническая диагностика и неразрушающий контроль, 2010]

Оценка технического состояния изделий и сооружений. Методы и разработка в области технической диагностики и неразрушающего контроля.

относительно ИО, поле которой действует встречно к полю основной ОВ [17]. <...> поле — поверхностное натяжение ДГ. <...> поля (СПП). <...> Кроме того, в приложенном поле не всегда обеспечивается более высокая чувствительность, чем в режиме <...> В соответствии с п. 1 Приложения 4 ГОСТ 21105–87 определяют напряженность поля намагничивания по кривым

Предпросмотр: Техническая диагностика и неразрушающий контроль №4 2010.pdf (0,4 Мб)
8

№2 [Тонкие химические технологии, 2016]

Журнал "Тонкие химические технологии" (прежнее название [2006-2014] "Вестник МИТХТ") выходит один раз в два месяца и публикует обзоры и статьи по актуальным проблемам химической технологии и смежных наук. Журнал основан в 2006 году. Учредителем журнала является Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), ныне Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова. Журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора (кандидата) наук. Журнал реферируется в международной базе данных Chemical Abstracts, входит в международный каталог периодических изданий Ulrich. Под новым названием "Тонкие химические технологии" журнал "Вестник МИТХТ" выходит, начиная с 1-го выпуска 10-го тома за 2015 год.

Приложенное поле преимущественно воздействует нa опаловую матрицу (SiO2), которая электрически не активна <...> проводимости (в) образцов опаловых матриц, межсферические полости которых заполнены кристаллитами TiO: 1) без приложенного <...> поля; 2) при напряжении приложенного поля 100 В. <...> Для областей канонического типа (бесконечная пластина, цилиндр сплошной или полый, шар сплошной или полый <...> При этом в первом приближении действие остальных атомов можно заменить средним статическим полем.

Предпросмотр: Тонкие химические технологии №2 2016.pdf (0,8 Мб)
9

№4 [Вестник Московского государственного технического университета имени Н.Э. Баумана. Серия "Естественные науки", 2010]

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В серии значительное внимание уделяется работам в области математики, физики, химии, теоретической механики, экологии, лингвистики, культурологии и других отраслей знаний, свойственных Исследовательскому техническому университету XXI века.

Доказательство теоремы 1 приведено в приложении. <...> Доказательство теоремы 4 приведено в приложении. Пример 1 (нормальное распределение). <...> Приложение. Доказательство теоремы 1. <...> , приложенное к частицам А и В . <...> В приложениях именно она несет полезную информацию об объекте интерферометрических измерений.

Предпросмотр: Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Серия Естественные науки №4 2010.pdf (0,2 Мб)
10

Технология синтеза порошков сегнетоэлектрических фаз учеб. пособие по курсам «Физика и технология пьезокерам. материалов», «Химия твёрдого тела», «Избранные главы неорган. химии» вуз. компонента по направлению ВПО 020900 – «Химия, физика и механика материалов»

Автор: Нестеров А. А.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В учебном пособии рассмотрены термодинамические и кинетические вопросы синтеза порошков пьезофаз кислородно-октаэдрического типа, основанные на методе твёрдофазных реакций. Показаны пути изменения скоростей процессов диффузии в твёрдых телах, а также первичной и вторичной рекристаллизации, выявлены преимущества и недостатки использования в методе твёрдофазных реакций активных прекурсоров и активирования порошков непосредственно при их взаимодействии, обсуждены альтернативные пути синтеза фаз указанного типа.

Приложенное поле может быть постоянным или переменным. <...> ориентация полярных структурных единиц по полю отстаёт по фазе от вектора напряжённости, приложенного <...> квадрату приложенного электрического поля. <...> В отличие от электрострикции, которая пропорциональна квадрату напряжённости приложенного внешнего поля <...> , наличие доменной структуры, зависимость между приложенным полем и поляризацией в виде петли диэлектрического

Предпросмотр: Технология синтеза порошков сегнетоэлектрических фаз.pdf (0,5 Мб)
11

№29 [Доклады Академии Наук, 2017]

Один из крупнейших в мире научных журналов, орган Президиума Российской академии наук. Основное назначение журнала – прежде всего в публикации сообщений о крупных научных исследованиях, имеющих приоритетный характер, и оригинальных, нигде ранее не опубликованных исследованиях в области физико-математических, технических, геологических и биологических наук.

поля T e по области Q. <...> В качестве внешне приложенного поля выбиралось поле T e в (6) при =T 0,1 =T 1002 , характеризуемое постоянным <...> j opt оказалось близким к внешне приложенному полю T e (при M = 5 изолинии вычисленного поля T в сечении <...> Экстремальные решения некорректных задач и их приложения к обратным задачам теплообмена. <...> В приложении к приморским россыпям, в качестве источника этих минералов, кроме базальтов [5] рассматривали

Предпросмотр: Доклады Академии Наук №29 2017.pdf (0,3 Мб)
12

№3 [Прикладная механика и техническая физика, 2005]

Журнал публикует оригинальные статьи и заказные обзоры по механике жидкости, газа, плазмы, динамике многофазных сред, физике и механике взрывных процессов, электрическому разряду, ударным волнам, состоянию и движению вещества при сверхвысоких параметрах, теплофизике, механике деформируемого твердого тела, композитным материалам, методам диагностики газодинамических физико-химических процессов.

функции ψ посредством H = H0−∇ψ, где H0 — приложенное внешнее поле. <...> ); здесь a — полуось, вдоль которой направлено приложенное поле. <...> Это обусловлено сложной зависимостью между полем, приложенным к намагничивающемуся образцу, и внутренним <...> Чтобы связать удлинение ε непосредственно с приложенным полем и магнитными характеристиками ферроэласта <...> Рис. 4 показывает, как изменяется геометрический эффект в МДЭ с изменением приложенного поля.

Предпросмотр: Прикладная механика и техническая физика №3 2005.pdf (0,3 Мб)
13

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд, Physics of Ferroelectrics: A Modern Perspective

М.: Лаборатория знаний

Книга содержит семь аналитических обзоров ведущих ученых Европы и США. Материал дает представление о важных изменениях, произошедших в физике сегнетоэлектриков за последние 20 лет. Рассматриваются концептуальные достижения теории сегнетоэлектричества, новые технологии получения тонких эпитаксиальных пленок оксидных сегнетоэлектриков и сверхрешеток и методы их исследования. Описываются результаты теоретических и экспериментальных исследований размерных эффектов в тонких и сверхтонких сегнетоэлектрических пленках, сегнетоэлектрических наночастицах и нанотрубках. Приводятся результаты изучения доменных стенок в тонких сегнетоэлектрических пленках, а также данные по исследованию мультиферроиков. Полученные сведения позволяют использовать сегнетоэлектрики в электронике и других областях техники, в том числе для создания сегнетоэлектрических энергонезависимых запоминающих устройств (FRAM) и диэлектрических слоев в интегральных схемах.

В типичном эксперименте приложение достаточно сильного электрического поля переключает поляризацию с <...> Приложение к кристаллу достаточно сильного электрического поля (коэрцитивного поля) переключает структуры <...> приложенного извне поля. <...> Выражение (8.11) дает размер критического зародыша Lcreep как функцию приложенного поля E и Lc. <...> В нашей системе приложенное поле зависит от расстояния r от центра острия.

Предпросмотр: Физика сегнетоэлектриков современный взгляд. — 3-е изд. (эл.).pdf (0,6 Мб)
14

№4 [Доклады Академии Наук, 2017]

Один из крупнейших в мире научных журналов, орган Президиума Российской академии наук. Основное назначение журнала – прежде всего в публикации сообщений о крупных научных исследованиях, имеющих приоритетный характер, и оригинальных, нигде ранее не опубликованных исследованиях в области физико-математических, технических, геологических и биологических наук.

температурном поле. <...> температуры , линейное по и не зависящее от , которое ниже мы будем называть внешне приложенным полем <...> Хорошо видно, что внешне приложенное поле испытывает возмущение, свидетельствующее о наличии в области <...> В случае, когда , а , функционал имеет смысл нормы относительного возмущения внешне приложенного поля <...> Для всех случаев найденное внешнее поле температуры в подобласти оказывалось близким к приложенному полю

Предпросмотр: Доклады Академии Наук №4 2017.pdf (0,2 Мб)
15

Основы анализа поверхности твердых тел методами атомной физики учеб. пособие

Автор: Никитенков Н. Н.
Изд-во ТПУ

Пособие посвящено экспериментальным особенностям и теоретическим вопросам анализа свойств поверхности твердых тел и тонких пленок. Рассмотрены механизмы физических явлений, лежащих в основе эмиссионных процессов, при возбуждении поверхности электронными и ионными пучками, температурой и электростатическими полями большой напряженности. Описаны принципы функционирования узлов высоковакуумных аналитических установок (оптика заряженных частиц, энергоанализаторы, масс-анализаторы, электронные и ионные пушки, детекторы частиц и излучений).

При отсутствии приложенного внешнего поля и поверхностных состояний искривление зон eVD пропадает Параметр <...> передаче зарядовых пакетов в потенциальных ямах, образующихся в приповерхностном слое полупроводника при приложении <...> данным сочетанием «фактор–отклик» прежде всего подразумевается эмиссионное явление, возникающее при приложении <...> (~ 107 В/см), приложенного к поверхности в вакууме – полевая электронная (или автоэлектронная) эмиссия <...> Приложенное поле F = 3·107 В/см Упрощенное представление о ПЭЭ и туннельном эффекте можно получить путем

Предпросмотр: Основы анализа поверхности твердых тел методами атомной физики.pdf (0,6 Мб)
16

Многоликое нано. Надежды и заблуждения

Автор: Тараненко С. Б.
М.: Лаборатория знаний

В книге в популярной форме рассказывается о междисциплинарном комплексе технологий, объединенных термином «нано». Одинаково просто рассказано как о «несложных» нанотехнологиях, связанных с вполне понятными на бытовом уровне эффектами, так и о технологиях квантовых, а равно технологиях, построенных на понимании и использовании механизма жизни. Легко и доступно рассказано о множестве возможных практических применений различных наноэффектов, т. е. тех технологий, которые нашли, или в ближайшем (а может и отдаленном) будущем найдут свое применение в различных секторах экономики и человеческой деятельности. Среди таких секторов энергетика, космонавтика, медицина и множество других.

это жидкость, меняющая свой цвет в зависимости от приложенного внешнего магнитного поля. <...> Зависимость показателя преломления от величины приложенного электрического поля — прекрасное свойство <...> Как только зазор станет очень-очень маленьким, а приложенное поле очень большим, картина меняется. <...> Если иголка расположена очень близко к поверхности, а приложенное электрическое поле будет большим, то <...> Если понять, что направлением намагниченности можно управлять приложением внешнего магнитного поля, то

Предпросмотр: Многоликое нано. Надежды и заблуждения. — Эл. изд..pdf (0,2 Мб)
17

№5 [Компоненты и технологии, 2005]

На сегодняшний день журнал Компоненты и технологии занимает лидирующие позиции на рынке изданий, ориентированных на специалистов в области электроники, в России и по всей территории бывшего СССР. Постоянными являются следующие рубрики: Рынок Компоненты: Пассивные элементы; ВЧ/СВЧ элементы; Датчики; Оптоэлектроника; Элементы защиты; Усилители; Источники питания; АЦП/ЦАП; ПАИС; Интерфейсы; Память; ПЛИС; ЦСП (цифровые сигнальные процессоры); Микроконтроллеры; Системы на кристалле; Микросхемы для телекоммуникаций Блоки питания Силовая электроника Интерфейс пользователя Цифровая обработка сигнала Беспроводные технологии Системы идентификации Схемотехника, проектирование, моделирование

Внешнее поле в 3–4 кA/м, достаточное для преодоления поля тока и приложенное вдоль длины полосы, поворачивает <...> » Внешнее поле, приложенное перпендикулярно полосе (именно такое используется для получения эффекта АМР <...> ; в — график зависимости сопротивления от приложенного поля с шириной полосы датчика в 2 мкм, 14%�ный <...> Подвижный слой будет выравниваться с приложенным магнитным полем. <...> Когда приложенное поле изменяет направление, угол между подвижным и приколотым слоями также изменяется

Предпросмотр: Компоненты и технологии №5 2005.pdf (0,3 Мб)
18

№3 [Успехи прикладной физики, 2014]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

Здесь х — координата, меняющаяся вдоль поля; у — поперек поля. <...> Проведен анализ главных направлений исследований в области физики плазмы и ее приложений в России. <...> При наименьшем значении поля E/N = 30 кВ/см, приложенном к смеси, поджиг происходит за самое большое <...> Медицинские приложения исследовались в работе В.Л. <...> Если приложенное поле Eo = V/L достаточно велико (Eo > L/pp ─ дрейфовая длина дырок намного превышает

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №3 2014.pdf (0,8 Мб)
19

№8 [Компоненты и технологии, 2009]

На сегодняшний день журнал Компоненты и технологии занимает лидирующие позиции на рынке изданий, ориентированных на специалистов в области электроники, в России и по всей территории бывшего СССР. Постоянными являются следующие рубрики: Рынок Компоненты: Пассивные элементы; ВЧ/СВЧ элементы; Датчики; Оптоэлектроника; Элементы защиты; Усилители; Источники питания; АЦП/ЦАП; ПАИС; Интерфейсы; Память; ПЛИС; ЦСП (цифровые сигнальные процессоры); Микроконтроллеры; Системы на кристалле; Микросхемы для телекоммуникаций Блоки питания Силовая электроника Интерфейс пользователя Цифровая обработка сигнала Беспроводные технологии Системы идентификации Схемотехника, проектирование, моделирование

Приложения. <...> Приложения. <...> цветовых полей. <...> Когда приложенное поле изменяет свое направление, угол между свободным слоем и приколотым слоем изменяется <...> Диаграмма на рис. 3д показывает типичный сенсорный выход в зависимости от угла приложенного поля — с

Предпросмотр: Компоненты и технологии №8 2009.pdf (0,9 Мб)
20

Физика активных диэлектриков учеб. пособие

Автор: Поплавко Ю. М.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

Рассматриваются современные представления о поляризации, электропроводности, диэлектрических потерях, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках, а также о новых физических явлениях в этих веществах. Особое внимание уделяется свойствам активных диэлектриков – сегнетоэлектриков, пироэлектриков, пьезоэлектриков, электретов и СВЧ диэлектриков. Представлены сведения о влиянии структуры на свойства активных диэлектриков, а также примеры современных и перспективных применений данных материалов. Некоторые из рассмотренных вопросов ранее в учебной и монографической литературе не освещались. Пособие составлено на основе многолетнего опыта авторов по чтению лекций по рассмотренным в книге вопросам, а также с использованием многочисленных публикаций авторов в области пьезоэлектриков, пироэлектриков и сегнетоэлектриков.

электрическая керамика центросимметрична и не обладает пьезоэффектом. однако приложенное поле (вектор <...> Через некоторое время после приложения электрического поля окажется, что п 2 > п 1 , причем п 1 = п 0 <...> отличается от приложенного поля E: F = E + P/(3ε 0 ), где P – поляризованность. <...> . стремление сегнетоэлектрических доменов сохранить полученную в приложенном поле ориентацию приводит <...> Электрическое поле смещения, приложенное извне, как и внутрикристаллическое поле, приводит к некоторому

Предпросмотр: Физика активных диэлектриков.pdf (0,2 Мб)
21

Аппаратные средства вычислительной техники учебник для вузов. В 2-х книгах. Книга 1.

Автор: Фисун Александр Павлович
ОрелГТУ

Системно изложены фундаментальные знания по современным процедурам обработки информации и основные принципы построения вычислительных средств и систем. Впервые раскрыты основы построения и перспективы развития аппаратных средств вычислительной техники во взаимосвязи с направлениями развития элементной базы вычислительной техники на основе внедрения нанотехнологий. Учебник предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 090104 «Комплексная защита объектов информатизации», 090103 «Организация и технология защиты информации» и аспирантов, изучающих дисциплины «Аппаратные средства вычислительной техники» и «Вычислительная техника и программирование». Может быть использован студентами и аспирантами, изучающими автоматизированные системы обработки информации и управления, информационные телекоммуникационные системы и обеспечение их информационной безопасности, а также будет полезен преподавателям и специалистам этих систем.

знака числа и многоразрядного поля значащих разрядов (рис. 8.1). 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 Поле <...> Величина возникающего при этом тока зависит от того, изменяет ли приложенное поле направление поляризации <...> Под воздействием внешнего магнитного поля собственные магнитные поля доменов ориентируются в соответствии <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 284 Приложение Файловая система СХД Сеть Приложение <...> Файловая система СХД Сеть Приложение Файловая система СХД DAS NAS SAN Рис. 13.68.

Предпросмотр: Аппаратные средства вычислительной техники учебник для вузов. В 2-х книгах. Книга 1. Под общей научной редакцией В.А. Минаева, В.А. Зернова, А.П. Фисуна (Рекомендован УМО вузов Российской Федерации).pdf (1,4 Мб)
22

№3 [Вопросы материаловедения, 2019]

Научно-технический журнал “Вопросы материаловедения” предназначен для широкого круга ученых и специалистов материаловедческого профиля научно-исследовательских институтов, проектных организаций, промышленных предприятий и учебных заведений. В журнале освещаются теоретические и практические результаты научных исследований и разработок по следующим вопросам: структура, фазовый состав и свойства конструкционных материалов; пластическая деформация и механизмы разрушения конструкционных металлов и сплавов; металловедение и термическая обработка конструкционных металлов и сплавов; радиационное металловедение; функциональные материалы с заданными свойствами; полимерные композиционные материалы; металлургия и технология производства металлов и сплавов; высокоэнергетические технологии поверхностной обработки материалов; сварка и пайка, сварочные материалы и припои; коррозия и защита металлов, защитные покрытия; конструктивно-технологическая прочность и работоспособность материалов; испытания, диагностика и контроль качества материалов; материаловедческие проблемы утилизации машин, механизмов, оборудования и конструкций после снятия их с эксплуатации. Журнал включен в новый перечень ведущих периодических изданий, рекомендованных Высшей аттестационной комиссией (ВАК) Министерства образования и науки Российской Федерации для публикации научных результатов диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

Если приложенное поле имеет частоту ниже резонансной, то наблюдается нормальная положительная реакция <...> В патенте [43] содержится метод получения УВ с полым поперечным сечением различного диаметра. <...> эксплуатации в составе тепловыделяющих сборок ВВЭР-1000 с последующими испытаниями на ползучесть с приложением <...> твэлов до (а) и после испытаний на ползучесть (б) В процессе испытаний на ползучесть под действием приложенных <...> Следует использовать шрифт размером 12 pt через 1,5 интервала, левое поле не менее 30 мм, остальные поля

Предпросмотр: Вопросы материаловедения №3 2019.pdf (0,9 Мб)
23

№10 [Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017]

Основан в 1873 г. Публикуются статьи, которые вносят существенный вклад в одну из областей физики и представляют интерес для широкой физической аудитории. Журнал является рецензируемым, включен в Перечень ВАК для опубликования работ соискателей ученых степеней.

В Приложении выведено выражение для гамильтониана взаимодействия КТ и цепочки хромофоров. 2. <...> и осциллирующими дипольными моментами хромофоров и КТ, выведен в Приложении. <...> директора определяется только направлением приложенного поля: ϕc = ϕH . <...> Иными словами, рассматриваемые внешние воздействия (магнитное поле и/или сдвиговое напряжение), приложенные <...> Так, в работе [29] помимо флексоэлектрического [31] наблюдались два режима отклика на приложенное поле

Предпросмотр: Журнал экспериментальной и теоретической физики №10 2017.pdf (0,2 Мб)
24

Визуализация полей дефектов ферромагнитных объектов с помощью пленки "Flux-detector" [Электронный ресурс] / Новиков, Шилов, Кушнер // Контроль. Диагностика .— 2010 .— №5 .— С. 20-24 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/467569

Автор: Новиков

Описаны результаты исследований по визуализации магнитных полей дефектов различного вида и типа при намагничивании объекта контроля с помощью электромагнита или перемещаемым постоянным магнитом непосредственно через пленку, уложенную на контролируемую поверхность

На рис. 1, а показан индикаторный рисунок на� ружной риски при записи поля несплошности в приложенном <...> Индикаторный рисунок наружной риски: а – в приложенном поле электромагнита; б – после снятия пленки с <...> Индикаторные рисунки поперечных поверхно� стных трещин на выпуклости шва при контроле в приложенном поле <...> При кон� троле в приложенном поле индикаторные рисунки трещин получаются размытыми и менее четкими, 20 <...> Наибольшая разрешающая способность метода имеет место при контроле в приложенном поле магнита, переме

25

О ВЫБОРЕ СПОСОБА МАГНИТОПОРОШКОВОГО КОНТРОЛЯ ДЕТАЛЕЙ [Электронный ресурс] / Шелихов, Глазков, Прудинник // Контроль. Диагностика .— 2011 .— №4 .— С. 38-42 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/485991

Автор: Шелихов

Проведен анализ отличительных особенностей, достоинств и недостатков способов магнитопорошкового контроля деталей в приложенном магнитном поле и на остаточной намагниченности

Во многих случаях способ приложенно� го поля является незаменимым. <...> .), в ряде случаев в приложенном поле контролируют также детали из магнитотвердых сталей, в том числе <...> В приложенном магнитном поле (рис. 3, а) на поверхности детали в местах, в которых уменьшается толщина <...> В приложенном поле трудно, а чаще невоз� можно выявлять дефекты на деталях, зоной контроля на которых <...> Результаты магнитопорошкового контроля клапана�распределителя: а – в приложенном магнитном поле; б –

26

ИНДУЦИРОВАННАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ ДИНАМИКА СТРУКТУРНОГО УПОРЯДОЧЕНИЯ В ТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ PBIN1/2NB1/2O3−PBMG1/3NB2/3O3−XPBTIO3 [Электронный ресурс] / Камзина, Кулакова // Физика твердого тела .— 2017 .— №2 .— С. 84-89 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591791

Автор: Камзина

Исследована индуцированная электрическим полем динамика фазового перехода в сегнетоэлектрическую фазу в кристаллах PbIn1/2Nb1/2O3−PbMg1/3Nb2/3O3−xPbTiO3 (x = 25 и 32%) вразличныхгеометриях приложения внешнего электрического поля E ‖ [001], E ‖ [011]. При комнатной температуре проведены одновременные измерения оптического пропускания, скорости и затухания звука. Обнаружено, что изменение упругих свойств наступает позже, чем изменение оптического пропускания, что связано с разными размерами полярных областей и времен релаксации, на которые реагируют свет и звук. Установлено, что в интервале полей 0−2kV/cm при E ‖ [001] в обоих кристаллах в результате фазового перехода происходит только частичная поляризация образца, в то время как в кристалле PT32 при E ‖ [011] втомжеинтервале полей фазовый переход завершается практически полной поляризацией образца

Мы обнаружили, что время задержки td сильно зависит не только от величины приложенного поля, но и от <...> После приложения поля регистрировались изменения оптического пропускания, затухания и скорости звука <...> приводят к экранировке и уменьшению внешнего приложенного поля. <...> Ширина пика затухания также зависит от величины приложенного поля. <...> Видно, что с изменением величины приложенного поля меняется поведение затухания.

27

ПРОЦЕССЫ УСТАЛОСТИ В ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТЕ И ВЛИЯНИЕ НА НИХ МАГНИТНОГО ПОЛЯ [Электронный ресурс] / Иванова [и др.] // Физика твердого тела .— 2017 .— №3 .— С. 136-141 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591835

Автор: Иванова

Впервые процессы усталости в кристаллах триглицинсульфата исследовались с использованием комбинации электрофизических методов и методов сканирующей зондовой микроскопии. Длительное (> 100 h) воздействие синусоидального поля с частотой 50 Hz и амплитудой 1 kV/cm приводило к резкому уменьшению диэлектрической проницаемости в области фазового перехода и деградации петель гистерезиса P−E (уменьшению спонтанной поляризации, увеличению коэрцитивного и смещающего полей). Изменения диэлектрических свойств сопровождались возрастанием плотности дефектных нанокластеров и расширением спектра их распределения по размерам на поверхности скола (010). Последующая выдержка ”уставших“ кристаллов в постоянном магнитном поле 2 T в течение 20 min приводила к симметризации петли гистерезиса, что свидетельствует о магнитоиндуцированном изменении структуры дефектов, ответственных за эффекты усталости.

Во время приложения переменного электрического поля контролировалось изменение диэлектрических свойств <...> Зависимости поляризации P кристалла TGS от приложенного поля E, измеренные на частоте 50Hz при комнатной <...> , показывают, что заметное изменение диэлектрических свойств наблюдается после 80 h приложения поля ( <...> Зависимости поляризации P кристалла TGS от приложенного поля E, измеренные на частоте 10−3 Hz при комнатной <...> Зависимость поляризации P кристалла TGS от приложенного поля E, измеренная на частоте 10−3 Hz при комнатной

28

ОСОБЕННОСТИ ГОСТ Р ИСО 9934-1 ПО МАГНИТОПОРОШКОВОМУ КОНТРОЛЮ ДЕТАЛЕЙ, РАЗРАБОТАННОГО НА ОСНОВЕ МЕЖДУНАРОДНОГО СТАНДАРТА ISO 9934-1 [Электронный ресурс] / Шелихов, Глазков // Контроль. Диагностика .— 2013 .— №4 .— С. 11-18 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/480805

Автор: Шелихов

Проведен анализ требований к технологии магнитопорошкового контроля, изложенных в российском стандарте ГОСТ Р ИСО 9934-1, разработанном на основе действующего международного стандарта ISO 9934-1. Указаны основные особенности стандарта и даны предложения по уточнению и конкретизации отдельных положений применительно к реальной практике магнитопорошкового контроля.

Ключевые слова: российский стандарт, международный стандарт, магнитопорошковый контроль, технология, приложенное <...> поле, напряженность поля, освещенность. <...> Обычно способом приложенного поля контролируют детали, изготовленные из магнитомягких материалов с коэрцитивной <...> При контроле способом приложенного поля требуется, чтобы нормальная составляющая напряженности поля была <...> Использование их для контроля способом приложенного поля, как предусматривается анализируемым стандартом

29

№5 [Контроль. Диагностика, 2010]

Выходит с 1998 года. Журнал публикует научные и методические статьи ведущих ученых России, стран ближнего и дальнего зарубежья, представителей промышленности о методах, приборах и технологиях неразрушающего контроля и технической диагностики, их внедрении, развитии и применении. Издатель выкладывает номера с задержкой в 1 год!

На рис. 1, а показан индикаторный рисунок на� ружной риски при записи поля несплошности в приложенном <...> Индикаторный рисунок наружной риски: а – в приложенном поле электромагнита; б – после снятия пленки с <...> Индикаторные рисунки поперечных поверхно� стных трещин на выпуклости шва при контроле в приложенном поле <...> При кон� троле в приложенном поле индикаторные рисунки трещин получаются размытыми и менее четкими, 20 <...> Наибольшая разрешающая способность метода имеет место при контроле в приложенном поле магнита, переме

Предпросмотр: Контроль. Диагностика №5 2010.pdf (1,0 Мб)
30

Основные понятия функциональной электроники. Полупроводниковая и диэлектрическая электроника. Магнитоэлектроника

Автор: Коровченко, Игорь Сергеевич
Издательский дом ВГУ

Материал методического пособия представляет собой часть курса лекций для студентов очной и очно-заочной форм обучения физического факультета Воронежского госуниверситета. В разделах учебного пособия на основе монографий, учебников, научных статей, различных электронных источников рассматриваются основные современные и перспективные направления функциональной электроники.

Если напряжение, приложенное к образцу, остается постоянным, то с ростом дипольного слоя поле вне домена <...> , приложенного к образцу, равной величине критического значения поля). <...> Они возникают, когда характерные масштабы изменения параметров среды, приложенного поля и концентрации <...> Зависимости приложенного напряжения к диоду и тока диода от времени Если амплитуда СВЧ поля возрастает <...> Величина задержки сигнала зависит от направления приложенного поля: при направлении поля по оси Z задержка

Предпросмотр: Основные понятия функциональной электроники. Полупроводниковая и диэлектрическая электроника. Магнитоэлектроника.pdf (1,0 Мб)
31

ОСОБЕННОСТИ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СРЕДЫ И ИХ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НА РАСПРОСТРАНЕНИЕ СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИМПУЛЬСА [Электронный ресурс] / Гулевич, Резников // Геомагнетизм и аэрономия .— 2017 .— №2 .— С. 130-138 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/590235

Автор: Гулевич

Представлены результаты исследования диэлектрической проницаемости горящих терриконов (г. Шахты, Ростовская обл.) с помощью георадара ГРОТ 12E с дистанционным управлением. Показано, что аномальная зона очага горения отчетливо выделяется по данным георадара из-за зависимости диэлектрической проницаемости таких терриконов от температуры. Для дополнительного обоснования этого утверждения проведены сопоставления данных георадара с данными прямых измерений температуры грунта на глубинах от 1.5 до 2.5 м. Выполнено сопоставление полученных экспериментальных данных с изменяющимся спектральным диапазоном зондирующего импульса георадара. Показано, что импульсный георадар является перспективным инструментом картирования подземных объектов, контрастных по температуре

Электрическое поле, измеренное вдоль месторождения, называют ТЕ-полем, а магнитное, расположенное поперек <...> месторождения, называют ТМ-полем. <...> поля. <...> Рассмотрены типичные зависимости диэлектрической проницаемости от частоты приложенного поля для случая <...> поля.

32

Применение спектральных методов для исследования механизма химических реакций метод. указания

Автор: Плисс Е. М.
ЯрГУ

В методических указаниях рассматривается применение методов инфракрасной спектроскопии, спекгрофотометрии в ультрафиолетовой и видимой области, ядерного магнитного и электронного парамагнитного резонанса для исследования кинетики химических реакций и химического равновесия.

Взаимодействие между приложенным постоянным магнитным полем Н0 и магнитным моментом ядер m можно выразить <...> Величина приложенного поля Н0 изменяется диамагнитным веществом вследствие экранирующих эффектов. <...> Магнитное поле, действующее на электрон, может отличаться от приложенного поля ввиду того, что последнее <...> ориентации ядерного спина и приложенного поля может увеличивать или уменьшать локальное поле, действующее <...> всем этим напряженностям приложенного поля.

Предпросмотр: Применение спектральных методов для исследования механизма химических реакций Методические указания.pdf (0,5 Мб)
33

МАГНИТОПОРОШКОВЫЕ СУСПЕНЗИИ, ОБЛАДАЮЩИЕ ГАЛЬВАНИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ [Электронный ресурс] / Пашагин, Щербинин // Дефектоскопия .— 2017 .— №3 .— С. 52-56 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/590882

Автор: Пашагин

Рассмотрены гальванические свойства магнитопорошковых суспензий для магнитного контроля, имеющих в качестве дисперсионной среды различные жидкости. Показано, что этими свойствами обладают большое количество cред, содержащих в своем составе электролитические компоненты (кислоты), способные к окислительно-восстановительной реакции. В результате этого под действием магнитного поля при наличии двух одинаковых электродов такая суспензия может служить не только визуальным индикатором, но и на выходе электродов подобно гальваническому элементу выдавать напряжение. В этом случае одним из электродов будет служить магнитный порошок, свойства которого изменяются под действием магнитного поля Описаны характеристики и компоненты, которые должна иметь такая суспензия, чтобы обладать необходимыми свойствами. Приведен состав, разработанный авторами работы, применение которого дает возможность наиболее эффективно выявлять дефекты, соответствующие уровню Б по ГОСТ 21105―87 магнитопорошкового метода контроля.

поля. <...> значительного гальванического эффекта, а именно наибольшей зависимости напряжения на электродах от приложенного <...> гальваническими свойствами 51 Так, на рис. 2 представлены зависимости напряжения на контактах датчика от приложенного <...> электродах было мало и они не показали сколько-нибудь существенной зависимости выходного напряжения от приложенного <...> U на электродах преобразователя с дисперсионными средами, гальванические токи которых не зависят от приложенного

34

Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP:Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм [Электронный ресурс] / Грузевич [и др.] // Прикладная физика .— 2015 .— №4 .— С. 76-81 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431854

Автор: Грузевич

Данная статья посвящена работе по созданию ТЕ-фотокатода с барьером Шоттки, чувствительного в диапазоне Δλ = 0,9÷1,7 мкм. Разработанная гетероэпитаксиальная структура обеспечивает изготовление фотокатодного узла ИК ФПМ по серийной технологии изготовления GaAs ОЭС фотокатода для ЭОП III поколения методом термокомпрессионного соединения гетероэпитаксиальной структуры со стеклом входного окна.

Как видно из рисунка, при приложении электрического поля снимаются внутренние барьеры, и возбужденные <...> В эмиттерном слое электрическое поле ускоряет фотоэлектроны и переводит их из Г-зоны в L-зону с энергией <...> Kнига-Cервис» Прикладная физика, 2015, № 4 78 Уровень Ферми p – InP Уровень вакуума Поглощающий слой Без приложения <...> поля Ag  100 Å  10 Å Cs + O p – InGaAs VB CB С приложением поля Ag 3 2 1 hv V VB L  Рис. 4. <...> (при 25 оС) 6·10-7 А Эквивалентная мощность шума 10-13 Вт\Гц 1\2 Телевизионное разрешение по всему полю

35

Твердые растворы (Cu[0, 5]Fe[0, 5]) [1-х]Zn[x]Cr[2]S[4]: синтез и магнитные свойства [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2010 .— №11 .— С. 52-56 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/267015

М.: ПРОМЕДИА

Работа посвящена изучению условий синтеза и магнитной характеризации представленных растворов.

Магнитные свойства образцов измерены в широком интервале полей (50 – 40000 Э) и температур (5 – 300 К <...> Э) – а и в сильном поле (Н = 40 кЭ) – б Fig. 1. <...> strong field (H = 40 kOe) На рис. 2 для этого же образца представлена зависимость намагниченности от приложенного <...> поля при различных температурах от 5 до 300 К. <...> Зависимости намагниченности от приложенного поля образца (Cu0.5Fe0.5)1-xZnxCr2S4, где х=0,7 для различных

36

ДОМЕНЫ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО [Электронный ресурс] / Фридкин // Кристаллография .— 2017 .— №2 .— С. 9-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593435

Автор: Фридкин

В 2016 г. исполнилось 60 лет журналу “Кристаллография”, основанному Алексеем Васильевичем Шубниковым. За 60 лет журнал опубликовал работы, положившие начало новым исследованиям в области роста, структуры и физических свойств кристаллов, известные во всем мире. Одной из таких работ явилось открытие сегнетоэлектрических доменов и их связь с переключением сегнетоэлектриков. Этому посвящен настоящий краткий обзор.

Мерц получил следующую зависимость времени переключения τ титаната бария от приложенного напряжения V <...> В этом случае коэрцитивное поле . <...> имеет коэрцитивного поля , так как последнее (несобственное коэрцитивное поле) зависит от времени переключения <...> интерес представляет первое наблюдение с помощью AFM встречных доменов, возникающих в кристалле путем приложения <...> доменов, а также микродоменов, создаваемых на полярной поверхности, зависимости их устойчивости от приложенного

37

Основы технологии производства и ремонта транспортных и транспортно-технологических машин и комплексов : учебное пособие. Направление подготовки 190600.62, 23.03.03 - Эксплуатация транспортно-технологических машин и комплексов. Профиль подготовки "Автомобили и автомобильное хозяйство". Бакалавриат"

изд-во СКФУ

Пособие составлено в соответствии с требованиями федерального государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования и программой дисциплины и представляет собой курс лекций. Содержит теоретические сведения, включающие основы технологии автостроения, общие вопросы организации и технологии ремонта автотранспортных средств, вопросы для самопроверки, литературу. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 190600.62, 23.03.03 - Эксплуатация транспортно-технологических машин и комплексов

Схемы продольного намагничивания деталей: а – в поле электромагнита; б – в поле дросселя; в – в поле <...> Контроль стальных деталей осуществляется на остаточной намагниченности или в приложенном поле. <...> поле. <...> Расчёт режимов намагничивания детали циркулярным способом в приложенном поле и на остаточной намагниченности <...> Расчёт режимов намагничивания детали циркулярным способом в приложенном поле и на остаточной намагниченности

Предпросмотр: Основы технологии производства и ремонта транспортных и транспортно-технологических машин и комплексов Учебное пособие. Направление подготовки 190600.62, 23.03.03 - Эксплуатация транспортно-технологич titlebreak обили и автомобильное хозяйство. Бакалавриат.pdf (0,3 Мб)
38

Анализ недостатков экзаменационных вопросов по магнитопорошковому контролю [Электронный ресурс] / Шелихов, Глазков // Контроль. Диагностика .— 2010 .— №6 .— С. 65-69 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/467603

Автор: Шелихов

Рассмотрены наиболее существенные недостатки экзаменационных вопросов, используемых на экзаменах при подготовке и аттестации специалистов по неразрушающему контролю

Предварительно нужно вспомнить напряжен� ность магнитного поля, необходимую для получе� ния требуемой <...> В распространенном вопросе, какое соотноше� ние нормальной составляющей напряженности магнитного поля <...> порошкового контроля имеет наибольшую чувстви� тельность, приведены следующие варианты ответов: А – способ приложенного <...> поля; В – способ остаточ� ной намагниченности; С – способ вращающегося магнитного поля; D – способ сухого <...> Однако способ приложенного поля и способ ос� таточной намагниченности обладают одинаковой чувствительностью

39

Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур [Электронный ресурс] / Сивченко // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 84-92 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376577

Автор: Сивченко

Разработаны методика и автоматизированная программа, позволяющие с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин определять дефектность диэлектрика и оценивать его время наработки до отказа. Приведены результаты расчета дефектности диэлектрика с учетом влияния границы изоляции и диффузии. Данная методика может применяться для мониторинга параметров технологических процессов создания подзатворного диэлектрика и прогнозирования долгосрочной надежности МОП-транзисторов.

Механизм отказа подзатворного диэлектрика При приложении электрического поля в подзатворном диэлектрике <...> Наряду с генерированной дефектностью за счет приложенного поля в диэлектрике могут существовать внешние <...> При приложении поля к диэлектрику с такими дефектами проводящий путь в нем формируется быстрее и его <...> Зависимость измеренного напряжения Vmes от времени при приложении ступенчато возрастающего тока к структурам

40

№4 [Контроль. Диагностика, 2011]

Выходит с 1998 года. Журнал публикует научные и методические статьи ведущих ученых России, стран ближнего и дальнего зарубежья, представителей промышленности о методах, приборах и технологиях неразрушающего контроля и технической диагностики, их внедрении, развитии и применении. Издатель выкладывает номера с задержкой в 1 год!

Во многих случаях способ приложенно� го поля является незаменимым. <...> .), в ряде случаев в приложенном поле контролируют также детали из магнитотвердых сталей, в том числе <...> В приложенном магнитном поле (рис. 3, а) на поверхности детали в местах, в которых уменьшается толщина <...> В приложенном поле трудно, а чаще невоз� можно выявлять дефекты на деталях, зоной контроля на которых <...> Результаты магнитопорошкового контроля клапана�распределителя: а – в приложенном магнитном поле; б –

Предпросмотр: Контроль. Диагностика №4 2011.pdf (0,7 Мб)
41

МАГНИТОПОРОШКОВЫЙ КОНТРОЛЬ ПОЛЫХ ДЕТАЛЕЙ [Электронный ресурс] / Шелихов, Глазков // Контроль. Диагностика .— 2013 .— №8 .— С. 11-17 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/486204

Автор: Шелихов

Изложены приемы магнитопорошкового контроля деталей с целью обнаружения дефектов на внутренних поверхностях полостей и отверстий

, напряженность поля, полая деталь, внутренняя поверхность. <...> хорошо обнаруживаются как при контроле способом приложенного поля (СПП), так и способом остаточной намагниченности <...> Распределение магнитного поля в материале полой ферромагнитной детали и вблизи нее при намагничивании <...> Распределение магнитного поля в материале полой ферромагнитной детали и вблизи нее при намагничивании <...> Поэтому реализовать способ приложенного поля в этом случае невозможно.

42

Неразрушающие методы контроля качества боеприпасов. Ч. 1 учеб. пособие

Автор: Поляков Ю. О.
Изд-во НГТУ

В пособии излагаются физические основы неразрушающих методов контроля. Приведены виды дефектов, образующихся в процессе производства боеприпасов. Подробно рассмотрены магнитный и акустический (ультразвуковой) методы контроля. Даны рекомендации и методики по выбору и расчету основных параметров контроля.

Ток в катушке зависит от приложенного напряжения, активного R и реактивного X L сопротивления катушки <...> Для расчета режима контроля при СПП определяют требуемое значение намагничивающего приложенного поля <...> Контроль проводят в приложенном или остаточном поле. <...> , т.е. в приложенном магнитном поле. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 62 Контроль в приложенном поле в современных

Предпросмотр: Неразрушающие методы контроля качества боеприпасов. Ч.1.pdf (0,5 Мб)
43

Конспект лекций по учебной дисциплине «Физическая и интегральная оптика» по направлению подготовки: 210700 – Инофокоммуникационные технологии и системы связи (квалификация (степень) «бакалавр»)

Автор: Клюев Д. С.
Изд-во ПГУТИ

Основными целями преподавания дисциплины являются: формирование у студента системы необходимых знаний о физических принципах работы оптических волноводов, их соединений и базовых элементов интегральных оптических схем, формирование у студента системы необходимых знаний об оптических волноводах, их соединениях и базовых элементах интегральных оптических схем для последующего изучения специальных дисциплин и решения производственных и исследовательских задач, овладение основами расчётов оптических волноводов, их соединений и базовых элементов интегральных оптических схем, получение общих знаний по их применению. Основными обобщенными задачами дисциплины являются: изучение основных физических законов и явлений, лежащих в основе работы оптических волноводов, их соединений и базовых элементов интегральных оптических схем, изучение основных характеристик оптических волноводов, их соединений и базовых элементов интегральных оптических схем, приобретение студентами практических навыков работы с оптическими волноводами, их соединениями и базовыми элементами интегральных оптических схем, а также аппаратурой для исследования характеристик и измерения параметров этих устройств. Изучению дисциплины Ф и ИО предшествует формирование общекультурных и профессиональных компетенций в дисциплинах: математический анализ и физика. Конечным результатом обучения по дисциплине является формирование у студентов основополагающих компетенций по проектированию и практическому применению современных оптических волноводов, их соединений и базовых элементов интегральных оптических схем.

В этом случае возникает пара сил, заставляющая молекулы поворачиваться в направлении приложенного поля <...> Напряжение U , приложенное к металлическим электродам, создает внутри подложки поле E , которое можно <...> При приложении к электродам модулирующего переменного напряжения ( )U t электрическое поле, пронизывающее <...> Это изменение можно получить при плавном изменении zω (частоты переменного поля, приложенного к пьезоэлементу <...> Если данный момент наводится при помощи приложенного электрического поля, то эффект Керра называется

Предпросмотр: Физическая и интегральная оптика Конспект лекций.pdf (0,5 Мб)
44

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТА ГОСУДАРСТВЕННОГО СТАНДАРТА «КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ. МАГНИТОПОРОШКОВЫЙ МЕТОД. ТИПОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ» [Электронный ресурс] / Муравская [и др.] // Контроль. Диагностика .— 2014 .— №7 .— С. 26-34 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/489486

Автор: Муравская

Рассмотрены особенности разрабатываемого государственного стандарта «Контроль неразрушающий. Магнитопорошковый метод. Типовые технологические процессы». Проект нового стандарта подготовлен на основе ранее действовавшего отечественного стандарта ГОСТ 21105–87 с учетом последних научно-технических достижений в области магнитопорошкового контроля. Указаны отличия нового стандарта от старого, а также от зарубежных стандартов по магнитопорошковому контролю

объектов, изготовленных как из магнитомягких, так и магнитотвердых сталей, с использованием способов приложенного <...> предусмотрено проведение магнитопорошкового контроля деталей, узлов, конструкций и других объектов как способом приложенного <...> поля и плоскостью дефектов, ° Коэффициент φ увеличения задаваемой напряженности магнитного поля 60 1,15 <...> стандарте приведены новые графики, предназначенные для оценки возможности контроля деталей способами приложенного <...> поля или остаточной намагниченности и для определения напряженности приложенного магнитного поля в зависимости

45

Спин-волновое описание двумерного парамагнетика в магнитном поле [Электронный ресурс] / Циберкин, Белозерова, Хеннер // Вестник Пермского университета. Серия «Физика» .— 2016 .— №2 .— С. 36-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/586118

Автор: Циберкин

Исследуется возможность возникновения коллективных спиновых возбуждений в двумерном парамагнитном кристалле с диполь-дипольным взаимодействием частиц при отсутствии обменных эффектов, находящемся в однородном постоянном магнитном поле. В состоянии насыщения магнитные моменты ориентированы вдоль поля. Свойства парамагнетика в пределе низких температур описаны на основе представления Холстейна–Примакова в терминах спиновых волн. Проанализированы дисперсионные соотношения для спиновых волн в парамагнитной системе на квадратной и гексагональной решётках. Показано, что длина спиновых волн, которые могут возникать в системе, и ширина их энергетического спектра определяются ориентацией приложенного поля. В ортогональном поле реализуются длинноволновые возбуждения, тогда как в параллельном магнитном поле энергетически выгодны возбуждения с конечными длинами волн порядка постоянной решётки. Проведено прямое численное моделирование динамики группы взаимодействующих магнитных моментов во внешнем поле различной ориентации. Получены временные зависимости и Фурьеспектры поперечной компоненты полного спина системы и дипольной части энергии. Результаты моделирования согласуются с расчётами в рамках спин-волнового подхода

волн, которые могут возникать в системе, и ширина их энергетического спектра определяются ориентацией приложенного <...> поля. <...> Направляя ось z вдоль приложенного магнитного поля, преобразуем зеемановское слагаемое к виду 1 † 0 ( <...> системе, и, соответственно, статистическими характеристиками решётки наряду с изменением напряжённости приложенного <...> поля.

46

№9 [Журнал технической физики, 2017]

Один из старейших физических журналов России. Основан в 1931 г. На страницах журнала находят отражение все разделы современной прикладной физики, включая ее биомедицинские направления, исследования различных материалов и структур, создание новых приборов и развитие методов физического эксперимента. Традиционными рубриками также являются «Теоретическая и математическая физика», «Атомная и молекулярная физика».

Ba — внешнее приложенное поле, B ′(r0) — поле, создаваемое лентой (собственное поле ленты). <...> Формулы для поля полоски приведена в Приложении А. <...> Магнитное поле полоски задается аналитически (см. Приложение А). <...> Приложение А Распределение магнитного поля в полоске с током Магнитное поле, создаваемое бесконечной <...> увеличивается вдоль направления приложенного магнитного поля.

Предпросмотр: Журнал технической физики №9 2017.pdf (0,1 Мб)
47

ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НУКЛЕИНОВЫХ КИСЛОТ И НУКЛЕОПРОТЕИДОВ В РАСТВОРЕ АВТОРЕФЕРАТ ДИС. ... ДОКТОРА БИОЛОГИЧЕСКИХ НАУК

Автор: ДВОРКИН
М.: АКАДЕМИЯ НАУК СССР

ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НУКЛЕИНОВЫХ КИСЛОТ И НУКЛЕОПРОТЕИДОВ В РАСТВОРЕ

Электрооптпческпе методы исследования основаны на регистра. ции изменений свойств раствора под действием приложенного <...> к нему электрического поля. <...> Из-за ориентации молекул оптические свойства раствора ста­ новятся различными по направлению приложенного <...> поляри­ зации поляризатора устанавливается поочередно параллельно и перпендикулярно силовым линиям приложенного <...> дипольным моментом, то такая макромолекула будет располагаться своим максимальным размером вдоль приложенного

Предпросмотр: ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НУКЛЕИНОВЫХ КИСЛОТ И НУКЛЕОПРОТЕИДОВ В РАСТВОРЕ.pdf (0,0 Мб)
48

№9 [Физика твердого тела, 2017]

Более того, частота прыжков ωh зависит и от величины частоты приложенного поля ω. <...> Гораздо меньше работ опубликовано для случая приложения поля вдоль направления [111]. <...> поля вдоль [111], что отличает это направление приложения поля от направлений [001] и [011]. <...> Приложение поля вдоль направления [001] увеличивает ε при комнатной температуре. <...> поля ∼ 3000, а после приложения поля ∼ 600).

Предпросмотр: Физика твердого тела №9 2017.pdf (0,1 Мб)
49

NUMERICAL SIMULATION OF MAGNETIC MICROSTRUCTURE IN NANOCRYSTALLINE THIN FILMS WITH THE RANDOM ANISOTROPY [Электронный ресурс] / Belyaev, Izotov, Solovev // Журнал Сибирского федерального университета. Математика и физика. Journal of Siberian Federal University, Mathematics & Physics .— 2017 .— №1 .— С. 132-135 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/581763

Автор: Belyaev

The magnetic structure of thin nanocrystalline films with a random distribution of magnetization easy axes was studied by means of micromagnetic modeling. The dependences of the correlation function parameters of the non-uniform magnetization on the value of the external in-plane magnetic field were investigated in the wide range (6–1000 nm) of particles sizes. An analysis of the obtained dependences revealed a significant difference between longitudinal (along the field) and transversal (perpendicular to the field) correlation radii of a stochastic magnetic structure. The blocking effect of a fine magnetic structure—a magnetization ripple—was observed during magnetization reversal of the films

параметров корреляционной функции неоднородной намагниченности от величины внешнего планарного магнитного поля <...> существенное различие корреляционных радиусов стохастической магнитной структуры вдоль и поперек направления приложенного <...> поля.

50

ОПТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АГРЕГАТОВ, ОБРАЗОВАННЫХ ЧАСТИЦАМИ МАГНИТНОЙ ЖИДКОСТИ [Электронный ресурс] / Прокофьев [и др.] // Письма в журнал технической физики .— 2017 .— №4 .— С. 28-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593400

Автор: Прокофьев

Исследованы размеры элементов структуры, образованной наночастицами коллоидного раствора магнетита под действием магнитного поля. При освещении тонкого слоя такой жидкости сфокусированным лазерным пучком наблюдалась картина, характерная для дифракции на бесконечно длинном диэлектрическом цилиндре, что было использовано для измерения толщины отдельных агрегатов. Эти данные оказались хорошо согласованными с оценкой, выполненной методом оптической микроскопии

элементов структуры, образованной наночастицами коллоидного раствора магнетита под действием магнитного поля <...> Магнит создавал однородное поле c напряженностью H = 1800Oe. <...> Представление о сформированной магнитным полем структуре дает микрофотография, приведенная на рис. 2. <...> В отсутствие магнитного поля свет рассеивался жидкостью очень слабо. <...> Приложение поля в том случае, когда образец находился вдали от фокуса, приводило к возникновению спекл-структуры

Страницы: 1 2 3 ... 4204