Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 524272)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 71899 (0,45 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов метод. указания

ЯрГУ

"Данные методические указания содержат описание зонной модели твердого тела, понятия работы выхода и контактной разности потенциалов. Рассмотрены явление термоэлектронной эмиссии и эффект Шоттки. Кроме этого, приводятся схемы установок и описан порядок выполнения двух лабораторных работ. Данные методические указания предназначены для студентов третьего курса физических специальностей физического факультета. Кроме этого они могут быть использованы студентами других специальностей и форм обучения. Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы ""Развитие научного потенциала высшей школы (грант 2.1.1/466)"" Предназначены для студентов, обучающихся по специальности (дисциплина «», блок ФТД), очной формы обучения."

Преображенский Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов : метод. <...> В результате между металлами возникает так называемая контактная разность потенциалов. <...> потенциалов (1.31) где – контактная разность потенциалов. <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? 4. <...> Как определить контактную разность потенциалов из распределения электронов по скоростям? 5.

Предпросмотр: Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
2

ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОДИОДОВ [Электронный ресурс] / Э.З. Имамов [и др.] // Computational nanotechnology .— 2016 .— №3 .— С. 196-202 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/567452

Автор: Имамов Эркин Зуннунович

В комплексе работ [1-5] была разработана модель принципиально новой контактной структуры, которая формируется напылением освещаемой поверхности технического кремния электроемкими нановключениями из другого полупроводника. Фотопреобразователь на её основе проявляет уникальные электрофизические свойства В данной работе показаны основные структурные отличия нового контакта от традиционных полупроводниковых фотодиодов.

) Скорость и направление потоков заряда при установлении термодинамического равновесия определяется разностью <...> разность потенциалов φk(х) определялась величиной разности Δμ =АQD−Аn-Si, то есть φk(х) = Δμ/е = Co∙ <...> φo2/2 (φ0=φk(х=0) – контактная разность потенциалов на поверхности подложки). <...> Электростатическое контактное поле (1) показано на рис.№1 (когда N=4), а контактная разность потенциалов <...> Соответственно, для отдельного «наноразмерного p-n перехода» (рис.1) io – фототок, φo – контактная разность

3

Моделирование в среде PSpice метод. указания к лаб. работам

КГТУ

В методическом указании изложено содержание 7 лабораторных работ, выполняемых по дисциплине «Основы математического моделирования».

Ф 0 VJE Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер. <...> Ф 0 VJS Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка. <...> Ф 0 PB Контактная разность потенциалов p-n перехода затвора В 1 IS Ток насыщения p-n перехода затвор-канал <...> В 1/2 0.0 PHI Контактная разность потенциалов перехода диэлектрик – полупроводник. <...> Ф 0 PB Контактная разность потенциалов.

Предпросмотр: Моделирование в среде Pspice.pdf (0,1 Мб)
4

Элементная база электроники. Задачник учеб.-метод. пособие

Автор: Бялик А. Д.
Изд-во НГТУ

Материал настоящего задачника составлен таким образом, чтобы он способствовал закреплению теоретических знаний, а также вырабатывал навык в решении инженерных задач. Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ.

Определить контактную разность потенциалов к , ширину p–n-перехода со стороны pи n-областей nd и pd <...> Определить контактную разность потенциалов к , ширину p–n-перехода со стороны pи n-областей nd и pd <...> Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 300 К. <...> Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 270 К. <...> Вычислить контактную разность потенциалов и ширину перехода при температуре T = 350 К.

Предпросмотр: Элементная база электроники. Задачник.pdf (0,3 Мб)
5

Физические основы электроники учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Бакалавриат

Автор: Валюхов Дмитрий Петрович
изд-во СКФУ

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Что называется контактной разностью потенциалов? 6. <...> В чем измеряется контактная разность потенциалов? 7. <...> Контактная разность потенциалов равна φk = φn + |φp|. <...> Контактная разность потенциалов, как и в обычном р-nпереходе, определяется разностью значений энергии <...> Чем определяется контактная разность потенциалов на гетеропереходе? 5.

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,8 Мб)
6

О решении одной задачи на тему «контактная разность потенциалов» [Электронный ресурс] / Лилия Михайловна Цурикова, Владимир Иванович Цуриков // Физическое образование в вузах .— 2015 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/299605

Статья посвящена решению задачи о нахождении поля вблизи контакта двух различных проводников. Предложенное решение, основанное на методе конформных отображений, отличается от того, которое предлагают авторы курса теоретической физики Л. Ландау и Е. Лифшиц. Оно проще, является точным и не требует догадки относительно вида решения.

Цуриков УДК 537.21 О решении одной задачи на тему «контактная разность потенциалов» Лилия Михайловна <...> Как известно, контакт двух различных проводников приводит к образованию так называемой контактной разности <...> Легко видеть, что контактная разность потенциалов между свободными поверхностями двух соприкасающихся <...> разность потенциалов» ϕ==Φ aWIm . <...> В случае различных проводников (т.е. при наличии контактной разности потенциалов) качественная картина

7

Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала: Описание лабораторной работы.

Автор: Худайбергенов Г. Ж.
[Б.и.]

Определены содержание, форма, объем и порядок проведения лабораторной работы.

Так как анод и катод лампы изготовлены из разных материалов, то между ними имеется контактная разность <...> Контактная разность потенциалов складывается алгебраически с приложенным напряжением. <...> (с учетом контактной разности потенциалов). <...> На рис. 1 показаны примерные зависимости ln(i) от U, иллюстрирующие определение контактной разности потенциалов <...> Каков физический смысл контактной разности потенциалов, дайте определение. 5.

Предпросмотр: Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала Описание лабораторной работы..pdf (0,2 Мб)
8

Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники»

Изд-во ПГУТИ

Методическая разработка предназначена для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров: 210700 - Инфокоммуникационные технологии и сети связи, 210400 - Радиотехника, 090900 - Информационная безопасность. Для организации практических аудиторных занятий методическая разработка включает в себя сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Это позволит сделать студентам определенные выводы и лучше подготовиться к итоговому тестированию. Кроме это- го, задания с несколькими вариантами могут быть использованы для проведения аудиторных контрольных работ на факультете заочного обучения. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий. Для организации самостоятельной работы студентов методическая разработка содержит рекомендации по изучению дисциплины, список рекомендуемой литературы и список теоретических вопросов для подготовки к итоговому контролю.

Контактная разность потенциалов. Методы формирования. <...> Определить контактную разность потенциалов р–п– перехода к. Задача 4.6. <...> Определить контактную разность потенциалов р–п–перехода к. <...> Контактная разность потенциалов р–n–перехода к=0,7 В. <...> Определить контактную разность потенциалов р–n–перехода к. Задача 6.5.

Предпросмотр: Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники».pdf (0,3 Мб)
9

Влияние отжига на морфологию поверхности и выходные параметры резистивных структур [Электронный ресурс] / Аверин, Аношкин, Печерская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки .— 2008 .— №3 .— С. 104-109 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269370

Автор: Аверин
М.: ПРОМЕДИА

Представлены результаты исследования влияния отжига в воздушной среде на свойства пленок и параметры структур на их основе. Показано, что отжиг приводит к рекристаллизации структуры резистивных пленок, вызывающей изменение свойств, морфологии поверхности пленок и стабилизацию выходных параметров резистивных структур. Разработана физико-математическая модель управления выходными параметрами резистивных структур за счет выбора режимов конденсации и отжига.

Контактные площадки к резистивным структурам формируют из Al и Cu. <...> Форму, размеры резистивных структур и контактных площадок задают с помощью биметаллических масок. <...> разность потенциалов, определяется материалом контакта и состоянием поверхности; k – постоянная Больцмана <...> разности потенциалов резистивных структур на основе хромоникелевых соединений, которая в рамках разработанной <...> Для неотожженных структур контактная разность потенциалов составляет 510–5…210–4 В.

10

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНКАХ ИНДИЯ [Электронный ресурс] / Еремеева, Суровой // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2012 .— №12 .— С. 61-65 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/421955

Автор: Еремеева

Установлено, что в зависимости от толщины (2–147 нм) пленок индия, температуры (473–873 К) и времени (0–120 мин) термообработки кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерены контактная разность потенциалов для пленок In, In2O3 и фото-ЭДС для систем In – In2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем In–In2O3. Предложена модель превращения пленок In, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения на контакте In–In2O3 носителей заряда и формирования оксида индия(III).

Измерены контактная разность потенциалов для пленок In, In2O3 и фото-ЭДС для систем In – In2O3. <...> Контактную разность потенциалов (КРП) между образцами индия, оксида индия (III) и электродом сравнения <...> Таблица Контактная разность потенциалов между пленками индия, оксида индия (III) и электродом сравнения

11

ПЕРЕХОДНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И КРУТИЗНА НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХТОНКИМ ОСНОВАНИЕМ [Электронный ресурс] / Петров, Краснов // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2008 .— №2 .— С. 41-45 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522193

Автор: Петров

Рассматриваются физические основы работы нано-МОП транзисторов со сверхтонким основанием. Выведены аналитические выражения для переходных вольтамперных характеристик и крутизны. Приведены рассчитанные зависимости Ic = Ic(Vзи) и S = S(Vзи) для нано-МОП транзисторов со структурой n++-n-n++.

В результате образуются контактная разность потенциалов j кМз-n-Si = = Ф m – Ф n-Si = 0,4..0,3 В. <...> В этом случае контактная разность потенциалов: j кМз-n-Si равна сумме падений напряжений на затворном <...> e eSi Si . (6) Падение напряжения на затворном окисле и на обеднённом n-слое в сумме должны давать контактную <...> разность потенциалов Мз Sik nj : Мз дырок 2 2 Si 2 SiO 0 SiO 0 Si . 2 k n dn n dn nqN x Q qN xd j e

12

Физико-технические основы устройств микроэлектроники [учеб.-метод. пособие]

Автор: Еремина
Издательство СГАУ

Физико-технические основы устройств микроэлектроники. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

Контактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда Рассмотрим явления в контакте металл–полупроводник <...> Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов: e FFU МПК − = , (2.4) где <...> Так будет в области барьера, где объемный заряд, обусловленный контактной разностью потенциалов, делает <...> Графическая зависимость lnR – 1/T позволяет определить величину контактной разности потенциалов Uк: k <...> системе в вакуумном зазоре устанавливается контактная разность потенциалов (КРП), обусловленная разностью

Предпросмотр: Физико-технические основы устройств микроэлектроники.pdf (0,2 Мб)
13

Полупроводниковые диоды метод. указания по выполнению лаб. работ

ЯрГУ

В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучению физических основ работы полупроводниковых диодов.

, определение контактной разности потенциалов между полупроводником и металлом мостовым методом. <...> При этом между металлами возникнет разность потенциалов, которая называется внешней контактной разностью <...> В результате почти вся контактная разность потенциалов падает в этом слое. <...> Экспериментальный метод определения контактной разности потенциалов между полупроводником и металлом <...> Построить график зависимости ( )1ln −= TfRo и определить контактную разность потенциалов φк. 7.

Предпросмотр: Полупроводниковые диоды Методические указания по выполнению лабораторных работ.pdf (0,6 Мб)
14

Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму

Издательский дом ВГУ

Учебное пособие подготовлено на кафедре экспериментальной физики физического факультета Воронежского государственного университета.

Она получила название контактной разности потенциалов. <...> Рассмотрим причины, вызывающие контактную разность потенциалов. <...> Найдем величину этой контактной разности потенциалов. <...> Однако контактная разность потенциалов, как видно из формулы (3), зависит от температуры. <...> Каковы причины контактной разности потенциалов? 3. Выведите формулу (4). 4.

Предпросмотр: Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму.pdf (0,9 Мб)
15

Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение

Издательский дом ВГУ

В данном пособии рассматриваются позисторы на основе полупроводникового поликристаллического титаната бария (BaTiO3), в котором эффект ПТКС выражен наиболее ярко.

разность потенциалов определяется через разность работ выхода eVК = WM – WП. <...> Очевидно, что контактная разность потенциалов будет распределяться в приповерхностном слое толщиной b <...> разности потенциалов, т.е. изгиб зон e равен еVК (см. рис. 2.1, б). <...> Там, где образуется отрицательный заряд, заполняющий обедненный слой, происходит уменьшение контактного <...> Между дисками имеется плоский контактный вывод.

Предпросмотр: Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение.pdf (2,6 Мб)
16

КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМАХ Ni–MoO3 [Электронный ресурс] / Бин, Суровой // Журнал физической химии .— 2017 .— №2 .— С. 167-173 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591741

Автор: Бин

Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ni–MoO3 в зависимости от толщины пленок Ni (d = 1–40 нм) и MoO3 (d = = 3–50 нм), температуры (473–773 К) и времени термообработки. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ni, MoO3 и фото-ЭДС систем Ni–MoO3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ni–MoO3. Предложена модель термического превращения пленок MoO3 в системах Ni–MoO3, включающая перераспределение на контакте ра+в+новесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки MoO3 центра [(Vа) е], преобразование его при создании систем Ni–MoO3 в центр [е(Vа)++е], термический переход электрона на уровень центра [(Vа)++е] с образованием центра [е(Vа)++е].

Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ni, MoO3 и фото-ЭДС систем Ni–MoO3. <...> Контактную разность потенциалов (КРП) между пленками никеля, оксида молибдена (VI) и электродом сравнения <...> Полученные в настоящей работе и ранее [5– 15, 33, 41–43, 46] результаты исследований свидетельствуют о контактной <...> MoO3: 1, 4 – 40; 2, 5 – 23; 3, 6 – 12 нм. 1.0 α 0.8 0.6 0.4 0.2 0 5 10 15 20 25 τ, мин 0 5 1 4 2 3 6 Контактная <...> разность потенциалов (В) между пленками никеля, оксида молибдена (VI) и электродом сравнения из платины

17

Лабораторный практикум по общей физике

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

В настоящем пособии приведены основные вопросы программы, список литературы по курсу общей физики и методические указания по выполнению и оформлению лабораторных работ.

Она получила название контактной разности потенциалов. <...> Рассмотрим причины, вызывающие контактную разность потенциалов. <...> Итак, переходя теперь к выводу общего выражения для контактной разности потенциалов, учтем сначала первую <...> Однако контактная разность потенциалов, как видно из формулы (3), зависит от температуры. <...> Контактная разность потенциалов. Термоэлектрический эффект. Термопара. 27. Магнитное поле.

Предпросмотр: Лабораторный практикум по общей физике .pdf (1,2 Мб)
18

Электрические параметры нано-МОП транзисторов

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

В данном пособии рассматриваются конструкции и особенности характеристик нано-МОП транзисторов по сравнению с традиционными, а также их физические ограничения.

Контактная разность потенциалов φк ип=ϕк сп 054,1ln 2 == i dnap ипк n NN q kTϕ В. 468,0ln == i ap Bp <...> В результате образуется контактная разность потенциалов φк (к.р.п.) между затвором и подложкой φкз = <...> Под действием контактной разности потенциалов φкз образуются слабо выраженные инверсионные слои на pи <...> Контактная разность потенциалов между затвором и подложкой будет равна: pзкз Φ−Φ=ϕ . (8.3) При Ndn = <...> Наличие контактной разности потенциалов приводит к появлению слабо выраженного инверсионного слоя из

Предпросмотр: Электрические параметры нано-МОП транзисторов (1).pdf (0,8 Мб)
19

Изучение рассеяния электронов на атомах (опыт Франка-Герца): Описание лабораторной работы.

Автор: Худайбергенов Г. Ж.
[Б.и.]

Определены содержание, форма, объем и порядок проведения лабораторной работы. Включены необходимые теоретические сведения, даны методические рекомендации, обеспечивающие ее выполнение, контрольные вопросы, список литературы.

Электроны, вылетавшие с поверхности катода вследствие термоэлектронной эмиссии, ускорялись разностью <...> Эту разность потенциалов можно было плавно менять с помощью потенциометра П. <...> Наличие контактной разности потенциалов между электродами искажает показания вольтметра V, смещая всю <...> Однако контактная разность потенциалов исключается, если величину ∆E1 определять по расстоянию между <...> Покажите, как по результатам измерений вольт-амперной характеристики можно определить контактную разность

Предпросмотр: Изучение рассеяния электронов на атомах (опыт Франка-Герца) Описание лабораторной работы..pdf (0,2 Мб)
20

Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdS/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик [Электронный ресурс] / Трегулов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2012 .— №3 .— С. 124-132 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270016

Автор: Трегулов
М.: ПРОМЕДИА

Представлен способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах по частотной зависимости вольт-фарадных характеристик для случая, когда заряд поверхностных состояний зависит от приложенного напряжения постоянного смещения. Приведены результаты исследования гетероструктуры Cd/Si (p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

разности потенциалов гетероструктуры, что приводит к ухудшению эффективности преобразования ФЭП [1]. <...> разности потенциалов гетероструктуры с учетом влияния ГУ. <...> разности потенциалов гетероструктуры за счет влияния ГУ; S – площадь барьерного контакта. <...> Величина контактной разности потенциалов, полученная из ВЧ ВФХ, составила 0,67 В. <...> Значение эффективной контактной разности потенциалов, учитывающее влияние ГУ, полученное из анализа НЧ

21

Физика. Введение в твердотельную электронику учеб. пособие

Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.

Разность потенциалов между металлами (ее называют контактной разностью потенциалов) равна разности работ <...> В нем и сосредоточивается контактное поле, возникшее за счет контактной разности потенциалов φ0/q. <...> Между двумя полупроводниками возникает контактная разность потенциалов UK, при этом уровень Ферми во <...> Контактная разность потенциалов может быть вычислена из выражения [7, 8]: qUK = χвых1 – χвых2 = Ef2 – <...> Что такое контактная разность потенциалов? Каким образом она возникает? 10.

Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
22

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов метод. указания

Автор: Бочкарева Л. В.
ЯрГУ

Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.

Возникающая в такой цепи термоэдс обусловлена тремя механизмами: объемной, контактной термоэдс и увеличением <...> Контактная разность потенциалов возникает на границе раздела двух контактирующих твердых тел. <...> Если температура контактов 1 и 2 (рис. 1) одинакова, то возникающие контактные разности потенциалов равны <...> суммарная эдс в такой цепи равна нулю, если же температура контактов различна, то в цепи возникает контактная <...> Из формулы (3) получим выражение для коэффициента контактной термоэдс, при этом учитывая, что положение

Предпросмотр: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
23

Темновая деградация солнечных элементов на основе пленок a-Si:H [Электронный ресурс] / Воронков, Зезин // Вестник Московского энергетического института .— 2014 .— №4 .— С. 34-37 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390087

Автор: Воронков

Приведены результаты исследования деградации солнечных элементов на основе -Si:H при их хранении, объясняющейся генерацией метастабильных дефектов в слабо легированной области pin-структур.

область pin-структуры, т. е. область объемного пространственного заряда (ОПЗ), определяет величину контактной <...> разности потенциалов, поскольку в ней сосредоточено основное электрическое поле, разделяющее носители <...> разность потенциалов и соответственно ��� могут возрастать. <...> должен приводить к уменьшению тока короткого замыкания, а возрастание электрического поля — к росту контактной <...> разности потенциалов.

24

№1 [Вестник Донского государственного технического университета, 2004]

Журнал является периодическим печатным научным рецензируемым журналом. Публикуются научные статьи по направлениям: машиностроение; управление, вычислительная техника и информатика; агропромышленная инженерия. Журнал входит в перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

разности потенциалов. <...> электродных потенциалов трущихся металлов ϕϕϕ Σ−∆−∆=∆ 2 2 1 1 М P M PE , контактная разность потенциалов <...> При взаимодействии металлов в режиме граничного трения создается контактная разность потенциалов, количественной <...> Рассчитанные по [8] значения работы выхода электронов φCu=5.125 и φFe=4.85 и контактной разности потенциалов <...> Метод контактной разности потенциалов и его применение в трибологии. Минск, 1996.-236 с. 8.

Предпросмотр: Вестник Донского государственного технического университета №1 2004.pdf (0,1 Мб)
25

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Оценить контактную разность потенциалов ϕк выпрямительного диода. <...> Контактная разность потенциалов определяется следующим образом. <...> Если внешнее напряжение станет равным контактной разности потенциалов (V = ϕк), то контактное поле полностью <...> Определить контактную разность потенциалов ϕк. <...> Как по ВАХ определить контактную разность потенциалов?

Предпросмотр: Изучение свойств p–n-переходов.pdf (0,1 Мб)
26

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Оценить контактную разность потенциалов ϕк выпрямительного диода. <...> Контактная разность потенциалов определяется следующим образом. <...> Если внешнее напряжение станет равным контактной разности потенциалов (V = ϕк), то контактное поле полностью <...> Определить контактную разность потенциалов ϕк. <...> Как по ВАХ определить контактную разность потенциалов?

Предпросмотр: Изучение свойств p-n-переходов.pdf (0,1 Мб)
27

Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты учеб. пособие

Автор: Девятков Г. Н.
Изд-во НГТУ

Изложены матричные модели идеального и реального диодов с приоткрыванием p–n-перехода, а также методы автоматизированного синтеза согласующее-фильтрующих цепей широкополосных преобразователей частоты. Рассмотрено необходимое программное обеспечение для их проектирования на персональных ЭВМ.

вид 0 0 0 (1 / ) ( ) (1 / ) C E C u u , (1.1) где u – обратное напряжение, приложенное к диоду; 0 – контактная <...> разность потенциалов, т. е. напряжение на переходе при отсутствии внешнего напряжения; E – напряжение <...> разность потенциалов; sR – эквивалентное сопротивление потерь; k – коэффициент разложения в степенной <...> Aгентство Kнига-Cервис» 24 норм U U U – нормированное напряжение на переходе; нормU – нормированная контактная <...> разность потенциалов; норм пробUQ q q ; норм пробU U ; норм нормI Q ; 1 1 sR Q ; пр Q – добротность

Предпросмотр: Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты.pdf (0,3 Мб)
28

№1 [Прикладная аналитическая химия, 2013]

Научно-практический журнал «Прикладная аналитическая химия» основан в 2009 году. Тематика журнала: теоретические основы аналитической химии, практические методы качественного и количественного анализа различных веществ, в том числе лекарственных и дезинфекционных препаратов.

Полученная разность напряжений и будет давать контактную разность потенциалов, изменение которой будет <...> Для этих целей авторами был разработан метод определения контактной разности потенциалов. <...> Как видно из рис. 3, колебания контактной разности потенциалов весьма значительны. <...> Контактная разность потенциалов для различных материалов электродов. <...> По оси OY отложена контактная разность потенциалов dU, по оси OX отложено время D в днях.

Предпросмотр: Прикладная аналитическая химия №1 2013.pdf (0,5 Мб)
29

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛЬНОГО СЛОЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНОГО СВЧ ПОЛЕВОГО КАРБИД КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ [Электронный ресурс] / Черных, Цоцорин, Кожевников // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2015 .— №2 .— С. 54-61 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/512023

Автор: Черных

проведено моделирование зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, тока насыщение и крутизны полевого транзистора с затвором Шоттки от толщины и уровня легирования канального эпитаксиального слоя. Обсуждаются оптимальные технологические параметры

− Vg), (1) где Nn — концентрация легирующей примеси в канальной области, q — заряд электрона, ΦB — контактная <...> разность потенциалов между металлом затвора и канальным слоем карбида кремния, Vg — напряжение на затворе <...> Для определения ширины ОПЗ воспользуемся выражением для расчета контактной разности потенциала перехода

30

Краткий обзор теории полупроводниковых структур учеб. пособие

Автор: Авдеев С. П.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В работе приведены основные теоретические положения в области электрофизического представления полупроводникового материала, рассмотрены явления, протекающие в полупроводниковых структурах, приведены физико-математические соотношения, описывающие работу полупроводниковых приборов. Материал приводится в виде краткого справочного материала для студентов, аспирантов и специалистов, занимающихся проектированием и разработкой технологических процессов полупроводниковых структур.

контактной разностью потенциалов к. <...> Контактной разностью потенциалов зависит от величины напряженности электрического поля на переходе. <...> Контактную разность можно определить из соотношения 2 i pono Tipink n pn ln  . <...> Контактную разность потенциалов линейного р–n-перехода можно рассчитать по формуле 2 0n0n ln i p Тк n <...> максимального напряжения к << Uобр.мах., то в расчетах значением контактной разности можно пренебречь

Предпросмотр: Краткий обзор теории полупроводниковых структур .pdf (0,7 Мб)
31

Проектирование медицинских измерительных преобразователей. Ч. 2. Измерительные преобразователи электрических полей живого (биоэлектрические электроды) для диапазона крайне низких и низких частот учеб. пособие для студентов и аспирантов, обучающихся по направлениям подготовки «Биомедицинская техника», «Биомедицинская инженерия», «Радиотехника»

Автор: Орлов Ю. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Анализируется эквивалентная схема отведения биопотенциалов, описываются особенности функционирования полуэлемента и измерительной ячейки биотехнической системы, рассматриваются характеристики ее элементов, изучаются вопросы проводимости и возникновения дополнительных потенциалов, не идентифицируемых как биопотенциалы. Последовательность описания типов электродов соответствует предложенной ранее схеме структурирования живого. Рассматриваются биоэлектрические электроды для диапазона крайне низких и низких частот.

Контактная разность потенциалов 1 2М |M ,E возникающая на границе двух разнородных металлов, определяется <...> разность потенциалов, зависящая от химического состава и температуры металлов; б) разность потенциалов <...> разностью потенциалов, возникающей от контакта двух крайних проводников. <...> По форме проявления контактная разность потенциалов представляет собой скачок потенциала с крутым фронтом <...> Запишем выражение потенциала электрода второго полуэлемента: 2 0 ln .RT C zF C ϕ = Определим разность

Предпросмотр: Проектирование медицинских измерительных преобразователей. Ч.2. Измерительные преобразователи электрических полей живого (биоэлектрические электроды) для диапазона крайне низких и низких частот.pdf (0,3 Мб)
32

Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si (p) [Электронный ресурс] / Трегулов, Степанов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2011 .— №3 .— С. 140-150 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269954

Автор: Трегулов
М.: ПРОМЕДИА

Представлен метод измерения спектра энергетической плотности поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктур. Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si (p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

являются центрами рекомбинации носителей заряда, изменяют форму энергетических зон, способствуют снижению контактной <...> разности потенциалов гетероструктуры, что приводит к ухудшению эффективности преобразования ФЭП [1, <...> 2DN – диэлектрическая проницаемость и концентрация доноров в полупроводнике n-типа (CdS); dV – полная контактная <...> разность потенциалов гетероструктуры; V – приложенное внешнее напряжение. <...> Величина dV определяется суммой контактных разностей потенциалов 1dV и 2dV , приходящихся на каждый из

33

Способ и устройство снижения неизохронности автогенератора с варикапами [Электронный ресурс] / Савченко, Старовойтова // Электросвязь .— 2016 .— №4 .— С. 59-62 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/419087

Автор: Савченко

Предложен способ снижения неизохронности автогенератора, управляемого варикапами, путем автоматической коррекции напряжения смещения на варикапах. Получено выражение, связывающее амплитуду колебаний генератора с напряжением компенсации. Экспериментально подтверждена высокая эффективность способа. Приведена блок-схема устройства автоматической коррекции напряжения смещения

варикапов при Um = 0; xm = Um/(Е + φк) – относительная амплитуда колебания на одном варикапе; φк – контактная <...> разность потенциалов p−n перехода варикапа; δс(xm) – функция, определяемая ВФХ варикапов.

34

Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния [Электронный ресурс] / Тимошенков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 14-18 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588819

Автор: Тимошенков

Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике

выражением [3] kТ е LW кДэфф 2  , здесь LД – дебаевская длина экранирования; e – заряд электрона; φк – контактная <...> разность потенциалов; k – постоянная Больцмана; Т – температура.

35

Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2007 .— №1 .— С. 89-99 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269732

М.: ПРОМЕДИА

Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (=8 нм) пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO[2]/Si и HfO[2] + SiO[2]/Si, от состава пленок x. Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. Шероховатость поверхности пленок составила для Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x]0, 23+[-]0, 05 нм и 0, 49+х[-]0, 5 нм, соответственно, и не зависела от x. Работа выхода в слоях Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] варьировалась в пределах 4, 9-5, 0 эВ и 4, 3-4, 8 эВ, соответственно, в зависимости от x. Удельное сопротивление пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x] изменяется в пределах (4Х10{-5}) - (2Х10{-3}) Ом {. } см и (5Х10{-6}) - (3Х10{-5}) Ом {. } см, соответственно, в зависимости от x.

Для измерения работы выхода пленок проводилось измерение контактной разности потенциалов (КРП) между <...> p-типа; χ – сродство к электрону Si (4,05 эВ); F – уровень Ферми Si; EV – потолок валентной зоны; Vk – контактная <...> разность потенциала.

36

Моделирование процессов переноса тока в углеродных нанотрубках [Электронный ресурс] / Булярский, Вострецова // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2009 .— №3 .— С. 138-144 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269843

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

В работе рассматривается зависимость приведенной скорости туннельной рекомбинации R[пp] от напряжения прямого смещения. Приводятся два приближения, описывающие зависимость R[пp] от напряжения: при условии ограничения процесса рекомбинации туннелированием и условием ограничения скоростью рекомбинации в квантовой яме. Показано, что из обобщенной модели рекомбинации можно получить ступенчатое возрастание тока от напряжения при увеличении напряжения смещения на образце.

       , (1) где rI – ток при прямом напряжении смещения; U – приложенное напряжение; kU – контактная <...> разность потенциалов (определялась по C-Uхарактеристикам); S – площадь p-n-перехода;  d U – ширина

37

Распределение Ферми - Дирака. Явление Зеебека метод. указания к лаб. работе С-3 по курсу общей физики

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Дан краткий обзор теории изучаемого явления, приведены методика выполнения экспериментов, порядок обработки полученных результатов, контрольные вопросы и список литературы.

, называемая контактной разностью потенциалов [4]. <...> Наличие внутренней контактной разности потенциалов U12 обусловливает возникновение электрического тока <...> Поэтому, если значения температуры спаев неодинаковы, будут неодинаковы и внутренние контактные разности <...> Для оценки внутренней контактной разности потенциалов при абсолютной температуре используем формулу ( <...> Значение внутренней контактной разности потенциалов при абсолютном нуле по модели свободных электронов

Предпросмотр: Распределение Ферми Дирака. Явление Зеебека.pdf (0,1 Мб)
38

ЛИНЕАРИЗАЦИЯ РЕЗОНАНСНОГО КОНТУРА С ВАРИКАПАМИ [Электронный ресурс] / Савченко, Старовойтова // Электросвязь .— 2015 .— №5 .— С. 39-41 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/419919

Автор: Савченко

Предлагается ввести компенсацию влияния амплитуды сигнала на среднюю за период колебания емкость варикапов путем коррекции напряжения смещения. В результате устраняется асимметрия амплитудно-частотной характеристики, присущая нелинейному контуру.

контура; xm = Um / (Е + jк) — относительная амплитуда колебания на одном варикапе (Um = U/2); jк — контактная <...> разность потенциалов p-n перехода варикапа.

39

ВЛИЯНИЕ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ МЕТОДА ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЙ АДСОРБЦИИ ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТОВ [Электронный ресурс] / Стецюра, Козловский, Маляр // Письма в журнал технической физики .— 2017 .— №8 .— С. 26-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/610418

Автор: Стецюра

Исследованы изменения работы выхода электронов из кремния с разным типом проводимости при освещении и после осаждения на его поверхность слоя полиэтиленимина методом фотостимулированной адсорбции. Показано, что фотостимулированная адсорбция полиэтиленимина приводит к электрической пассивации, а ее эффективность коррелирует с величиной изменения работы выхода электронов при освещении

рассчитывалась по формуле � = �M + qφCPD, (1) где �M — РВЭ из зонда (для золота — 5.11 eV), а ϕCPD — контактная <...> разность потенциалов (КРП).

40

Расчет дополнительной погрешности измерения сопротивлений двухполюсных электрических цепей в условиях помех. [Электронный ресурс] / Туев, Южанин // Электросвязь .— 2009 .— №3 .— С. 38-40 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/255138

Автор: Туев
М.: ПРОМЕДИА

Представлен расчет дополнительной погрешности (обусловленной влиянием несинхронной аддитивной помехи) при измерении модуля комплексных сопротивлений двухполюсных электрических цепей методом амперметра-вольтметра с косвенным определением тока.

p—n-переходов [7] C U C U V P( )= +( )−0 1 / , (5) где U — напряжение смещения, приложенное к переходу; V — контактная <...> разность потенциалов; С0 — емкость перехода при нулевом смещении; P = 0,3 … 0,5. моделирование свойств <...> Постоянная составляющая (полезный продукт детектирования) рассчитывается по формуле (12) где ϕ — разность

41

Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум

Автор: Блинов В И
Омский госуниверситет

Рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключательных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабораторных работ.

Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов...................................... <...> Между nи p-областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов <...> При больших токах, когда напряжение на электроннодырочном переходе приближается к контактной разности <...> Это дает возможность оценить контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе диода. <...> Поскольку контактная разность потенциалов составляет десятые доли вольта, т. е.

42

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АНИЗОТИПНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ NIO/CDTE [Электронный ресурс] / Пархоменко [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №3 .— С. 74-78 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591969

Автор: Пархоменко

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационнорекомбинационный и туннельный, а при обратных — туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc = 0.26 В и ток короткого замыкания Isc = 58.7 мкА/см2 при интенсивности освещения 80 мВт/см2

значения высоты потенциального барьера ϕ0 гетероперехода при различных температурах (ϕ0 = eVbi , где Vbi — контактная <...> разность потенциалов) (рис. 1, вставка). <...> определенным значением высоты потенциального барьера (ϕ0 = 0.63 эВ) и теоретически рассчитанным по разности

43

RC-генераторы, управляемые по частоте напряжением [Электронный ресурс] / Дроздова // Вестник Московского энергетического института .— 2016 .— №3 .— С. 73-78 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390202

Автор: Дроздова

Исследованы две схемы RC-генераторов почти гармонических колебаний, управляемых по частоте напряжением (RC-ГУН ПГК), основанных на двух классах RC-автогенераторов: однокольцевом RC-автогенераторе с мостом Вина, дополненном системой автоматической регулировки амплитуды (АРА), и RC-автогенераторе с режекторным фильтром (РФ) в виде двойного Т-моста. Управление частотой в рассматриваемых генераторах осуществляется с помощью варикапов, включенных в цепи обратных связей. Получены выражения для расчета модуляционных характеристик исследуемых схем RC-ГУН. Предложена методика расчета флуктуационных характеристик RC-ГУН ПГК. Приведены аналитические формулы для расчета спектральной плотности мощности фазовых шумов RC-ГУН с учетом тепловых шумов резисторов цепей обратных связей (ОС) и цепей управления. Показано, что уровень спектральной плотности мощности фазовых шумов RC-ГУН ПГК определяется в основном тепловыми шумами резисторов цепей обратных связей, а цепи управления частотой вносят пренебрежимо малый вклад в общий фазовый шум.

U = − — вольт-фарадная характеристика варикапа; С0 — номинальная емкость при нулевом смещении; Uk — контактная <...> разность потенциалов.

44

Физические основы кремниевой наноэлектроники учеб. пособие

Автор: Зебрев Г. И.
М.: Лаборатория знаний

Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

Контактная разность потенциалов в МОП-структуре 55 Контактная разность потенциалов есть разность работ <...> Контактная разность потенциалов для n+-поликремниевого затвора равна ϕMS ∼= − EG2q − ϕF , (3.22.1) и <...> Разность работ выхода материалов верхнего и нижнего затвора определяет контактную разность потенциалов <...> Включение МОПТ с нижним затвором 177 стью величины заряда в окисле и контактной разности потенциалов, <...> Контактная разность потенциалов в МОП-структуре 3.2. Электростатика плоских слоев заряда 3.3.

Предпросмотр: Физические основы кремниевой наноэлектроники  учебное пособие для вузов. — 3-е изд. (эл.).pdf (0,4 Мб)
45

Моделирование импульсного радиационно-стимулированного источника электрического питания [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №2 .— С. 147-155 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270066

М.: ПРОМЕДИА

Цель работы: моделирование импульсного режима работы радиационно-стимулированного источника электрического тока на основе изотопа {63}Ni. Моделирование проводилось в системе LTspice IV согласно структурной схеме импульсного радиационно-стимулированного источника тока. Бетавольтаический элемент питания представлял собой батарею из 1000 кремниевых pin-структур с глубиной залегания p-n-перехода 1, 2 мкм и кремниевых фотодиодов с глубиной залегания перехода 6, 5 мкм, включенных последовательно и параллельно с общей площадью p-n-преходов около 1000 см{2}. В конструкции импульсного радиационно-стимулированного источника тока в соответствии со схемой удалось достигнуть увеличения выходного напряжения до 1, 3 В в постоянном режиме, выходного импульсного тока - до значения 200 мА, импульса напряжения - до значения 180 мВ, с длительностью импульса до 2 мс и частотой повторения порядка 800 Гц. Полученные результаты свидетельствуют об эффективности применения радиационно-стимулированного элемента электрического питания, работающего в импульсном режиме, когда имеется необходимость в источнике питания, работающем более 50 лет и дающем ток генерации до 200 мА в пике разрядки. Предполагаемыми областями применения полученного материала являются микроэлектромеханические системы, нуждающиеся в элементе питания, работающие длительное время в труднодоступных местах и климатических условиях.

Таким образом, на входе Х1 и Х2 образуется контактная разность потенциалов.

46

МОДЕЛЬ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА ДЛЯ АНАЛИЗА СХЕМ ГЕНЕРАЦИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ [Электронный ресурс] / Бобрешов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2012 .— №2 .— С. 11-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522404

Автор: Бобрешов

Проведен анализ методов моделирования диодов с накоплением заряда. Показана необходимость учета влияния токов утечки заряда из активной области и образованного ими «паразитного» заряда, накапливающегося в легированных областях диода, на процесс быстрого восстановления его обратного сопротивления. Разработана модель диода с накоплением заряда, с учетом основных нелинейных процессов в режиме генерации сверхкоротких импульсов

0 0 0 ( ), ; ( ) ( ), , C V V V V Q V C V V V V ≥ÏÔ= Ì <ÔÓ обр , где V — напряжение на диоде, V0 — контактная <...> разность потенциалов диода.

47

ОПТИМИЗАЦИЯ АЛГОРИТМА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ УСТАНОВЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДА И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ КОНТАКТАМИ [Электронный ресурс] / Михайлов, Митин, Кожевников // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №4 .— С. 133-146 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552608

Автор: Михайлов

Актуальность и цели. В настоящее время возможности вычислительных комплексов позволяют использовать математическое моделирование в качестве одного из основных методологических подходов при решении различных научных и инженерных задач. Усложнение объектов исследования неизбежно приводит и к усложнению математических моделей, поэтому поиск новых приемов оптимизации алгоритмов расчета является важной задачей. Данная работа посвящена актуальной проблеме разработки, анализа и оптимизации математических моделей многослойных полупроводниковых структур. Целью работы является разработка методики последовательной настройки и адаптации алгоритма локально-полевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых структурах при условии неомичности металлических контактов. Материалы и методы. Моделирование проводится в одномерной системе координат. Система уравнений модели включает уравнение непрерывности, уравнение Пуассона с соответствующими граничными и начальными условиями и выражение для плотности полного тока через структуру. В качестве неидеального омического контакта рассматривается контакт металл–полупроводник с потенциальным барьером 0,3 эВ. Методика оптимизации алгоритма заключается в выборе соответствующих начальных и граничных условий, исходя из известных физических представлений, корректировке соответствующих условий, повышающей точность и сходимость решения, поиске оптимального соотношения между шагом по времени и по координате, обеспечивающего устойчивость и малое время установления стационарного решения. Оптимизация производится поэтапно для нескольких типов исследуемой структуры с последовательным усложнением. Результаты. Разработанная методика последовательной настройки и адаптации алгоритма локальнополевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых струк- турах n+– n – n+ при условии неомичности металлических контактов, позволяет повысить точность решения и сократить время и количество вычислений. Корректность получаемых результатов (распределений концентрации электронов, напряженности электрического поля и потенциала, вольт-амперных характеристик) подтверждается их качественным согласованием с известными физическими представлениями. Выводы. Разработанная методика имеет как методическую, так и практическую ценность и может быть использована при разработке других математических моделей более сложных структур, в том числе при учете влияния различных внешних физических факторов.

контакта металл-полупроводник (КМП), рассчитываемое следующим образом: 00 2εε k D L qN ϕ = , (6) где kϕ – контактная <...> разность потенциалов в ОПЗ КМП. <...> Для исследуемых структур с концентрацией легирующей примеси 3 · 1014 см–3 и контактной разностью потенциалов <...> Условие (15) означает, что на (n+ – n)-переходе существует разность потенциалов, определяемая соотношением <...> Контактные явления в полупроводниках / В. И. Стриха. – Киев : Выща школа.

48

Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубках [Электронный ресурс] / Булярский, Вострецова, Ермаков // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2012 .— №4 .— С. 205-213 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270037

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

Исследуется вольт-амперная характеристика полупроводниковой однослойной углеродной нанотрубки. Найдены выражения для концентрации электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости (валентной зоне) для полупроводниковой нанотрубки. Из приведенной скорости рекомбинации определены параметры энергий локальных состояний, участвующих в процессе переноса тока.

wN c n U n c p U p             (1) где rI – ток при прямом смещении напряжения U; kU – контактная <...> разность потенциалов; Bk – постоянная Больцмана; T – температура; q – заряд электрона; S – площадь p–n-перехода

49

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА НА ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ НАНЕСЕННЫХ НА ГРАФИТ НАНОЧАСТИЦ ЗОЛОТА С МОЛЕКУЛЯРНЫМ ВОДОРОДОМ [Электронный ресурс] / Гатин [и др.] // Химическая физика .— 2017 .— №3 .— С. 83-88 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591284

Автор: Гатин

Взаимодействие водорода с наночастицами золота, нанесенными на поверхность высокоориентированного пиролитического графита, определяется внешним потенциалом образца относительно земли, ϕ. Установлено, что при ϕ > +1 В молекулярный водород практически не взаимодействует с наночастицами, а при ϕ ≤ 0 В такое взаимодействие возможно

наиболее вероятным фактором, который определяет адсорбционные характеристики изучаемых объектов, является контактная <...> разность потенциалов между материалами подложки и наночастиц.

50

Физика атома: Лабораторный практикум Лабораторный практикум

Автор: Алексеев
ЯрГУ

Данное пособие представляет собой руководство к выполнению физического эксперимента по дисциплине «Физика атома и атомных явлений» (блок ЕН) н предназначено. Пособие содержит краткую теорию физических явлений, методику измерений и обработки результатов, перечень контрольных вопросов по каждой лабораторной работе. Рецензенты: кафедра физики Ярославского государственного технического университета, доцент В.П. Глушаков.

КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Одним из методов изучения распределения <...> По полученным данным построить график зависимости lnIa от Ua и определить по ним величину и знак контактной <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? <...> КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Одним из методов изучения распределения

Предпросмотр: Физика атома Лабораторный практикум.pdf (0,5 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 1438