Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 563270)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 15568 (1,20 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ ТИТАНАТА ЖЕЛЕЗА НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИАфонин [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Химия. Биология. Фармация .— 2011 .— №1 .— С. 4-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/523962 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Афонин

Пленки титаната железа получали методом последовательного магнетронного распыления металлов Ti и Fe на монокристаллический кремний с последующим импульсной фотонной обработкой в вакууме, на воздухе и термооксидированием. Распределения компонентов по глубине образцов исследовали методом вторично-ионной масс-спектрометрии, а фазообразование — методом рентгенофазового анализа. Установлено, что процесс послойного магнетронного распыления железа и титана на кремний сопровождается гетеродиффузией компонентов через межфазные границы Fe/Ti и Ti/Si. Импульсная фотонная обработка пленочной системы Fe—Ti в вакууме приводит к образованию силицида железа, а в атмосфере воздуха — к формированию оксидной пленки, состоящей из FeO и Ti3O5. Формирование титанатов железа состава Fe2Ti3O9, FeTiO3 происходит в процессе термооксидирования в потоке кислорода при температуре 973 К.

2011 ХИМИЯ УДК 537.226 ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ ТИТАНАТА ЖЕЛЕЗА НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ <...> КРЕМНИИ Н. <...> Пленки титаната железа получали методом последовательного магнетронного распыления металлов Ti и Fe на монокристаллический <...> МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА В качестве исходных подложек были использованы пластины монокристаллического кремния <...> глубине после послойного осаждения методом магнетронного распыления пленочной системы железотитан на монокристаллический

2

ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОДИОДОВЭ.З. Имамов [и др.] // Computational nanotechnology .— 2016 .— №3 .— С. 196-202 .— URL: https://rucont.ru/efd/567452 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Имамов Эркин Зуннунович

В комплексе работ [1-5] была разработана модель принципиально новой контактной структуры, которая формируется напылением освещаемой поверхности технического кремния электроемкими нановключениями из другого полупроводника. Фотопреобразователь на её основе проявляет уникальные электрофизические свойства В данной работе показаны основные структурные отличия нового контакта от традиционных полупроводниковых фотодиодов.

Во многих полупроводниковых приборах применяют монокристаллический кремний высокой степени чистоты. <...> Монокристаллический кремний применяется также при производстве сверх эффективных преобразователей солнечного <...> , который на два порядка дешевле монокристаллического и на порядок – поликристаллического кремния. <...> Источником накапливаемых зарядов являются остаточные мелкие примеси в техническом кремнии. <...> следует, что промышленные солнечные панели подобных габаритов, полученные на основе дорогостоящего монокристаллического

3

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕЙТРОНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯР.А. Муминов [и др.] // Computational nanotechnology .— 2016 .— №4 .— С. 136-137 .— URL: https://rucont.ru/efd/567463 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Муминов Рамизулла Абдуллаевич

В статье рассмотрены особенности разработки детекторов ионизирующего излучения с рабочей площадью S≥30 мм2 и толщиной W>0,2 мм на основе монокристаллов компенсированного нейтронным легированием кремния. Показаны особенности электрофизических и спектрометрических характеристик

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕЙТРОНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ Муминов Рамизулла Абдуллаевич <...> Ключевые слова: монокристаллический кремний, нейтронно-легированный кремний, «входные» и «выходные» окна <...> В качестве исходного кремния для НЛК использовались монокристаллический кремний р-типа (ρ = 2-5 кОм.см <...> Монокристаллические кремниевые шайбы до и после механической и химической обработки промываются 2-3 раза <...> Таким образом, на основе учета особенностей получения монокристаллического НЛК, а также способов формирования

4

ПРИМЕНЕНИЕ МЭМС-ДАТЧИКОВ ПРИ МОНИТОРИНГЕ ДОБЫЧИ И ТРАНСПОРТИРОВКИ НЕФТЕПРОДУКТОВЖуравлева [и др.] // Контроль. Диагностика .— 2014 .— №6 .— С. 44-51 .— URL: https://rucont.ru/efd/489475 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Журавлева

Проанализированы возможности применения МЭМС-датчиков при добыче и транспортировке нефтепродуктов в целях создания измерительных систем, элементы которых работают при температуре ниже –60 °С, в условиях обледенения, погружения в воду, надежных и не требующих обслуживания в процессе эксплуатации. Основное внимание уделено обработке таких параметров, как: давление, температура, расход, состав измеряемых сред, при этом измерения должны проводиться в непрерывном режиме и в полевых условиях. Показано, что классические методы измерения, основанные на индукционном потенциометрическом методе измерения и использовании стальных упругих элементов, непригодны для работы в районах Крайнего Севера. В заключении даны рекомендации по применению микроэлектромеханических систем для мониторинга трубопроводных систем в жестких условиях эксплуатации

Примеры реализации МЭМС-преобразователей для систем транспортировки Монокристаллический кремний обладает <...> Как уже указывалось, монокристаллический кремний отличается отсутствием гистерезиса и ползучести. <...> Таким образом, монокристаллические кремниевые чувствительные элементы имеют одинаковые коэффициенты термического <...> Таким образом, схема преобразования сигнала является частью монокристаллической структуры, повторяя ее <...> Кремний – материал с уникальными механическими характеристиками.

5

Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремнияПятилова [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 22-30 .— URL: https://rucont.ru/efd/376608 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Пятилова

Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. Установлено влияние интенсивности массопереноса ионов Ag+ за счет градиента температур на морфологию поверхности формируемой структуры в зависимости от линейного размера маскикатализатора.

В качестве подложки использовали монокристаллический кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением <...> Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> РЭМ-изображения поверхности монокристаллической пластины кремния после травления при Т = 25 °С с использованием <...> Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> Пунктирными линиями обозначены области, соответствующие монокристаллическому кремнию, ранее не покрытому

6

ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКА МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОФЛУОРЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА И ЭЛЛИПСОМЕТРИИКалмыков // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования .— 2017 .— №3 .— С. 97-101 .— URL: https://rucont.ru/efd/593304 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Калмыков

Разработан метод определения распределения по глубине ионно-имплантированных атомов примеси в полупроводниках. Метод заключается в измерении концентрации примеси рентгенофлуоресцентным анализом при эллипсометрически контролируемом удалении тонких слоев полупроводника. Обнаружено, что длительное облучение низкоэнергетическим рентгеновским излучением ионно-имплантированного слоя полупроводника приводит к изменению профиля распределения ионно-внедренных атомов примеси

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Исследовали монокристаллический кремний КДБ-10, облученный при комнатной температуре <...> Толщину снятого слоя кремния рассчитывали по формуле dSi = 0.41 [5]. <...> положения максимума − увеличился, т.е. спад концентрации примеси на границе имплантированного слоя с монокристаллическим <...> кремнием стал более резким. <...> Зависимость ИФИ атомов фосфора от толщины снятого слоя кремния. 100 120 ΔI, имп.

7

ПОЛУЧЕНИЕ НАНОЧАСТИЦ КРЕМНИЯ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХГрибов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №4 .— С. 20-28 .— URL: https://rucont.ru/efd/541722 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Грибов

Разработаны технологический процесс получения наночастиц кремния из монооксида кремния, позволяющий управлять размерами частиц в диапазоне 2–10 нм, а также методы нанесения покрытий из нанокремния на солнечные элементы. Исследовано влияние таких покрытий на эффективность солнечных элементов. Показано, что пленки из нанокремния характеризуются хорошими просветляющими и пассивирующими свойствами и могут успешно использоваться в технологии изготовления солнечных элементов

SiO2 до монооксида кремния, а сам также окисляется до монооксида кремния. <...> При нагревании выше 400 °С твердый монооксид кремния превращается в элементарный кремний и диоксид кремния <...> Монокристаллический кремний является непрямозонным проводником и не люминесцирует в видимой области спектра <...> Солнечные элементы – фотоэлектрические преобразователи на основе монокристаллического кремния р-типа <...> длин волн больше 450 нм отражение от чистой лицевой поверхности солнечного элемента и от поверхности монокристаллического

8

СОВРЕМЕННЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМВолков, Кудрявцева, Вергазов // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль .— 2014 .— №4 .— С. 20-28 .— URL: https://rucont.ru/efd/553027 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Волков

Рассмотрены конструктивные преимущества резонансных измерительных преобразователей механических величин и преобразователей давления с частотным выходным сигналом, выполненных с использованием МЭМС-технологий. Показаны преимущества применения монокристаллического кремния в качестве материала для создания микромеханических резонаторов. Проанализированы недостатки существующей конструкции резонансного преобразователя давления. Рассмотрена усовершенствованная конструкция резонансного преобразователя давления с высокой стабильностью характеристик и повышенной чувствительностью. Показана возможность снижения температурной погрешности датчика давления за счет применения частотного преобразователя сигнала мостовой измерительной схемы

Показаны преимущества применения монокристаллического кремния в качестве материала для создания микромеханических <...> Использование монокристаллического кремния оказывается наиболее предпочтительным с точки зрения получения <...> Благодаря монокристаллической структуре кремний имеет высокую упругость и хорошую временную стабильность <...> Кроме того, монокристаллический кремний не имеет внутренних механических напряжений, и это свойство сохраняется <...> Особенности технологии получения структуры «нитрид алюминия на карбиде кремния» для чувствительного элемента

9

№5 [Прикладная механика и техническая физика, 2018]

Журнал публикует оригинальные статьи и заказные обзоры по механике жидкости, газа, плазмы, динамике многофазных сред, физике и механике взрывных процессов, электрическому разряду, ударным волнам, состоянию и движению вещества при сверхвысоких параметрах, теплофизике, механике деформируемого твердого тела, композитным материалам, методам диагностики газодинамических физико-химических процессов.

,Цзинь Г., Гао C.Образование плазмы при воздействии на монокристаллический кремний миллисекундного лазера <...> Ключевые слова: миллисекундный лазер, монокристаллический кремний, плазма, теневая фотография. <...> Образец из монокристаллического кремния крепится на столе, имеющем пять степеней свободы. <...> Со временем плазменный факел монокристаллического кремния распространяется в окружающую среду. <...> Расширение плазменного факела монокристаллического кремния в различные моменты времени при различной

Предпросмотр: Прикладная механика и техническая физика №5 2018.pdf (0,3 Мб)
10

ДИФФУЗИЯ МЕЖУЗЕЛЬНОГО МАГНИЯ В БЕЗДИСЛОКАЦИОННОМ КРЕМНИИШуман [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №1 .— С. 9-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/591905 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Шуман

Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600−800◦C. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5 · 1014 и 2 · 1015 см−2. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния Di при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p−n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость Di(T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму

полупроводников, 2017, том 51, вып. 1 УДК 621.315.592 Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии <...> Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния <...> DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43986.8313 Легированный глубокой донорной примесью магния монокристаллический <...> кремний (Si : Mg) изучался в связи с разработками детекторов для инфракрасной области спектра [1]. <...> В частности, до настоящего времени не определен коэффициент диффузии магния в кремнии.

11

Основы процессов получения легированных оксидных пленок методами золь-гель технологии и анодного окисления учеб. пособие

Автор: Гапоненко Н. В.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

Рассмотрены основные закономерности образования, свойства и примеры использования золь-гель‒пленок легированных лантаноидами на планарных подложках и в мезоскопических порах пористого кремния, пористого анодного оксида алюминия и синтетических опалов, а также легированных фосфором или бором анодных оксидных пленок кремния, карбида кремния, нитрида кремния и легированных хлором ‒ меди (I).

происходит в монокристаллическом кремнии, или прямой накачкой подуровней Er3+, как в оксиде кремния <...> и из пленки на монокристаллическом кремнии. <...> и пластины-спутники монокристаллического кремния. <...> кремнии и 4 – Tb, имплантированный в SiO2, на монокристаллическом кремнии. <...> кремнии; 3 – ксерогель оксида титана, содержащий 40 вес. % Tb2O3, на монокристаллическом кремнии; 4

Предпросмотр: Основы процессов получения легированных оксидных пленок методами золь-гель технологии и анодного окисления.pdf (0,5 Мб)
12

ВОЗДЕЙСТВИЕ ПОГРУЖЕНИЯ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В ВОДНЫЕ РАСТВОРЫ БРОМИДА ЛИТИЯ И НИТРАТА ЖЕЛЕЗА НА СТАБИЛЬНОСТЬ И ИНТЕНСИВНОСТЬ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИГалкин, Галкин, Боженко // Химическая физика и мезоскопия .— 2018 .— №2 .— С. 16-29 .— URL: https://rucont.ru/efd/684686 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Галкин

В процессе сравнительного исследования погружения слоев пористого кремния в водные растворы бромида лития и нитрата железа и последующего их хранения до 150 дней обнаружено: 1) значения концентраций бромида лития (S/2 – S/3) и нитрата железа (0,2M) обеспечивают максимальное увеличение интенсивности фотолюминесценции за счет формирования связей Si-O-Li и Si-O-Fe, что оптимально для повышения устойчивости слоев пористого кремния при хранении; 2) при средней концентрации (0,3M) нитрата железа наблюдаются сильное гашение сигнала фотолюминесценции и «голубой» сдвиг положения максимума фотолюминесценции, что связано с неполным закрытием поверхности атомами лития и окислением слоя пористого кремния при хранении; 3) при максимальной концентрации (0,7М – 0,8М) нитрата железа обеспечивается защита слоя пористого кремния, но образующиеся кластеры железа снижают проникновение излучения внутрь пористого кремния и снижают интенсивность фотолюминесценции

ЭКСПЕРИМЕНТ Для получения пористого кремния использовался монокристаллический кремний Si(100) р-типа <...> до и после обработки в бромиде лития сильно теряют в величине коэффициента отражения по сравнению с монокристаллическим <...> кремнием. <...> Это связано с потерей большой части материала при анодном окислении монокристаллического кремния, а значит <...> до и после обработки в нитрате железа сильно теряют в величине коэффициента отражения по сравнению с монокристаллическим

13

№4 [Аналитические записки и брифы ЦЭИ (на русском языке), 2010]

Аналитические записки и брифы ЦЭИ

., монокристаллический кремний – 300 тыс. долл., солнечных панелей – 500 тыс. долл. за тонну, что в условиях <...> Основным материалом электроники является монокристаллический кремний. <...> Монокристаллический кремний получается из поликристаллического кремния, который производится в свою очередь <...> мировых стандартов и монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки15. 14 Один доллар <...> ; – производство монокристаллического кремния (для выпуска изделий электронной промышленности, микроэлектроники

Предпросмотр: Аналитические записки и брифы ЦЭИ (на русском языке) №4 2010.pdf (0,1 Мб)
14

КРЕМНИЕВЫЕ ФОТОННЫЕ СТРУКТУРЫ С ВНЕДРЕННЫМИ ОРГАНИЧЕСКИМИ ПОЛИМЕРАМИ КАК ОСНОВА СЕНСОРОВ НОВОГО ТИПАМартынов [и др.] // Оптика и спектроскопия .— 2017 .— №1 .— С. 83-88 .— URL: https://rucont.ru/efd/593951 (дата обращения: 18.06.2021)

Автор: Мартынов

В настоящее время активно развиваются исследования, направленные на разработку оптических сенсоров нового поколения, в частности сенсоров взрывчатых веществ с использованием сопряженных органических полимеров. Тем не менее проблема чувствительности, селективности и стабильности таких сенсоров по-прежнему актуальна. Одним из путей ее решения является создание люминесцентных сенсоров на базе фотонных кристаллов с развитой удельной поверхностью, которые позволяют эффективно управлять свойствами люминофоров и обладают значительной сорбционной способностью. В рамках настоящей работы изготовлены микрорезонаторы из пористого кремния с внедренными органическими полимерами типа полифенилвинилен (PPV) и полифлуорен (PF) и исследованы их свойства. Показано, что внедрение полимеров в микрорезонаторы из пористого кремния приводит к модификации их люминесцентных свойств, что проявляется в сужении спектра излучения и изменении его диаграммы направленности. Продемонстрировано, что все изготовленные структуры обладают чувствительностью к насыщенным парам тринитротолуола. Предложенные структуры могут являться основой для разработки сенсоров нового типа, используемых для детектирования паров нитроароматических соединений

В рамках настоящей работы изготовлены микрорезонаторы из пористого кремния с внедренными органическими <...> внедрение люминофоров в фотонные структуры с развитой поверхностью, например опалы [4] или пористый кремний <...> В рамках настоящей работы исследованы люминесцентные свойства микрорезонатора из пористого кремния (pSi <...> ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА В качестве исходного материала для создания микрорезонатров из ПК использовался монокристаллический <...> Перед травлением пластина кремния подвергалась предварительной очистке в ультразвуковой ванне.

15

Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ Методические указания по выполнению лабораторных работ

ЯрГУ

В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ. Выполнено в соответствии с государственным образовательным стандартом. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 014100 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Основы технологии интегральных и низкоразмерных систем», блок ОПД), очной формы обучения. Ил. 21. Табл. 11. Библиогр.: 30 назв.

пластины и их параметры Основными исходными материалами для изготовления интегральных схем являются монокристаллические <...> Монокристаллический кремний общего назначения КЭФ, КДБ, КЭС, КЭФЗ выпускается пятнадцати групп [1] и <...> Монокристаллические кремниевые пластины, предназначенные для эпитаксиальных структур, имеют на первом <...> Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия. ГОСТ 19658-81. <...> Монокристаллический кремний n–типа проводимости: диаметр 29 мм; толщина 6,5 мм.

Предпросмотр: Методы контроля технологических процессов в электронике Методические указания по выполнению лабораторных работ.pdf (0,6 Мб)
16

Технология микросистемной техники. В 3 ч. Ч. 1. Методы микрообработки учеб. пособие

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены современные методы микрообработки, применяемые в технологии изготовления микросистем: объемная микрообработка, поверхностная микрообработка, технология LIGA. Приведены сведения о материалах, применяемых в микросистемной технике, и о методах соединения слоев микросистем.

Монокристаллический кремний сохраняет прочность при повторных циклах растяжения и сжатия. <...> – монокристаллический, поликристаллический и аморфный;  соединения кремния (SixNy, SiO2, SiO и др.) <...> (SiO2), нитрида кремния (Si3N4) и кремния. <...> указывает на то, что они используются для построения механических микроструктур внутри подложки из монокристаллического <...> Оставшийся тонкий слой монокристаллического кремния может использоваться для построения эпитаксиального

Предпросмотр: Технология микросистемной техники. Часть 1. Методы микрообработки.pdf (0,3 Мб)
17

Материалы электронной техники лаб. практикум

ЯрГУ

В лабораторном практикуме содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по дисциплине «Материалы электронной техники». Выполнено в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом.

пластин кремния. <...> Монокристаллический кремний общего назначения КЭФ, КДБ, КЭС, КЭФЗ выпускается пятнадцати групп и имеет <...> Монокристаллические кремниевые пластины, предназначенные для эпитаксиальных структур, имеют на первом <...> Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия. <...> Монокристаллический кремний n-типа проводимости; Диаметр 29 мм; толщина 6,5 мм.

Предпросмотр: Материалы электронной техники лабораторный практикум.pdf (0,4 Мб)
18

Нанотехнологии и микромеханика. Ч. 6. Базовые технологические процессы микросистемной техники учеб. пособие

Автор: Потловский К. Г.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены основные технологические процессы производства элементов микросистемной техники с точки зрения физических явлений. Обобщены результаты, полученные при выращивании монокристаллов, а также в процессах диффузии, имплантации, литографии и др.

можно вырастить слиток монокристаллического кремния. <...> монокристаллических слитков кремния методом Чохральского представлена на рис. 1.1. <...> Схема установки для получения монокристаллических слитков кремния методом Чохральского: 1 — расплав кремния <...> исключает контакт расплава кремния с тиглем, что позволяет получать монокристаллические слитки кремния <...> 1 — исходный поликристаллический слиток кремния; 2 — зона расплава; 3 — монокристаллический кремний;

Предпросмотр: Нанотехнологии и микромеханика. Часть 6. «Базовые технологические процессы микросистемной техники». Гриф УМО. .pdf (0,5 Мб)
19

№6 [Контроль. Диагностика, 2014]

Выходит с 1998 года. Журнал публикует научные и методические статьи ведущих ученых России, стран ближнего и дальнего зарубежья, представителей промышленности о методах, приборах и технологиях неразрушающего контроля и технической диагностики, их внедрении, развитии и применении. Издатель выкладывает номера с задержкой в 1 год!

Примеры реализации МЭМС-преобразователей для систем транспортировки Монокристаллический кремний обладает <...> Кроме того, обработка кремния позволяет формировать трехмерные структуры. <...> Как уже указывалось, монокристаллический кремний отличается отсутствием гистерезиса и ползучести. <...> Таким образом, схема преобразования сигнала является частью монокристаллической структуры, повторяя ее <...> Кремний – материал с уникальными механическими характеристиками.

Предпросмотр: Контроль. Диагностика №6 2014.pdf (0,1 Мб)
20

Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) сб. трудов науч.-практ. межрегиональной конференции

ЯрГУ

В сборник вошли научные статьи, отражающие результаты исследований, представленных на научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)», проходившей в Ярославском государственном университете им. П.Г. Демидова 22 - 23 сентября 2008 г. В сборник включены теоретические, экспериментальные и обзорные статьи, посвященные наиболее актуальным проблемам развития микро- и наноэлектроники, квантовым компьютерам и некоторым смежным вопросам. Конференция организована в соответствии с планом мероприятий государственного контракта № 02.552.11.7028 Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».

Образцами служили пластинки полированного монокристаллического Si (100) размером 20×20 мм. <...> В качестве подложек применялись пластины монокристаллического кремния p-типа, обратная сторона которых <...> Исследуемые структуры В исследуемых нами образцах слои пористого кремния изготавливались на монокристаллических <...> Маковийчук Ярославский филиал Физико-технологического института РАН Введение Монокристаллический кремний <...> В идеальном варианте эти слои должны быть монокристаллическими, а границы между ними атомарно гладкими

Предпросмотр: Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование) сборник трудов научно-практической межрегиональной конференции.pdf (1,2 Мб)
21

Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

Издательский дом ВГУ

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета.

Значения λ и F* для ионов бора, фосфора и мышьяка при их внедрении в монокристаллический кремний приведены <...> перераспределения примеси фосфора, внедренного с энергией 80 кэВ и дозой имплантации 6 · 1013 см–2 в монокристаллическую <...> перераспределение (рис. 2.36) примеси фосфора, внедренного при энергии 80 кэВ и дозой 6 · 1013 см–2 монокристаллическую <...> end С помощью разработанного командного файла 2.6 проведено исследование зависимости от ориентации монокристаллического <...> Структура после ионной имплантации Распределения ионно-имплантированного бора для подложек монокристаллического

Предпросмотр: Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники .pdf (1,5 Мб)
22

№3 [Квантовая электроника, 2018]

Квантовая электроника — ведущий российский научный ежемесячный журнал в области лазеров и их применений, а также по связанным с ними тематикам. Издание основано Н.Г. Басовым в январе 1971 г. Индекcируется в базах данных Scopus и Web of Science.

Моделирование нагрева и фотовозбуждения монокристаллического кремния наносе­ кундными лазерными импульсами <...> Введение Воздействие наносекундных лазерных импульсов на монокристаллический кремний и структуры на его <...> Ключевые слова: наносекундные лазерные импульсы, монокристаллический кремний, многоимпульсный режим, <...> Была даже продемонстрирована возможность использования пластины монокристаллического кремния в качестве <...> Таким образом, целью настоящей работы является анализ многоимпульсного нагрева монокристаллического кремния

Предпросмотр: Квантовая электроника №3 2018.pdf (0,1 Мб)
23

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

На рис.3 с разрешением 10 нм снизу вверх просматриваются монокристаллический кремний с аморфным слоем <...> Изготовлены образцы прибора на основе тонких подложек монокристаллического кремния с эпитаксиальными <...> кремния в настоящее время отсутствует. <...> Такое же значение сопротивления дает слой монокристаллического кремния толщиной 20 мкм с удельным сопротивлением <...> кремния марки 100 КЭФ-4400 (111).

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2016.pdf (1,0 Мб)
24

№5 [Тонкие химические технологии, 2007]

Журнал "Тонкие химические технологии" (прежнее название [2006-2014] "Вестник МИТХТ") выходит один раз в два месяца и публикует обзоры и статьи по актуальным проблемам химической технологии и смежных наук. Журнал основан в 2006 году. Учредителем журнала является Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), ныне Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова. Журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора (кандидата) наук. Журнал реферируется в международной базе данных Chemical Abstracts, входит в международный каталог периодических изданий Ulrich. Под новым названием "Тонкие химические технологии" журнал "Вестник МИТХТ" выходит, начиная с 1-го выпуска 10-го тома за 2015 год.

В монокристаллическом кремнии, наряду с нанопорами, возможно существование структур, состоящих из кремниевых <...> Хотя данной теме посвящено довольно большое число работ [1-5], механизм избирательного травления монокристаллического <...> В качестве исходного материала брали монокристаллический кремний марки КДБ-10 с ориентацией <111>. <...> Типичный спектр ФЛ ПК, полученного травлением исходного монокристаллического кремния. <...> Схематическое изображение слоя ПК, образованного на подложке из монокристаллического кремния.

Предпросмотр: Вестник МИТХТ №5 2007.pdf (0,8 Мб)
25

№1 [Современная электрометаллургия, 2011]

Журнал «Современная электрометаллургия» (на русском языке) издается раз в квартал с 1985 г. и посвящен специальным процессам переплава в области электрошлаковой, электролучевой, вакуумно-дуговой и плазменно-дуговой технологий. Журнал входит в перечень ВАК Украины.

Особое внимание уделено солнечным элементам, изготовленным из монокристаллического кремния. <...> В основе более распространенной технологии получения монокристаллического кремния лежит способ Чохральского <...> Комплексный процесс получения высокочистого монокристаллического кремния состоит из процесса Siemens <...> Это связано с тем, что весь монокристаллический кремний получается электронного качества EG-Si для производства <...> Технология получения солнечных элементов из монокристаллического кремния [7—9]; обознач. 1—7 см. в тексте

Предпросмотр: Современная электрометаллургия №1 2011.pdf (0,3 Мб)
26

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2014]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

приготовлены методом магнетронного напыления при помощи установки MPS-4000-C6 (Ulvac) на подложках из монокристаллического <...> Использовались три типа подложек на основе кремния: монокристаллический кремний (тип 1); por-Si (тип <...> Лазерно-стимулируемые периодические структуры на поверхности монокристаллического кремния // Фундаментальные <...> Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния <...> и оксида кремния.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №4 2014.pdf (0,6 Мб)
27

№3 [Химическая физика и мезоскопия, 2009]

Тематика журнала включает в себя: Процессы горения и взрыва. Математическое моделирование физико-химических процессов. Кластеры, кластерные системы и материалы. Межфазные слои и процессы взаимодействия в них. Квантово-химические расчеты. Нелинейные кинетические явления. Наноэлектронные приборы и устройства. Журнал включен в Реферативный журнал и Базы данных ВИНИТИ РАН.

Спектры ХПЭЭ (Ер=200 эВ) монокристаллического кремния и двумерного силицида магния до и после отжига <...> положение объемного плазмона соответствует монокристаллическому кремнию. <...> Спектры отражения кремния для монокристаллического кремния, аморфного слоя кремния на монокристаллическом <...> к монокристаллическому кремнию Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» IN SITU ДОС <...> происходил эпитаксиально, если их сравнивать со спектром отражения монокристаллического кремния.

Предпросмотр: Химическая физика и мезоскопия №3 2009.pdf (0,5 Мб)
28

№3 [Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия, 2020]

Основан в 1946г. Авторитетное научное издание, статьи и материалы журнала отражают тематику важнейших направлений теоретических и экспериментальных исследований по всему кругу научных вопросов, изучаемых на физическом факультете МГУ

Влияние параметров облучения ионами ксенона и аргона на дефектообразование в кремнии. . . . . . . . 23 <...> Монокристаллический кремний был облучен ионами ксенона с энергиями 100, 200 кэВ и ионами аргона с энергией <...> ЭКСПЕРИМЕНТ В качестве облучаемых мишеней использовался монокристаллический кремний с ориентацией (110 <...> ЗАКЛЮЧЕНИЕ В работе было исследовано влияние параметров ионного облучения на разрушение структуры монокристаллической <...> Выход металлического осадка из пор матрицы оксида кремния на кремнии может быть связан с накоплением

Предпросмотр: Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия №3 2020.pdf (0,2 Мб)
29

№10 [Письма в журнал технической физики, 2017]

DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626 Создание светоизлучающих устройств на основе кремния является <...> посвященных исследованию излучательной рекомбинации в структурах, содержащих высококачественные слои монокристаллического <...> кремния (c-Si) с большими временами жизни неосновных носителей заряда, достигаемыми за счет различных <...> Ильин... технологических приемов (в частности, текстурирования и пассивации поверхности кремния) [10– <...> (a -Si : H) — монокристаллический кремний с промежуточным слоем из собственного a -Si : H (международная

Предпросмотр: Письма в журнал технической физики №10 2017.pdf (0,1 Мб)
30

№4 [Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2014]

Научно-производственный рецензируемый журнал на новой правовой основе (решение о его издании принято ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» и ОАО «Научно-исследовательский институт физических измерений») публикует материалы, представляющие результаты научных исследований: оригинальные статьи и тематические обзоры в области информатики, измерительной техники, автоматики, управления техническими системами, электроники, систем мониторинга, контроля и диагностики, а также других направлений исследований.

Показаны преимущества применения монокристаллического кремния в качестве материала для создания микромеханических <...> Использование монокристаллического кремния оказывается наиболее предпочтительным с точки зрения получения <...> Благодаря монокристаллической структуре кремний имеет высокую упругость и хорошую временную стабильность <...> Кроме того, монокристаллический кремний не имеет внутренних механических напряжений, и это свойство сохраняется <...> Благодаря использованию тонкой пленки нитрида кремния (Si3N4), полученной химическим осаждением паров

Предпросмотр: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль №4 2014.pdf (0,4 Мб)
31

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2015]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

В качестве подложки использовали монокристаллический кремний р-типа проводимости с удельным сопротивлением <...> Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> РЭМ-изображения поверхности монокристаллической пластины кремния после травления при Т = 25 °С с использованием <...> Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> Пунктирными линиями обозначены области, соответствующие монокристаллическому кремнию, ранее не покрытому

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2015.pdf (1,0 Мб)
32

№4 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

При нагревании выше 400 °С твердый монооксид кремния превращается в элементарный кремний и диоксид кремния <...> Монокристаллический кремний является непрямозонным проводником и не люминесцирует в видимой области спектра <...> Солнечные элементы – фотоэлектрические преобразователи на основе монокристаллического кремния р-типа <...> длин волн больше 450 нм отражение от чистой лицевой поверхности солнечного элемента и от поверхности монокристаллического <...> Учитывая, что в исходной пластине монокристаллического кремния с ориентацией (100) имеются незначительные

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2016.pdf (1,0 Мб)
33

№18 [Русский репортер, 2011]

"Русский репортёр" - общенациональный иллюстрированный еженедельный журнал Медиахолдинга "Эксперт". Независимое издание для людей, которые не боятся перемен и предпочитают сами определять стиль своей жизни. В журнале освещаются общественно значимые темы, политические события и новости. Основные рубрики: "Актуально", "Репортаж", "Тренды", "Фигура", "Культура", "Среда обитания", "Афиша", "Случай". Насыщен высококачественными фоторепортажами и иллюстрациями известных мировых авторов. Общественно-политическое издание. Основные рубрики: «Репортаж», «Актуально», «Фигура», «Тренды», «Культура», «Афиша», «Среда обитания», «Случай» и многое другое. Кроме того, журнал публикует фоторепортажи известных мировых авторов. Формат «Русского репортера» аналогичен формату таких знаменитых на весь мир журналов, как «Time» или «Stern».

Монокристаллический кремний нашел применение в производстве транзисторов, интегральных схем и микрочипов <...> Колесо баланса ее механизма Dial Direct Escapement сделано из монокристаллического кремния, полученного <...> Между тем, не желая ограничиваться монокристаллическим кремнием, Ulysse Nardin подвергла воздействию <...> В 2007 году часы с рычагом из монокристаллического кремния одновременно представили и Ulysse Nardin ( <...> кремния с алмазным покрытием.

Предпросмотр: Русский репортер №18 2011.pdf (2,1 Мб)
34

№5 [Физика и техника полупроводников, 2017]

кремний с дырочным типом проводимости марки КДБ-4 [111] (30Вт, 630◦C); 5 — монокристаллический кремний <...> −карбид кремния (карбид кремниякремний) составила 5.4%. <...> −карбид кремния. <...> на кремнии. <...> Именно поэтому на гладкой поверхности (100) кремния не только не может зародиться монокристаллический

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №5 2017.pdf (0,1 Мб)
35

Наноматериалы и нанотехнологии учеб. пособие

Автор: Глущенко А. Г.
Изд-во ПГУТИ

В учебном пособии представлены физические свойства основных материалов, применяемых в оптике и нанооптике, их параметры и методы изготовления, применения, основные типы элементов интегральной оптики и нанооптики и основы работы функциональных элементов интегральной нанооптики, основные методы производства элементов интегральной оптики, интегрально-оптических устройств. Учебное пособие является введением в предмет и авторами не ставилась задача сколько нибудь полного охвата известного к настоящему времени материала, имеющейся литературы и авторства представленных материалов.

Монокристаллический кремний (Si) широко применяется в интегральной оптике в качестве подложек, для изготовления <...> Лазерная эпитаксия (графоэпитаксия) используется для выращивания пленок монокристаллического кремния <...> В результате лазерного отжига пленка кремния приобретает монокристаллическую структуру с малым числом <...> Изотропные травители травят монокристаллических кремний во всех кристаллографических направлениях с одинаковой <...> Поверх слоя наращивается тонкий слой монокристаллического кремния, формирующий волновод.

Предпросмотр: Наноматериалы и нанотехнологии учебное пособие.pdf (0,6 Мб)
36

Физико-химические процессы синтеза алюмосиликатной керамики учеб. пособие для аспирантов, обучающихся по программам высш. образования по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия

ОГУ

Учебное пособие содержит анализ физико-химических процессов синтеза алюмосиликатных материалов, пошаговые методики экспериментальных измерений физических величин, отвечающих за свойства керамических материалов. Приведены сведения необходимые для организации образовательного процесса по модулю «Научные исследования» (дисциплины «Научно-исследовательская деятельность» и «Подготовка научно-квалификационной работы») и при проведении научно-исследовательской практики аспирантов.

Содержание диоксида кремния в виде полиморфных модификаций кварца и кристобалита составляет 55%, в том <...> Эталоном сравнения служил сертифицированный полупроводниковый монокристаллический кремний высокой чистоты <...> Относительная погрешность при определении истинной плотности порошка кремния составила 0,2% (2,33  0,004 <...> Влияние карбида кремния на теплофизические и прочностные свойства кремнеземистой керамики : дис. … канд <...> Спекание кремнеземистой керамики, армированной частицами карбида кремния / Т.А. Котляр, В.М.

Предпросмотр: Физико-химические процессы синтеза алюмосиликатной керамики.pdf (0,3 Мб)
37

Конспект лекций по учебной дисциплине «Материалы и технологии интегральной оптики (инфокоммуникационных систем)»

Автор: Глушенко А. Г.
Изд-во ПГУТИ

В курсе лекций рассмотрены: физические свойства основных материалов, применяемых в оптике, их параметры и методы изготовления, основные типы элементов интегральной оптики и нанооптики и основы работы функциональных элементов интегральной нанооптики, основные методы производства элементов интегральной оптики, интегрально-оптические устройства.

Монокристаллический кремний (Si) широко применяется в интегральной оптике в качестве подложек, для изготовления <...> Монокристаллический кремний (Si) широко применяется в интегральной оптике в качестве подложек, для изготовления <...> Лазерная эпитаксия (графоэпитаксия) используется для выращивания пленок монокристаллического кремния <...> В результате лазерного отжига пленка кремния приобретает монокристаллическую структуру с малым числом <...> Поверх слоя наращивается тонкий слой монокристаллического кремния, формирующий волновод.

Предпросмотр: Материалы и технологии интегральной оптики инфокоммуникационных систем Конспект лекций.pdf (0,5 Мб)
38

№1 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2020]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Аналогичные структуры созданы на основе монокристаллического кремния с использованием КНИ-подложек – <...> электрических характеристик полевых нанопроволочных GAA-транзисторов на основе рекристаллизованного и монокристаллического <...> кремния. <...> элементы в последнем случае сформированы по «спейсерной» технологии с торцевым окислением исходного монокристаллического <...> нелегированные латерально ориентированные монокристаллы MILC-поликремния, для КНИ GAA-транзистора – монокристаллический

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2020.pdf (1,4 Мб)
39

№1 [Надежность и качество сложных систем, 2020]

Целью создания нового журнала является обсуждение фундаментальных и прикладных проблем надежности, безопасности и качества проектирования, производства, эксплуатации и сервисного обслуживания сложных наукоемких технических изделий; разработки и внедрения методов и средств повышения надежности и качества инновационных информационных и коммуникационных технологий в науке и производстве.

Данное преимущество объясняется тензорезистивными свойствами монокристаллического кремния, в объеме которого <...> Монокристаллический кремний обладает идеальной упругостью и в то же время хрупкостью. <...> кремния. <...> Они обладают высокой чувствительностью за счет тензорезистивных свойств монокристаллического кремния <...> карбид кремния.

Предпросмотр: Надежность и качество сложных систем №1 2020.pdf (0,3 Мб)
40

№6 [Успехи прикладной физики, 2017]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

Микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния химическим травлением ... <...> На рис. 7 представлены фрагменты дифрактограмм монокристаллического кремния, срезанного перпендикулярно <...> Установлено что микроструктурирование поверхности высокоомного монокристаллического кремния в щелочных <...> Ключевые слова: микроструктурирование поверхности, анизотропное травление, монокристаллический кремний <...> Введение Монокристаллический кремний продолжает оставаться высоконадежным и наиболее дешевым материалом

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №6 2017.pdf (0,9 Мб)
41

№4 [Аналитические записки и брифы ЦЭИ (на русском языке), 2011]

Аналитические записки и брифы ЦЭИ

Для сравнения: 1 Ватт установленной мощности, производимый монокристаллическим кремниевым фотоэлементом <...> современный уровень) Эффективность фотопреобразования промышленных модулей в среднесрочном периоде (будущее) Монокристаллический <...> кремния и снижение толщины солнечных элементов. <...> кремния составит 1 млн тонн в год. <...> солнечного кремния из особо чистых кварцитов с помо щью плазматронов.

Предпросмотр: Аналитические записки и брифы ЦЭИ (на русском языке) №4 2011.pdf (0,2 Мб)
42

№1 [Физика и техника полупроводников, 2017]

Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V2O5 . . . . . . . . <...> Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния <...> слоя мезопористого кремния, были получены на полированных пластинах монокристаллического кремния p-типа <...> Ивлев... слои окисленного мезопористого кремния, полученные на поверхности монокристаллических подложек <...> Существенным фактором является экономия исходного монокристаллического кремния.

Предпросмотр: Физика и техника полупроводников №1 2017.pdf (0,2 Мб)
43

№7 [Известия ВУЗов. Машиностроение, 2018]

В журнале освещаются результаты теоретических и экспериментальных исследований, выполненных работниками высших учебных заведений и научных учреждений, по расчету и конструированию машин, транспортному и энергетическому машиностроению, технологии машиностроения, экономике, организации и менеджменту на предприятии, новым материалам и технологиям, истории науки и техники, учебно-методической работе.

Использован монокристаллический алмазный резец с радиусом вершины 0,5 мм, передним углом 0° и задним <...> Торцевое точение заготовки из монокристаллического кремния {111} (модуль Юнга — 131,0…155,8 ГПа, коэффициент <...> Обрабатываемый материал Кристаллографическая ориентация алмаза Ch mh Монокристаллический кремний {111 <...> Использован монокристаллический алмазный резец с радиусом вершины 1 мм и передним углом 0°. <...> При сверхточной обработке монокристаллического кремния силы резания возрастают вследствие его твердости

Предпросмотр: Известия ВУЗов. Машиностроение №7 2018.pdf (0,1 Мб)
44

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Образцы были выращены на плоскости (001) монокристаллических подложек из MgO. <...> К настоящему времени изучено большое количество монокристаллических магнитоэлектрических материалов. <...> Двулучепреломление и дисперсия оптических параметров ПК Монокристаллический кремний имеет высокосимметричную <...> Нанокристаллизация монокристаллических пленок опала и пленочных опаловых гетероструктур // Российский <...> Монокристаллический кремний имеет высокосимметричную кристаллическую решетку типа алмаза и, как следствие

Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
45

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Образцы были выращены на плоскости (001) монокристаллических подложек из MgO. <...> К настоящему времени изучено большое количество монокристаллических магнитоэлектрических материалов. <...> Двулучепреломление и дисперсия оптических параметров ПК Монокристаллический кремний имеет высокосимметричную <...> Нанокристаллизация монокристаллических пленок опала и пленочных опаловых гетероструктур // Российский <...> Монокристаллический кремний имеет высокосимметричную кристаллическую решетку типа алмаза и, как следствие

Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
46

№3 [Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль, 2017]

Научно-производственный рецензируемый журнал на новой правовой основе (решение о его издании принято ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет» и ОАО «Научно-исследовательский институт физических измерений») публикует материалы, представляющие результаты научных исследований: оригинальные статьи и тематические обзоры в области информатики, измерительной техники, автоматики, управления техническими системами, электроники, систем мониторинга, контроля и диагностики, а также других направлений исследований.

Приведены и обоснованы преимущества изготовления кремниевой струны интегральным способом из монокристаллического <...> кремния. <...> кремния с использованием МЭМСтехнологий [1]. <...> Control Монокристаллический кремний обладает рядом достоинств по сравнению с традиционно применяемыми <...> Геометрия монокристаллической кремниевой струны: l – длина, h – толщина, b – ширина Гармонические поперечные

Предпросмотр: Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль №3 2017.pdf (0,5 Мб)
47

№3 [Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017]

Предварительно на подложках из монокристаллического кремния создавали затравочные центры, для чего при <...> В качестве подложек 2 использовались очищенные пластины монокристаллического кремния. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Исследовали монокристаллический кремний КДБ-10, облученный при комнатной температуре <...> Толщину снятого слоя кремния рассчитывали по формуле dSi = 0.41 [5]. <...> кремнием стал более резким.

Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №3 2017.pdf (0,1 Мб)
48

Актуальные проблемы физикн. Выпуск 5: Сборник научных трудов молодых ученых, аспирантов и студентов Сборник научных трудов

ЯрГУ

В сборнике представлены статьи по различным направлениям физики, написанные молодыми учеными, аспирантами и студентами физического факультета Ярославского государственного университета им. П.Г. Демидова.

пленки селенида свинцаселенида европия с содержанием Eu от 0 до 9 ат. %, выращенные методом МЛЭ на монокристаллических <...> – монокристаллический кремний – металл с толстым слоем высокоомного пористого кремния с оксидной фазой <...> Исходными пластинами служил легированный фосфором монокристаллический кремний (МК) марки КЭФ-1,0 кристаллографической <...> и в SiO2, а третий – связи Si-Si в кристаллическом кремнии и SiO2. <...> Рентгеновская дифрактометрия пористого кремния / Дипломная работа.

Предпросмотр: Актуальные проблемы фнзикн. Выпуск 5 Сборник научных трудов молодых ученых, аспирантов и студентов.pdf (0,9 Мб)
49

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2018]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

кремния. <...> кремния. <...> Ключевые слова: карбид кремния; омический контакт; ионная имплантация Благодарность: работа выполнена <...> Для изготовления ЧЭ акселерометра используется монокристаллический кремний марки КЭФ-4,5 (100). <...> Исследование технологических режимов газофазного формирования начального слоя кремния на сапфире.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2018.pdf (1,3 Мб)
50

№4 [Тонкие химические технологии, 2012]

Журнал "Тонкие химические технологии" (прежнее название [2006-2014] "Вестник МИТХТ") выходит один раз в два месяца и публикует обзоры и статьи по актуальным проблемам химической технологии и смежных наук. Журнал основан в 2006 году. Учредителем журнала является Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ), ныне Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова. Журнал входит в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора (кандидата) наук. Журнал реферируется в международной базе данных Chemical Abstracts, входит в международный каталог периодических изданий Ulrich. Под новым названием "Тонкие химические технологии" журнал "Вестник МИТХТ" выходит, начиная с 1-го выпуска 10-го тома за 2015 год.

Особенности электрохимического полирующего травления монокристаллического кремния в неокислительном травителе <...> Методическая часть В качестве исходного брали монокристаллический кремний p-типа марки КДБ с удельным <...> Такой же эффект наблюдается на всех перечисленных марках монокристаллического кремния р-типа, использованных <...> (защитного слоя), препятствующего травлению монокристаллического кремния и периодически устраняемого <...> Формирование пористого кремния на кремнии n + -типа проводимости // Изв. АН БССЗ. 1983. № 1.

Предпросмотр: Вестник МИТХТ №4 2012.pdf (0,8 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 312