Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 545420)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 242160 (4,27 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Наноматериалы в технологии строительства [Электронный ресурс] / Мучник-Тринкер // Строительные материалы, оборудование, технологии XXI века .— 2011 .— №7 .— С. 48-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/413703

Автор: Мучник-Тринкер

В статье говорится востребованности об актуальности и практической новых материалов, полученных с помощью нанотехнологий в области строительства.

уменьшением габаритов и переходом от макроскопического тела к масштабам нескольких тысяч или сот атомов, плотность <...> состояния в зоне проводимости резко изменяется, что коренным образом меняет свойства материала.

2

Термодинамическая модель адсорбции атомов и молекул углеродными нанотрубками [Электронный ресурс] / Булярский, Басаев, Сауров // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2008 .— №1 .— С. 62-70 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269764

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

В работе построена термодинамика адсорбции газов углеродными нанотрубками. Получены выражения, позволяющие вести расчеты с учетом действия внешних факторов, учитывать различные типы взаимодействия при адсорбции, а следовательно, позволяющие анализировать процессы как физической, так и химической адсорбции и определять ее термодинамические параметры. Теоретические модели апробированы на примере физической адсорбции водорода.

Независимо от того, в каком агрегатном состоянии находится среда, с которой контактирует УНТ, в ней можно <...> v N r RN N W n p n N n β β β α α α−β β β α α β β βα β α α α = − ∏ , (10) где ( )c vN – эффективная плотность <...> состояния в зоне проводимости (валентной зоне); ( )n p – концентрация свободных электронов (дырок); <...> ( )r Rβ βα α – фактор вырождения заполненного (незаполненного) электронного состояния Copyright ОАО « <...> Данная вероятность учитывает перестановку электронов и дырок по состояниям разрешенных зон УНТ, адсорбантов

3

ОБРАЗОВАНИЕ КОНДЕНСИРОВАННЫХ ПРОДУКТОВ СГОРАНИЯ В ПЫЛЕВЫХ ПЛАМЕНАХ МЕТАЛЛОВ: СТАДИЯ КОАГУЛЯЦИИ [Электронный ресурс] / Полетаев // Физика горения и взрыва .— 2015 .— №4 .— С. 52-66 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/356551

Автор: Полетаев

Рассмотрена динамика коагуляции конденсированных продуктов парофазного или газофазного горения газовзвесей микродисперсных металлических частиц в условиях ламинарного пылевого пламени с учетом ионизации зоны горения примесями электроотрицательных и электроположительных атомов и в результате термоэлектронной эмиссии. Изучено влияние степени ионизации монодисперсного коагулирующего аэрозоля и заряда частиц на константу скорости коагуляции. Показано, что наиболее сильное влияние на скорость коагуляции аэрозоля оказывает кулоновское взаимодействие одноименно заряженных частиц конденсированной фазы, которое при определенных условиях приводит к ранней остановке этой стадии конденсации продуктов сгорания. Ионизация коагулирующих частиц обусловливает появление зависимости размера первичных частиц продуктов сгорания от параметров среды, влияющих на их электрический заряд, иможет применяться для целенаправленного управления дисперсностью продуктов сгорания.

зародыша rn = rWn1/3, где rW = (3mg/4πρ) 1/3 — радиус ячейки Вигнера— Зейтса, mg — масса молекулы, ρ— плотность <...> правой части (5) вычислен в [5, 18, 19]: dN(t) dt = −3.4k0f1/6l N11/6, (6) где fl(t) = ∞∫ 0 nf(n, t)dn — плотность <...> степень вырождения для ионов и атомов электроположительного газа, νe = 2 ( mekBTg 2π�2 )3/2 — эффективная плотность <...> состояния электронов. <...> Современное состояние теории гомогенной нуклеации // Успехи химии. — 1976. — Т. 45, вып. 3. — C. 385–

4

№2 [Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия "Металлургия", 2011]

Публикуются статьи, отражающие проблемы развития черной и цветной металлургии. Рассматриваются физико-химические процессы металлургии и практика их проведения.

; ρТ – плотность при заданной температуре. <...> Рассчитаны равновесные положения атомов водорода, плотности состояний, определены энергии взаимодействия <...> Любопытно отметить, что локальные плотности состояний n(E) для различных атомов железа, находящихся в <...> состояний. <...> Плотность состояния для системы Fe53H2 для атомов железа в первом окружении вакансии Рис. 8 Схематическое

Предпросмотр: Вестник Южно-Уральского государственного университета. Серия Металлургия №2 2011.pdf (0,7 Мб)
5

Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях [монография]

Автор: Ирхин В. Ю.
М.: Институт компьютерных исследований

Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f -систем в рамках многоэлектронных моделей.

Плотность состояний (эВ−1, сплошная линия, правая ось) и интегральная плотность состояний (пунктирная <...> Плотность состояний (эВ−1, сплошная линия, правая ось) и интегральная плотность состояний (пунктирная <...> ближнего магнитного порядка (локальная плотность состояний подобна плотности состояний в ферромагнитном <...> Плотность состояний полуметаллического ферромагнетика с I > 0. <...> Выражение для плотности состояний для спектра (6.57) в терминах затравочной плотности состояний ρ(t)

Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f -металлах и их соединениях.pdf (0,3 Мб)
6

Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты и в d- и f-металлах и их соединениях

Автор: Ирхин Валентин Юрьевич
[Б.и.]

Монография включает обсуждение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Особое внимание уделено теории магнетизма и кинетических явлений. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных транспортных явлений в ферромагнетиках. Помимо изложения классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f-систем в рамках многоэлектронных моделей. Авторы старались дать в основном тексте по возможности простое физическое рассмотрение переходных металлов. Более трудные математические вопросы изложены в Приложениях.

Плотность состояний (эВ−1, сплошная линия, правая ось) и интегральная плотность состояний (пунктирная <...> Плотность состояний (эВ−1, сплошная линия, правая ось) и интегральная плотность состояний (пунктирная <...> ближнего магнитного порядка (локальная плотность состояний подобна плотности состояний в ферромагнитном <...> Плотность состояний полуметаллического ферромагнетика с I > 0. <...> Выражение для плотности состояний для спектра (6.57) в терминах затравочной плотности состояний ρ(t)

Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты и в d- и f-металлах и их соединениях.pdf (0,2 Мб)
7

№7 [Строительные материалы, оборудование, технологии XXI века, 2011]

Журнал вышел в свет в 1998 году, быстро завоевав популярность у читателей. Сегодня он распространяется на территории России и стран СНГ. Журнал "Строительные материалы, оборудование, технологии XXI века" - это ежемесячное научно-информационное издание, посвященное перспективным разработкам в области проектирования, производства и применения современных строительных материалов, изделий и оборудования, ресурсосберегающим технологиям. Пристальное внимание уделяется отечественным и зарубежным научным разработкам в области создания инновационных технологий и продуктов, отвечающим современным требованиям рынка, тенденциям и представлениям в сфере экологии, безопасности, эффективности, комфортной среды обитания. Соответственно, целевая группа читателей - это проектные институты и бюро, архитектурные мастерские, топ-менеджеры строительно-монтажных компаний, девелоперы, малый и средний бизнес в строительной сфере. В структуре целевой группы - профессиональные сообщества стройиндустрии, научно-исследовательские и высшие учебные заведения строительно-архитектурного профиля, а также профильные комитеты Госдумы, местных законодательных органов, структуры всех уровней исполнительной власти. Журнал также выступает в качестве информационного партнера многих строительных отечественных и зарубежных выставок. Миссия журнала - информационное обеспечение развития современного отечественного производства строительных материалов и стройиндустрии.

ЛПП отличаются большей плотностью, несущей способностью и более гладкой поверхностью. <...> D=800, с заполнением внутреннего объема стен толщиной 250 мм гипсобетоном плотностью D=400. <...> не должно выводить его за рамки предельного состояния. <...> Такая спасательная капсула должна ожидать своего часа долгое время в «заряженном» состоянии. <...> Компоненты сырьевой смеси перемешивают до однородного состояния не более чем 6 мин.

Предпросмотр: Строительные материалы, оборудование, технологии XXI века №7 2011.pdf (0,3 Мб)
8

№11 [Физика твердого тела, 2017]

порядка [9] на электронную плотность состояния N(E). <...> На вставках — плотности электронных состояний по данным работы [1]. <...> в плотности состояний N(E), образуют практически чистые кислородные состояния. <...> Наличие этого разрыва хорошо видно в плотности состояний на рис. 2. <...> Главный максимум в плотности состояний приходится на область кислородных состояний.

Предпросмотр: Физика твердого тела №11 2017.pdf (0,1 Мб)
9

№8 [Физика твердого тела, 2017]

их плотность значительно ниже плотности состояний в разрешенных зонах [10,11]. <...> Гигантская плотность локализованных состояний, сопоставимая с плотностью распространенных состояний в <...> состояний в точке Дирака не обращается в нуль и, во-вторых, в области малых энергий плотность состояний <...> отвечающая положительным энергиям часть плотности состояний. <...> , волны зарядовой плотности и однородное состояние (ПМ).

Предпросмотр: Физика твердого тела №8 2017.pdf (0,1 Мб)
10

№2 [Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2019]

Издание представляет публикацию результатов фундаментальных, перспективных исследований, проводимых учеными Поволжья

и плотность электронных состояний. <...> Пики плотности электронных состояний соответствуют сингулярностям Ван Хова. <...> и плотность электронных состояний. <...> Затем были вычислены энергии основного состояния и плотность электронных состояний в модели Хаббарда <...> Из анализа графиков для плотности электронного состояния следует, что вблизи энергии Ферми плотность

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки №2 2019.pdf (0,5 Мб)
11

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2014]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

состояния в валентной зоне. <...> Границей между устойчивым состоянием и распадом в системе является 2RT (пунктир на рис.3). <...> Физика на переломе тысячелетий: конденсированное состояние. – М.: ЛКИ, 2012. – 110 с. 2. <...> Релаксация нейтрального состояния марганца в арсениде галлия / В.Ф.Мастеров, К.Ф. Штельмах, В.П. <...> Элемент коммутации находится в разомкнутом состоянии во время действия тока I0 или Ic и в замкнутом состоянии

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №3 2014.pdf (5,7 Мб)
12

Теория систем и системный анализ. Стохастические системы учеб. пособие

Автор: Воробьёв В. А.
Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова

Большая часть пособия посвящена рассмотрению стохастических систем, точнее эргодических динамических моделей: автономный вероятностный автомат, поток случайных событий, система массового обслуживания, сложные линейные и нелинейные системы. Для анализа таких систем используются методы теории автоматов, теории вероятностей, теории случайных процессов. Особенно выделяются марковские процессы, уравнения Колмогорова - Чепмена. Рассмотрены элементы теории массового обслуживания и различные виды систем массового обслуживания. Введены каузальные сети (К-сети) для моделирования сложных систем из взаимодействующих элементов.

состояниями. <...> потоке Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Дифференцируя Р(х < t) по t, получим плотность <...> Такая вероятность будет пропорциональна произведению плотностей взаимодействующих автоматов. <...> В рас­ творе плотность автоматов в состоянии j равна pj = Щ /N, об­ щий объем области взаимодействия <...> Коль скоро pj = Nj/N плотность состояния j в объеме N, то веро­ ятность встречи двух состояний i и у

Предпросмотр: Теория систем и системный анализ.pdf (0,1 Мб)
13

Теория систем и системный анализ. Стохастические системы: учебное пособие

Автор: Воробьев Владимир Анатольевич
Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова

Большая часть пособия посвящена рассмотрению стохастических систем, точнее эргодических динамических моделей: автономный вероятностный автомат, поток случайных событий, система массового обслуживания, сложные линейные и нелинейные системы. Для анализа таких систем используются методы теории автоматов, теории вероятностей, теории случайных процессов. Особенно выделяются марковские процессы, уравнения Колмогорова - Чепмена. Рассмотрены элементы теории массового обслуживания и различные виды систем массового обслуживания. Введены каузальные сети (К-сети) для моделирования сложных систем из взаимодействующих элементов.

состояниями. <...> потоке Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Дифференцируя Р(х < t) по t, получим плотность <...> Такая вероятность будет пропорциональна произведению плотностей взаимодействующих автоматов. <...> В рас­ творе плотность автоматов в состоянии j равна pj = Щ /N, об­ щий объем области взаимодействия <...> Коль скоро pj = Nj/N плотность состояния j в объеме N, то веро­ ятность встречи двух состояний i и у

Предпросмотр: Теория систем и системный анализ. Стохастические системы учебное пособие.pdf (0,3 Мб)
14

Исторический аспект преподавания физики в высшей школе: понятие плотности состояний в оптике, квантовой физике и физике твердого тела [Электронный ресурс] / Гапоненко С.В., Хильманович В.Н. // Физическое образование в вузах .— 2014 .— №2 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/267851

Автор: Гапоненко С.В.

Рассматривается исторический аспект возникновения и развития понятия плотности состояний. Показывается важность этого понятия в квантовой физике, оптике и физике твердого тела, его универсальный, междисциплинарный характер, роль в современной физике. Подчеркиваются некоторые проблемные аспекты, разрешение которых важно для понимания студентами взаимодействия поля и вещества.

, интегральная и локальная плотности состояний. 1. <...> Плотность состояний как физическая величина. <...> Перенос понятия плотности состояний на атомы. <...> Для вывода использовалось понятие плотности состояний. <...> Плотность состояний и нерелятивистская электродинамика.

15

СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ AgCl И AgCl:I С АДСОРБИРОВАННЫМ ИОНОМ СЕРЕБРА [Электронный ресурс] / Тимошенко // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2009 .— №2 .— С. 6-10 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522235

Автор: Тимошенко

Теоретически исследованы спектры поглощения в электрическом дипольном приближении нанокристаллов AgCl и AgCl:I. Показано, что присутствие адсорбированного иона Ag+ на кристаллической поверхности уменьшает локализацию состояний йодной примеси замещения и что у спектра поглощения в таком случае отсутствует характерная структура, которая могла бы быть связана с этой примесью

Далее, рассчитанные спектры поглощения и межзонные плотности состояний представлены на рис. 3—6. <...> Для лучшего визуального восприятия межзонные плотности состояний нормировались так, чтобы их максимумы <...> Спектр поглощения (сплошная линия) и межзонная плотность состояний для НК Ag242Cl242 Рис. 4. <...> Спектр поглощения (сплошная линия) и межзонная плотность состояний для НК Ag242Cl241I Ю. К. <...> Спектр поглощения (сплошная линия) и межзонная плотность состояний для НК (Ag242Cl242I) + локализации

16

Квантовый транспорт: от атома к транзистору Quantum Transport: Atom to Transistor

Автор: Датта С.
М.: Институт компьютерных исследований

Книга С. Дaттa, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора.

плотность состояний). <...> Плотность состояний � 203 Таблица 6.2.2. <...> Плотность состояний � 205 что совпадает с плотностью состояний в графите (сравните с выражением (6.2.10 <...> Сравните трехмерную плотность состояний с плотностью состояний в двумерной потенциальной яме толщиной <...> Сравните плотность состояний в графите с плотностью состояний в зигзагообразной нанотрубке диаметра (

Предпросмотр: Квантовый транспорт от атома к транзистору.pdf (0,2 Мб)
17

ВЛИЯНИЕ ФОКУСИРОВКИ ФОНОНОВ НА КНУДСЕНОВСКОЕ ТЕЧЕНИЕ ФОНОННОГО ГАЗА В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОПРОВОДАХ ИЗ МАТЕРИАЛОВ СПИНТРОНИКИ [Электронный ресурс] / Бахарев, Кулеев, Устинов // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №1 .— С. 12-22 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/585748

Автор: Бахарев

Исследовано влияние анизотропии упругой энергии на фононный транспорт в монокристаллических нанопроводах из материалов Fe, Cu, MgO, InSb и GaAs, используемых для создания приборов и устройств спинтроники, в режиме кнудсеновского течения фононного газа. Предложен новый метод анализа фокусировки квазипоперечных мод, который позволил определить средние значения плотностей фононных состояний для областей фокусировки и дефокусировки медленных и быстрых квазипоперечных мод. Проанализировано влияние фокусировки фононов на анизотропию теплопроводности и длин свободного пробега фононов для всех акустических мод в спинтронных наноструктурах. Показано, что для всех нанопроводов угловые зависимости длин пробега быстрых и медленных поперечных мод в плоскостях {100} и {110} коррелируют с угловыми зависимостями плотностей фононных состояний для этих мод. Определены направления потока тепла, обеспечивающие максимальную и минимальную фононную теплопроводность в нанопроводах

Рассмотрим влияние фокусировки фононов на плотность фононных состояний и кинетические характеристики <...> Построены угловые распределения плотностей фононных состояний квазипоперечных мод. <...> , для MgO имеем Для области дефокусировки средняя плотность состояний будет меньше, чем в отношении = <...> кристаллов MgO: для кристаллов InSb анизотропия плотности состояний для моды t2 в плоскости {100} на <...> Минимальное значение параметр k – 1 имеет в кристаллах MgO, а отношение средних плотностей состояний

18

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ НАНОПЛЕНОК Cr3Si [Электронный ресурс] / Переславцева, Уткин, Курганский // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2010 .— №1 .— С. 44-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522258

Автор: Переславцева

В рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн выполнен расчет зонной структуры, полных и парциальных плотностей электронных состояний пленок Cr3Si толщиной в две элементарные ячейки и четыре элементарные ячейки.

. № 1 УДК 539.26; 546.281; 539.216.2; ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ НАНОПЛЕНОК Cr3Si Н. <...> Ключевые слова: силициды, зонная структура, плотность электронных состояний. Abstract. <...> площадь двумерной зоны Бриллюэна); парциальная плотность состояний n E S Q E E d BZ sl i SBZ i ( ) ( <...> ПОЛНЫЕ И ПАРЦИАЛЬНЫЕ ПЛОТНОСТИ СОСТОЯНИЙ Полные плотности состояний для пленочной модели толщиной в две <...> Соответствующие парциальные плотности состояний приведены на рисунках 5 и 6.

19

СТРУКТУРЫ ЗОН И ПЛОТНОСТЕЙ СОСТОЯНИЙ АНТИМОНИДА ИИНЯД [Электронный ресурс] / ПЕРЕВОЩИКОВ, КАЛУГИН, СОБОЛЕВ // Химическая физика и мезоскопия .— 2014 .— №1 .— С. 145-151 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/414627

Автор: ПЕРЕВОЩИКОВ

Впервые определены зоны и плотности состояний анмтоинида индия InSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия для многих направенлий зоны Бриллюэна, в том числе с учетом остовных зон d- и s-типа. Рассмотрены вклады состояний -s,-,d-pтипа отдельно индия и сурьмы. Расчеты выпоылнен методом LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA). Установлены основные особенности влниияя спин-орбитальной связи на электронную структуру кристалла InSb.

Том 16, №1 145 УДК 537.226.112 СТРУКТУРЫ ЗОН И ПЛОТНОСТЕЙ СОСТОЯНИЙ АНТИМОНИДА ИНДИЯ ПЕРЕВОЩИКОВ Д.А. <...> Впервые определены зоны и плотности состояний антимонида индия InSb с учетом и без учета спин-орбитального <...> СОСТОЯНИЙ Расчеты электронной плотности состояний N(E) выполнены на основе энергетических зон с помощью <...> обоих компонент соединения в спектры плотностей состояний. <...> зон и максимумов плотностей занятых и свободных состояний.

20

Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубках [Электронный ресурс] / Булярский, Вострецова, Ермаков // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2012 .— №4 .— С. 205-213 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270037

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

Исследуется вольт-амперная характеристика полупроводниковой однослойной углеродной нанотрубки. Найдены выражения для концентрации электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости (валентной зоне) для полупроводниковой нанотрубки. Из приведенной скорости рекомбинации определены параметры энергий локальных состояний, участвующих в процессе переноса тока.

Найдены выражения для концентрации электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости <...> Ключевые слова: плотность состояний, полупроводниковая углеродная нанотрубка, концентрация электронов <...> Для расчетов нам необходимо знать cN , vN – плотность состояний в зоне проводимости и валентной зоне, <...> По формулам (6) и (7) были вычислены концентрации электронов и дырок и эффективная плотность состояний <...> шнуре (при условии ** pn mm  ), с использованием которых были найдены значения плотности состояний

21

Электронные свойства и применение нанотрубок [монография]

Автор: Дьячков П. Н.
М.: Лаборатория знаний

Монография всеобъемлюще отражает самые последние сведения в области изучения и применения нанотрубок за последние двадцать лет. Приведена информация о методах их получения, структуре, электронных, оптических, механических, магнитных и эмиссионных свойствах. Описаны во многом удивительные изобретения, полученные с помощью этих новых материалов: одноэлектронный, полевой и квантовый нанотранзисторы, химические сенсоры, источники оптического и рентгеновского излучения, логические элементы, ячейки памяти и даже радиоприемник на одной-единственной углеродной нанотрубке. Значительное внимание уделено расчетам электронного строения нанотрубок с помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн. Один из разделов книги посвящен новому направлению в науке — наноэлектромагнетизму.

Плотность состояний на этом уровне равна нулю. <...> в полную плотность состояний. 2.6.2.2.3. <...> В МТ-области бора плотность состояний еще выше. <...> Плотность состояний на этом уровне равна нулю. <...> в полную плотность состояний. 2.6.2.2.3.

Предпросмотр: Электронные свойства и применение нанотрубок.pdf (0,4 Мб)
22

РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РАСЧЕТЫ ТЕЛЛУРИДА [Электронный ресурс] / ПИРОГОВА, КАЛУГИН, СОБОЛЕВ // Химическая физика и мезоскопия .— 2014 .— №2 .— С. 123-128 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/414664

Автор: ПИРОГОВА

Определены зоны и плотности состояниNй(E) теллурида кадмия в интервале от -61 до 33 эВ относительно максимума валентных зон с учетом споирнб-итального взаимодействия и без его учета, а ет акж парциальные вклады s-,p-,d-состояний обоих компонент соединения в формироваенизон иN(E). Расчеты выполнены методом FP-LAPW с обменно-корреляционнымпотенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA) с помощью пакета програWммI EN2k.

Определены зоны и плотности состояний N(E) теллурида кадмия в интервале от -61 до 33 эВ относительно <...> Спектры плотности состояний и диэлектрической проницаемости рассчитывались методом тетраэдров [22]. <...> Далее были рассчитаны спектры плотностей занятых и свободных состояний на основе энергетических зон, <...> Парциальные плотности состояний для Cd (а) и Te (б) и полная плотность состояний для CdTe (в), рассчитанные <...> плотностей состояний.

23

ОСОБЕННОСТИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ТЕПЛОЕМКОСТИ МЕЛКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ВТСП YBA2CU3O6.93, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ НАНОМАСШТАБНОЙ СТРУКТУРНОЙ НЕОДНОРОДНОСТЬЮ [Электронный ресурс] / Мамсурова [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 96-101 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593326

Автор: Мамсурова

Проведено сравнительное исследование низкотемпературной теплоемкости высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3Oy в области температур 2÷10 К для двух типов образцов. К первому типу относятся оптимально допированные мелкокристаллические образцы с разной степенью наномасштабной структурной неоднородности, ко второму типу – крупнокристаллические равновесные образцы с разным уровнем дырочного допирования. Выявлена общность в поведении различных вкладов в теплоемкость для структурно неоднородных и недодопированных образцов. Для обоих типов образцов выявлен линейный по температуре металлический вклад ∼ γT , не свойственный сверхпроводящей фазе. Установлено, что при уменьшении содержания кислорода доля этого вклада умеренно возрастает, но при увеличении степени структурной неоднородности рост линейного вклада (γT ) становится аномально большим. Сделан вывод о сосуществовании металлических и сверхпроводящих электронных состояний в объеме исследуемых образцов и о возможной причастности этой общей особенности электронных систем к образованию псевдощелевого режима, который, как показано, подавляет именно сверхпроводящие состояния, оставляя без изменения металлические

Конечная крутизна щели в узлах вызывает линейное изменение низкоэнергетической плотности состояний: N <...> электронных состояний в образцах, представлены значения∆γ(Tc), характеризующие плотность сверхпроводящих <...> состояний, а также их сумму и долю металлических состояний, по сравнению с общей плотностью состояний <...> Видно, что доля металлических состояний составляет существенную часть значений для плотности состояний <...> состояний.

24

Электронная структура соединений с сильными корреляциями [монография]

Автор: Изюмов Ю. А.
Регулярная и хаотическая динамика

Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем.

плотность ρ(r) и полную энергию основного состояния системы. <...> с нулевой плотностью состояний на уровне ω = 0. <...> Температурная зависимость a) полной плотности состояний и b) плотности состояний f -электронов ρf (ω) <...> (5.4.13) для одноузельной (локальной) плотности состояний. <...> плотностью состояний Fe-3d-зоны из DFT-расчета.

Предпросмотр: Электронная структура соединений с сильными корреляциями.pdf (0,3 Мб)
25

Уроки наноэлектроники. 3. Электронная проводимость и моды проводимости в концепции «снизу-вверх» [Электронный ресурс] / Ю.А. Кругляк, Кругляк // Физическое образование в вузах .— 2013 .— №3 .— С. 101-112 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/420229

Автор: Кругляк Юрий Алексеевич

В рамках концепции «снизу-вверх» современной наноэлектроники рассматриваются общие вопросы электронной проводимости, моды проводимости, проводники n- и p-типа и графен.

Плотность состояний D(E) и полное число электронов N(E). <...> Плотность состояний D(E). <...> Полученная таким образом функция числа состояний N(E) должна быть равна плотности состояний D(E), проинтегрированной <...> вплоть до энергии состояний Е ∫ ∞− = E EDdEEN ),()( так что плотность состояний ,)( dE dNED = (20) а <...> Равновесная функция Ферми f 0 (E), плотность состояний D(E) и число состояний N(E) для р�проводника с

26

Физика наносистем

Автор: Сергеев Николай Александрович
М.: Логос

Изложены основы физики наносистем. Обсуждаются свойства сверхрешеток, транспортные явления в низкоразмерных системах, оптические свойства наноструктур, квантовые явления в магнитном поле. Анализируются перспективы создания различных устройств наноэлектроники и молекулярной электроники. Для студентов высших учебных заведений, аспирантов, научных работников и инженеров, работающих в области физики наносистем и нанотехнологий.

Функция плотности состояний двумерных систем 69 . <...> Плотность электронных состояний в низкоразмерных системах 80 Показать, что плотность электронных состояний <...> Эта плотность состояний равна половине полной плотности состояний, описываемой выражением (6.18): , ( <...> Плотность состояний двумерной системы в магнитном поле. <...> Двумерная плотность состояний при наличии примесей в образце.

Предпросмотр: Физика наносистем (1).pdf (0,3 Мб)
27

№2 [Физическое образование в вузах, 2014]

Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ О.Н. Крохин. Основные разделы журнала 1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в вузе, техникуме, колледже. 2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах. 3. Современный лабораторный практикум по физике. 4. Демонстрационный лекционный эксперимент. 5. Информационные технологии в физическом образовании. 6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних учебных заведениях. 7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента. 8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами. 9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.

, интегральная и локальная плотности состояний. 1. <...> Плотность состояний как физическая величина. <...> Перенос понятия плотности состояний на атомы. <...> Для вывода использовалось понятие плотности состояний. <...> Плотность состояний и нерелятивистская электродинамика.

Предпросмотр: Физическое образование в вузах №2 2014.pdf (2,4 Мб)
28

Электронная структура нанокристалла AgCl c адсорбированным на атомно-шероховатой поверхности ионом серебра [Электронный ресурс] / Тимошенко, Шунина // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2006 .— №1 .— С. 82-86 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/521332

Автор: Тимошенко

Полуэмпирическим методом сильной связи с самосогласованием по эффективным зарядам и дипольным моментам ионов рассчитаны полные и локальные плотности состояний нанокристаллов AgCl с адсорбированным ионом серебра. Адсорбция рассматривалась как на атомношероховатой поверхности (вблизи ступеньки и излома ступеньки), так и на гладкой поверхности. На основе полученных данных делается, в частности, вывод, что следует ожидать усиление локализации фотоэлектронов с уменьшением количества ближайших к адсорбированному иону анионов подложки. То есть, наиболее эффективный захват фотоэлектрона должен происходить при адсорбции на гладкой поверхности, а не вблизи ступенек и их изломов, как до сих пор было принято считать

Кроме того, помимо некоторого перераспределения плотности состояний имеет место сдвиг как целого плотности <...> Были рассчитаны локальные и полные плотности состояний, как для НК с адсорбированным ионом Ag+, так и <...> МаТЕМаТИКа, 2006, № � На рис. 2 и 3 приведены полные плотности состояний (ппС) для НК с адсорбированным <...> на поверхности катионом и с чистой поверхностью, а на рис. 4 локальные плотности состояний (ЛпС) для <...> Совмещение на одном графике плотности состояний НК и краев валентной зоны и зоны проводимости идеального

29

Сканирующая туннельная микроскопия метод. указания по выполнению лаб. работ

ЯрГУ

Предназначены для студентов, обучающихся по направлению 210100.62 Электроника и наноэлектроника (дисциплина «Физические методы диагностики наноструктур», цикл БЗ), очной формы обучения.

состояний, связанная с атомом зонда, S(ro,E) – плотность состояний образца при ro, kSeeVErT 20 ),,( <...> Таким образом, туннельный ток представляет собой свертку плотности состояний зонда и образца. <...> В предположении постоянства плотности состояний зонда изменение туннельного тока с напряжением может <...> Если считать, что энергетический спектр материала острия не содержит особенностей плотности состояний <...> полупроводника лежат при энергиях EF =1–2 эВ, где плотность состояний вольфрама не имеет особенностей

Предпросмотр: Сканирующая туннельная микроскопия методические указания.pdf (0,6 Мб)
30

НОРМАЛЬНОЕ СОСТОЯНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЕРОВОДОРОДА [Электронный ресурс] / Кутуков, Мазур // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №2 .— С. 11-21 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/585760

Автор: Кутуков

Обобщенная теория нормальных свойств металла на случай электрон-фононных (ЭФ) систем с непостоянной плотностью электронных состояний используется для изучения нормального состояния фаз SH3 и SH2 сероводорода при различных давлениях. Рассчитываются частотная зависимость реальной ReΣ(ω) и мнимой Im Σ(ω) части собственно-энергетической части (СЧ) функции Грина электрона Σ(ω), реальная Re Z (ω) и мнимая части Im Z (ω) комплексной перенормировки массы электрона, реальная Reχ(ω) и мнимая Imχ(ω) части комплексной перенормировки химического потенциала, а также перенормированная сильным электрон-фононным взаимодействием плотность электронных состояний N (ε) Расчеты проведены для стабильной орторомбической структуры IM-3M сероводорода SH3 для трех значений давления P = 170, 180, 225 ГПа и структуры SH2 с симметрией I4/MMM (D4H-17) для трех значений давления P = 150, 180, 225 ГПа при температуре Т = 200 К.

Было показано, что для плотности электронных состояний SH3 при представленном значении давления уровень <...> Энергетическая зонная структура электронов в фазе SH3, а также плотность электронных состояний в фазе <...> ” плотность электронных состояний (3) Такая плотность состояний N(z') не является симметричной (четной <...> Обезразмереннная полная плотность электронных состояний с сероводороде SH3. <...> Обезразмереннная полная плотность электронных состояний в фазе SH2 сероводорода.

31

№1 [Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2008]

Издание представляет публикацию результатов фундаментальных, перспективных исследований, проводимых учеными Поволжья

Плотность интеграла ( ) ( ) ( )5 22 21 1t t Wϕ = − ∈ . <...> v N r RN N W n p n N n β β β α α α−β β β α α β β βα β α α α = − ∏ , (10) где ( )c vN – эффективная плотность <...> состояния КТ , ,n m nρ′ ′ ′ψ . <...> Положительна и средняя плотность энергии в волне, как следует из выражения (13). <...> Но, поскольку средняя плотность энергии в волне также отрицательна, то плотность потока энергии, как

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки №1 2008.pdf (0,6 Мб)
32

НАНОРАЗМЕРНЫЕ ЧАСТИЦЫ ГРАФИТА, ИХ СОЕДИНЕНИЯ И ПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ [Электронный ресурс] / Зиатдинов // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2013 .— №7 .— С. 1-6 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/413257

Автор: Зиатдинов

Представлены наиболее важные результаты синтеза и исследований нанографенов, нанографитов, а также соединений и пленочных структур нанографитов, полученные за последние годы. Обозначены перспективные направления их дальнейших исследований. Сделан вывод, что рассмотренные углеродные системы являются перспективными материалами элементной базы новой техники.

Плотность заряда в краевом состоянии преимущественно локализована в зигзагообразных позициях. <...> Зависимости энергетических зон от волнового числа (а) и плотности электронных состояний от энергии (б <...> Для оценки плотности электронных состояний на уровне Ферми нанографитов мы воспользовались тем, что в <...> Такого рода оценки для волокон с удельной поверхностью ≈2000 м 2 /г показали, что плотность состояний <...> Вблизи края с чисто седлообразной структурой подобный пик плотности состояний не наблюдается.

33

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОКАЛОРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА В КОРРЕЛИРОВАННЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ C СИНГУЛЯРНОСТЯМИ ВАН ХОВА В ЭЛЕКТРОННОМ СПЕКТРЕ [Электронный ресурс] / Игошев, Кокорина, Некрасов // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №3 .— С. 5-15 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591866

Автор: Игошев

В работе исследована величина магнитного вклада в изотермическое изменение энтропии ΔS при включении магнитного поля в коррелированных металлических ферромагнетиках в рамках невырожденной модели Хаббарда. Полученное в приближении среднего поля аналитическое выражение для ΔS существенно зависит от электронной структуры (плотности электронных состояний), что открывает новые пути увеличения абсолютного значения ΔS по отношению к известному результату, полученному в рамках модели Гайзенберга. Вычислена температурная зависимость ΔS при различных величинах кулоновского взаимодействия U, числа электронов n для бесконечномерной решетки Бете и квадратной решетки с учетом интегралов переноса в первой (t) и второй (t') координационных сферах. Найдено, что присутствие сингулярностей ван Хова в электронном спектре вблизи уровня Ферми может позволить существенно увеличить величину ΔS при фиксированной величине магнитного поля. Проанализирована возможность магнитного фазового перехода первого рода в зависимости от параметров модели

Такой выбор обусловлен тем, что плотность электронных состояний в этом случае имитирует плотность состояний <...> электронных состояний ρ и все eе производные берутся при Видно, что величина определяется плотностью <...> Плотность электронных состояний в единицах см. определение (9), для бесконечномерной решетки Бете при <...> состояний при связан с наличием локального максимума при Графики плотности состояний для различных показаны <...> Плотность электронных состояний в единицах см. определение (9), для квадратной решетки при различных

34

Вычисление термоэлектрических величин PbTe в трехзонной модели электронного энергетического спектра [Электронный ресурс] / Дмитриев, Ткачева // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2014 .— №3 .— С. 38-44 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/570132

Автор: Дмитриев

Теоретически исследованы термоэлектрические характеристики теллурида свинца n- и p-типа в широком интервале температур от 300 до 900 К при уровне донорного и акцепторного легирования до 1 · 1019 см−3 . Для расчетов впервые использована трехзонная модель электронного энергетического спектра. Вычислены кинетические характеристики материала, включая электрои теплопроводности и коэффициент Зеебека, а также термоэлектрическая эффективность. Рассчитанные термоэлектрические характеристики находятся в хорошем согласии с имеющимися экспериментальными данными

Энергия в эВ, температура в К Быстрое изменение плотности состояний в окрестности узкой примесной зоны <...> Дело в том, что плотность состояний быстро увеличивается также вблизи края разрешенной зоны кристалла <...> Другие важные величины, связанные со спектром, суть плотность состояний g , скорость носителей заряда <...> В плотности состояний учтено крамерсовское вырождение. <...> Используя формулу (6) для плотности состояний, получаем следующее выражение для плотности электронов

35

Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений [монография]

Автор: Изюмов Ю. А.
М.: Институт компьютерных исследований

Анализируются физические свойства и электронные модели нового класса высокотемпературных сверхпроводников в слоистых соединениях на основе железа. Несмотря на различный химический состав и различие в кристаллической структуре, они имеют похожие физические свойства, обусловленные электронными носителями в FeAs-слоях и их взаимодействием с флуктуациями магнитного порядка. Исключительный интерес к ним объясняется перспективами практического применения. В монографии дается полная картина формирования их физических свойств на основе теоретических моделей и электронной структуры.

Наряду с дисперсионными кривыми изменяется плотность состояний. <...> Плотность состояний на уровне Ферми N(EF) = 1.456 эВ−1 на атом Fe. <...> Так, плотность состояний вблизи уровня Ферми формируется орбитальными состояниями атомов Fe. <...> Плотность состояний на уровне Ферми дана в табл. 6. <...> Плотность состояний и дифференциальная туннельная проводимость Плотность состояний в электронном спектре

Предпросмотр: Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений (2-ое изд., испр. и доп. ).pdf (0,3 Мб)
36

ФУНКЦИЯ ГРИНА КАСКАДА КВАНТОВЫХ ЯМ [Электронный ресурс] / Долгих [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2009 .— №1 .— С. 35-39 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522214

Автор: Долгих

Для электрона в квантовой яме в рамках метода трансфер-матрицы найдены функция Грина и обобщенная восприимчивость, определяющие энергетический спектр, плотность электронных состояний и отклик системы на внешние воздействия. С использованием решений Йоста задачи рассеяния проведено построение функции Грина, полюсы и вычеты которой определяют энергетические уровни и волновые функции состояний дискретного спектра, в то время как след ее мнимой части характеризует плотность электронных состояний. Проведен расчет частотной зависимости обобщенной восприимчивости для основного состояния в квантовой яме

дискретного спектра, в то время как след ее мнимой части характеризует плотность электронных состояний <...> ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ Рассмотрим изменение плотности состояний электрона при движении его в <...> Плотность состояний r( )k выражается через функцию Грина следующим образом [8]: r p p ( ) Im ( ) Im ( <...> Выражение для добавки Dr( )k в плотности состояний (14) имеет следующий вид: Dr p ( ) Im [ ( , , ) ( <...> Например, можно показать, что плотность состояний имеет простые полюсы в точках дискретного спектра.

37

Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700

Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ

Книга представляет собой курс лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования.

Плотность состояний имеет важный физический смысл. <...> Плотность состояний имеет важный физический смысл. <...> Плотность состояний элементарных наноструктур. <...> Плотность состояний элементарных наноструктур. <...> Плотность состояний элементарных наноструктур.

Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики» по направлению подготовки 200700.pdf (0,6 Мб)
38

Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учеб. пособие

Автор: Головкина М. В.
Изд-во ПГУТИ

Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014.

Плотность состояний имеет важный физический смысл. <...> Используем метод Рэлея для расчета плотности состояний [3]. <...> состояний D(k)следующим образом: dk k dkkD 2 2 2 )(   . (3.8) Тогда искомая плотность состояний для <...> плотности состояний, записанной в  пространстве D(). <...> Плотность состояний элементарных наноструктур [39].

Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики учебное пособие.pdf (0,8 Мб)
39

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ МАТЕРИАЛОВ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ КВАЗИБИНАРНОГО РАЗРЕЗА GETE−SB2TE3 [Электронный ресурс] / Шерченков [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 14-20 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591931

Автор: Шерченков

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe−Sb2Te3: Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4 и GeSb4Te7. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe−Sb2Te3, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти

зоны проводимости, распространяющиеся в щель по подвижности и имеющие экспоненциальные распределения плотности <...> состояний, а также граничные энергии, отделяющие локализованные состояния от распространенных состояний <...> состояний в ней. <...> Для ТОПЗ в идеальном диэлектрике характерна следующая зависимость плотности тока от напряжения [21]: <...> В частности, при переходе от GST225 к GST147 плотность состояний Nt увеличивается с 8 · 1014 до 2 · 1016

40

Уроки наноэлектроники. 2. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу–вверх» [Электронный ресурс] / Физическое образование в вузах .— 2013 .— №2 .— С. 163-175 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/420253

В рамках концепции «снизу–вверх» современной наноэлектроники рассматриваются модель упругого резистора, баллистический и диффузионный транспорт, моды проводимости. Дается новая формулировка закона Ома.

Рассмотрим, как плотность состояний D и время пролета t в выражении для проводимости (8) соотносятся <...> Плотность состояний – это аддитивное свойство. <...> В два раза больший канал имеет в два раза больше электронных состояний, так что плотность состояний для <...> Из уравнения (37) видно, что баллистическая проводимость пропорциональна плотности состояний на единицу <...> Поскольку плотность состояний пропорциональна объему, то можно ожидать, что баллистическая проводимость

41

СТРУКТУРА И НЕКОТОРЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА УГЛЕРОДНОЙ И КРЕМНИЕВОЙ ФАЗ С АЛМАЗОПОДОБНОЙ РЕШЕТКОЙ LA3 [Электронный ресурс] / Беленков, Грешняков // Журнал структурной химии .— 2016 .— №5 .— С. 42-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/449642

Автор: Беленков

Расчеты структуры и свойств двух алмазоподобных фаз C-LA3 и Si-LA3 с кристаллографически эквивалентными позициями атомов выполнены методом теории функционала плотности с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (DFT-GGA). Для этих фаз определены структурные характеристики, энергии когезии, плотности электронных состояний (DOS), объемные модули и рассчитаны порошковые рентгенограммы. Установлено, что энергии когезии, ширина запрещенных зон и объемные модули фаз C-LA3 и Si-LA3 меньше соответствующих значений для кубического алмаза и кремния. Также в статье выполнен анализ возможных путей экспериментального получения алмазоподобных фаз C-LA3 и Si-LA3

Для этих фаз определены структурные характеристики, энергии когезии, плотности электронных состояний <...> Кроме интегральных плотностей состояний были рассчитаны парциальные DOS для sи p-состояний (см. рис. <...> Установлено, что отличия графиков полных плотностей состояний обусловлены отличиями в парциальных плотностях <...> Плотность электронных состояний углеродных и кремниевых алмазоподобных фаз (1 — полная плотность состояний <...> , плотности электронных состояний и порошковые рентгенограммы.

42

АТОМНАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ CDTE (111)B−(23 Ч 4) ОРТ. [Электронный ресурс] / Бекенев, Зубкова // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №1 .— С. 30-39 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591910

Автор: Бекенев

Впервые проведены ab init√io расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe (111)B−(2 3 Ч 4) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ∼ 16 !. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.

электронных состояний, плотности распределения заряда валентных электронов) являются важным условием <...> Плотность состояний На рис. 7, 8 представлены результаты расчетов плотности электронных состояний (DOS <...> Кратко обсудим плотности состояний, представленные на этих рисунках. <...> В релаксированном слэбе (рис. 7) расположение пиков на кривых плотности состояний подобно идеальному <...> На рис. 8 представлены плотности состояний реконструированного и релаксированного после реконструкции

43

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЕДИНЕНИЯ GD5SI3 [Электронный ресурс] / Князев, Лукоянов, Кузьмин // Физика твердого тела .— 2017 .— №3 .— С. 5-9 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591814

Автор: Князев

Представлены результаты исследований электронной структуры и оптических свойств гексагонального интерметаллического соединения Gd5Si3. Проведены спин-поляризованные расчеты зонного спектра в приближении локальной электронной плотности с учетом сильных электронных корреляций в 4 f -оболочке иона Gd (метод LSDA + U).Винтерваледлинволн0.22−15 μm методом эллипсометрии определены оптические постоянные соединения, рассчитан ряд спектральных характеристик. На основе рассчитанной плотности электронных состояний анализируется поведение частотной зависимости оптической проводимости в области квантового поглощения света

На основе рассчитанной плотности электронных состояний анализируется поведение частотной зависимости <...> На рис. 1 представлена полная плотность электронных состояний N(E) соединения Gd5Si3 рассчитанная для <...> Плотность электронных состояний соединения Gd5Si3: полная (a) и парциальные для 4 f -электронов Gd (b <...> Анализ структуры рассчитанной плотности состояний (рис. 1) дает возможность идентифицировать эти пики <...> Сравнение показывает, что рассчитанная плотность электронных состояний и экспериментальная частотная

44

Современное модельное описание магнетизма. Статья

Автор: Ирхин Валентин Юрьевич
[Б.и.]

Проведено сопоставление основополагающих работ академика С. В. Вонсовского по многоэлектронным полярной и s-d(f) обменной моделям с последующим развитием теории магнетизма переходных и редкоземельных металлов, а также их соединений. Особый упор делается на вывод различных многоэлектронных моделей (Гейзенберга, Хаббарда, Андерсона), а также соотношения и внутреннюю связь между ними. Среди тем, рассмотренных в обзоре, - многоэлектронные подходы при описании систем d- и f-электронов, атомное представление Х-операторов, проблема сильного коллективизированного магнетизма и формирования локальных моментов, роль неквазичастичных (некогерентных состояний). Обсуждается применение этих концепций к сильнокоррелированным системам, в частности, к полуметаллическим ферромагнетикам и решеткам Кондо.

В частности, Хаббард [10] не нашел магнитных решений для простых затравочных плотностей состояний (хотя <...> (Для других комбинаций знаков основное состояние является более сложным из-за расходимости плотности <...> пик плотности состояний, обусловленный «гигантскими» особенностями ван Хова [7]. <...> (плотность состояний на уровне Ферми со спином вверх оказалось малой, но конечной). <...> Электронная структура, напоминающая полуметаллическую (глубокий минимум плотности состояний на EF для

Предпросмотр: Современное модельное описание магнетизма. Статья.pdf (0,2 Мб)
45

К ТЕОРИИ АДСОРБЦИИ НА ГРАФЕНОПОДОБНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ [Электронный ресурс] / Давыдов // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 86-93 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591945

Автор: Давыдов

На основании предложенной ранее модели электронного спектра бинарных графеноподобных соединений типа ANB8−N построена теория адсорбции, позволяющая выявить роль положения уровня адатома, величины константы взаимодействия адатом−подложка и ширины щели, присущей в свободном состоянии графеноподобному соединению с гетерополярными связями, в формировании электронной структуры адатома. Рассмотрены случаи свободных и эпитаксиальных графеноподобных соединений на поверхности металла. В случае свободных графеноподобных соединений анализ показал, что при больших и промежуточных значениях константы связи адатом−графеноподобное соединение основной вклад в число заполнения адатома na дают локальные состояния, тогда как с уменьшением константы связи возрастает вклад валентной зоны графеноподобного соединения. Основной особенностью эпитаксиального графеноподобного соединения на металле является отсутствие щели и, как следствие, вклада локальных состояний адатома в na. Оценки показали, что изменения констант связей адатом−подложка и графеноподобное соединение−металл влияют на величину na практически одинаковым образом. При этом зависимость na от ширины щели графеноподобного соединения с качественной точки зрения критичной не является. Кратко обсуждается адсорбция на структуре графеноподобное соединение−полупроводник

Плотность состояний атома, адсорбированного на однослойном графене, исследовалась достаточно подробно <...> Зависимости приведенной плотности состояний ГПС f AB (1) и функции сдвига квазиуровня адатома λa (2) <...> Зависимости приведенных плотностей состояний на адатоме ρ̄a от безразмерной энергии x = ω/ξ при α = 1 <...> Отметим, что при этом плотность состояний на адатоме в области валентной зоны ρ̄a(x) ∼ 2α|xr |/η2 � 1 <...> В соответствии с этой заменой плотность состояний эпитаксиального ГПС на металлической подложке имеет

46

Плотность одно- и двухчастичных состояний в кристаллах ниобата лития [Электронный ресурс] / Аникьев // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2013 .— №7 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/276490

Автор: Аникьев
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Численный расчет спектральной интенсивности омбинационного рассеяния света (КРС) в ниобате лития при различных температурах проведен с использованием конкретного вида дисперсионных кривых акустических и оптических ветвей, полученных из экспериментов по рассеянию медленных нейтронов. Показано, что наблюдаемые в ходе эксперимента температурные изменения спектров КРС ниобата лития вблизи точки фазового перехода хорошо поддаются объяснению в рамках применяемой теоретической модели. Одним из наиболее существенных результатов работы является обнаружение особенностей в плотности фононных состояний акустических фононов (акустический резонанс) и разностных фононных состояний — разностное связанное состояние оптических фононов.

Плотность однои двухчастичных состояний в кристаллах ниобата лития 1 УДК 535.361:535.42 Плотность однои <...> Ключевые слова: плотность состояний, фонон, Раман-спектры, связанное состояние, ниобат лития Введение <...> Двухфононная плотность состояний рассчитана по соотношению 0 2 ( )ρ ω = 0 22 ( )2 ω ;gω функция плотности <...> Плотность состояний оптических фононов при различных температурах. <...> Плотность однои двухчастичных состояний в кристаллах ниобата лития.

47

Элементы физики твердого тела учеб. пособие

Автор: Федоров Б. В.
ТюмГНГУ

Учебное пособие представляет собой систематизированное и доступное изложение курса физики твердого тела, содержащее основные элементы описания физических свойств твердых тел и процессов, происходящих в них.

Зависимость плотности состояний от энергии. <...> Если бы это произошло, то полная плотность состояний была бы суммой плотностей 3sи 3р-состояний. <...> Плотность состояний как функция энергии для бериллия [26]. 2р – состояние Еf Смешанные состояния 2s-состояние <...> Схематический график плотности состояний (Е). <...> Однако плотность состояний и в этом случае мала.

Предпросмотр: elementy-fiziki.pdf (0,7 Мб)
48

ПРЫЖКОВЫЙ ТРАНСПОРТ ЗАРЯДОВ В АМОРФНЫХ ОРГАНИЧЕСКИХ И НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ С ПРОСТРАНСТВЕННО КОРРЕЛИРОВАННЫМ ЛАНДШАФТОМ СЛУЧАЙНОЙ ЭНЕРГИИ [Электронный ресурс] / Новиков // Электрохимия .— 2017 .— №3 .— С. 57-66 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591020

Автор: Новиков

Обсуждаются общие свойства прыжкового транспорта носителей заряда в аморфных органических и неорганических материалах. Рассмотрен случай, когда ландшафт случайной энергии носителя заряда в материале сильно пространственно коррелирован. Это типичная ситуация в органических материалах с гауссовой плотностью состояний (ПС), а также она может реализоваться в некоторых материалах с экспоненциальной ПС. Показано, что различные типы ПС ведут к весьма различному функциональному виду полевой зависимости подвижности даже в случае одинаковой корреляционной функции случайной энергии. Приведены весомые аргументы в пользу существенного вклада локального ориентационного порядка в амплитуду полного энергетического беспорядка в органических материалах. Предложена простая, но перспективная модель транспорта зарядов в сильно анизотропных композитных материалах

Это типичная ситуация в органических материалах с гауссовой плотностью состояний (ПС), а также она может <...> Ключевые слова: аморфные материалы, плотность состояний, пространственная корреляция, прыжковый транспорт <...> распределения случайных энергий транспортных уровней, называемая плотностью состояний. <...> состояний (ПС) имеет гауссову форму [17–19]: (3) где эВ, тогда как в неорганических материалах ПС имеет <...> занятых состояний Pocc(U) P(U)exp(–U/kT), а для экспоненциальной ПС это не так для низких температур

49

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Зависимость плотности состояний от энергии для spи d-подзон Рис. 6.4. <...> , либо в незанятое состояние d-зоны, а так как плотность состояний в d-зоне много больше, чем в sp-зоне <...> При этом предполагалось, что одноименные плотности состояний в слоях Ф1 и Ф2 одинаковы. <...> состояний на уровне Ферми значительно превосходит плотность состояний электронов sp-симметрии, то основной <...> На рис. 7.10 представлены плотности состояний, а также частоты собственных состояний и соответствующие

Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
50

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Зависимость плотности состояний от энергии для spи d-подзон Рис. 6.4. <...> , либо в незанятое состояние d-зоны, а так как плотность состояний в d-зоне много больше, чем в sp-зоне <...> При этом предполагалось, что одноименные плотности состояний в слоях Ф1 и Ф2 одинаковы. <...> состояний на уровне Ферми значительно превосходит плотность состояний электронов sp-симметрии, то основной <...> На рис. 7.10 представлены плотности состояний, а также частоты собственных состояний и соответствующие

Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 4844