Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 518156)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 70617 (0,64 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов метод. указания

ЯрГУ

"Данные методические указания содержат описание зонной модели твердого тела, понятия работы выхода и контактной разности потенциалов. Рассмотрены явление термоэлектронной эмиссии и эффект Шоттки. Кроме этого, приводятся схемы установок и описан порядок выполнения двух лабораторных работ. Данные методические указания предназначены для студентов третьего курса физических специальностей физического факультета. Кроме этого они могут быть использованы студентами других специальностей и форм обучения. Издание осуществлено при финансовой поддержке Программы ""Развитие научного потенциала высшей школы (грант 2.1.1/466)"" Предназначены для студентов, обучающихся по специальности (дисциплина «», блок ФТД), очной формы обучения."

Преображенский Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов : метод. <...> В результате между металлами возникает так называемая контактная разность потенциалов. <...> потенциалов (1.31) где – контактная разность потенциалов. <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? 4. <...> Как определить контактную разность потенциалов из распределения электронов по скоростям? 5.

Предпросмотр: Методы определения работы выхода электрона и контактной разности потенциалов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
2

Моделирование в среде PSpice метод. указания к лаб. работам

КГТУ

В методическом указании изложено содержание 7 лабораторных работ, выполняемых по дисциплине «Основы математического моделирования».

Ф 0 VJE Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер. <...> Ф 0 VJS Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка. <...> Ф 0 PB Контактная разность потенциалов p-n перехода затвора В 1 IS Ток насыщения p-n перехода затвор-канал <...> В 1/2 0.0 PHI Контактная разность потенциалов перехода диэлектрик – полупроводник. <...> Ф 0 PB Контактная разность потенциалов.

Предпросмотр: Моделирование в среде Pspice.pdf (0,1 Мб)
3

ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ КОНТАКТНЫХ СТРУКТУР С НАНОРАЗМЕРНЫМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОДИОДОВ [Электронный ресурс] / Э.З. Имамов [и др.] // Computational nanotechnology .— 2016 .— №3 .— С. 196-202 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/567452

Автор: Имамов Эркин Зуннунович

В комплексе работ [1-5] была разработана модель принципиально новой контактной структуры, которая формируется напылением освещаемой поверхности технического кремния электроемкими нановключениями из другого полупроводника. Фотопреобразователь на её основе проявляет уникальные электрофизические свойства В данной работе показаны основные структурные отличия нового контакта от традиционных полупроводниковых фотодиодов.

) Скорость и направление потоков заряда при установлении термодинамического равновесия определяется разностью <...> разность потенциалов φk(х) определялась величиной разности Δμ =АQD−Аn-Si, то есть φk(х) = Δμ/е = Co∙ <...> φo2/2 (φ0=φk(х=0) – контактная разность потенциалов на поверхности подложки). <...> Электростатическое контактное поле (1) показано на рис.№1 (когда N=4), а контактная разность потенциалов <...> Соответственно, для отдельного «наноразмерного p-n перехода» (рис.1) io – фототок, φo – контактная разность

4

Элементная база электроники. Задачник учеб.-метод. пособие

Автор: Бялик А. Д.
Изд-во НГТУ

Материал настоящего задачника составлен таким образом, чтобы он способствовал закреплению теоретических знаний, а также вырабатывал навык в решении инженерных задач. Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ.

Определить контактную разность потенциалов к , ширину p–n-перехода со стороны pи n-областей nd и pd <...> Определить контактную разность потенциалов к , ширину p–n-перехода со стороны pи n-областей nd и pd <...> Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 300 К. <...> Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 270 К. <...> Вычислить контактную разность потенциалов и ширину перехода при температуре T = 350 К.

Предпросмотр: Элементная база электроники. Задачник.pdf (0,3 Мб)
5

Физические основы электроники учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Бакалавриат

Автор: Валюхов Дмитрий Петрович
изд-во СКФУ

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Что называется контактной разностью потенциалов? 6. <...> В чем измеряется контактная разность потенциалов? 7. <...> Контактная разность потенциалов равна φk = φn + |φp|. <...> Контактная разность потенциалов, как и в обычном р-nпереходе, определяется разностью значений энергии <...> Чем определяется контактная разность потенциалов на гетеропереходе? 5.

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,8 Мб)
6

О решении одной задачи на тему «контактная разность потенциалов» [Электронный ресурс] / Лилия Михайловна Цурикова, Владимир Иванович Цуриков // Физическое образование в вузах .— 2015 .— №1 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/299605

Статья посвящена решению задачи о нахождении поля вблизи контакта двух различных проводников. Предложенное решение, основанное на методе конформных отображений, отличается от того, которое предлагают авторы курса теоретической физики Л. Ландау и Е. Лифшиц. Оно проще, является точным и не требует догадки относительно вида решения.

Цуриков УДК 537.21 О решении одной задачи на тему «контактная разность потенциалов» Лилия Михайловна <...> Как известно, контакт двух различных проводников приводит к образованию так называемой контактной разности <...> Легко видеть, что контактная разность потенциалов между свободными поверхностями двух соприкасающихся <...> разность потенциалов» ϕ==Φ aWIm . <...> В случае различных проводников (т.е. при наличии контактной разности потенциалов) качественная картина

7

Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по учебной дисциплине «Физические основы электроники»

Изд-во ПГУТИ

Методическая разработка предназначена для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров: 210700 - Инфокоммуникационные технологии и сети связи, 210400 - Радиотехника, 090900 - Информационная безопасность. Для организации практических аудиторных занятий методическая разработка включает в себя сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Это позволит сделать студентам определенные выводы и лучше подготовиться к итоговому тестированию. Кроме это- го, задания с несколькими вариантами могут быть использованы для проведения аудиторных контрольных работ на факультете заочного обучения. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий. Для организации самостоятельной работы студентов методическая разработка содержит рекомендации по изучению дисциплины, список рекомендуемой литературы и список теоретических вопросов для подготовки к итоговому контролю.

Контактная разность потенциалов. Методы формирования. <...> Определить контактную разность потенциалов р–п– перехода к. Задача 4.6. <...> Определить контактную разность потенциалов р–п–перехода к. <...> Контактная разность потенциалов р–n–перехода к=0,7 В. <...> Определить контактную разность потенциалов р–n–перехода к. Задача 6.5.

Предпросмотр: Методическая разработка для практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники».pdf (0,3 Мб)
8

Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала: Описание лабораторной работы.

Автор: Худайбергенов Г. Ж.

Определены содержание, форма, объем и порядок проведения лабораторной работы.

Так как анод и катод лампы изготовлены из разных материалов, то между ними имеется контактная разность <...> Контактная разность потенциалов складывается алгебраически с приложенным напряжением. <...> (с учетом контактной разности потенциалов). <...> На рис. 1 показаны примерные зависимости ln(i) от U, иллюстрирующие определение контактной разности потенциалов <...> Каков физический смысл контактной разности потенциалов, дайте определение. 5.

Предпросмотр: Исследование распределения термоэлектронов по скоростям методом задерживания потенциала Описание лабораторной работы..pdf (0,2 Мб)
9

Влияние отжига на морфологию поверхности и выходные параметры резистивных структур [Электронный ресурс] / Аверин, Аношкин, Печерская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки .— 2008 .— №3 .— С. 104-109 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269370

Автор: Аверин
М.: ПРОМЕДИА

Представлены результаты исследования влияния отжига в воздушной среде на свойства пленок и параметры структур на их основе. Показано, что отжиг приводит к рекристаллизации структуры резистивных пленок, вызывающей изменение свойств, морфологии поверхности пленок и стабилизацию выходных параметров резистивных структур. Разработана физико-математическая модель управления выходными параметрами резистивных структур за счет выбора режимов конденсации и отжига.

Контактные площадки к резистивным структурам формируют из Al и Cu. <...> Форму, размеры резистивных структур и контактных площадок задают с помощью биметаллических масок. <...> разность потенциалов, определяется материалом контакта и состоянием поверхности; k – постоянная Больцмана <...> разности потенциалов резистивных структур на основе хромоникелевых соединений, которая в рамках разработанной <...> Для неотожженных структур контактная разность потенциалов составляет 510–5…210–4 В.

10

ПЕРЕХОДНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И КРУТИЗНА НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХТОНКИМ ОСНОВАНИЕМ [Электронный ресурс] / Петров, Краснов // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2008 .— №2 .— С. 41-45 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522193

Автор: Петров

Рассматриваются физические основы работы нано-МОП транзисторов со сверхтонким основанием. Выведены аналитические выражения для переходных вольтамперных характеристик и крутизны. Приведены рассчитанные зависимости Ic = Ic(Vзи) и S = S(Vзи) для нано-МОП транзисторов со структурой n++-n-n++.

В результате образуются контактная разность потенциалов j кМз-n-Si = = Ф m – Ф n-Si = 0,4..0,3 В. <...> В этом случае контактная разность потенциалов: j кМз-n-Si равна сумме падений напряжений на затворном <...> e eSi Si . (6) Падение напряжения на затворном окисле и на обеднённом n-слое в сумме должны давать контактную <...> разность потенциалов Мз Sik nj : Мз дырок 2 2 Si 2 SiO 0 SiO 0 Si . 2 k n dn n dn nqN x Q qN xd j e

11

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНКАХ ИНДИЯ [Электронный ресурс] / Еремеева, Суровой // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2012 .— №12 .— С. 61-65 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/421955

Автор: Еремеева

Установлено, что в зависимости от толщины (2–147 нм) пленок индия, температуры (473–873 К) и времени (0–120 мин) термообработки кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерены контактная разность потенциалов для пленок In, In2O3 и фото-ЭДС для систем In – In2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем In–In2O3. Предложена модель превращения пленок In, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения на контакте In–In2O3 носителей заряда и формирования оксида индия(III).

Измерены контактная разность потенциалов для пленок In, In2O3 и фото-ЭДС для систем In – In2O3. <...> Контактную разность потенциалов (КРП) между образцами индия, оксида индия (III) и электродом сравнения <...> Таблица Контактная разность потенциалов между пленками индия, оксида индия (III) и электродом сравнения

12

Полупроводниковые диоды метод. указания по выполнению лаб. работ

ЯрГУ

В методических указаниях содержатся теоретические сведения и излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучению физических основ работы полупроводниковых диодов.

, определение контактной разности потенциалов между полупроводником и металлом мостовым методом. <...> При этом между металлами возникнет разность потенциалов, которая называется внешней контактной разностью <...> В результате почти вся контактная разность потенциалов падает в этом слое. <...> Экспериментальный метод определения контактной разности потенциалов между полупроводником и металлом <...> Построить график зависимости ( )1ln −= TfRo и определить контактную разность потенциалов φк. 7.

Предпросмотр: Полупроводниковые диоды Методические указания по выполнению лабораторных работ.pdf (0,6 Мб)
13

Физико-технические основы устройств микроэлектроники [учеб.-метод. пособие]

Автор: Еремина
Издательство СГАУ

Физико-технические основы устройств микроэлектроники. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия)

Контактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда Рассмотрим явления в контакте металл–полупроводник <...> Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов: e FFU МПК − = , (2.4) где <...> Так будет в области барьера, где объемный заряд, обусловленный контактной разностью потенциалов, делает <...> Графическая зависимость lnR – 1/T позволяет определить величину контактной разности потенциалов Uк: k <...> системе в вакуумном зазоре устанавливается контактная разность потенциалов (КРП), обусловленная разностью

Предпросмотр: Физико-технические основы устройств микроэлектроники.pdf (0,2 Мб)
14

Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение

Издательский дом ВГУ

В данном пособии рассматриваются позисторы на основе полупроводникового поликристаллического титаната бария (BaTiO3), в котором эффект ПТКС выражен наиболее ярко.

разность потенциалов определяется через разность работ выхода eVК = WM – WП. <...> Очевидно, что контактная разность потенциалов будет распределяться в приповерхностном слое толщиной b <...> разности потенциалов, т.е. изгиб зон e равен еVК (см. рис. 2.1, б). <...> Там, где образуется отрицательный заряд, заполняющий обедненный слой, происходит уменьшение контактного <...> Между дисками имеется плоский контактный вывод.

Предпросмотр: Позисторы на основе поликристаллического титаната бария. Физико-химические аспекты и применение.pdf (2,6 Мб)
15

Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму

Издательский дом ВГУ

Учебное пособие подготовлено на кафедре экспериментальной физики физического факультета Воронежского государственного университета.

Она получила название контактной разности потенциалов. <...> Рассмотрим причины, вызывающие контактную разность потенциалов. <...> Найдем величину этой контактной разности потенциалов. <...> Однако контактная разность потенциалов, как видно из формулы (3), зависит от температуры. <...> Каковы причины контактной разности потенциалов? 3. Выведите формулу (4). 4.

Предпросмотр: Лабораторный практикум по электричеству и магнетизму.pdf (0,9 Мб)
16

Лабораторный практикум по общей физике

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

В настоящем пособии приведены основные вопросы программы, список литературы по курсу общей физики и методические указания по выполнению и оформлению лабораторных работ.

Она получила название контактной разности потенциалов. <...> Рассмотрим причины, вызывающие контактную разность потенциалов. <...> Итак, переходя теперь к выводу общего выражения для контактной разности потенциалов, учтем сначала первую <...> Однако контактная разность потенциалов, как видно из формулы (3), зависит от температуры. <...> Контактная разность потенциалов. Термоэлектрический эффект. Термопара. 27. Магнитное поле.

Предпросмотр: Лабораторный практикум по общей физике .pdf (1,2 Мб)
17

КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМАХ Ni–MoO3 [Электронный ресурс] / Бин, Суровой // Журнал физической химии .— 2017 .— №2 .— С. 167-173 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591741

Автор: Бин

Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Ni–MoO3 в зависимости от толщины пленок Ni (d = 1–40 нм) и MoO3 (d = = 3–50 нм), температуры (473–773 К) и времени термообработки. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ni, MoO3 и фото-ЭДС систем Ni–MoO3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ni–MoO3. Предложена модель термического превращения пленок MoO3 в системах Ni–MoO3, включающая перераспределение на контакте ра+в+новесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки MoO3 центра [(Vа) е], преобразование его при создании систем Ni–MoO3 в центр [е(Vа)++е], термический переход электрона на уровень центра [(Vа)++е] с образованием центра [е(Vа)++е].

Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ni, MoO3 и фото-ЭДС систем Ni–MoO3. <...> Контактную разность потенциалов (КРП) между пленками никеля, оксида молибдена (VI) и электродом сравнения <...> Полученные в настоящей работе и ранее [5– 15, 33, 41–43, 46] результаты исследований свидетельствуют о контактной <...> MoO3: 1, 4 – 40; 2, 5 – 23; 3, 6 – 12 нм. 1.0 α 0.8 0.6 0.4 0.2 0 5 10 15 20 25 τ, мин 0 5 1 4 2 3 6 Контактная <...> разность потенциалов (В) между пленками никеля, оксида молибдена (VI) и электродом сравнения из платины

18

Электрические параметры нано-МОП транзисторов

Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

В данном пособии рассматриваются конструкции и особенности характеристик нано-МОП транзисторов по сравнению с традиционными, а также их физические ограничения.

Контактная разность потенциалов φк ип=ϕк сп 054,1ln 2 == i dnap ипк n NN q kTϕ В. 468,0ln == i ap Bp <...> В результате образуется контактная разность потенциалов φк (к.р.п.) между затвором и подложкой φкз = <...> Под действием контактной разности потенциалов φкз образуются слабо выраженные инверсионные слои на pи <...> Контактная разность потенциалов между затвором и подложкой будет равна: pзкз Φ−Φ=ϕ . (8.3) При Ndn = <...> Наличие контактной разности потенциалов приводит к появлению слабо выраженного инверсионного слоя из

Предпросмотр: Электрические параметры нано-МОП транзисторов (1).pdf (0,8 Мб)
19

Изучение рассеяния электронов на атомах (опыт Франка-Герца): Описание лабораторной работы.

Автор: Худайбергенов Г. Ж.

Определены содержание, форма, объем и порядок проведения лабораторной работы. Включены необходимые теоретические сведения, даны методические рекомендации, обеспечивающие ее выполнение, контрольные вопросы, список литературы.

Электроны, вылетавшие с поверхности катода вследствие термоэлектронной эмиссии, ускорялись разностью <...> Эту разность потенциалов можно было плавно менять с помощью потенциометра П. <...> Наличие контактной разности потенциалов между электродами искажает показания вольтметра V, смещая всю <...> Однако контактная разность потенциалов исключается, если величину ∆E1 определять по расстоянию между <...> Покажите, как по результатам измерений вольт-амперной характеристики можно определить контактную разность

Предпросмотр: Изучение рассеяния электронов на атомах (опыт Франка-Герца) Описание лабораторной работы..pdf (0,2 Мб)
20

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов метод. указания

Автор: Бочкарева Л. В.
ЯрГУ

Методические указания содержат описания лабораторных работ. Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения.

Возникающая в такой цепи термоэдс обусловлена тремя механизмами: объемной, контактной термоэдс и увеличением <...> Контактная разность потенциалов возникает на границе раздела двух контактирующих твердых тел. <...> Если температура контактов 1 и 2 (рис. 1) одинакова, то возникающие контактные разности потенциалов равны <...> суммарная эдс в такой цепи равна нулю, если же температура контактов различна, то в цепи возникает контактная <...> Из формулы (3) получим выражение для коэффициента контактной термоэдс, при этом учитывая, что положение

Предпросмотр: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания.pdf (0,7 Мб)
21

Физика. Введение в твердотельную электронику.

Разность потенциалов между металлами (ее называют контактной разностью потенциалов) равна разности работ <...> В нем и сосредоточивается контактное поле, возникшее за счет контактной разности потенциалов φ0/q. <...> Между двумя полупроводниками возникает контактная разность потенциалов UK, при этом уровень Ферми во <...> Контактная разность потенциалов может быть вычислена из выражения [7, 8]: qUK = χвых1 – χвых2 = Ef2 – <...> Что такое контактная разность потенциалов? Каким образом она возникает? 10.

Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
22

Темновая деградация солнечных элементов на основе пленок a-Si:H [Электронный ресурс] / Воронков, Зезин // Вестник Московского энергетического института .— 2014 .— №4 .— С. 34-37 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390087

Автор: Воронков

Приведены результаты исследования деградации солнечных элементов на основе -Si:H при их хранении, объясняющейся генерацией метастабильных дефектов в слабо легированной области pin-структур.

область pin-структуры, т. е. область объемного пространственного заряда (ОПЗ), определяет величину контактной <...> разности потенциалов, поскольку в ней сосредоточено основное электрическое поле, разделяющее носители <...> разность потенциалов и соответственно ��� могут возрастать. <...> должен приводить к уменьшению тока короткого замыкания, а возрастание электрического поля — к росту контактной <...> разности потенциалов.

23

Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdS/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик [Электронный ресурс] / Трегулов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2012 .— №3 .— С. 124-132 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270016

Автор: Трегулов
М.: ПРОМЕДИА

Представлен способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах по частотной зависимости вольт-фарадных характеристик для случая, когда заряд поверхностных состояний зависит от приложенного напряжения постоянного смещения. Приведены результаты исследования гетероструктуры Cd/Si (p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

разности потенциалов гетероструктуры, что приводит к ухудшению эффективности преобразования ФЭП [1]. <...> разности потенциалов гетероструктуры с учетом влияния ГУ. <...> разности потенциалов гетероструктуры за счет влияния ГУ; S – площадь барьерного контакта. <...> Величина контактной разности потенциалов, полученная из ВЧ ВФХ, составила 0,67 В. <...> Значение эффективной контактной разности потенциалов, учитывающее влияние ГУ, полученное из анализа НЧ

24

№1 [Прикладная аналитическая химия, 2013]

Научно-практический журнал «Прикладная аналитическая химия» основан в 2009 году. Тематика журнала: теоретические основы аналитической химии, практические методы качественного и количественного анализа различных веществ, в том числе лекарственных и дезинфекционных препаратов.

Полученная разность напряжений и будет давать контактную разность потенциалов, изменение которой будет <...> Для этих целей авторами был разработан метод определения контактной разности потенциалов. <...> Как видно из рис. 3, колебания контактной разности потенциалов весьма значительны. <...> Контактная разность потенциалов для различных материалов электродов. <...> По оси OY отложена контактная разность потенциалов dU, по оси OX отложено время D в днях.

Предпросмотр: Прикладная аналитическая химия №1 2013.pdf (0,5 Мб)
25

№1 [Вестник Донского государственного технического университета, 2004]

Журнал является периодическим печатным научным рецензируемым журналом. Публикуются научные статьи по направлениям: машиностроение; управление, вычислительная техника и информатика; агропромышленная инженерия. Журнал входит в перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

разности потенциалов. <...> электродных потенциалов трущихся металлов ϕϕϕ Σ−∆−∆=∆ 2 2 1 1 М P M PE , контактная разность потенциалов <...> При взаимодействии металлов в режиме граничного трения создается контактная разность потенциалов, количественной <...> Рассчитанные по [8] значения работы выхода электронов φCu=5.125 и φFe=4.85 и контактной разности потенциалов <...> Метод контактной разности потенциалов и его применение в трибологии. Минск, 1996.-236 с. 8.

Предпросмотр: Вестник Донского государственного технического университета №1 2004.pdf (0,1 Мб)
26

Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты учеб. пособие

Автор: Девятков Г. Н.
Изд-во НГТУ

Изложены матричные модели идеального и реального диодов с приоткрыванием p–n-перехода, а также методы автоматизированного синтеза согласующее-фильтрующих цепей широкополосных преобразователей частоты. Рассмотрено необходимое программное обеспечение для их проектирования на персональных ЭВМ.

вид 0 0 0 (1 / ) ( ) (1 / ) C E C u u , (1.1) где u – обратное напряжение, приложенное к диоду; 0 – контактная <...> разность потенциалов, т. е. напряжение на переходе при отсутствии внешнего напряжения; E – напряжение <...> разность потенциалов; sR – эквивалентное сопротивление потерь; k – коэффициент разложения в степенной <...> Aгентство Kнига-Cервис» 24 норм U U U – нормированное напряжение на переходе; нормU – нормированная контактная <...> разность потенциалов; норм пробUQ q q ; норм пробU U ; норм нормI Q ; 1 1 sR Q ; пр Q – добротность

Предпросмотр: Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты.pdf (0,3 Мб)
27

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Оценить контактную разность потенциалов ϕк выпрямительного диода. <...> Контактная разность потенциалов определяется следующим образом. <...> Если внешнее напряжение станет равным контактной разности потенциалов (V = ϕк), то контактное поле полностью <...> Определить контактную разность потенциалов ϕк. <...> Как по ВАХ определить контактную разность потенциалов?

Предпросмотр: Изучение свойств p-n-переходов.pdf (0,1 Мб)
28

Изучение свойств p-n-переходов метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-6а по курсу общей физики

Автор: Бабенко С. П.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

В работе приведены основные положения квантовой теории электропроводности полупроводников и выпрямляющих свойств р-n-перехода. Описаны экспериментальные методы определения характерных параметров полупроводниковых диодов.

Оценить контактную разность потенциалов ϕк выпрямительного диода. <...> Контактная разность потенциалов определяется следующим образом. <...> Если внешнее напряжение станет равным контактной разности потенциалов (V = ϕк), то контактное поле полностью <...> Определить контактную разность потенциалов ϕк. <...> Как по ВАХ определить контактную разность потенциалов?

Предпросмотр: Изучение свойств p–n-переходов.pdf (0,1 Мб)
29

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛЬНОГО СЛОЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНОГО СВЧ ПОЛЕВОГО КАРБИД КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА ШОТТКИ [Электронный ресурс] / Черных, Цоцорин, Кожевников // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2015 .— №2 .— С. 54-61 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/512023

Автор: Черных

проведено моделирование зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, тока насыщение и крутизны полевого транзистора с затвором Шоттки от толщины и уровня легирования канального эпитаксиального слоя. Обсуждаются оптимальные технологические параметры

− Vg), (1) где Nn — концентрация легирующей примеси в канальной области, q — заряд электрона, ΦB — контактная <...> разность потенциалов между металлом затвора и канальным слоем карбида кремния, Vg — напряжение на затворе <...> Для определения ширины ОПЗ воспользуемся выражением для расчета контактной разности потенциала перехода

30

Краткий обзор теории полупроводниковых структур

контактной разностью потенциалов к. <...> Контактной разностью потенциалов зависит от величины напряженности электрического поля на переходе. <...> Контактную разность можно определить из соотношения 2 i pono Tipink n pn ln  . <...> Контактную разность потенциалов линейного р–n-перехода можно рассчитать по формуле 2 0n0n ln i p Тк n <...> максимального напряжения к << Uобр.мах., то в расчетах значением контактной разности можно пренебречь

Предпросмотр: Краткий обзор теории полупроводниковых структур .pdf (0,7 Мб)
31

Проектирование медицинских измерительных преобразователей. Ч. 2. Измерительные преобразователи электрических полей живого (биоэлектрические электроды) для диапазона крайне низких и низких частот учеб. пособие для студентов и аспирантов, обучающихся по направлениям подготовки «Биомедицинская техника», «Биомедицинская инженерия», «Радиотехника»

Автор: Орлов Ю. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Анализируется эквивалентная схема отведения биопотенциалов, описываются особенности функционирования полуэлемента и измерительной ячейки биотехнической системы, рассматриваются характеристики ее элементов, изучаются вопросы проводимости и возникновения дополнительных потенциалов, не идентифицируемых как биопотенциалы. Последовательность описания типов электродов соответствует предложенной ранее схеме структурирования живого. Рассматриваются биоэлектрические электроды для диапазона крайне низких и низких частот.

Контактная разность потенциалов 1 2М |M ,E возникающая на границе двух разнородных металлов, определяется <...> разность потенциалов, зависящая от химического состава и температуры металлов; б) разность потенциалов <...> разностью потенциалов, возникающей от контакта двух крайних проводников. <...> По форме проявления контактная разность потенциалов представляет собой скачок потенциала с крутым фронтом <...> Запишем выражение потенциала электрода второго полуэлемента: 2 0 ln .RT C zF C ϕ = Определим разность

Предпросмотр: Проектирование медицинских измерительных преобразователей. Ч.2. Измерительные преобразователи электрических полей живого (биоэлектрические электроды) для диапазона крайне низких и низких частот.pdf (0,3 Мб)
32

Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si (p) [Электронный ресурс] / Трегулов, Степанов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2011 .— №3 .— С. 140-150 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269954

Автор: Трегулов
М.: ПРОМЕДИА

Представлен метод измерения спектра энергетической плотности поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктур. Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si (p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.

являются центрами рекомбинации носителей заряда, изменяют форму энергетических зон, способствуют снижению контактной <...> разности потенциалов гетероструктуры, что приводит к ухудшению эффективности преобразования ФЭП [1, <...> 2DN – диэлектрическая проницаемость и концентрация доноров в полупроводнике n-типа (CdS); dV – полная контактная <...> разность потенциалов гетероструктуры; V – приложенное внешнее напряжение. <...> Величина dV определяется суммой контактных разностей потенциалов 1dV и 2dV , приходящихся на каждый из

33

Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния [Электронный ресурс] / Тимошенков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №1 .— С. 14-18 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/588819

Автор: Тимошенков

Рассмотрена возможность применения пористого кремния при создании варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости, удовлетворяющих требованиям микроэлектроники и микросистемной техники. Описана технология изготовления конденсаторных структур с применением гальванического осаждения меди в поры пористого кремния. Исследованы морфологические особенности экспериментальных структур, определена удельная емкость варикапов. Показана перспективность применения варикапов на основе пористого кремния в интегральной электронике

выражением [3] kТ е LW кДэфф 2  , здесь LД – дебаевская длина экранирования; e – заряд электрона; φк – контактная <...> разность потенциалов; k – постоянная Больцмана; Т – температура.

34

Способ и устройство снижения неизохронности автогенератора с варикапами [Электронный ресурс] / Савченко, Старовойтова // Электросвязь .— 2016 .— №4 .— С. 59-62 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/419087

Автор: Савченко

Предложен способ снижения неизохронности автогенератора, управляемого варикапами, путем автоматической коррекции напряжения смещения на варикапах. Получено выражение, связывающее амплитуду колебаний генератора с напряжением компенсации. Экспериментально подтверждена высокая эффективность способа. Приведена блок-схема устройства автоматической коррекции напряжения смещения

варикапов при Um = 0; xm = Um/(Е + φк) – относительная амплитуда колебания на одном варикапе; φк – контактная <...> разность потенциалов p−n перехода варикапа; δс(xm) – функция, определяемая ВФХ варикапов.

35

Физика полупроводниковых приборов: лабораторный практикум

Автор: Блинов В И
Омский госуниверситет

Рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключательных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабораторных работ.

Высота потенциального барьера и контактная разность потенциалов...................................... <...> Между nи p-областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов <...> При больших токах, когда напряжение на электроннодырочном переходе приближается к контактной разности <...> Это дает возможность оценить контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе диода. <...> Поскольку контактная разность потенциалов составляет десятые доли вольта, т. е.

36

ЛИНЕАРИЗАЦИЯ РЕЗОНАНСНОГО КОНТУРА С ВАРИКАПАМИ [Электронный ресурс] / Савченко, Старовойтова // Электросвязь .— 2015 .— №5 .— С. 39-41 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/419919

Автор: Савченко

Предлагается ввести компенсацию влияния амплитуды сигнала на среднюю за период колебания емкость варикапов путем коррекции напряжения смещения. В результате устраняется асимметрия амплитудно-частотной характеристики, присущая нелинейному контуру.

контура; xm = Um / (Е + jк) — относительная амплитуда колебания на одном варикапе (Um = U/2); jк — контактная <...> разность потенциалов p-n перехода варикапа.

37

Физические основы кремниевой наноэлектроники учеб. пособие

Автор: Зебрев Г. И.
М.: Лаборатория знаний

Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

Контактная разность потенциалов в МОП-структуре 55 Контактная разность потенциалов есть разность работ <...> Контактная разность потенциалов для n+-поликремниевого затвора равна ϕMS ∼= − EG2q − ϕF , (3.22.1) и <...> Разность работ выхода материалов верхнего и нижнего затвора определяет контактную разность потенциалов <...> Включение МОПТ с нижним затвором 177 стью величины заряда в окисле и контактной разности потенциалов, <...> Контактная разность потенциалов в МОП-структуре 3.2. Электростатика плоских слоев заряда 3.3.

Предпросмотр: Физические основы кремниевой наноэлектроники  учебное пособие для вузов. — 3-е изд. (эл.).pdf (0,4 Мб)
38

Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2007 .— №1 .— С. 89-99 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269732

М.: ПРОМЕДИА

Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (=8 нм) пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO[2]/Si и HfO[2] + SiO[2]/Si, от состава пленок x. Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. Шероховатость поверхности пленок составила для Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x]0, 23+[-]0, 05 нм и 0, 49+х[-]0, 5 нм, соответственно, и не зависела от x. Работа выхода в слоях Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] варьировалась в пределах 4, 9-5, 0 эВ и 4, 3-4, 8 эВ, соответственно, в зависимости от x. Удельное сопротивление пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x] изменяется в пределах (4Х10{-5}) - (2Х10{-3}) Ом {. } см и (5Х10{-6}) - (3Х10{-5}) Ом {. } см, соответственно, в зависимости от x.

Для измерения работы выхода пленок проводилось измерение контактной разности потенциалов (КРП) между <...> p-типа; χ – сродство к электрону Si (4,05 эВ); F – уровень Ферми Si; EV – потолок валентной зоны; Vk – контактная <...> разность потенциала.

39

Распределение Ферми - Дирака. Явление Зеебека метод. указания к лаб. работе С-3 по курсу общей физики

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Дан краткий обзор теории изучаемого явления, приведены методика выполнения экспериментов, порядок обработки полученных результатов, контрольные вопросы и список литературы.

, называемая контактной разностью потенциалов [4]. <...> Наличие внутренней контактной разности потенциалов U12 обусловливает возникновение электрического тока <...> Поэтому, если значения температуры спаев неодинаковы, будут неодинаковы и внутренние контактные разности <...> Для оценки внутренней контактной разности потенциалов при абсолютной температуре используем формулу ( <...> Значение внутренней контактной разности потенциалов при абсолютном нуле по модели свободных электронов

Предпросмотр: Распределение Ферми Дирака. Явление Зеебека.pdf (0,1 Мб)
40

Моделирование процессов переноса тока в углеродных нанотрубках [Электронный ресурс] / Булярский, Вострецова // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2009 .— №3 .— С. 138-144 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269843

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

В работе рассматривается зависимость приведенной скорости туннельной рекомбинации R[пp] от напряжения прямого смещения. Приводятся два приближения, описывающие зависимость R[пp] от напряжения: при условии ограничения процесса рекомбинации туннелированием и условием ограничения скоростью рекомбинации в квантовой яме. Показано, что из обобщенной модели рекомбинации можно получить ступенчатое возрастание тока от напряжения при увеличении напряжения смещения на образце.

       , (1) где rI – ток при прямом напряжении смещения; U – приложенное напряжение; kU – контактная <...> разность потенциалов (определялась по C-Uхарактеристикам); S – площадь p-n-перехода;  d U – ширина

41

ВЛИЯНИЕ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ МЕТОДА ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЙ АДСОРБЦИИ ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТОВ [Электронный ресурс] / Стецюра, Козловский, Маляр // Письма в журнал технической физики .— 2017 .— №8 .— С. 26-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/610418

Автор: Стецюра

Исследованы изменения работы выхода электронов из кремния с разным типом проводимости при освещении и после осаждения на его поверхность слоя полиэтиленимина методом фотостимулированной адсорбции. Показано, что фотостимулированная адсорбция полиэтиленимина приводит к электрической пассивации, а ее эффективность коррелирует с величиной изменения работы выхода электронов при освещении

рассчитывалась по формуле � = �M + qφCPD, (1) где �M — РВЭ из зонда (для золота — 5.11 eV), а ϕCPD — контактная <...> разность потенциалов (КРП).

42

Расчет дополнительной погрешности измерения сопротивлений двухполюсных электрических цепей в условиях помех. [Электронный ресурс] / Туев, Южанин // Электросвязь .— 2009 .— №3 .— С. 38-40 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/255138

Автор: Туев
М.: ПРОМЕДИА

Представлен расчет дополнительной погрешности (обусловленной влиянием несинхронной аддитивной помехи) при измерении модуля комплексных сопротивлений двухполюсных электрических цепей методом амперметра-вольтметра с косвенным определением тока.

p—n-переходов [7] C U C U V P( )= +( )−0 1 / , (5) где U — напряжение смещения, приложенное к переходу; V — контактная <...> разность потенциалов; С0 — емкость перехода при нулевом смещении; P = 0,3 … 0,5. моделирование свойств <...> Постоянная составляющая (полезный продукт детектирования) рассчитывается по формуле (12) где ϕ — разность

43

Моделирование импульсного радиационно-стимулированного источника электрического питания [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №2 .— С. 147-155 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/270066

М.: ПРОМЕДИА

Цель работы: моделирование импульсного режима работы радиационно-стимулированного источника электрического тока на основе изотопа {63}Ni. Моделирование проводилось в системе LTspice IV согласно структурной схеме импульсного радиационно-стимулированного источника тока. Бетавольтаический элемент питания представлял собой батарею из 1000 кремниевых pin-структур с глубиной залегания p-n-перехода 1, 2 мкм и кремниевых фотодиодов с глубиной залегания перехода 6, 5 мкм, включенных последовательно и параллельно с общей площадью p-n-преходов около 1000 см{2}. В конструкции импульсного радиационно-стимулированного источника тока в соответствии со схемой удалось достигнуть увеличения выходного напряжения до 1, 3 В в постоянном режиме, выходного импульсного тока - до значения 200 мА, импульса напряжения - до значения 180 мВ, с длительностью импульса до 2 мс и частотой повторения порядка 800 Гц. Полученные результаты свидетельствуют об эффективности применения радиационно-стимулированного элемента электрического питания, работающего в импульсном режиме, когда имеется необходимость в источнике питания, работающем более 50 лет и дающем ток генерации до 200 мА в пике разрядки. Предполагаемыми областями применения полученного материала являются микроэлектромеханические системы, нуждающиеся в элементе питания, работающие длительное время в труднодоступных местах и климатических условиях.

Таким образом, на входе Х1 и Х2 образуется контактная разность потенциалов.

44

ОПТИМИЗАЦИЯ АЛГОРИТМА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ УСТАНОВЛЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЗАРЯДА И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ КОНТАКТАМИ [Электронный ресурс] / Михайлов, Митин, Кожевников // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2013 .— №4 .— С. 133-146 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552608

Автор: Михайлов

Актуальность и цели. В настоящее время возможности вычислительных комплексов позволяют использовать математическое моделирование в качестве одного из основных методологических подходов при решении различных научных и инженерных задач. Усложнение объектов исследования неизбежно приводит и к усложнению математических моделей, поэтому поиск новых приемов оптимизации алгоритмов расчета является важной задачей. Данная работа посвящена актуальной проблеме разработки, анализа и оптимизации математических моделей многослойных полупроводниковых структур. Целью работы является разработка методики последовательной настройки и адаптации алгоритма локально-полевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых структурах при условии неомичности металлических контактов. Материалы и методы. Моделирование проводится в одномерной системе координат. Система уравнений модели включает уравнение непрерывности, уравнение Пуассона с соответствующими граничными и начальными условиями и выражение для плотности полного тока через структуру. В качестве неидеального омического контакта рассматривается контакт металл–полупроводник с потенциальным барьером 0,3 эВ. Методика оптимизации алгоритма заключается в выборе соответствующих начальных и граничных условий, исходя из известных физических представлений, корректировке соответствующих условий, повышающей точность и сходимость решения, поиске оптимального соотношения между шагом по времени и по координате, обеспечивающего устойчивость и малое время установления стационарного решения. Оптимизация производится поэтапно для нескольких типов исследуемой структуры с последовательным усложнением. Результаты. Разработанная методика последовательной настройки и адаптации алгоритма локальнополевой математической модели, описывающей динамику установления распределения заряда и электрического поля в многослойных кремниевых струк- турах n+– n – n+ при условии неомичности металлических контактов, позволяет повысить точность решения и сократить время и количество вычислений. Корректность получаемых результатов (распределений концентрации электронов, напряженности электрического поля и потенциала, вольт-амперных характеристик) подтверждается их качественным согласованием с известными физическими представлениями. Выводы. Разработанная методика имеет как методическую, так и практическую ценность и может быть использована при разработке других математических моделей более сложных структур, в том числе при учете влияния различных внешних физических факторов.

контакта металл-полупроводник (КМП), рассчитываемое следующим образом: 00 2εε k D L qN ϕ = , (6) где kϕ – контактная <...> разность потенциалов в ОПЗ КМП. <...> Для исследуемых структур с концентрацией легирующей примеси 3 · 1014 см–3 и контактной разностью потенциалов <...> Условие (15) означает, что на (n+ – n)-переходе существует разность потенциалов, определяемая соотношением <...> Контактные явления в полупроводниках / В. И. Стриха. – Киев : Выща школа.

45

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ АНИЗОТИПНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ NIO/CDTE [Электронный ресурс] / Пархоменко [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №3 .— С. 74-78 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/591969

Автор: Пархоменко

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационнорекомбинационный и туннельный, а при обратных — туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc = 0.26 В и ток короткого замыкания Isc = 58.7 мкА/см2 при интенсивности освещения 80 мВт/см2

значения высоты потенциального барьера ϕ0 гетероперехода при различных температурах (ϕ0 = eVbi , где Vbi — контактная <...> разность потенциалов) (рис. 1, вставка). <...> определенным значением высоты потенциального барьера (ϕ0 = 0.63 эВ) и теоретически рассчитанным по разности

46

RC-генераторы, управляемые по частоте напряжением [Электронный ресурс] / Дроздова // Вестник Московского энергетического института .— 2016 .— №3 .— С. 73-78 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/390202

Автор: Дроздова

Исследованы две схемы RC-генераторов почти гармонических колебаний, управляемых по частоте напряжением (RC-ГУН ПГК), основанных на двух классах RC-автогенераторов: однокольцевом RC-автогенераторе с мостом Вина, дополненном системой автоматической регулировки амплитуды (АРА), и RC-автогенераторе с режекторным фильтром (РФ) в виде двойного Т-моста. Управление частотой в рассматриваемых генераторах осуществляется с помощью варикапов, включенных в цепи обратных связей. Получены выражения для расчета модуляционных характеристик исследуемых схем RC-ГУН. Предложена методика расчета флуктуационных характеристик RC-ГУН ПГК. Приведены аналитические формулы для расчета спектральной плотности мощности фазовых шумов RC-ГУН с учетом тепловых шумов резисторов цепей обратных связей (ОС) и цепей управления. Показано, что уровень спектральной плотности мощности фазовых шумов RC-ГУН ПГК определяется в основном тепловыми шумами резисторов цепей обратных связей, а цепи управления частотой вносят пренебрежимо малый вклад в общий фазовый шум.

U = − — вольт-фарадная характеристика варикапа; С0 — номинальная емкость при нулевом смещении; Uk — контактная <...> разность потенциалов.

47

Физика атома: Лабораторный практикум Лабораторный практикум

Автор: Алексеев
ЯрГУ

Данное пособие представляет собой руководство к выполнению физического эксперимента по дисциплине «Физика атома и атомных явлений» (блок ЕН) н предназначено. Пособие содержит краткую теорию физических явлений, методику измерений и обработки результатов, перечень контрольных вопросов по каждой лабораторной работе. Рецензенты: кафедра физики Ярославского государственного технического университета, доцент В.П. Глушаков.

КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Одним из методов изучения распределения <...> По полученным данным построить график зависимости lnIa от Ua и определить по ним величину и знак контактной <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? <...> Что такое контактная разность потенциалов (КРП)? <...> КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Одним из методов изучения распределения

Предпросмотр: Физика атома Лабораторный практикум.pdf (0,5 Мб)
48

Физические основы электроники [учеб. пособие]

Автор: Толмачев В. В.
М.: Институт компьютерных исследований

В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твердотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-переходом и pnp-транзистор.

Теория pn-перехода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397 Контактная разность потенциалов <...> . . . . . . . . . . . . . . 397 Качественное объяснение контактной разности потенциалов . . . . . . <...> Объяснена контактная разность потенциалов при контакте двух металлов и теория термоэдс. <...> Качественное объяснение контактной разности потенциалов Физическую причину появления контактного скачка <...> Формула для контактной разности потенциалов Исключая из двух только что приведённых формул контактную

Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,4 Мб)
49

Автоматика практикум для выполнения лаб. работ

Изд-во ФГБОУ ВО Орловский ГАУ

Пособие содержит методические указания для проведения лабораторных работ по разделу «Технические средства автоматики» на базе универсального лабораторного стенда. Даны краткие теоретические сведения по теме каждой из работ. Работа одобрена методической комиссией факультета агротехники и энергообеспечения, протокол №8 от 26.04.2016, и методическим советом ФГБОУ ВО Орловский ГАУ, протокол №2 от 05.03.2017 в качестве практикума для проведения лабораторных работ по автоматике для обучающихся по направлению 35.03.06 «Агроинженерия» (профили «Технический сервис в АПК», «Технические системы в агробизнесе»).

Возникает контактная разность потенциалов. <...> Будет ли появляться контактная разность потенциалов при одинаковой температуре спаев? 8. <...> Для получения разности давлений в 1 кПа необходима разность уровней воды 1000/9,8=102 мм. <...> Будет ли появляться контактная разность потенциалов при одинаковой температуре спаев а. Да б. <...> Укажите мостиковый контактный узел а б в 3.

Предпросмотр: Автоматика Практикум для выполнения лабораторных работ.pdf (0,3 Мб)
50

МОДЕЛЬ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА ДЛЯ АНАЛИЗА СХЕМ ГЕНЕРАЦИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ [Электронный ресурс] / Бобрешов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2012 .— №2 .— С. 11-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522404

Автор: Бобрешов

Проведен анализ методов моделирования диодов с накоплением заряда. Показана необходимость учета влияния токов утечки заряда из активной области и образованного ими «паразитного» заряда, накапливающегося в легированных областях диода, на процесс быстрого восстановления его обратного сопротивления. Разработана модель диода с накоплением заряда, с учетом основных нелинейных процессов в режиме генерации сверхкоротких импульсов

0 0 0 ( ), ; ( ) ( ), , C V V V V Q V C V V V V ≥ÏÔ= Ì <ÔÓ обр , где V — напряжение на диоде, V0 — контактная <...> разность потенциалов диода.

Страницы: 1 2 3 ... 1413