Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 534918)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 126435 (0,64 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

РАЗРАБОТКА ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИМС С ПОВЫШЕННОЙ СТОЙКОСТЬЮ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИМ ФАКТОРАМ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА [Электронный ресурс] / Данилов [и др.] // Информационные системы и технологии .— 2011 .— №1 .— С. 31-39 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/486680

Автор: Данилов

Рассмотрены основные проблемы разработки программных средств моделирования характеристик интегральных микросхем (ИМС), предназначенных для функционирования в условиях воздействия ионизирующего излучения (ИИ) космического пространства. Представлены методы схемотехнического моделирования дозовых эффектов и эффектов от тяжелых заряженных частиц космического пространства, основанные на использовании языка описания аппаратуры Verilog-A

Существуют технологические и конструктивно-топологические методы повышения стойкости ИМС к радиационным <...> Технологические методы предполагают внесение изменений в техпроцесс, а конструктивно-топологические методы <...> Register Transfer Level), называемый также уровнем регистровых передач, логический, схемотехнический, приборно-технологический <...> На приборно-технологическом (физическом) уровне моделируются характеристики отдельных приборов и структур <...> Явления рассогласования и технологического разброса параметров хорошо изучено, однако в настоящее время

2

№1 [Информационные системы и технологии, 2011]

Журнал об информационных системах и технологиях.

Register Transfer Level), называемый также уровнем регистровых передач, логический, схемотехнический, приборно-технологический <...> На приборно-технологическом (физическом) уровне моделируются характеристики отдельных приборов и структур <...> моделировании полупроводниковых приборов с использованием современных специализированных программных пакетов приборно-технологического <...> программы Mdraw, а его электрофизических характеристик – при помощи программы Dessis пакета программ приборно-технологического <...> результаты, может стать имитационное моделирование динамических характеристик приборов в пакете программ приборно-технологического

Предпросмотр: Информационные системы и технологии №1 2011.pdf (0,2 Мб)
3

Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям [Электронный ресурс] / Чаплыгин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №2 .— С. 39-44 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376636

Автор: Чаплыгин

Проведен анализ особенностей использования средств приборнотехнологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.

ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 2 2016 139 УДК 621.382.32 Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной <...> Ключевые слова: приборно-технологическое моделирование; саморазогрев; лавинный пробой; накопленная радиация <...> В настоящей работе проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования <...> ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Приборно-технологическое <...> Область научных интересов: приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем.

4

Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем [Электронный ресурс] / Козлов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №5 .— С. 41-48 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376596

Автор: Козлов

Рассмотрены особенности приборно-технологического моделирования интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем. Представлены результаты моделирования и оптимизации конструктивно-технологических параметров для магниточувствительных транзисторов, интегральных элементов Холла, формируемых в рамках стандартной КМОП-технологии, полевого датчика Холла на основе КНИ-структур, а также характеристики концентраторов магнитного поля.

Chaplygin National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрены особенности приборно-технологического <...> Сквозной характер моделирования позволяет анализировать взаимосвязь технологических и приборных характеристик <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> Исследование структуры биполярного двухколлекторного магнитотранзистора в двойном кармане с помощью приборно-технологического <...> приборно-технологическое моделирование магниточувствительных элементов датчиков магнитного поля.

5

Приборно-технологическое проектирование элементной базы мощной СВЧ-электроники

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Состав приборно-технологической САПР TCAD ............................... 10 2.2. <...> Приборно-технологическое проектирование LDMOS-структур .............. 38 3.1. <...> ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ LDMOS-СТРУКТУР 3.1. <...> Приборно-технологическая модель LDMOS-транзистора в DIOS Приборно-технологическая модель LDMOS-транзистора <...> Новое поколение приборно-технологических САПР / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М.

Предпросмотр: Приборно-технологическое проектирование элементной базы мощной СВЧ-электроники.pdf (1,1 Мб)
6

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов

Издательский дом ВГУ

Подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ <...> Приборно-технологическое проектирование n-МОП-структур …. 15 2.1. <...> ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ n-МОП-СТРУКТУР 2.1. <...> Основы работы в среде приборно-технологической САПР ISE TCAD : учебно-методическое пособие / сост. : <...> Приборно-технологическое моделирование в системе TCAD Sentaurus : учебно-методическое пособие / А.

Предпросмотр: Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов.pdf (1,3 Мб)
7

Практикум по курсу "Проектирование и технология электронной компонентной базы"

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Приборно-технологическая САПР TCAD для моделирования электронной компонентной базы .................. <...> Состав приборно-технологической САПР TCAD .......................... 4 1.2. <...> ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ САПР TCAD ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ 1.1. <...> Состав приборно-технологической САПР TCAD Приборно-технологическая САПР TCAD ориентирована на проектирование <...> Новое поколение приборно-технологических САПР / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М.

Предпросмотр: Практикум по курсу Проектирование и технология электронной компонентной базы .pdf (0,9 Мб)
8

Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Развитие средств приборно-технологического проектирования сегодня сосредоточено на следующих направлениях <...> В состав приборно-технологической САПР SENTAURUS входят более 30 программных модулей для моделирования <...> Состав приборно-технологической САПР SENTAURUS Организацию процесса моделирования обеспечивает графическая <...> Приборно-технологическое моделирование в системе TCAD Sentaurus : учебно-методическое пособие / А. <...> Приборно-технологическое проектирование элементной базы мощной СВЧ-электроники : учебно-методическое

Предпросмотр: Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS.pdf (1,6 Мб)
9

Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Приборно-технологическое проектирование в САПР TCAD ........................... 46 2.1. <...> Работа в среде приборно-технологической САПР TCAD .......................... 46 2.1.1. <...> Состав приборно-технологической САПР TCAD ............................. 46 2.1.2. <...> Сквозное приборно-технологическое проектирование приборов микроэлектроники в специализированном пакете <...> Новое поколение приборно-технологических САПР / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М.

Предпросмотр: Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники .pdf (1,5 Мб)
10

Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем [Электронный ресурс] / Русанов, Осыкин, Балашов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 28-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376647

Автор: Русанов

Представлены результаты измерения параметров интегрального МОП-транзистора для низковольтных применений. Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. Показаны состоятельность и эффективность предлагаемого МОПтранзистора для низковольтных применений.

Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. <...> Кардинальным решением этой проблемы является усложнение технологического процесса, что позволяет делать <...> Такое же включение можно реализовать в технологическом процессе производства интегральных схем с полной <...> этап – предварительный, он заключается в математическом моделировании МОП транзисторной структуры в приборно-технологической <...> Проведенные измерения передаточных и выходных ВАХ с приемлемой точностью подтвердили результаты приборно-технологического

11

Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС [Электронный ресурс] / Соловьев, Крупкина, Романов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №6 .— С. 95-97 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/565182

Автор: Соловьев

Для повышения рабочего диапазона функционирования КМОП БИС, выполненных по радиационно стойкой технологии КНС, требуется повышение пробивных напряжений n-канальных МОП-транзисторов. Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n-МОПтранзисторов с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD Synopsys

Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n-МОПтранзисторов <...> с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD <...> Ключевые слова: кремний на изоляторе; кремний на сапфире; LDD-области; пробивное напряжение; приборно-технологическое <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016 584 В настоящей работе средствами приборно-технологического моделирования <...> Область научных интересов: моделирование технологических процессов.

12

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СВЯЗАННЫХ С ВЛИЯНИЕМ МИКРОТРЕЩИН НА ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ [Электронный ресурс] / Матюхин, Писарев, Ставцев // Информационные системы и технологии .— 2011 .— №1 .— С. 47-53 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/486682

Автор: Матюхин

Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD фирмы Synopsys исследовано влияние микротрещин на вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых полупро водниковых диодов.

ВВЕДЕНИЕ При производстве полупроводниковых приборов в результате проведения ряда технологических операций <...> моделировании полупроводниковых приборов с использованием современных специализированных программных пакетов приборно-технологического <...> маршруты, получать в результате произвольные приборные структуры и анализировать их электрофизические <...> программы Mdraw, а его электрофизических характеристик – при помощи программы Dessis пакета программ приборно-технологического <...> результаты, может стать имитационное моделирование динамических характеристик приборов в пакете программ приборно-технологического

13

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УГЛЕРОДА В АКТИВНОЙ БАЗЕ НА БЫСТРОДЕЙСТВИЕ SIGE ГБТ [Электронный ресурс] / Евдокимов, Чаплыгин // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №4 .— С. 91-94 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/541733

Автор: Евдокимов

Рассмотрен механизм влияния примесного углерода на диффузию бора базы npn кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора. Приведены зависимости электрофизических показателей структуры в зависимости от концентрации углерода. Показано, что при концентрации углерода выше 1∙1020 см3 наблюдается уменьшение времени жизни носителей заряда в базе, что не приводит к уменьшению граничной и максимальной частот гетеропереходного биполярного транзистора, поскольку диффузия бора снижается в большей степени и определяет время пролета электронов через электронейтральную базу.

Исследование проводили методом приборно-технологического моделирования типовой структуры транзистора. <...> » пути с ужесточающимся контролем конструктивно-технологических параметров. <...> влияния углерода на диффузию бора в ГБТ с концентрациями в диапазоне 1∙10 20 1,6∙10 21 см 3 с помощью приборно-технологического <...> Приборные характеристики рассчитывали в гидродинамическом приближении переноса заряда с учетом механических <...> масштабирования SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на его частотные характеристики методами приборно-технологического

14

СОВРЕМЕННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ [Электронный ресурс] / Матюхин, Макулевский, Деев // Информационные системы и технологии .— 2014 .— №2 .— С. 58-71 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/486654

Автор: Матюхин

Представлен обзор наиболее распространенных пакетов программ, используемых для компьютерного моделирования технологических процессов, структуры и характеристик электронных приборов и устройств на современном этапе развития электроники. Описаны основные возможности этих пакетов. Определены области их наиболее эффективного использования

ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОНИКЕ Помимо моделирования электрических цепей всегда <...> Синтез программ технологического моделирования с программами приборного моделирования и привел к появлению <...> современных систем приборно-технологического моделирования (TCAD – Technology Computer Aided Design) <...> Таким образом, современные пакеты программ приборно-технологического моделирования предоставляют весь <...> Система SENTAURUS TCAD компании Synopsys: новое поколение приборно-технологических САПР // Электроника

15

Математическое моделирование влияния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла [Электронный ресурс] / Козлов, Королёв, Петрунина // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №4 .— С. 45-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376584

Автор: Козлов

Проведено исследование влияния концентрации примеси в рабочем слое и объеме подложки на ток стока КНИ полевого датчика Холла средствами приборно-технологического моделирования в пакете Synopsys Sentaurus. Выполнена настройка численной модели путем сопоставления передаточных ВАХ: расчетной и ранее экспериментально созданного и измеренного образца КНИ полевого датчика Холла. Показано, что при низких концентрациях в рабочем слое ток стока сильно зависит от потенциала верхнего затвора, а уровень легирования в объеме подложки влияет на ток стока лишь при работе прибора в режиме обеднения.

концентрации примеси в рабочем слое и объеме подложки на ток стока КНИ полевого датчика Холла средствами приборно-технологического <...> параметров невозможна без использования численного моделирования с применением современных пакетов приборно-технологического <...> Область научных интересов: приборно-технологическое моделирование магниточувствительных элементов датчиков

16

Анализ влияния температуры на электрофизические характеристики комплементарной пары вертикальных биполярных транзисторов [Электронный ресурс] / Храпов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 40-48 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588823

Автор: Храпов

В рамках термодинамической и диффузионно-дрейфовой моделей численным методом исследовано влияние температуры на электрофизические параметры комплементарной биполярной пары вертикальных транзисторов. Показано преимущество термодинамической модели, учитывающей при анализе мощных транзисторов эффекты, связанные с саморазогревом. Результаты моделирования сопоставлены с экспериментальными характеристиками тестовых структур. Сравнение показало, что для таких электрофизических параметров, как коэффициент усиления по току β и напряжение Эрли VA, отличие не превышает 15 %, а для критического параметра напряжение пробоя коллектор–эмиттер VCE0 не превышает 2 %. Это является достаточным для применения термодинамической модели в практических целях

В настоящее время реализация этого этапа разработки осуществляется с помощью компьютерного приборно-технологического <...> Эффективным инструментом проектирования технологических процессов и приборов считается программный пакет <...> Приборно-технологическое моделирование и экспериментальная проверка термодинамической модели. <...> Двумерная пространственная структура транзисторов рассчитывается путем моделирования технологического <...> Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной

17

ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ КМОП МИКРОСХЕМА ДЛЯ УСТРОЙСТВ РЕГИСТРАЦИИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА [Электронный ресурс] / Бородин [и др.] // Техника и технология .— 2013 .— №5-6 .— С. 37-41 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/495607

Автор: Бородин

Фоточувствительные СБИС занимают особое место в ряду изделий микроэлектроники. Специфика их обусловлена тем, что данные схемы одновременно работают с сигналами различной физической природы: входным сигналом является оптическое излучение, а выходным – электрический сигнал, являющийся кодом данного входного оптического сигнала. Основное достоинство КМОП схем, обусловленное широкими возможностями КМОП технологии, заключается в возможности создания однокристальных камер с первичной обработкой изображений

Поэтому актуальной является задача разработки конструкций и технологических принципов создания СБИС на <...> Некоммерческие программы быстрого моделирования технологического процесса для анализа объемной структуры <...> Коммерческий пакет приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD (Synopsys) для высокоточного <...> Разработанные методики моделирования с применением программного комплекса приборно-технологического моделирования <...> В основе технологических принципов изготовления КМОП-фотоприемных СБИС лежит тот факт, что современные

18

Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком [Электронный ресурс] / Петросянц [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №1 .— С. 38-43 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376544

Автор: Петросянц

Проведено тестирование встроенных в Sentaurus TCAD моделей электрофизических эффектов. Выбраны модели, обеспечивающие адекватное описание глубокосубмикронных МОПТ-структур с high-k диэлектриком затвора. Рассчитаны токи утечки 45-нм МОПТ-структуры с поликремниевым затвором и SiO2, SiO2/HfO2, HfO2 диэлектриком затвора. Показано, что замена традиционного диэлектрика SiO2 на эквивалентный ему диэлектрик HfO2 на несколько порядков уменьшает ток утечки затвора за счет исключения влияния эффекта туннелирования. При этом пороговое напряжение, ток насыщения, подвижность носителей в канале, крутизна ВАХ деградируют в допустимых пределах 10–20%.

технологии изготовления high-k МОПТ-структур с требуемым набором электрических параметров, являются средства приборно-технологического <...> Таким образом, проанализированные и выбранные модели физических эффектов в системе приборно-технологического

19

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПОЛОЖЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ В ВОЛНОВОДЕ [Электронный ресурс] / Матюхин [и др.] // Информационные системы и технологии .— 2011 .— №5 .— С. 62-69 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/487843

Автор: Матюхин

Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследована зависимость ключевых характеристик полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) от положения квантоворазмерной активной области в области волновода.

имитационном моделировании полупроводниковых лазеров с использованием современных программных пакетов приборно-технологического <...> Он позволяет моделировать все основные процессы твердотельной электроники, объединять их в технологические <...> маршруты, получать в результате произвольные приборные структуры и анализировать их электрофизические <...> виртуального производства и позволяет существенно сократить расходы на проектирование и разработку технологических <...> Орел Ph.D., ведущий инженер-физик лаборатории приборно-технологического моделирования в микрои наноэлектронике

20

ЗАВИСИМОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ АЛЮМИНИЯ В ОБЛАСТИ ВОЛНОВОДА И ЭМИТТЕРОВ [Электронный ресурс] / Матюхин [и др.] // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии .— 2011 .— №3 .— С. 26-35 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/481922

Автор: Матюхин

Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследовано влияние концентрации алюминия в волноводной и эмиттерных областях полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) на его вольтамперную и ватт-амперную характеристики.

эмиттеров на характеристики ДГС РО лазера на основе AlGaAs в настоящей работе использовался пакет программ приборно-технологического <...> _______________________________________________________________________ 27 троники, объединять их в технологические <...> маршруты, получать в результате произвольные приборные структуры и анализировать их электрофизические <...> виртуального производства и позволяет существенно сократить расходы на проектирование и разработку технологических <...> Орел Ph.D., ведущий инженер-физик лаборатории приборно-технологического моделирования в микрои наноэлектронике

21

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла // Изв. <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> Средствами САПР TCAD проведено приборно-технологическое моделирование элементной базы. <...> Физико-топологическая структура элементов приборной базы разработана с помощью приборно-технологического <...> Рост вычислительных мощностей потенциально позволяет использовать приборно-технологическое моделирование

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2017.pdf (1,0 Мб)
22

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла ........ <...> Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла // Изв. <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Приборно-технологическое моделирование ВАХ <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Приборно-технологическое моделирование ВАХ

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2017.pdf (1,0 Мб)
23

№2 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 2 2016 139 УДК 621.382.32 Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной <...> Ключевые слова: приборно-технологическое моделирование; саморазогрев; лавинный пробой; накопленная радиация <...> В настоящей работе проведен анализ особенностей использования средств приборно-технологического моделирования <...> Область научных интересов: приборно-технологическое моделирование элементов интегральных схем.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2016.pdf (1,0 Мб)
24

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2012]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Исследование возможности формирования охранных областей p-типа легированием примеси индия с помощью средств приборно-технологического <...> Исследование возможности формирования охранных областей p-типа легированием примеси индия с помощью средств приборно-технологического <...> охранных областей проведено приборно-технологическое моделирование измененного и исходного технологических <...> С помощью средств приборно-технологического моделирования исследована и подтверждена возможность создания <...> Приборно-технологическое моделирование чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №6 2012.pdf (1,1 Мб)
25

РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОГРАММ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ В ВОРОНЕЖСКОМ ГОСУДАРСТВЕННОМ УНИВЕРСИТЕТЕ [Электронный ресурс] / Воронина, Чупандина // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Проблемы высшего образования .— 2014 .— №3 .— С. 16-19 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/511205

Автор: Воронина

рассматриваются особенности реализации дополнительного образования в Воронежском государственном университете

уполномоченного по правам участников образовательного процесса (омбудсмена) общеобразовательной школы; CISCO; Приборно-технологическое

26

Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора [Электронный ресурс] / Петросянц, Кожухов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 88-91 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376616

Автор: Петросянц

Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик.

Ключевые слова: электротепловое моделирование; приборно-технологическое моделирование; эффект саморазогрева <...> структуры SiGe ГБТ, обеспечивающей необходимые электротепловые режимы работы,  сложная конструкторско-технологическая

27

№5-6 [Техника и технология, 2013]

техника и технология. Со 2-го полугодия 2014 года журнал не выходит

Для улучшения технологических свойств (формуемости, отношения к сушке и обжигу) в состав шихты на основе <...> Поэтому актуальной является задача разработки конструкций и технологических принципов создания СБИС на <...> Коммерческий пакет приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD (Synopsys) для высокоточного <...> Разработанные методики моделирования с применением программного комплекса приборно-технологического моделирования <...> В основе технологических принципов изготовления КМОП-фотоприемных СБИС лежит тот факт, что современные

Предпросмотр: Техника и технология №6 2013.pdf (0,6 Мб)
28

Шумы в спектрозональных многоканальных фотоячейках для фотоприемников с разделением цветов с вертикально интегрированными p–n-переходами [Электронный ресурс] / Денисова, Уздовский, Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 19-26 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588820

Автор: Денисова

Исследованы характеристики динамического диапазона многоканальной фотоячейки, а также отношение сигнал/шум для считываемых фотосигналов из n- и p-областей фотоячейки. Установлено, что значения фоточувствительностей определяются как выбранными конструктивными параметрами фотоячейки, так и максимально возможными управляющими напряжениями. Показано, что считываемый фотосигнал многоканальной фотодиодной структуры пропорционален световому потоку

фоточувствительной ячейки, а также путем численных расчетов на ЭВМ ее двумерной по толщине модели с помощью приборно-технологической

29

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ AlGaAs ЛАЗЕРОВ С ДВОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ И РАЗДЕЛЬНЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ [Электронный ресурс] / Матюхин, Козил, Ромашин // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии .— 2010 .— 6 .— С. 20-27 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/492745

Автор: Матюхин

Аналитическими методами и методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследовано влияние мольной концентрации алюминия в активной и волноводной областях на энергетический спектр носителей заряда и спектральные характеристики излучения полупроводниковых AlGaAs лазеров с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО). Рассчитаны длины волн одномодовых ДГС РО лазеров на основе AlGaAs.

., ведущий инженер-физик лаборатории приборно-технологического моделирования в микрои наноэлектронике

30

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

научных интересов: клеточные автоматы, параллельные алгоритмы вычислений на GPU, численные методы, приборно-технологическое <...> с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD <...> Ключевые слова: кремний на изоляторе; кремний на сапфире; LDD-области; пробивное напряжение; приборно-технологическое <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016 584 В настоящей работе средствами приборно-технологического моделирования <...> Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2016.pdf (1,0 Мб)
31

Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора [Электронный ресурс] / Лапин, Парменов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №2 .— С. 69-77 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/604564

Автор: Лапин

При производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниевого затвора обычно учитываются введением эффективной электрической толщины оксида. В то же время в сильнолегированном поликремниевом затворе проявляется еще один квантовый эффект. Он связан с квантованием носителей вблизи высокого потенциального барьера и образованием квантового диполя, приводящего к сдвигу порогового напряжения МДП-транзистора в сторону уменьшения Проведено моделирование квантового эффекта с помощью модели градиента плотности, которая включена в состав пакета Synopsys Sentaurus TCAD. Установлено, что сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора не зависит от толщины подзатворного диэлектрика. Величина сдвига зависит от концентрации примеси в подложке и лежит в пределах от 40 до 110 мВ в зависимости от типа канала при изменении концентрации примеси от 1016 до 1018 см–3. Сдвиг порогового напряжения сильно зависит от концентрации примеси в затворе и составляет порядка 20–140 мВ для n-МОПтранзистора и порядка 20–200 мВ для p-МОП-транзистора при изменении концентрации примеси от 1∙1019 до 3∙1020 см–3. Показано, что локальное изменение концентрации примеси в затворе вблизи границы раздела polySi/SiO2 оказывает сильное влияние на сдвиг порогового напряжения и этот эффект следует учитывать при моделировании МОП-транзистора. Результаты работы могут использоваться для калибровки модели при расчете ВАХ транзисторов.

Москва, Россия parmenov@mail.ru При производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до <...> без глубокого понимания эффекта и его полного всестороннего описания процесс создания реалистичных приборных <...> работы – исследование эффекта квантования носителей в поликремниевом затворе МДПТ с помощью методов приборно-технологического <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 178 В современных технологических процессах поликремниевый затвор легируется <...> Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОПтранзисторов. – М.: Техносфера, 2011. – 800

32

Разработка и исследование мощного низкочастотного тиристора с блокирующим напряжением 10 кВ [Электронный ресурс] / В. Мартыненко [и др.] // Силовая электроника .— 2016 .— №2(59) .— С. 24-28 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/388753

Автор: Мартыненко Валентин

В статье приведены результаты разработки нового сверхвысоковольтного тиристора с блокирующим напряжением 10 кВ диаметром 2 дюйма, полученные на основе численного моделирования и исследований его характеристик.

характеристик выпускаемой продукции и разработку новых типов силовых полупроводниковых приборов (СПП) и технологических <...> Моделирование представляет собой универсальный метод анализа и верификации конструктивно-технологических <...> Расчеты проводились с помощью лицензионной версии пакета программ приборно-технологического моделирования <...> Также для улучшения температурной стабильности напряжения переключения использовалось технологическое <...> При использовании таких пластин технологический процесс должен обеспечивать высокие времена жизни неосновных

33

Клеточно-автоматные алгоритмы сортировки строк и умножения целых чисел по схеме Атрубина [Электронный ресурс] / Матюшкин, Жемерикин, Заплетина // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №6 .— С. 69-77 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/565179

Автор: Матюшкин

Приведены отсутствующие в литературе последних десятилетий клеточно-автоматные формулировки алгоритмов сортировки массивов символов и строк. Впервые предложен клеточный автомат, умножающий два целых числа, записанных в системе счисления с произвольным основанием. Алгоритм основан на схеме параллельного умножения Атрубина для систолического массива процессоров и требует четыре компонента (регистра) вместо пяти

метаматематика и философия науки, клеточные автоматы, моделирование наноразмерных систем, моделирование технологических <...> научных интересов: клеточные автоматы, параллельные алгоритмы вычислений на GPU, численные методы, приборно-технологическое

34

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2015]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Chaplygin National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрены особенности приборно-технологического <...> Сквозной характер моделирования позволяет анализировать взаимосвязь технологических и приборных характеристик <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> Исследование структуры биполярного двухколлекторного магнитотранзистора в двойном кармане с помощью приборно-технологического <...> приборно-технологическое моделирование магниточувствительных элементов датчиков магнитного поля.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2015.pdf (1,0 Мб)
35

ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ СО СЛОЖНЫМ НАНОРЕЛЬЕФОМ ПОВЕРХНОСТИ (ВОЗМОЖНОСТИ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА) [Электронный ресурс] / Тарнавский // Справочник. Инженерный журнал .— 2012 .— №1 .— С. 18-24 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/570064

Автор: Тарнавский

Рассмотрены возможности компьютерного моделирования легирования кремниевой пластины со сложным нанорельефом поверхности. Приведены результаты вычислений ионной имплантации примесей (фосфора, бора, мышьяка) в наноколонны кремния

Одним из важных технологических процессов производства современных наноматериалов и наноустройств для <...> Кроме этого, легирование может быть направлено на достижение иных технологических целей. <...> Формулировка задачи, план и цель исследований Главными определяющими параметрами технологического процесса <...> Такой анализ особенно важен для использования в реальных сегментах технологического процесса легирования <...> Приборно-технологическое моделирование.

36

ТЕХНОПАРК КАК ВАЖНЕЙШАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ УЧЕБНОГО НАУЧНО-ИННОВАЦИОННОГО КОМПЛЕКСА [Электронный ресурс] / Танеева, Кривошеева // Науковедческие исследования .— 2010 .— №1 .— С. 178-191 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/473116

Автор: Танеева

Важнейшей составляющей учебного научно-инновационного комплекса является вузовский технопарк, объединяющий и координирующий деятельность малых и средних предприятий различных правовых форм, действующих при вузе или на его базе в сфере науки и научного обслуживания. Технопарк – это организация, являющаяся юридическим лицом или в соответствии с законодательством Российской Федерации исполняющая по доверенности правомочия юридического лица, имеющая тесные связи с одним или несколькими учебными заведениями и/или научными центрами, промышленными предприятиями, региональными и местными органами власти и управления и осуществляющая на находящейся под ее юрисдикцией территории формирование современной инновационной среды.

Научно-технологический парк Нижегородского государственного технического университета, г. <...> Зеленоградский научно-технологический парк Московского института электронной техники, г. <...> Обнинский научно-технологический парк «ИНТЕГРО» Обнинского института атомной энергетики, г. <...> В составе Научного парка МЭИ функционирует инновационно-технологический центр. <...> подготовки специалистов «u1074» в области разработки ПО САПР БИС совместно с фирмой «Моторола», Центр приборно-технологического

37

№1 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

В настоящее время реализация этого этапа разработки осуществляется с помощью компьютерного приборно-технологического <...> Приборно-технологическое моделирование и экспериментальная проверка термодинамической модели. <...> Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной <...> Приборно-технологическое моделирование и экспериментальная проверка термодинамической модели. <...> Результаты приборно-технологического моделирования комплементарной биполярной технологии с граничной

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2017 (1).pdf (0,9 Мб)
38

Концепция технологического развития экономики сырьевого региона на основе стремительно развивающегося сектора [Электронный ресурс] / Филимоненко, Васильева // Креативная экономика .— 2016 .— №12 .— С. 20-35 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/555687

Автор: Филимоненко

В статье рассматривается необходимость формирования в экономике регионов новых высокотехнологичных секторов, стремительно развивающихся на базе существующего потенциала инновационно-технологического развития, создания и применения конвергентных технологий и технологий «экономики знаний». Глобальные вызовы рассматриваются в качестве ключевых факторов макросреды, определяющих возможности и угрозы технологического развития региона. Внутренним потенциалом технологического развития является способность региона к созданию в экономике новых рынков спроса на разработки передовых технологий, новых производств на базе сектора НИОКР, новых сегментов «экономики знаний» в ресурсно-сырьевом, инфраструктурном и обрабатывающем секторах традиционной специализации Раскрывается роль высокотехнологичных секторов экономики как катализаторов инновационного развития сырьевых регионов, позволяющих усилить конкурентные преимущества отраслей специализации и перенастроить роль региональной власти, функции и форматы управления. Предложено для обоснования развития сырьевого региона использовать трехсекторную модель, в которой эффекты от развития высокотехнологичного сектора проявляются в ресурсно-сырьевом и инфраструктурном секторах экономики региона, обеспечивая их переход на пятый и шестой технологический уклады. Модель трехсекторной экономики позволяет сгенерировать стратегии технологического развития региона в зависимости от источника новых знаний (трансфер технологий, создание собственных материнских технологий) и рынков спроса (существующие рынки, новые рынки). Возможности реализации стратегий технологического развития определяются структурой и потенциалом инновационно-технологической системы региона. На примере Красноярского края акцентируется внимание на возможностях концепции, позволяющих раскрыть механизм технологического развития региона и описать эффекты, возникающие в технологически многоукладной экономике за счет стремительного развития одного из секторов.

для регионов с технологически многоукладной экономикой сочетать стратегии технологического развития, <...> ИИнновационно-технологическая система развития Возможности реализации стратегий технологического развития <...> Потенциал инновационно-технологической системы региона для реализации стратегий технологического развития <...> Потенциал инновационно-технологической системы региона для реализации стратегий технологического развития <...> 4 ЦП – конкурентоспособные научно-исследовательские организации, обладающие, в частности, приборно-технологической

39

№1 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2019]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

определения влияния толщины пленки кремния КНИ-структуры на основные параметры планарного МОП БПТ проведено приборно-технологическое <...> Проведенное приборно-технологическое моделирование планарного МОП БПТ в системе TCAD показало, что изменение <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> Ключников Алексей Сергеевич – кандидат технических наук, начальник лаборатории приборно-технологического <...> Освещаются физические, технологические и схемотехнические аспекты этих направлений электроники.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2019.pdf (1,4 Мб)
40

№2 [Информационные системы и технологии, 2014]

Журнал об информационных системах и технологиях.

ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОНИКЕ Помимо моделирования электрических цепей всегда <...> Синтез программ технологического моделирования с программами приборного моделирования и привел к появлению <...> современных систем приборно-технологического моделирования (TCAD – Technology Computer Aided Design) <...> Таким образом, современные пакеты программ приборно-технологического моделирования предоставляют весь <...> Система SENTAURUS TCAD компании Synopsys: новое поколение приборно-технологических САПР // Электроника

Предпросмотр: Информационные системы и технологии №2 2014.pdf (0,7 Мб)
41

№5 [Актуальные проблемы современной науки, 2017]

Оперативная публикация статей аспирантов и соискателей для защиты диссертаций по различным наукам.

(Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники») Приборно-технологическое <...> процессов и приборных характеристик полупроводниковых приборов Ключевые слова: приборно-технологическое <...> Для проведения приборно-технологического моделирования полупроводникового прибора необходимо выбрать <...> Программные средства приборно-технологического моделирования – отдельный класс программного обеспечения <...> Программные инструменты приборно-технологического моделирования позволяют рассчитывать распределения

Предпросмотр: Актуальные проблемы современной науки №5 2017.pdf (2,3 Мб)
42

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Глубокий коллектор 9 P Глубокий коллектор – 10 P – n-база 11 As Эмиттер – 12 B p-база – 13 B – Эмиттер Приборно-технологическое <...> Для согласования технологических и электрофизических параметров применялся лицензионный САПР приборно-технологического <...> Уточненные методом приборно-технологического моделирования численные значения параметров технологических <...> Приборная мезаизоляция формировалась травлением подложки в индуктивно связанной плазме со смесью газов <...> поликристаллических слоев SnS в технологии производства солнечных элементов, так и для производства приборных

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2016.pdf (1,0 Мб)
43

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Помимо этого после проведения термических операций формирования приборных областей (окисление слоя, разгонка <...> Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. <...> этап – предварительный, он заключается в математическом моделировании МОП транзисторной структуры в приборно-технологической <...> Проведенные измерения передаточных и выходных ВАХ с приемлемой точностью подтвердили результаты приборно-технологического <...> Это приводит к появлению канала высокой проводимости в приборной структуре и, как следствие, к тепловому

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2016.pdf (1,0 Мб)
44

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Исследование проводили методом приборно-технологического моделирования типовой структуры транзистора. <...> » пути с ужесточающимся контролем конструктивно-технологических параметров. <...> влияния углерода на диффузию бора в ГБТ с концентрациями в диапазоне 1∙10 20 1,6∙10 21 см 3 с помощью приборно-технологического <...> Приборные характеристики рассчитывали в гидродинамическом приближении переноса заряда с учетом механических <...> масштабирования SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на его частотные характеристики методами приборно-технологического

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2016.pdf (1,0 Мб)
45

№1 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2014]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Несовершенства поверхности на следующих этапах технологического процесса нанесения сегнетоэлектрической <...> Разживин 2 1 НПК «Технологический центр» (г. <...> Центра – обучение и переподготовка специалистов, владеющих современными инструментами проектирования и приборно-технологического <...> Результаты исследований переходной характеристики транзисторной структуры в приборно-технологическом <...> Область научных интересов: приборно-технологическое моделирование полупроводниковых приборов.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №1 2014.pdf (9,7 Мб)
46

Специальные главы физики: генераторы низкотемпературной плазмы учеб. пособие

Автор: Геллер В. М.
Изд-во НГТУ

В работе обоснована концепция анализа энергетических характеристик плазменных сред и активации процессов в плазме. Предложена теория представления реакторных объемов плазменных установок в виде «цепных» аналогов. Рассмотрены схемотехнические решения, лежащие в основе функционирования емкостных, индукционных и гибридных генераторов высокочастотной низкотемпературной плазмы. Предложены конструктивные решения установок для плазмохимической обработки приборов.

В зависимости от конкретных технологических требований реакторный узел может претерпевать существенные <...> В приборных технологических плазмотронах применяют «безэлектродный» ВЧЕ разряд, хотя эрозия неизолированных <...> Эта группа задач часто базируется на требовании конвейеризации технологического процесса. <...> реализуемых технологических операций. <...> Плазменные технологические процессы / В.М. Геллер, А.А. Катаев, С.В. Лапкина, В.А.

Предпросмотр: Специальные главы физики генераторы низкотемпературной плазмы.pdf (0,3 Мб)
47

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2015]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Москва) 3 НПК «Технологический центр» (г. <...> концентрации примеси в рабочем слое и объеме подложки на ток стока КНИ полевого датчика Холла средствами приборно-технологического <...> параметров невозможна без использования численного моделирования с применением современных пакетов приборно-технологического <...> Область научных интересов: приборно-технологическое моделирование магниточувствительных элементов датчиков <...> Герасименко 2,3 1 НПК «Технологический центр» (г.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №4 2015.pdf (1,4 Мб)
48

№2 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2018]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

С целью решения проблемы снижения подпорогового тока МОП БПТ проведено приборно-технологическое моделирование <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> , mikor33@rambler.ru Ключников Алексей Сергеевич – кандидат технических наук, начальник лаборатории приборно-технологического <...> Королёв в 1957 г. окончил Московский химико-технологический институт им. Д.И. <...> Валиев, и становится ведущим преподавателем дисциплин технологического цикла.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2018.pdf (1,0 Мб)
49

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2018]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Вигдорович Московский технологический университет, г. <...> института Московского технологического университета (Россия, 107076, г. <...> С помощью приборно-технологического моделирования в системе TCAD проведено исследование влияния расположения <...> Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники <...> , mikor33@icloud.com Ключников Алексей Сергеевич – кандидат технических наук, начальник лаборатории приборно-технологического

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2018.pdf (1,4 Мб)
50

№8 [Компоненты и технологии, 2012]

На сегодняшний день журнал Компоненты и технологии занимает лидирующие позиции на рынке изданий, ориентированных на специалистов в области электроники, в России и по всей территории бывшего СССР. Постоянными являются следующие рубрики: Рынок Компоненты: Пассивные элементы; ВЧ/СВЧ элементы; Датчики; Оптоэлектроника; Элементы защиты; Усилители; Источники питания; АЦП/ЦАП; ПАИС; Интерфейсы; Память; ПЛИС; ЦСП (цифровые сигнальные процессоры); Микроконтроллеры; Системы на кристалле; Микросхемы для телекоммуникаций Блоки питания Силовая электроника Интерфейс пользователя Цифровая обработка сигнала Беспроводные технологии Системы идентификации Схемотехника, проектирование, моделирование

В настоящее время такой инструмент — это компьютерное приборно-технологическое моделирование, которое <...> Технологические модели используются как для оптимизации технологического процесса, так и для получения <...> Среда приборно-технологического компьютерного моделирования Sentaurus TCAD Среда приборно-технологического <...> На его основе можно проводить анализ влияния разброса технологических параметров на приборные и схемотехнические <...> под конкретные требования заказчика и технологий имеют определяющее значение, поэтому без внедрения приборно-технологического

Предпросмотр: Компоненты и технологии №8 2012.pdf (0,5 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 2529