Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 528130)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 125670 (1,45 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Прогресс в области создания новых базовых элементов для энергоэффективной сверхпроводниковой электроники [Электронный ресурс] / Бакурский [и др.] // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2014 .— №4 .— С. 3-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/570138

Автор: Бакурский

Настоящий обзор посвящен обсуждению перспектив решения проблемы низкой степени интеграции традиционных базовых элементов современной сверхпроводниковой цифровой электроники. Выделены три основных направления на пути к компактным многоэлементным джозефсоновским электронным системам: 1) уменьшение до субмикронных размеров самого джозефсоновского контакта; 2) уменьшение типовых логических ячеек; 3) создание компактной и быстрой джозефсоновской памяти. Соответственно в работе излагаются физические основы функционирования джозефсоновских элементов, с тем чтобы показать фундаментальные ограничения, препятствующие созданию стандартных туннельных субмикронных контактов и компактных логических ячеек/элементов памяти. В обзоре наглядно продемонстрирована суть прорывных технологических решений, позволяющих создавать сверхмалые гетероструктуры с требуемыми параметрами, уменьшать и оптимизировать логические ячейки, а также создавать системы памяти на основе джозефсоновских контактов с магнитными слоями

момент в механической аналогии) превышал значение критического тока I > IC . <...> ток π-контакта, т. е. джозефсоновского элемента с ток-фазовым соотношением (6), заметно превышает критические <...> Для уменьшения величины магнитных полей, требуемых для управления критическим током джозефсоновского <...> токами, представлена на рис. 4, б: в устойчивом состоянии с высоким критическим током при прохождении <...> тока мы получим один с комплексной — IFNFI — областью слабой связи и очень маленьким критическим током

2

Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN монография

М.: Издательство Прометей

Целью работы явилось исследование характеристик однофотонных сверхпроводниковых детекторов, созданных на базе тонких пленок NbN, увеличение быстродействия детектора и исследование возможностей практического применения однофотонных сверхпроводниковых детекторов вместо традиционно используемых полупроводниковых однофотонных детекторов. Практическим результатом работы явилось создание быстродействующего детектора одиночных фотонов на основе эффекта однофотонного детектирования оптического и ИК излучений тонкопленочными сверхпроводящими наноструктурами. Детектор обладает рекордными характеристиками по быстродействию и чувствительности в широком спектральном диапазоне от УФ до ИК. Показана перспективность применения детекторов в корелляционной инфракрасной микроскопии живых биологических образцов с высоким временным разрешением.

, близким по величине к критическому току. <...> к критическому току измеряемого образца. <...> Однако если критический ток сверхпроводящей полоски меньшей длины, окажется меньше критического тока <...> тока секции с меньшим критическим током и тока смещения (Ic − Ib). <...> А ток возврата Iret принят равным одной трети от критического тока образца.

Предпросмотр: Быстродействующий однофотонный детектор на основе тонкой сверхпроводниковой пленки NbN Монография.pdf (0,4 Мб)
3

Проскальзывание фазы, поглощение электромагнитного излучения и формирование отклика в детекторах на основе узких полосок сверхпроводников монография

М.: Издательство Прометей

Монография посвящена актуальной проблеме современной физики сенсоров. Авторы подробно описали теоретическое исследование новых типов сверхпроводниковых детекторов электромагнитного излучения. Работа раскрывает три основные темы: детектор на кинетической индуктивности, флуктуации проскальзывания фазы в нанопроволоках и сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе тонкой пленки нитрида ниобия.

, близким по величине к критическому току. <...> , и для достаточно узкой пленки величина плотности тока начинает превышать критическую. <...> по формуле (3.3) критический ток Jc0 в пределе T � Tc. <...> Js ≈ 12Jc (Jc – критический ток при данной температуре). <...> Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» S-S’-S структур // ЖЭТФ. — 1988.— Т. 94.

Предпросмотр: Проскальзывание фазы, поглощение электромагнитного излучения и формирование отклика в детекторах на основе узких полосок сверхпроводников Монография.pdf (0,3 Мб)
4

РАЗВИТИЕ ДИОКОТРОННОЙ НЕУСТОЙЧИВОСТИ В СЖАТОМ СОСТОЯНИИ РЕЛЯТИВИСТСКОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА [Электронный ресурс] / Короновский, Храмов // Известия Российской академии наук. Серия физическая .— 2017 .— №1 .— С. 36-39 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592524

Автор: Короновский

Проведено численное исследование нелинейных нестационарных процессов в пучково-плазменной системе, содержащей кольцевой интенсивный релятивистский электронный пучок со сверхкритическим током в сжатом состоянии. Детально изучен процесс возникновения и развития в сжатом состоянии диокотронной неустойчивости, приводящий к формированию вихревых структур, а также изучено влияние величины внешнего магнитного поля на процессы структурообразования в пучке

пучка ниже предельного вакуумного тока. <...> При этом величина критического тока обратно пропорциональна радиусу трубы дрейфа Icr ~ R–1. <...> Для описанной схемы пространства дрейфа существуют два значения критического вакуумного тока: критический <...> ток первой трубы Icr1 и критический ток второй трубы Icr2 (Icr2 < Icr1).При инжекции в пространство <...> Зафиксируем ток пучка I0 = 3.0 кА.

5

Теплоэлектродинамические механизмы нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников при крипе магнитного потока [Электронный ресурс] / Романовский // Журнал технической физики .— 2017 .— №1 .— С. 50-59 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591609

Автор: Романовский

Изучены процессы формирования макроскопических состояний сверхпроводящей ленты, индуцируемые при крипе магнитного потока транспортным током. Показано существование характерных значений напряженности электрического поля, зависящих от скорости ввода тока, свойств сверхпроводника, условий охлаждения и свойств стабилизирующей матрицы, которые лежат в основе теплоэлектродинамических механизмов, влияющих на крутизну нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников. Исследованы условия возникновения токовых неустойчивостей с учетом неравномерного распределения температуры по сечению технического сверхпроводника. Сформулированы условия существования вольтамперных характеристик технических сверхпроводников, допускающие стабильный нагрев сверхпроводника до температуры, равной критической. Результаты проведенного исследования необходимо учитывать при измерении вольт-амперных характеристик сверхпроводящих материалов, определении их критических параметров и тока возникновения неустойчивости

В этом случае критическая плотность тока сверхпроводника Jc вводится как ток, при котором на его вольт-амперной <...> критической плотности тока в 3 раза (переход от состояния 2 к состоянию 3) приводит к увеличению тока <...> Таким образом, увеличение тока срыва всегда меньше соответствующего увеличения критического тока сверхпроводника <...> Варьирование остальных параметров (критической плотности тока сверхпроводника и его критической температуры <...> критический ток технического сверхпроводника.

6

СПИНОВАЯ ФИЛЬТРАЦИЯ В СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ МЕЗАСТРУКТУРАХ С ФЕРРОМАГНИТНОЙ ТУННЕЛЬНОЙ ПРОСЛОЙКОЙ ИЗ МАНГАНИТА [Электронный ресурс] / Овсянников [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №4 .— С. 113-120 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592358

Автор: Овсянников

Изучены токовый транспорт и магнетизм в эпитаксиальных гибридных сверхпроводниковых мезаструктурах из купратного сверхпроводника и сверхпроводящего ниобия с прослойкой из манганита LaMnO3 (LMO). С помощью магнитного резонанса экспериментально показано, что намагниченность, параметры магнитной анизотропии и температура перехода в ферромагнитное состояние прослойки структур аналогичны случаю автономной пленки LMO, выращенной на подложке из галлата неодима. Оценка высоты барьера, полученная из завиcимости характерного сопротивления мезаструктур от толщины прослойки, показала изменение высоты барьера с толщиной в пределах 5–30 мВ. Температурные зависимости проводимости мезаструктуры в области между критическими температурами сверхпроводников описываются теорией, учитывающей d-волновой характер сверхпроводимости одного из электродов и спиновую фильтрацию носителей, протекающих через туннельную прослойку. Спиновая фильтрация подтверждается туннельным магнитосопротивлением и высокой чувствительностью мезаструктур к слабому внешнему магнитному полю в интервале напряжений, не превышающих щель ниобия.

Отметим, что в работе [17] отсутствовал критический ток в гетероструктуре. <...> к критической температуре пленки Nb (9.2 К). <...> Критическая температура пленки YBCO составляла Tc = 88–89 K. <...> , в то время как для dM = 0 наблюдается заметный критический ток [22]. <...> токов с разным направлением спинов [39].

7

В поисках сверхпроводящего Грааля [Электронный ресурс] / Лебедев // Экология и жизнь .— 2012 .— №4 .— С. 52-55 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/256132

Автор: Лебедев
М.: ПРОМЕДИА

О проводящих свойствах углеродных пленок, полученных распылением графита в электрической дуге.

При комнатной температуре критический ток менялся в пределах 5–1000 мА в зависимости от типа конденсата <...> С понижением температуры величина критического тока увеличивалась. <...> Иными словами, при протекании тока ниже критического значения напряжение на контакте отсутствует. <...> Это переключатель на основе углеродной пленки, в котором превышение критического тока вызывает переход <...> Перспективы таковы: через полтора года — увеличение критического тока до 100 А для использования в системе

8

Переключения между устойчивыми состояниями распределенного джозефсоновского φ-контакта [Электронный ресурс] / Кленов, Ружицкий, Соловьев // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2015 .— №5 .— С. 75-80 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/353494

Автор: Кленов

В работе представлено описание токового транспорта через распределенный джозефсоновский контакт со знакопеременной плотностью критического тока. Получить в эксперименте такую знакопеременную плотность можно за счет включения специальным образом магнитного слоя в область слабой связи. Перспективы практического использования таких структур связаны с возможностью получения на их основе бистабильных джозефсоновских элементов. Выполненный в статье для рассматриваемых контактов совместный анализ ток-фазовых зависимостей вместе с динамическими характеристиками позволил предложить оптимизацию функционирования ячейки быстрой сверхпроводниковой памяти на основе бистабильного контакта и оценить диссипацию энергии для операций "запись" и "считывание".

(рис. 1, в) [12], обеспечивает при определенных условиях знакопеременную плотность критического тока <...> будет принята плотность критического тока в 0-области jc,0 . <...> Кроме того, системы с низкими по модулю плотностями критического тока в π-области быстрее выходят на <...> Реализация операции «считывание» базируется на существовании двух критических значений тока питания для <...> тока ϕ -контакта от внешнего магнитного потока при различных плотностях критического тока в π -области

9

№1 [Физическое образование в вузах, 1999]

Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ О.Н. Крохин. Основные разделы журнала 1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в вузе, техникуме, колледже. 2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах. 3. Современный лабораторный практикум по физике. 4. Демонстрационный лекционный эксперимент. 5. Информационные технологии в физическом образовании. 6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних учебных заведениях. 7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента. 8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами. 9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.

Критический ток измерялся стандартным четырехконтактным методом по критерию 1цУ/см. <...> Значения критических токов и нормированных потерь. <...> Также было измерено значение критического тока для каждого угла а и величины магнитного поля. <...> температуре и критическому току. <...> Критический ток равнялся 25 А при Т=77К, В=0. 2.2.

Предпросмотр: Физическое образование в вузах №1 1999.pdf (0,1 Мб)
10

Инновационные технологии в энергетике Книга 3 : Прикладная высокотемпературная сверхпроводимость

М.: НАУКА

В третьей книге сборника приведены результаты новейших научных и научно-инженерных разработок в области создания гибридных систем передачи энергии, когда энергия поставляется в своей химической форме в виде жидкого водорода и в электрической форме - с помощью сверхпроводящего кабеля с использованием сверхпроводника на основе диборида магния (MgB2). Рассматриваются проблемы перехода ВТСП проводников в нормальное состояние и создания новых образцов энергетического оборудования для самолета и эффективных высокоресурсных систем криообеспечения для поддержания высокотемпературной сверхпроводимости в силовых высокотемпературных сверхпроводящих устройствах различной мощности и назначения (генераторы, электродвигатели, токоограничители, кабели и т.п.).

Критические токи кабелей соответствовали расчетным. <...> Ожидаемый критический ток в этой ленте при 20 К был ~ 520–540 А. <...> Была построена зависимость критического тока от температуры. <...> На рис. 4 показано сравнение критического тока кабеля с суммой токов пяти Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» <...> Значение критического тока по критерию 1 мкВ/см составляло от 300 до 420 А.

Предпросмотр: Инновационные технологии в энергетике.pdf (0,3 Мб)
11

Применение закона сохранения магнитного потока в исследовании критического состояния образца высокотемпературного сверхпроводника кольцевой формы [Электронный ресурс] / Суворова, Буев // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №2 .— С. 188-197 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270070

Автор: Суворова
М.: ПРОМЕДИА

Цель работы: исследование кривой намагничивания в зависимости магнитного поля сверхпроводящего кольца B [K] (i) и магнитного поля соленоида B[C] (i) от скорости изменения магнитного потока через отверстие кольца. Материал и методы исследования: проведены эксперименты по измерению критического тока высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) кольца индуктивным методом. Основная особенность индуктивного метода снятия кривых намагничивания заключается в том, что ВТСП-кольцо взаимодействует только с собственным магнитным полем, и отсутствует непосредственное воздействие внешнего магнитного поля на данный образец. Измеряется магнитное поле, создаваемое ВТСП-кольцом, который наводится путем введения внешнего магнитного потока в отверстие кольца с помощью соленоида с постоянным током. Одним из достоинств проведенных экспериментальных работ является то, что в эксперименте наглядно продемонстрировано действие двух законов, описывающих индуктивные токи и диапазоны действия этих законов. При этом показано, для ВТСП образцов при токах I меньше I[2c] выполняется закон сохранения магнитного потока, для образцов в резистивном (или частично резистивном) состоянии при токах I больше или равно I[2c] выполняется закон электромагнитной индукции. С помощью исследования хода кривой намагничивания от скорости изменения магнитного потока установлено явление эквидистантности кривых намагничивания при кратных скоростях изменения магнитного потока. В результате найдено новое соотношение для вольтамперной характеристики ВТСП для области токов, близких к критическому. При этом наиболее важным является то, что характер перехода не зависит от типа и структуры и микроструктуры сверхпроводника, а определяется только лишь законом сохранения магнитного потока.

Материал и методы исследования: проведены эксперименты по измерению критического тока высокотемпературного <...> Бесконтактный метод и устройство для измерения критического тока ВТСП-кольца и других его характеристик <...> рост тока выше критического возможен только при частично резистивном состоянии. <...> рост тока выше критического возможен только при частично резистивном состоянии. 4. <...> больших или равных критическому току 2cI .

12

Применение магнетрона для определения удельного заряда электронов метод. указания к лаб. работе № 224

Автор: Чакак А. А.
ОГУ

Методические указания предназначены для студентов естественно-научных и технических специальностей и направлений подготовки, выполняющих лабораторные работы по курсу общей физики. В указаниях рассмотрены конструкция и принцип действия магнетрона, его применение для определения удельного заряда электронов. Указания включают теоретическое изложение материала, описание методики проведения опыта и контрольные вопросы для самоподготовки. Методические указания рекомендованы к изданию кафедрой общей физики ОГУ.

Критические условия достигаются поэтому для разных электронов при разных значениях индукции В. <...> Критическое поле Вкр есть некоторая функция анодного напряжения UA. <...> регулятором напряжения критический ток в соленоиде, измерьте и запишите значение напряжения UA между <...> Определите критическое значение магнитной индукции и удельный заряд электрона по приближённым формулам <...> токе Iкр; RA = 5 мм – радиус цилиндрического анода; при критическом значении магнитной индукции Вкр

Предпросмотр: Применение магнетрона для определения удельного заряда электронов.pdf (0,2 Мб)
13

№4 [Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия, 2014]

Основан в 1946г. Авторитетное научное издание, статьи и материалы журнала отражают тематику важнейших направлений теоретических и экспериментальных исследований по всему кругу научных вопросов, изучаемых на физическом факультете МГУ

момент в механической аналогии) превышал значение критического тока I > IC . <...> ток π-контакта, т. е. джозефсоновского элемента с ток-фазовым соотношением (6), заметно превышает критические <...> Для уменьшения величины магнитных полей, требуемых для управления критическим током джозефсоновского <...> токами, представлена на рис. 4, б: в устойчивом состоянии с высоким критическим током при прохождении <...> тока мы получим один с комплексной — IFNFI — областью слабой связи и очень маленьким критическим током

Предпросмотр: Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия №4 2014.pdf (0,2 Мб)
14

№1 [Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018]

В нем критический ток Ic – максимальный бездиссипативый ток через контакт. <...> ток Ir и синусоидальное ТФС, а второй (исследуемый) – малый критический ток Ij и ТФС неизвестного вида <...> ток исследуемого контакта мал, и его джозефсоновский ток заведомо не может превосходить критического <...> Это позволяло измерить критический ток каждого из контактов. <...> Значение критического тока исследуемого контакта составило 7.5мкА, опорный контакт имел критический ток

Предпросмотр: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики №1 2018.pdf (0,3 Мб)
15

Модель процесса перехода поликристаллического высокотемпературного сверхпроводника в критическое состояние [Электронный ресурс] / Суворова, Буев // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2010 .— №3 .— С. 102-114 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269891

Автор: Суворова
М.: ПРОМЕДИА

С помощью новой измерительной установки, в которой кольцевой сверхпроводящий образец взаимодействует только с магнитным полем собственного сверхпроводящего тока, впервые выявлены особенности реакции на него поликристаллического (керамического) высокотемпературного сверхпроводника.

ток, джозефсоновское критическое магнитное поле, модель Бина. <...> К ним относятся плотность критического тока Jcj (критический ток JcI ), их полевые и температурные зависимости <...> Затем измеряются ( )HU i кольца и критический ток 2 J cI . <...> тока и критического поля. <...> плотности критического тока монокристалла.

16

Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения [Электронный ресурс] / Попков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №2 .— С. 5-15 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/604553

Автор: Попков

Использование спин-диодного эффекта, возникающего в магнитных туннельных переходах под действием токовой передачи вращательного момента, открывает перспективу значительного повышения микроволновой чувствительности по сравнению с полупроводниковыми диодами

смещения возможна потеря устойчивости исходного спинового состояния системы в критической точке. <...> На рис. 5 приведена рассчитанная зависимость критического тока от магнитного поля для случая, когда магнитное <...> Выше критического тока, как правило, возникает спиновая прецессия без микроволнового облучения. <...> В области больших магнитных полей, превышающих поля магнитной анизотропии, критический ток растет с ростом <...> Максимальная чувствительность превосходит мВ/мВт 11000m вблизи критического значения тока 27 А/см108,4

17

Исследование симметричного и ассиметричного dc-сквидов: Лабораторный практикум

Автор: Блинов В. И.
[Б.и.]

Соответствует Государственному образовательному стандарту по специальности 010400 "Физика". Включает 2 лабораторные работы

В симметричном dcсквиде критические токи левого и правого переходов, отмеченных на рис. 1 крестиками, <...> характеристики сквида, а также чувствительность, определяемую выражением .VS Ie       Φ∂ ∂ = Критический <...> токе смещения I, меньшем удвоенного значения критического тока Ic, I < 2Ic, ток, протекающий через джозефсоновские <...> Таким образом, изменение внешнего потока при заданном β приведет к изменению максимального критического <...> куперовских пар; Ic – критический ток джозефсоновского перехода; ϕ – разность фаз волновой функции сверхпроводящего

Предпросмотр: Исследование симметричного и ассиметричного dc-сквидов Лабораторный практикум.pdf (0,2 Мб)
18

ТОНКАЯ СТРУКТУРА МАССИВНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА MGB2 ПОСЛЕ ДЕФОРМАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ [Электронный ресурс] / Кузнецова [и др.] // Физика металлов и металловедение .— 2017 .— №4 .— С. 42-49 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591884

Автор: Кузнецова

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована структура сверхпроводника MgB2, подвергнутого высокотемпературному восстановительному отжигу после холодной деформации под высоким давлением в камере “Тороид” или наковальнях Бриджмена. Показано, что в результате последеформационного отжига при 950°С средний размер кристаллитов матричной фазы возрастает в 5–10 раз по сравнению с деформированным состоянием, достигая ~50–150 нм, а критиче4ская п2лотность тока увеличивается в три раза по сравнению с исходным состоянием (до 6.7 × ×10 A/см при 30 K). Обнаружено, что фаза MgO и высшие бориды магния присутствуют в виде дисперсных включений размером 10–70 нм.

тока jc (4.2 К, 0 Тл) ~107 A/см2 [1], возможностью достижения высоких значений верхнего критического <...> Для получения сверхпроводников с высокой критической плотностью тока необходимо разработать оптимальные <...> В исходном состоянии (после синтеза) критическая плотность тока обоих образцов составляла jc ~2 × × 104 <...> Необходимо установить, какие факторы повлияли на повышение критической плотности тока после отжига – <...> Критическая плотность тока образцов MgB2 при 30 К Образец № 1 Образец № 2 Исходное состояние 2.3 × 104

19

КОНЕЧНО-РАЗНОСТНАЯ СХЕМА ДЛЯ СТОХАСТИЧЕСКИ ВОЗМУЩЕННОГО ЛИНЕАРИЗОВАННОГО УРАВНЕНИЯ SIN-GORDON [Электронный ресурс] / Кирпиченкова, Пухлова // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2017 .— №1 .— С. 36-40 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/587696

Автор: Кирпиченкова

В реальных джозефсоновских контактах присутствуют различные искажения в слое изолятора этого контакта, в частности, случайные квантовые закоротки. Наличие случайных квантовых закороток приводит к необходимости рассматривать стохастически возмущенное уравнение sin-Gordon в качестве математической модели вихретоковых процессов в реальных джозефсоновских контактах. Математическая сложность и «многопараметричность» этой модели делают весьма затруднительным её достаточно точное аналитическое исследование в широкой области параметров модели, что приводит к необходимости разработки численных методов и основанных на них компьютерных моделей, предназначенных для анализа электродинамики вихретоковых процессов в таком контакте. В этой связи здесь получена усредненная конечно-разностная схема для численного решения стохастически возмущенного линеаризованного уравнения sin-Gordon, предназначенная для математического моделирования вихретоковых процессов малой амплитуды в неупорядоченных джозефсоновских контактах

Одним из направлений электродинамики джозефсоновских S-I-S контактов является исследование вихревых токов <...> Электродинамика вихревых токов в длинных идеальных джозефсоновских контактах давно и хорошо изучена на <...> Нижнее критическое поле длинного джозефсоновского S-I-Sтуннельного контакта с квантовыми закоротками <...> Влияние квантовых резонансно-перколяционных траекторий в неупорядоченном I-слое на критический ток джозефсоновского <...> Влияние двупримесных туннельных резонансов на нижнее критическое поле длинного S-I-S туннельного Copyright

20

№11 [Электричество, 2019]

Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.

ток 467 А, критическая температура Тс = 6,08 К, h=95%, потери в компрессорах двух криокулеров 22,5 кВт <...> Критический ток ВТСП ра# вен 180 A при T =77 K. Обмотка статора медная многожильная (Litz). <...> Первая команда добилась увеличения критического тока более чем в 4 раза – от 400 А для ленты ВТСП Re( <...> Предполагается увеличить критический ток Ic =1440 A при рабочей T =65 К и индукции B=1,5 Тл и снизить <...> Предполага� ется увеличить длину выпускаемого кабеля с 500 до 6000 м, а критический ток до Ic = 5000

Предпросмотр: Электричество №11 2019.pdf (0,8 Мб)
21

Определение удельного заряда электрона методом магнетрона метод. указания

Автор: Рудь Н. А.
ЯрГУ

В данных методических указаниях рассматриваются теоретические основы движения электрона в электромагнитных полях, экспериментальные методы определения удельного заряда электрона, физические основы устройства магнетрона. Подробно излагается порядок выполнения лабораторной работы физического практикума по атомной физике «Определение удельного заряда электрона методом магнетрона».

μ0IКР N l/√ l2 + d2 , (34) где IКР – значение тока в соленоиде, соответствующее критическому значению <...> По положению максимума на графике производной находят значение критического тока соленоида Iкр (рис. <...> В этом случае критический ток в соленоиде будет определяться наибольшим наклоном кривой в области спадания <...> , если построить график , то максимум этой зависимости будет соответствовать значению критического тока <...> Определите значение критического тока IКР в обмотке соленоида по положению максимума на графике производной

Предпросмотр: Определение удельного заряда электрона методом магнетрона методические указания.pdf (0,3 Мб)
22

№4 [Журнал технической физики, 2017]

Один из старейших физических журналов России. Основан в 1931 г. На страницах журнала находят отражение все разделы современной прикладной физики, включая ее биомедицинские направления, исследования различных материалов и структур, создание новых приборов и развитие методов физического эксперимента. Традиционными рубриками также являются «Теоретическая и математическая физика», «Атомная и молекулярная физика».

равен критическому току сверхпроводника. <...> , превышающих критический ток композита. <...> В этом случае критический ток ленты равен 59А. <...> равен критическому току сверхпроводника. <...> Эти выводы справедливы и для токов, превышающих критический ток (рис. 7).

Предпросмотр: Журнал технической физики №4 2017.pdf (0,1 Мб)
23

МАГНИТНЫЕ, ТОКОВЫЕ И ТЕПЛОВЫЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ В СВЕРХПРОВОДНИКАХ (обзор результатов существующей теории устойчивости) [Электронный ресурс] / Романовский // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2013 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/276123

Автор: Романовский
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Обсуждаются основные результаты исследования условий возникновения неустойчивостей, которые могут разрушить сверхпроводящее состояние вследствие действия возмущений различной природы. Показано, что существующие теории устойчивости развиваются независимо друг от друга. Кроме того, они не позволяют корректно описать влияние на условия стабильности сверхпроводящего состояния изменения теплового состояния сверпроводника, неизбежно происходящего перед возникновением магнитных или токовых неустойчивостей.

Возникновение магнитных или токовых неустойчивостей обусловлено тем, что критическая плотность тока Jc <...> Это наглядно следует из критериев (1) и (2), в записи которых критическая плотность тока и теплоемкость <...> части ВАХ сверхпроводника и может отличаться от критического тока сверхпроводника. <...> значение Ec ∼ 10−4 В/м и соответствующее ему значение критического тока. <...> Если критический ток в сверхпроводнике Ic линейно убывает с температурой, то она имеет вид [1–3] 25 Copyright

24

ВЛИЯНИЕ ИНДУКТИВНОЙ И ЕМКОСТНОЙ СВЯЗЕЙ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНУЮ ХАРАКТЕРИСТИКУ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ СИСТЕМЫ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ [Электронный ресурс] / Рахмонов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №1 .— С. 152-160 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592303

Автор: Рахмонов

Исследована вольт-амперная характеристика системы длинных джозефсоновских переходов с учетом индуктивной и емкостной связей. Представлены зависимость средней производной разности фаз по времени от величины базового тока и пространственно-временные зависимости разности фаз и магнитного поля в каждом переходе. Показана возможность ветвления вольт-амперной характеристики в области ступеньки нулевого поля, связанная с различным числом флюксонов в отдельных джозефсоновских переходах. Проведено сравнение вольт-амперной характеристики системы джозефсоновских переходов со случаем одного перехода и показано, что обнаруженное ветвление обусловлено наличием связи между переходами. Рассчитана интенсивность электромагнитного излучения, обусловленная движением флюксонов, и исследовано влияние связи между переходами на мощность излучения

В работе [20] учитывался также диффузионный ток [17], важность которого подчеркивалась в ряде работ [ <...> — на критический ток jc и β = σV0/(dIjc) — параметр диссипации. <...> К базовому току добавляется шум [26] с амплитудой δI = ±10−8. Шаг по координате равен Δx = 0.1. <...> При этом значении тока остальные ДП системы также находятся в двухфлюксонном состоянии. <...> При значении базового тока IB все ДП переключаются в однофлюксонное состояние.

25

ОСОБЕННОСТИ АНОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ДУГИ ПРИ СВАРКЕ ПЛАВЯЩИМСЯ ЭЛЕКТРОДОМ В ЗАЩИТНЫХ ГАЗАХ [Электронный ресурс] / Ленивкин [и др.] // Сварка и Диагностика .— 2016 .— №6 .— С. 27-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/613800

Автор: Ленивкин

Рассмотрена структура анодной области дуги и влияние анодных процессов на технологические свойства дуги при механизированной сварке в защитных газах плавящимся электродом током обратной полярности. Описан механизм анодных процессов с целью определения способов управления технологическими свойствами дуги. Рассмотрен баланс мощности в анодной области. Установлено, что производительность расплавления электродной проволоки определяется приэлектродным анодным падением напряжения, работой выхода электронов и направлением действия плазменных потоков в дуге. При исследовании использовались электродные проволоки с различными активирующими покрытиями

Так, при сварке в аргоне критический ток обратной полярности для электродной проволоки Св-08Г2С, dэ = <...> ток дуги увеличивается на 20– 25 А. <...> равным току дуги при сварке очищенным участком электрода. <...> Электрический ток в газе (установившийся ток). М.: Наука, 1971. 543 с. 2. Раховский В.И. <...> О плотности тока в анодном пятне. / И.Д. Кулагин, А.В.

26

№19 [Письма в журнал технической физики, 2017]

В табл. 2 приведены значения критических нагрузок Lc1, Lc2 и Lc3. <...> Десятикратное падение экранирующего тока на рис. 1 свидетельствует о том, что температура близка к критической <...> Быстрое восстановление больших критических токов объясняется высокой теплопроводностью монодоменных ВТСП <...> Остывание канала приводит к автоматическому росту критического тока. <...> В области от 77K до TC критический ток линейно зависит от температуры, поэтому IC со временем возрастает

Предпросмотр: Письма в журнал технической физики №19 2017.pdf (0,1 Мб)
27

№9 [Электричество, 2006]

Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.

состоянии ITSM (при T jmax), кА 12 11,7 Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии ( <...> Зависимость критического тока Iк ленты от магнитного поля В, параллельного (а) и перпендикулярного (б <...> Сильная зависимость критического тока ВТСП ленты 1�го поколения от индукции и направления магнитного <...> Зависимость критического тока ВТСП ленты Bi�2223 от индукции внешнего магнитного поля, параллельного <...> Можно предположить, что критический ток задается энергетическим балансом в канале ПЧР.

Предпросмотр: Электричество №9 2006.pdf (0,1 Мб)
28

№9 [Электротехника, 2006]

Научно-технический журнал для специалистов в области электротехники. Издается с 1930г.

состоянии ITSM (при T jmax), кА 12 11,7 Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии ( <...> Зависимость критического тока Iк ленты от магнитного поля В, параллельного (а) и перпендикулярного (б <...> Сильная зависимость критического тока ВТСП ленты 1�го поколения от индукции и направления магнитного <...> Зависимость критического тока ВТСП ленты Bi�2223 от индукции внешнего магнитного поля, параллельного <...> Можно предположить, что критический ток задается энергетическим балансом в канале ПЧР.

Предпросмотр: Электротехника №9 2006.pdf (0,1 Мб)
29

Переходные процессы в электроэнергетических системах метод. указания к лаб. работам для студентов специальностей 140211.65 "Электроснабжение" и 149204.65 "Электр. станции"

Автор: Пилипенко
ГОУ ОГУ

Приводятся описание лабораторных стендов, особенности и порядок проведения экспериментов, целью которых является изучение электромагнитных переходных процессов при коротких замыканиях в системах электроснабжения и электроэнергетических системах. Также в методические указания включены необходимые теоретические сведения по темам лабораторных работ.

Такую реактивность называют критической (Хкр), а ток, связанный с ней равенством (3.1) критическим током <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 20 Если внешняя реактивность меньше критической <...> Таким образом критическое время уменьшается с ростом удаленности КЗ. <...> 2.5.2Что такое критическое сопротивление Хкр и критический ток Iкр? <...> 2.5.5Что такое критическое время tкр? 2.6 Дополнительная литература 2.6.1 Ульянов, С.А.

Предпросмотр: Переходные процессы в электроэнергетических системах.pdf (0,2 Мб)
30

Теория сварочных процессов. Физические и технологические свойства электросварочной дуги учеб. пособие

Автор: Дедюх Р. И.
Изд-во ТПУ

В пособии изложены современные представления о физических и технологических свойствах электросварочных дуг. Показана связь технологических свойств дуги с ее физическими свойствами. Рассмотрены пути управления технологическими свойствами сварочных дуг.

, что позволяет говорить о некоторой критической силе тока (критическом токе), при котором начинается <...> изменение характера переноса при достижении критического тока можно объяснить изменением соотношения <...> Схема перехода крупнокапельного переноса электродного металла в струйный при повышении тока Критический <...> При сварке в активных защитных газах в связи с отсутствием критического тока наложение импульсов тока <...> При этом минимальная амплитуда импульсов превышает в 1,5…2 раза критический ток Iкр.

Предпросмотр: Теория сварочных процессов. Физические и технологические свойства электросварочной дуги.pdf (0,3 Мб)
31

№5 [Кабель-news, 2013]

Журнал для специалистов электротехнической отрасли. С 2015 года журнал не выходит.

Основные результаты испытаний: • при рабочем токе кабеля, равном 2500 А, и токе перегрузки 2750 А (по <...> ТЗ) критический ток составил 3420 А. <...> При этом критический ток кабеля равен сумме критических токов использованных сверхпроводящих лент, что <...> вышла проблема развития транспортной инфраструктуры, поскольку ситуация с логистикой в Москве сложилась критическая <...> протекания тока в материале.

Предпросмотр: Кабель-news №5 2013.pdf (0,4 Мб)
32

№8 [Физика металлов и металловедение, 2017]

Плотность критического тока рассчитывали по модифицированной формуле Бина [28] jc = 20ΔM/a(1 – a/3b), <...> На рис. 2 показаны зависимости плотности критического тока от магнитной индукции для образцов YBa2Cu3O6.96 <...> тока и значения первых критических полей для образцов, поглотивших в окислительной атмосфере оптимальное <...> Образцам с такой структурой соответствуют наиболее высокие значения плотности критического тока в области <...> Влияние деформации в наковальнях Бриджмена на структуру, твердость, критический ток массивного образца

Предпросмотр: Физика металлов и металловедение №8 2017.pdf (0,1 Мб)
33

№7 [Электричество, 2019]

Издается с июля 1880г. Научно-технический журнал в области энергетики и электротехники.

Первым этапом исследований стало определе� ние критического тока I c и параметра нарастания ВТСП обмотки <...> В результате испытаний критический ток ВТСП обмотки составил 81 А при паспортном значении для ВТСП ленты <...> В процессе намотки ленты изгиб ВТСП ленты на радиусах каркаса приводит к деградации критического тока <...> , поэтому особенно важно установить факт, что критический ток ВТСП катушки с достаточным запасом превышает <...> Снижение критического тока примерно на 20% в данном случае можно счи� тать приемлемым, так как радиус

Предпросмотр: Электричество №7 2019.pdf (1,7 Мб)
34

Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN монография

М.: Издательство Прометей

Монография посвящена обзору исследований терагерцовых смесителей на горячих электронах из тонких сверхпроводящих пленок NbN. В работе дан обзор исследований полосы преобразования квазиоптического смесителя на горячих электронах с двумя каналами энергетической релаксации – фононным и диффузионным, а также стабильности и флуктуационной чувствительности приемника на основе таких смесителей. Монография охватывает большое количество оригинальных работ (в том числе и автора монографии), посвященных исследованию терагерцовых смесителей на горячих электронах на основе тонких сверхпроводниковых пленок.

включает измерение плотности критического тока и зависимости сопротивления от температуры. <...> Плотность критического тока, оцененная из измерений критических токов устройств с различными размерами <...> температура; критический ток при 4,2 К; критическая плотность тока при 4,2 К; сопротивление при 300 <...> сместителей в партии 1306/2 примерно в 1,2 раза; критические плотности тока отличаются примерно в 2,5 <...> В рамках теории БКШ, критическая плотность тока и критическая температура пропорциональны энергетической

Предпросмотр: Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN Монография.pdf (0,1 Мб)
35

Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства учеб. пособие

Автор: Шишкин Г. Г.
М.: Лаборатория знаний

В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки.

критическим током Iк и критическим магнитным полем Нк, то сверхпроводимость разрушается. <...> При этом каждой температуре при Т < Tк соответствует определенное значение критического тока и критического <...> критическая плотность тока. <...> Амплитуда тока гетеродина Iг обычно выбирается такой, чтобы величина критического тока через переход <...> При отсутствии управляющих сигналов критический ток криотрона превышает ток от источника (Iк > I), и

Предпросмотр: Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства  учебное пособие. — 3-е изд. (эл.).pdf (0,2 Мб)
36

Коррозия и защита металлов учеб. пособие

Автор: Кайдриков Р. А.
КГТУ

Пособие предназначено для самостоятельной работы студентов и тестового контроля знаний по дисциплине «Коррозия и защита металлов». Пособие наряду с контрольными вопросами содержит справочный материал, в сжатой форме отражающий основное содержание изучаемого курса, что позволит студентам не только самостоятельно оценивать свои знания при подготовке к зачетам в контрольных точках, но и даст возможность их корректировки.

а) чем отрицательнее критический потенциал пассивации, тем лучше б) чем больше величина критического <...> Естественно, чем меньше величины критического тока пассивации и тока в пассивной области, тем лучше. <...> д) металл будет пассивироваться только в том случае, если анодный ток будет превышать критический ток <...> , превышающего критический ток пассивации б) введение в электролит окислителей в) повышение температуры <...> Критическим потенциалом, определяющим то или иное состояние данной системы, будет потенциал точки ( )

Предпросмотр: Коррозия и защита металлов. Учебное пособие.pdf (0,2 Мб)
37

Электромагнитные переходные процессы в электроэнергетических системах метод. указания

Автор: Пилипенко В. Т.
ОГУ

Приводятся описание лабораторных стендов, особенности и порядок проведения экспериментов, целью которых является изучение электромагнитных переходных процессов при коротких и простых замыканиях в системах электроснабжения и электроэнергетических системах. Также в методические указания включены необходимые теоретические сведения по темам лабораторных работ.

.………………...94 Приложение В Исходные данные по вариантам……………………………………95 Приложение Г Определение критического <...> Такую реактивность называют критической (Хкр), а ток, связанный с ней равенством (2.4) критическим током <...> Таким образом критическое время уменьшается с ростом удаленности КЗ. <...> 2 Что такое критическое сопротивление Хкр и критический ток Iкр? <...> 5 Что такое критическое время tкр?

Предпросмотр: Электромагнитные переходные процессы в электроэнергетических системах.pdf (0,4 Мб)
38

№10 [Журнал технической физики, 2017]

Один из старейших физических журналов России. Основан в 1931 г. На страницах журнала находят отражение все разделы современной прикладной физики, включая ее биомедицинские направления, исследования различных материалов и структур, создание новых приборов и развитие методов физического эксперимента. Традиционными рубриками также являются «Теоретическая и математическая физика», «Атомная и молекулярная физика».

, превышающих критический ток. <...> Так, при полном токе I , равном критическому току Ic(T0), напряженность электрического поля, равная E <...> критический ток. <...> ленты, большем величины критического тока при температуре хладагента I > Ic(T0). <...> В результате для производной тепловыделения при полных токах, превышающих критический ток Ic(T0), и при

Предпросмотр: Журнал технической физики №10 2017.pdf (0,1 Мб)
39

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография

Автор: Смирнов А. В.
М.: Издательство Прометей

Монография посвящена исследованию полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Дан обзор современных приёмников миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн, а также обзор работ, посвященных исследованию явления электронного разогрева. Приведено описание HEB-смесителей на основе тонких пленок NbN, NbZr и на основе 2DEG гетероструктуры AlGaAs/GaAs. Рассматривается методический аспект проведенных экспериментов с описанием используемых экспериментальных установок. Представлены результаты исследований частотных характеристик HEB смесителей на основе плёнок NbN и микромостиков NbZr, нанесенных на подложки из сапфира.

температурой (такие как Nb3Ge, Nb3Al и др. с критической температурой до 20 К) и способные осаждаться <...> Большинство СИС смесителей в качестве сверхпроводника используют Nb с критической температурой 9.2 К. <...> 0.02 Критическая плотность тока при 4.2K, jc×106 (A/см2) 1.1 1.5 4 Поверхностное сопротивление, Rs ( <...> Каждой температуре среды T и критическому току Ic соответствует электрический ток Im  IcCe (Tc  <...> ток равен току смещения.

Предпросмотр: Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAsGaAs Монография (1).pdf (0,3 Мб)
40

№11 [Журнал технической физики, 2017]

Один из старейших физических журналов России. Основан в 1931 г. На страницах журнала находят отражение все разделы современной прикладной физики, включая ее биомедицинские направления, исследования различных материалов и структур, создание новых приборов и развитие методов физического эксперимента. Традиционными рубриками также являются «Теоретическая и математическая физика», «Атомная и молекулярная физика».

от уменьшения с температурой критической плотности тока сверхпроводника. <...> нормальной зоны Is и критическим током Ic0. <...> = 1019A, в 1.8 раза превышающем критический ток. <...> При этом отличие тем значительнее, чем больше критический ток. <...> в несколько раз превышают условно заданное значение критического тока.

Предпросмотр: Журнал технической физики №11 2017.pdf (0,1 Мб)
41

№3 [Изобретательство, 2010]

Теория и практика создания изобретений и оформление прав на изобретения, информация о наиболее важных изобретениях, нормативные акты, судебные решения.

При комнатной температуре критический ток менялся в пределах 5–500 мА в зависимости от типа конденсата <...> С понижением температуры величина критического тока увеличивалась. <...> При токах ниже критического куперовские пары могут туннелировать из одного сверхпроводника в другой практически <...> Иными словами, при протекании тока ниже критического значения напряжение на контакте отсутствует. <...> Но когда ток достигает критического Рис. 1.

Предпросмотр: Изобретательство №3 2010.pdf (0,4 Мб)
42

№5 [Приборы и техника эксперимента, 2017]

-токовводов с критическим током более 18 кА. <...> $100 при критическом токе 300–400 А. <...> -лент в пакет значительно труднее достигнуть критического тока пакета, близкого сумме критических токов <...> Критический ток пакета в.т.с.п. <...> На этом пакете также получен критический ток, близкий к сумме критических токов лент, с учетом собственного

Предпросмотр: Приборы и техника эксперимента №5 2017.pdf (0,2 Мб)
43

№5 [Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия, 2015]

Основан в 1946г. Авторитетное научное издание, статьи и материалы журнала отражают тематику важнейших направлений теоретических и экспериментальных исследований по всему кругу научных вопросов, изучаемых на физическом факультете МГУ

(рис. 1, в) [12], обеспечивает при определенных условиях знакопеременную плотность критического тока <...> будет принята плотность критического тока в 0-области jc,0 . <...> Кроме того, системы с низкими по модулю плотностями критического тока в π-области быстрее выходят на <...> Реализация операции «считывание» базируется на существовании двух критических значений тока питания для <...> тока ϕ -контакта от внешнего магнитного потока при различных плотностях критического тока в π -области

Предпросмотр: Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия №5 2015.pdf (0,2 Мб)
44

№2 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

На рис. 5 приведена рассчитанная зависимость критического тока от магнитного поля для случая, когда магнитное <...> Выше критического тока, как правило, возникает спиновая прецессия без микроволнового облучения. <...> В области больших магнитных полей, превышающих поля магнитной анизотропии, критический ток растет с ростом <...> Максимальная чувствительность превосходит мВ/мВт 11000m вблизи критического значения тока 27 А/см108,4 <...> При расчетах динамики вектора намагниченности вентильной структуры, а также критических токов и полей

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2017.pdf (1,0 Мб)
45

№5 [Известия Российской академии наук. Энергетика, 2017]

Основан в 1963 г. Публикуются оригинальные статьи по широкому кругу фундаментальных научных проблем, связанных с развитием энергетики как технической основы цивилизации.Журнал является рецензируемым, включен в Перечень ВАК

Интегрированием уравнения Пэриса относительно N получают количество циклов Nк до достижения трещиной критической <...> оптимальные схемы и различные конструкции ВТСП обмоток силовых трансформаторов для повышения величины критического <...> , может достичь значительной величины, что уменьшит значение критического тока и мощность ВТСП трансформатора <...> тока в ООВ. <...> отдельной обмотки возбуждения на два независимых потока (возбуждения и передачи) позволит увеличить критический

Предпросмотр: Известия Российской академии наук. Энергетика №5 2017.pdf (0,1 Мб)
46

№1 [Журнал технической физики, 2017]

Один из старейших физических журналов России. Основан в 1931 г. На страницах журнала находят отражение все разделы современной прикладной физики, включая ее биомедицинские направления, исследования различных материалов и структур, создание новых приборов и развитие методов физического эксперимента. Традиционными рубриками также являются «Теоретическая и математическая физика», «Атомная и молекулярная физика».

В этом случае критическая плотность тока сверхпроводника Jc вводится как ток, при котором на его вольт-амперной <...> критической плотности тока в 3 раза (переход от состояния 2 к состоянию 3) приводит к увеличению тока <...> Таким образом, увеличение тока срыва всегда меньше соответствующего увеличения критического тока сверхпроводника <...> Варьирование остальных параметров (критической плотности тока сверхпроводника и его критической температуры <...> критический ток технического сверхпроводника.

Предпросмотр: Журнал технической физики №1 2017.pdf (0,1 Мб)
47

Сверхпроводники и сверхпроводимость. Т. 3. Применения и перспективы словарь-справочник

Автор: Паринов И. А.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

Заключительный том трёхтомного словаря-справочника содержит свыше 1500 понятий и терминов, связанных с применениями и перспективными исследованиями сверхпроводников и сверхпроводимости. Все представленные в словаре термины расположены по алфавиту. Каждому термину посвящена отдельная статья, раскрывающая его смысловое научно-техническое и/или математическое содержание, область применения и связь с другими терминами, при этом все термины снабжены английскими эквивалентами. Кроме того, целый ряд статей посвящён родственным для сверхпроводимости вопросам из смежных тематик, в частности наноструктурам и нанотехнологиям.

, критическим магнитным полем и критическим током. <...> критических токов Ic. <...> Критические токи. <...> При этом типичное значение критического тока составило 103 А/см2. <...> явления, II, 348 критический объём, II, 350 критический ток в сверхпроводнике, II, 350 критическое магнитное

Предпросмотр: Сверхпроводники и сверхпроводимость. Т. 3. Применения и перспективы.pdf (0,6 Мб)
48

Физические основы и технологии обработки современных материалов (теория, технология, структура и свойства). Т. II [монография]

М.: Институт компьютерных исследований

Исследовано механическое деформирование высокотемпературной сверхпроводящей иттриевой керамики (ВТСП), а также впервые выполненное детектирование сверхпроводящего перехода в ВТСП с помощью импульсного тока и установленные доземитрические свойства ВТСП. Рассмотрены новые композитные материалы на основе несмешивающихся компонент и способы их производства и обработки, в частности методом прокатки с использованием ЭПЭ. Рассмотрено контактное легирование как альтернативный метод производства сплавов из несмешивающихся компонент, новые технологические возможности метода контактного легирования, и свойства новых материалов. В заключительной главе дополнительно рассмотрены технологические проложения ЭПЭ, особенности электропластической прокатки стальной полосы, а также повышение электропластичности металла в скрещенных электромагнитных полях. Дан ответ на критические замечания в статьях в отношении ЭПЭ.

Плотность критического тока (jc) также является критическим параметром для применения сверхпроводника <...> Критический ток сильно зависит от поля. <...> В опытах с постоянным и импульсным измерительным током определены значения плотности критического тока <...> образцов ВТСП при превышении током критических значений. <...> полю, а также по критическому току.

Предпросмотр: Физические основы и технологии обработки современных материалов. Том 2.pdf (0,8 Мб)
49

№9 [Кабель-news, 2010]

Журнал для специалистов электротехнической отрасли. С 2015 года журнал не выходит.

крупные проекты сверхпроводящих кабелей в мире • резкое снижение затрат на охлаждение; • высокое значение критических <...> готовности к работе) — 30 часов; • рабочие температуры в канале (криостате) кабеля — 66—77оК (-196—207оС); • критический <...> ток (ток потери сверхпроводимости) — не менее 5200 А; • передаваемая мощность при номинальном токе — <...> Это происходит при превышении уровня тока, являющегося критическим для сверхпроводящего материала. <...> Эти токи для предприятий приведены в табл. 2. Таблица 2.

Предпросмотр: Кабель-news №9 2010.pdf (0,5 Мб)
50

Сверхпроводники и сверхпроводимость. Т. 2. Теория и свойства словарь-справочник

Автор: Паринов И. А.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

Второй том трехтомного словаря-справочника включает около 3500 понятий и терминов, связанных с аналитическими методами и теоретическими подходами к исследованию сверхпроводников и сверхпроводимости, а также содержит множество данных о свойствах конденсированных сред. Большое внимание уделено соответствующим математическим и физическим методам, используемым для их оценки. Широко представлены химические и физические основы сверхпроводимости, а также результаты моделирования структурно-чувствительных свойств сверхпроводников и родственных материалов. Все представленные в словаре термины расположены по алфавиту. Каждому термину посвящена отдельная статья, раскрывающая его смысловое научно-техническое и/или математическое содержание, область применения и связь с другими терминами, при этом все термины снабжены английскими эквивалентами. Кроме того, целый ряд статей посвящен родственным для сверхпроводимости вопросам из смежных тематик.

(При токе, равном критическому, осуществляется так называемое критическое состояние пиннинга.) <...> критическим током Ic. <...> Anderson, 1964 г.), поскольку критический ток и критическое магнитное поле в слабосвязанных сверхпроводниках <...> критическим током контакта cI . <...> Это приводит к возрастанию критического тока слабосвязанных систем в СВЧ-поле и к избыточному току при

Предпросмотр: Сверхпроводники и сверхпроводимость. Т. 2. Теория и свойства.pdf (0,3 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 2514