Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 532204)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 106185 (1,58 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Материалы и компоненты электронных средств лаб. практикум

Автор: Юзова В. А.
Сиб. федер. ун-т

В лабораторном практикуме изложены краткие теоретические сведения об электронных материалах и компонентах. Рассмотрены методы исследования и измерения свойств материалов и номинальных характеристик активных и пассивных компонентов электронных схем. Описаны процессы и явления, протекающие в материалах и компонентах электронной техники. Показаны связь и влияние типа, конструкции, материала компонента на электрофизические и эксплуатационные характеристики.

Вычислить значения элементов исследованной конденсаторной структуры. 4. <...> Гц – 800 кГц; – график частотных характеристик указанных величин; – вычисленные значения элементов исследованной <...> Можно ли отнести исследованный диэлектрик к высокочастотным материалам? <...> Сделайте вывод об электрических свойствах исследованных диэлектриков. <...> Сделать вывод о структурных свойствах исследованного кристалла.

Предпросмотр: Материалы и компоненты электронных средств. Лабораторный практикум (гриф УМО).pdf (1,3 Мб)
2

Зависимость потенциала зарядки диэлектриков и изолированных проводников от угла падения пучка электронов [Электронный ресурс] / Евстафьева [и др.] // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2014 .— №1 .— С. 56-60 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/570104

Автор: Евстафьева

Теоретически и экспериментально изучены кардинальные характеристики зарядки диэлектрических и незаземленных металлических мишеней при облучении электронами средних энергий (0.5–10 кэВ) в зависимости от угла падения электронного пучка. Определены зависимости коэффициентов эмиссии электронов и второй критической энергии первичных (облучающих) электронов E2C от угла падения α, когда мишени не заряжаются

Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» РАДИОФИЗИКА, ЭЛЕКТРОНИКА, АКУСТИКА 57 Так, для исследованных <...> 0.165λρ E4/50 cosα [ 1− exp ( −A−10 E 9/5 0 cosα/λ )] . (10) Характеристики зависимости σ = δ+ η для двух исследованных <...> диэлектриков приведены на рис. 1, б. <...> РАДИОФИЗИКА, ЭЛЕКТРОНИКА, АКУСТИКА 59 В таблице в первой колонке приведены значения удельной плотности ρ исследованных <...> На рис. 4 приводятся для большей наглядности нормированные характеристики E2C(α)/E2C(0) для исследованных

3

№1(77) [Атом, 2018]

Издается с 1994г. по инициативе ученых ВНИИЭФ и при участии ученых других центров и институтов Росатома. Основная тематика журнала: атомная энергетика, создание ракетно-ядерного оружия, многочисленные научно-технические достижения федеральных ядерных центров России, биографии выдающихся ученых и конструкторов, участвовавших в создании самого грозного оружия ХХ века и многое другое.

очень интересного физического явления, заключающегося в том, что при давлениях 105–106 атмосфер все исследованные <...> диэлектрики приобретают почти металлическую электропроводность. <...> Авторы впервые обнаружили переход диэлектриков при большом сжатии их в электропроводящее состояние». <...> сделанного; определенный консерватизм при принятии решения о совершенствовании ранее разработанных и исследованных <...> Бриша это естественное явление было обнаружено и исследовано задолго до того, как оно проявилось в эксплуатации

Предпросмотр: Атом №1(77) 2018.pdf (0,1 Мб)
4

№1 [Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия, 2014]

Основан в 1946г. Авторитетное научное издание, статьи и материалы журнала отражают тематику важнейших направлений теоретических и экспериментальных исследований по всему кругу научных вопросов, изучаемых на физическом факультете МГУ

Рака исследовал проблему N вырожденных состояний на j -оболочке с парным взаимодействием, что привело <...> Эти зависимости позволяют выявить и исследовать фазовый переход между кристаллом и жидкостью. <...> В табл. 1, 2 представлены полученные значения при максимальной и минимальной исследованной плотности. <...> диэлектриков приведены на рис. 1, б. <...> Исследованы полититанаты калия (ПТК), замещенные ионами железа.

Предпросмотр: Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия №1 2014.pdf (0,2 Мб)
5

ОЦЕНКА АДГЕЗИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК В СТРУКТУРЕ “МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК" [Электронный ресурс] / Чебурахин, Ворожбитов // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2012 .— №10 (161) .— С. 12-14 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/599153

Автор: Чебурахин

Предложен метод оценки качества сцепления диэлектрических пленок через подслой хрома с подложкой и между собой. Представлены результаты экспериментальных исследований и их анализ

наносятся ìетоäоì напыëения посëеäоваУДК 621.3.049.772.1 ОЦЕНКА АДГЕЗИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК В СТРУКТУРЕ “МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК <...> Ключевые слова: упругий элемент, напыление, диэлектрики, адгезия, напряжение, окисление.

6

АНАЛИЗ ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫХ ПОГРЕШНОСТЕЙ БАЗОВЫХ КОНСТРУКЦИЙ РАСТРОВЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ [Электронный ресурс] / Дмитриенко, Трофимов // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2012 .— №10 (161) .— С. 9-12 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/599152

Автор: Дмитриенко

Проведен анализ инструментальных погрешностей растровых электромагнитных датчиков перемещений, определены пути их уменьшения. Предложена систематизация инструментальных погрешностей, вызванных отклонением фактических значений размеров от номинальных. Приведены основные выражения для расчета эксцентриситета статора, биения ротора, эллипсности и конусности

наносятся ìетоäоì напыëения посëеäоваУДК 621.3.049.772.1 ОЦЕНКА АДГЕЗИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК В СТРУКТУРЕ “МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК <...> Ключевые слова: упругий элемент, напыление, диэлектрики, адгезия, напряжение, окисление.

7

Основы нанотехнологии учебник

М.: Лаборатория знаний

В учебнике изложены общие представления о нанотехнологии, ее концептуальные проблемы. Затронуты вопросы самоорганизации и синергетики в наномире, проанализированы возможности нанометрологии. Рассмотрены специфические особенности и проблемы наномира.

В этом случае можно ожидать, что электрические поля в диэлектриках и электрические токи в проводниках <...> Из этого следует, что в туннельном микроскопе нельзя исследовать диэлектрик, например алмаз, или любую <...> Метод АСМ позволяет исследовать не только проводящие структуры, но и поверхности диэлектриков с атомарным <...> Из этого следует, что в туннельном микроскопе нельзя исследовать диэлектрик, например алмаз, или любую <...> Метод АСМ позволяет исследовать не только проводящие структуры, но и поверхности диэлектриков с атомарным

Предпросмотр: Основы нанотехнологии (1).pdf (0,4 Мб)
8

Теоретические модели и методы в физике поверхности: учебное пособие

Автор: Вакилов А Н
Омский госуниверситет

Посвящено описанию физических свойств поверхности и теоретических методов расчетов поверхностных и адгезионных характеристик различных материалов.

В них впервые исследовалась зависимость поверхностной энергии от ориентации внешних граней. <...> В работе [61] теоретически обнаружен и исследован эффект вытягивания электронного облака при увеличении <...> Исследовано влияние данных эффектов поверхностной релаксации в межфазной области раздела на адгезионные <...> контакта металл– диэлектрик. <...> В случае адгезионного взаимодействия металла с диэлектриком для характеристики диэлектрика в рам132 Copyright

9

Электромагнитные поля и волны учеб. пособие

Автор: Тимофеев В. А.
ЯрГУ

В учебном пособии с позиций классической электродинамики излагаются физические закономерности электромагнитных полей и волн. Рассмотрено поведение электромагнитных волн в однородных и неоднородных, изотропных и анизотропных средах. Приведены основные закономерности взаимодействия электромагнитных волн с плоской границей раздела сред, а также подходы к решению задач дифракции. Большое внимание уделено анализу поведения поля в направляющих системах, резонаторах и вопросу излучения электромагнитных волн. Библиогр.: 11 назв.

Существуют ли Mст M ст j  ,ρ в диэлектрике? 9. <...> Диэлектрик: 1<<δtg . <...> Особенности взаимодействия волны с границей "диэлектрик – проводник" Рассмотрим падение волны из диэлектрика <...> – диэлектрик". 4. <...> Особенности взаимодействия волны с границей "диэлектрикдиэлектрик" ...............................

Предпросмотр: Электромагнитные поля и волны Учебное пособие.pdf (1,1 Мб)
10

№10 (161) [Датчики и системы. Sensors & Systems, 2012]

В журнале публикуется разносторонняя информация о датчиках, приборах и системах измерения, контроля, управления включая: Результаты исследований и разработок отечественных и зарубежных ученых; Статьи о новых методах и принципах построения и проектирования; Сведения о новейшей продукции отечественных и зарубежных фирм; Технологические процессы производства; Метрологическое обеспечение, стандартизация и сертификация; Экономика и управление; Особенности современной организации производства и бизнес процессов; Хроника; Научно-техническая публицистика.

èçìåðåíèé1 УДК 621.3.032 ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ДАТЧИКИ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА СТРУКТУРЕ “ПОЛИКРЕМНИЙ—ДИЭЛЕКТРИК <...> Ключевые слова: структура “поликремний—диэлектрик”, высокотемпературный полупроводниковый датчик абсолютного <...> Структура “поликремний—диэлектрик”: 1 — креìниевая пëастина; 2 — сëой äвуокиси креìния; 3 — тензосхеìа <...> Ключевые слова: упругий элемент, напыление, диэлектрики, адгезия, напряжение, окисление. <...> Ключевые слова: упругий элемент, чувствительный элемент, диэлектрик, напыление, схема, полировка, поры

Предпросмотр: Датчики и системы. Sensors & Systems №10 (161) 2012.pdf (0,3 Мб)
11

Электрострикционные механизмы зарождения электрического пробоя жидких диэлектриков в сильных электрических полях [Электронный ресурс] / Куперштох, Медведев // Научный вестник Новосибирского государственного технического университета .— 2014 .— №1 .— С. 99-109 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/410971

Автор: Куперштох

Исследовано влияние сил электрострикции на электрогидродинамические течения жидких диэлектриков и на их последующий пробой в сильных электрических полях. Рассмотрена анизотропная неустойчивость и распад бинарных смесей жидкого диэлектрика и растворенного газа под действием первоначально однородного сильного электрического поля. Такой распад может происходить из-за действия электрострикционных сил, направленных перпендикулярно электрическому полю. В результате в жидкости возникают парогазовые каналы, направленные в среднем вдоль электрического поля. Для компьютерного моделирования этого явления использовался метод решеточных уравнений Больцмана. В неоднородном поле между двумя концентрическими цилиндрическими или сферическими электродами возникают сложные течения диэлектрика с электрострикционными волнами разрежения и сжатия. Получены аналитические формулы для распределений скорости и плотности жидкости для концентрических цилиндрических и сферических электродов. Рассчитанные распределения плотности и скорости жидкости хорошо согласуются с полученными аналитическими решениями. Показано, что в неоднородных электрических полях тоже возможен анизотропный распад жидкого диэлектрика в области электрострикционных волн разрежения, а также в области, в которой возникающие из-за шероховатости электродов волны разрежения могут интерферировать.

Лаврентьева СО РАН Исследовано влияние сил электрострикции на электрогидродинамические течения жидких <...> В данной работе исследованы электрострикционные механизмы зарождения электрогидродинамических течений <...> Поэтому в данной работе было исследовано влияние растворенных газов и температуры на возникновение такого <...> Параметры жидкого диэлектрика соответствали аргону [4]. <...> ЗАКЛЮЧЕНИЕ Исследовано влияние сил электрострикции на электрогидродинамические течения жидких диэлектриков

12

Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 [Электронный ресурс] / Войцеховский [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №5 .— С. 23-27 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/513666

Автор: Войцеховский

Экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика CdTe/Al2O3 путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с приповерхностными варизонными слоями с повышенным содержанием CdTe. Показано, что структура с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 имеет по сравнению со структурой с одним слоем Al2O3 существенно меньшие значения плотности медленных состояний на границе раздела (в 50—100 раз) и плотности быстрых поверхностных состояний (в 50—100 раз). Можно сделать вывод, что двухслойный диэлектрик CdTe/Al2O3 образует качественную границу раздела с n-Hg1-xCdxTe (x = 0,39).

Сидоров Экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика CdTe <...> К настоящему времени исследованы комбинации HgCdTe, выращенного объемными методами или жидкофазной эпитаксией <...> Технологические параметры некоторых исследованных гетероструктур приведены в табл. 1. <...> Заключение В работе экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика <...> толщиной двухслойного диэлектрика.

13

ВЧ плазменная модификация поверхности диэлектрических материалов и тонкопленочных покрытий препринт

Автор: Сагбиев И. Р.
КГТУ

В работе представлены результаты модификации поверхности диэлектрических материалов и тонкопленочных покрытий. Исследовалась зависимость результатов ВЧ плазменной модификации поверхности материалов от входных параметров плазмотрона, основных параметров обработки – энергии ионов и плотности ионного тока в СПЗ, а также степени термической неравновесности. Установлено, что плазменная модификация поверхности пленок позволяет улучшить их электрофизические и физико- механические свойства, а также уменьшать неровности их поверхности и увеличивать срок службы покрытий в 2 раза.

Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 4 Диэлектрики. <...> У всех покрытий исследовалось изменение структуры поверхности под воздействием ВЧ плазмы. 2. <...> У металлических пленок исследовались основные электрофизические и механические свойства. <...> В ТПК толщина диэлектрика составляет (0,05...1)·10 –6 м. <...> У всех покрытий исследовалось изменение структуры поверхности под воздействием ВЧ плазмы.

Предпросмотр: ВЧ плазменная модификация поверхности диэлектрических материалов и тонкопленочных покрытий. Препринт.pdf (0,1 Мб)
14

Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах

М.: Лаборатория знаний

Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих происходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых материалов, обладающих комплексом уникальных физических свойств. Для успешного решения этих задач большое значение имеет знание особенностей пространственного расположения атомов в аморфных, нано- и микрокристаллических твердых телах и многокомпонентных гетерогенных системах, основных механизмов электронного транспорта в гетерогенных системах металл—диэлектрик и механизмов формирования магнитной анизотропии в нанокомпозитах ферромагнетик—диэлектрик, магнитоэлектрических явлений в системах ферромагнетик—пьезоэлектрик, рассмотренных в этой книге.

На рис. 1.30 и 1.31 также приведены электронограммы, полученные от исследованных образцов. <...> В рамках теории протекания исследовались различные решеточные модели. <...> На рис. 4.13 показаны концентрационные зависимости МС исследованных систем. <...> В рамках теории протекания исследовались различные решеточные модели. <...> На рис. 4.13 показаны концентрационные зависимости МС исследованных систем.

Предпросмотр: Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах.pdf (0,3 Мб)
15

ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПРОХОЖДЕНИЯ ТЕМ-ВОЛНЫ ЧЕРЕЗ МНОГОСЛОЙНЫЕ ПЕРИОДИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ГРАФЕН-ДИЭЛЕКТРИК В ТЕРАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ [Электронный ресурс] / Голованов, Макеева, Вареница // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2014 .— №4 .— С. 108-122 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/552652

Автор: Голованов

Актуальность и цели. Сочетание уникальных электронных и оптических свойств в дополнении с механической прочностью и эластичностью, стабильностью к условиям окружающей среды делают графен экстремально интересным материалом для создания в будущем устройств фотоники и оптоэлектроники. Целью данной работы является теоретическое исследование дифракции и взаимодействия электромагнитных волн с многослойными периодическими микро- и наноструктурами графен–диэлектрик на основе математического моделирования, базирующегося на решении уравнений Максвелла совместно с материальным уравнением среды (графена) Материалы и методы. Разработана математическая модель дифракции электромагнитных волн и их взаимодействия с микро- и наноструктурами графен–диэлектрик, базирующаяся на решении краевой задачи для уравнений Максвелла, где поверхностная проводимость графена включена как параметр и определяется формулой Кубо с использованием разработанного вычислительного алгоритма на основе автономных блоков с каналами Флоке. Результаты. Получены результаты электродинамического расчета коэффициентов прохождения ТЕМ-волны через многослойные периодические микро- и наноструктуры с различным числом N ячеек монослой графена – диэлектрик (при различном числе N листов графена), в зависимости от частоты при различных значениях химического потенциала (напряженности внешнего постоянного электрического поля) в терагерцовом диапазоне. Выводы. Показано, что периодические микро- и наноструктуры графен– диэлектрик имеют серии чередующихся полос пропускания и непропускания в терагерцовом диапазоне. Как следует из результатов электродинамического расчета, коэффициенты прохождения в полосе непропускания значительно уменьшаются при увеличении числа слоев графена в периодических микроструктурах графен–диэлектрик и могут управляться внешним электрическим полем в терагерцовом диапазоне.

и взаимодействия электромагнитных волн с многослойными периодическими микрои наноструктурами графен–диэлектрик <...> Фильтры на основе многослойных структур графен–диэлектрик являются интерференционными, их реализация <...> Ранее исследовалось прохождение оптического излучения через тонкий металлизированный слой диэлектрика <...> Расчетная модель на основе ФАБ прохождения ТЕМ-волны через слоистую 2D-микроструктуру графен–диэлектрик <...> Исследованные структуры могут быть применены для создания управляемых широкополосных фильтров планарной

16

Исследование воздействия диэлектрического барьерного разряда на кремнийсодержащую плёнку [Электронный ресурс] / Андреев // Прикладная физика .— 2014 .— №6 .— С. 24-28 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432129

Автор: Андреев

В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита плёнки в окрестности точки его электрического пробоя. Цель исследования связана с необходимостью разработки новых диэлектрических материалов, способных противостоять разрушительному воздействию электрического поля, микроразрядов, а также озона, являющегося очень активным элементом, в разрядной ячейке диэлектрического барьерного разряда в воздухе при атмосферном давлении.

Андреев В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита <...> В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита плёнки в <...> Диагностика и результаты Микроструктура образцов была исследована методом сканирующей электронной микроскопии <...> Морфология образцов исследовалась с учетом поправки на поверхностные эффекты напыления проводящего слоя <...> Заключение В работе исследованы микроструктура и элементный состав нанесённой на поверхность текстолита

17

№5 [Прикладная физика, 2016]

Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом. Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам. В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.

Исследованы электрические, оптические и спектральные характеристики разряда. <...> Сидоров Экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика CdTe <...> Заключение В работе экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика <...> меньшие значения емкости диэлектрика, чем для однослойного диэлектрика Al2O3, что связано с бóльшей <...> толщиной двухслойного диэлектрика.

Предпросмотр: Прикладная физика №5 2016.pdf (0,7 Мб)
18

Многослойные пленочные структуры в условиях воздействия микрометеороидов и частиц космического мусора [Электронный ресурс] / Семкин [и др.] // Прикладная физика .— 2012 .— №2 .— С. 93-104 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432255

Автор: Семкин

Дано описание результатов лабораторных испытаний по воздействию потоков высокоскоростных частиц на различные многослойные элементы конструкции космического аппарата: конденсаторные датчики, терморегулирующие покрытия, тепловые трубы, оптические стекла с напылением и солнечные батареи. Рассмотрены методы проведения экспериментов с использованием лазерного, электростатического и взрывного ускорителя.

или металл—диэлектрик—полупроводник—металл. <...> ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Прикладная физика № 2, 2012 110 тицы, что позволило исследовать <...> Исследовались образцы ТРП, относящиеся к четырем классам: солнечные отражатели (As ≈ 0, ε = 1), солнечные <...> С помощью электронного и оптического микроскопов исследовались анодноокисные покрытия, покрытия типа <...> Покрытия черные анодноокисные типа ЭМ-40 не удалось исследовать с помощью оптического микроскопа, так

19

Физика активных диэлектриков учеб. пособие

Автор: Поплавко Ю. М.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

Рассматриваются современные представления о поляризации, электропроводности, диэлектрических потерях, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках, а также о новых физических явлениях в этих веществах. Особое внимание уделяется свойствам активных диэлектриков – сегнетоэлектриков, пироэлектриков, пьезоэлектриков, электретов и СВЧ диэлектриков. Представлены сведения о влиянии структуры на свойства активных диэлектриков, а также примеры современных и перспективных применений данных материалов. Некоторые из рассмотренных вопросов ранее в учебной и монографической литературе не освещались. Пособие составлено на основе многолетнего опыта авторов по чтению лекций по рассмотренным в книге вопросам, а также с использованием многочисленных публикаций авторов в области пьезоэлектриков, пироэлектриков и сегнетоэлектриков.

исследовать микроструктуру дефектов и критические явления в окрестности фазовых переходов в диэлектриках <...> = c m – собственная частота колебаний осциллятора. диэлектрическую проницаемость можно найти, если исследовать <...> Матричные устройства позволяют исследовать пространственное распределение излучений. в последнее время <...> пьезоэлектриках кубической структуры был подтвержден экспериментально. среди других кристаллов был исследован <...> Матричные устройства позволяют исследовать пространственное распределение излучений. первоначально были

Предпросмотр: Физика активных диэлектриков.pdf (0,2 Мб)
20

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения [монография]

Автор: Таперо К. И.
М.: Лаборатория знаний

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно из космического пространства, на характеристики изделий микро-и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействия ИИ с полупроводниками, изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под воздействием ИИ, дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики биполярных приборов и микросхем, особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП- и КМОП-технологиям, и деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ИИ, одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.

Исследовался конденсатор с подложкой n-типа проводимости и толщиной диэлектрика 48 нм. <...> Чтобы обойти эту проблему, исследовались альтернативные подзатворные диэлектрики с высокими значениями <...> Другим более детально исследованным альтернативным диэлектриком является переокисленный азотированный <...> Исследовался конденсатор с подложкой n-типа проводимости и толщиной диэлектрика 48 нм. <...> Другим более детально исследованным альтернативным диэлектриком является переокисленный азотированный

Предпросмотр: Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения.pdf (0,3 Мб)
21

Возможности применения фенолформальдегидной смолы в электронике [Электронный ресурс] / А. Малашихина, Колясников, Каплунов // Исследовательская работа школьников .— 2015 .— №2 .— С. 66-70 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/393516

Автор: Малашихина Александра

Сегодня, в век вычислительных машин и различной техники, всё более актуально применение новых и перспективных устройств, а они зачастую требуют высоковольтного питания, которое нуждается в собственной элементной базе. Создание диэлектрика для конденсаторов из фенолформальдегидной смолы имеет некоторое преимущество по сравнению с современными аналогами. Данная исследовательская работа открывает перспективы для применения в высоковольтной электротехнике.

Выводы Осуществлён синтез фенолформальдегидной смолы на пластине конденсатора и исследованы её свойства <...> как диэлектрика. <...> Получено и исследовано 3 вида покрытий для пластин конденсатора — лаковое, смолистое, твёрдое. <...> Толщина каждого слоя диэлектрика не превышала 1 мм (рис. 7). <...> для конденсаторов с диэлектриком из фенолформальдегидной смолы Тип диэлектрика Достоинства Недостатки

22

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА БЕСПОРЯДОК В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ [Электронный ресурс] / Агринская, Козуб // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 142-149 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592326

Автор: Агринская

Выполнен последовательный теоретический анализ различных факторов, которые могут приводить к влиянию температуры и внешнего магнитного поля на характер беспорядка в полупроводниковых структурах. Основное внимание уделено структурам квантовых ям, в которых легированы или только ямы, или и ямы, и барьеры, причем степень легирования предполагается близкой к переходу металл–диэлектрик. Среди указанных факторов: а) ионизация локализованных состояний в область делокализованных состояний над краем подвижности, наличие которого предполагается в примесной зоне; б) сосуществование верхней и нижней зон Хаббарда (при легировании как ям, так и барьеров); при этом, в частности, внешнее магнитное поле влияет на относительный вклад верхней зоны Хаббарда за счет спиновых корреляций на двукратно заполненных узлах; в) вклад обменного взаимодействия в парах узлов, при котором внешнее магнитное поле может влиять на соотношение между ферромагнитными и антиферромагнитными конфигурациями. Все эти факторы, влияя на структуру и силу беспорядка, приводят как к особенностям температурной зависимости сопротивления, так и к специфическим особенностям магнитосопротивления. Полученные выводы сравниваются с имеющимися экспериментальными данными

ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ–ДИЭЛЕКТРИК В ОТЩЕПЛЕННОЙ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЕ Прежде всего мы рассмотрим простейшую ситуацию <...> примесной зоны, в которой имеет место переход металл–диэлектрик при энергиях выше края подвижности εm <...> Ранее мы исследовали долговременные релаксации сопротивления в отклике указанных систем на приложенное <...> Что особенно важно, далее мы обратимся к структурам со значительно большей (чем в ранее исследованных <...> быть не так вблизи перехода металл–диэлектрик.

23

Волновые процессы в различных средах учеб. пособие (лаб. практикум)

изд-во СКФУ

Пособие составлено в соответствии с ФГОС ВО программой дисциплины. Лабораторные работы содержат необходимые для успешного освоения студентами теоретические материалы курса, указания по технике безопасности, задания для выполнения, структуру и содержание отчета о выполнении заданий лабораторных работ, перечень контрольных вопросов по изучаемым темам, список рекомендуемой к использованию литературы по каждой теме.

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЖИМОВ РАБОТЫ ЛИНИЙ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ Цель работы: исследовать распределение <...> СОГЛАСОВАНИЕ НАГРУЗОК Цель работы: исследовать зависимость входного сопротивления линии с распределенными <...> диэлектрики являются немагнитными). <...> 2), которая помещена между двумя диэлектриками с показателями преломления 𝑛1 и 𝑛3 (диэлектрики 1 и <...> ИЗУЧЕНИЕ ДИСПЕРСИИ В ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКНАХ И СПОСОБОВ ЕЕ КОМПЕНСАЦИИ Цель работы: исследовать дисперсию

Предпросмотр: Волновые процессы в различных средах.pdf (0,3 Мб)
24

Физико-технологические основы создания электронных устройств с высокоплотной записью информации [монография]

Автор: Малюков С. П.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В книге рассмотрены современные физико-технологические основы создания электронных устройств с высокоплотной записью информации.

В связи с этим в данной главе исследованы различные аспекты релаксации напряжений в двойных, тройных <...> Существует и другая характерная для всех исследованных стекол особенность: абсолютные значения А и lg <...> Температурные зависимости напряжений в стекле №1 исследованного спая для различных режимов изменения <...> Поэтому было решено исследовать поведение пленок на стекле. <...> Кривые (см. рис. 2.28) получены на пленках, напыленных и исследованных без влияния магнитного поля.

Предпросмотр: Физико-технологические основы создания электронных устройств с высокоплотной записью информации.pdf (0,4 Мб)
25

СЕНСОРЫ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕТАМАТЕРИАЛОВ [Электронный ресурс] / Лагарьков [и др.] // Вестник Московского университета. Серия 2. Химия .— 2015 .— №3 .— С. 3-12 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/353047

Автор: Лагарьков

Рассмотрена возможность усиления локального электрического поля на поверхности тонких диэлектрических пленок со сложной структурой. Усиление оптического поля ведет к усилению сигнала комбинационного рассеяния и открывает возможности в разработке новых биохимических сенсоров.

Разработаны и исследованы периодические диэлектрические метаматериалы, которые позволяют усиливать строго <...> В качестве диэлектрика рассматриваются широкозонные полупроводники. <...> Такие моды ведут к огромным полям на поверхности воздух–диэлектрик. <...> При более высокой степени заполнения пленки в основном состоят из диэлектрика со Рис. 2. <...> Мы полагаем, что профилированные диэлектрические пленки в ближайшее время станут активно исследовать,

26

РАЗРАБОТКА СХЕМЫ ЧИСЛЕННОГО РАСЧЕТА ПАРАМЕТРОВ НЕЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ МЕТОДОМ МИНИМИЗАЦИИ ФУНКЦИИ СРАВНЕНИЯ [Электронный ресурс] / В.А. Калытка // Пространство, время и фундаментальные взаимодействия .— 2018 .— №3 .— С. 68-77 .— doi: 10.17238/issn2226-8812.2018.3.68-77 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/675319

Автор: Калытка В. А.

Изложены теоретические основы обобщенной математической модели и численного расчета параметров релаксационных физических процессов (поляризация, деполяризация, ионная проводимость) в разнородных системах (телах), возмущенных полевыми и температурными воздействиями. В качестве объекта исследования, в данной работе рассматривается алгоритм численного расчета параметров протонно-релаксационной поляризации в протонных полупроводниках и диэлектриках (ППД), методом минимизации функции сравнения (МФС-методом) результатов теории и эксперимента. Определены основные направления практического применения (в перспективе) построенного на основе данной модели программно-аппаратного обеспечения.

Ключевые слова: Математическая модель нелинейных процессов; протонные полупроводники и диэлектрики (ППД <...> В [2] исследован вопрос по использованию метода модифицированных функций Лагранжа (МФЛ) при численной <...> Громоздкость функций Φ1 (︁ 𝑇 ; 𝜁 )︁ , Φ2 (︁ 𝜔; 𝜁 )︁ , Φ3 (︁ 𝑇 ; 𝜁 )︁ не даёт возможности детально исследовать <...> В этой области уже исследованы и используются на практике достаточно эффективные методы [1–13], в том <...> С этой целью построены более конкретизированные, по физическому смыслу, функции сравнения (4), исследовано

27

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИФРАКЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН НА МНОГОСЛОЙНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИКАХ [Электронный ресурс] / Донец, Цветковская // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Естественные науки .— 2016 .— №2 .— С. 49-55 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/425667

Автор: Донец

На основе метода возмущения исследованы нелинейные эффекты, появление которых обусловлено кубичной нелинейностью диэлектрика при дифракции электромагнитной волны на многослойном диэлектрическом пакете. Расчет нелинейного отклика производится на основе функции Грина для многослойного диэлектрика. На координатных плоскостях «угол падения – длина волны» найдены резонансы генерирования третьей гармоники, а также резонансы нелинейного эффекта самовоздействия.

Gagarin Sq., 1, Rostov-on-Don, Russia, 344010, e-mail: tsvetkovskayas@mail.ru На основе метода возмущения исследованы <...> Расчет нелинейного отклика производится на основе функции Грина для многослойного диэлектрика. <...> В данной работе методом, развитым для расчёта обобщенных многослойных нелинейных структур [5], исследованы <...> На границах раздела диэлектриков непрерывны функции  yF  и    yF  1 . <...> Исследована структура нелинейного зеркала, позволяющая значительно усилить такие нелинейные эффекты,

28

№3 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2015]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Морфологические особенности источников токов утечки в диодах Шоттки на основе 4H-SiC исследовались в <...> Величина 0 для всех исследованных структур составляет 5,05,5 мкм. <...> Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. <...> Исследовалась оптическая связь пары ячеек размерами 100×100 мкм с расстоянием между ними 35 мкм. <...> диэлектрика.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №3 2015.pdf (1,5 Мб)
29

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И РАДИАЦИОННЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МОП СТРУКТУР [Электронный ресурс] / Татаринцев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2006 .— №2 .— С. 116-132 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/521389

Автор: Татаринцев

Представлены разработанные автором либо при его непосредственном участии электрофизические методы исследования электрически активных дефектов в полупроводниках и МОП структурах и методы обнаружения латентных дефектов, недоступных для контроля электрофизическими методами, основанные на использовании радиационных и электромагнитных воздействий

Метод позволяет исследовать спектр ПС в половине запрещенной зоны основных носителей при переключении <...> соответственно; d ox — толщина подзатворного диэлектрика; sY — стандартное отклонение безразмерного <...> Исследовалось воздействие тормозного рентгеновского излучения ~20 кэВ, электронов с энергией ~20 кэВ <...> Уравнения (24—25) описывают радиационный токоперенос через диэлектрик. <...> собственным усилением в исследуемом транзисторе при регистрации нестационарной перезарядки ПС и позволяет исследовать

30

Получение и исследование анодного оксида алюминия практикум

Автор: Филяк М. М.
ОГУ

В практикуме изложены современные представления о механизмах образования и процессе самоорганизации пористой структуры анодного оксида алюминия. Рассмотрены основные геометрические параметры, характеризующие морфологию пористого оксида алюминия и влияние режимов анодирования на структуру анодной оксидной пленки. Рассмотрены вопросы применения пленок пористого анодного оксида алюминия. Теоретический материал дополнен практическими работами и контрольными вопросами для проверки усвоения материала.

Богоявленский и др. [32] исследовали анодирование алюминия в растворах на основе карбоната, бората и <...> Морфологию анодной пленки исследовали с помощью электронного микроскопа. <...> Свойства анодных пленок, полученных в щелочных электролитах, исследованы недостаточно. <...> При воздействии на диэлектрик электрического поля часть энергии поля в диэлектрике переходит в тепло <...> и вызывает нагрев диэлектрика.

Предпросмотр: Получение и исследование анодного оксида алюминия.pdf (0,6 Мб)
31

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЕРХНЕГО ПОКРОВА ЛУНЫ [Электронный ресурс] / Кибардина // Астрономический вестник .— 2017 .— №2 .— С. 42-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/589743

Автор: Кибардина

С точки зрения теории диэлектриков анализируются измерения диэлектрических характеристик образцов лунного грунта. Показано, что действительная часть диэлектрической проницаемости и тангенс потерь пород существенно зависят от частоты взаимодействующего электромагнитного поля и температуры грунта. Из анализа следует, что при интерпретации результатов радиолокационного зондирования, особенно для радиоволн гигагерцового диапазона, следует учитывать суточный ход температуры на поверхности Луны

На Земле, в лабораторных условиях исследованы физические свойства и химический состав многих образцов <...> Цели проведенных измерений были разные: в одних работах исследовалось изменение и для разных частот при <...> Зависимость и от частоты считается идентификационным маркером диэлектрика. <...> Характер изменения и диэлектрика от частоты в радиодиапазоне. <...> Теория диэлектриков. М.: Изд-во иностранной литературы, 1960. 251 с.

32

Воздействие коронного разряда на нанесённые на поверхность текстолита плёнки термостойких кремнийорганических лаков с добавками порошков Al2O3 и TiO2 [Электронный ресурс] / Андреев, Васильева // Прикладная физика .— 2016 .— №4 .— С. 16-21 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/467454

Автор: Андреев

В работе исследованы в окрестности зоны электрического пробоя текстолита в ячейке диэлектрического барьерного разряда микроструктура и элементный состав нанесённых на поверхность текстолита плёнок на основе кремнийорганических лаков и эмалей. Цель и актуальность исследования связаны с необходимостью разработки новых диэлектрических материалов, способных противостоять в разрядной ячейке диэлектрического барьерного разряда в воздухе при атмосферном давлении разрушительному воздействию электрического поля, микроразрядов, а также озона, являющегося очень активным веществом

Васильева В работе исследованы в окрестности зоны электрического пробоя текстолита в ячейке диэлектрического <...> случае происходит перегрев диэлектрика в областях локализации и его пробой. <...> С этой целью в данной работе исследованы в области электрического пробоя микроструктура и морфология <...> Микроструктура образцов была исследована методом сканирующей электронной микроскопии с полевой эмиссией <...> Морфология образцов исследовалась с учетом поправки на поверхностные эффекты напыления проводящего слоя

33

№4 [Известия Российской академии наук. Энергетика, 2017]

Основан в 1963 г. Публикуются оригинальные статьи по широкому кругу фундаментальных научных проблем, связанных с развитием энергетики как технической основы цивилизации.Журнал является рецензируемым, включен в Перечень ВАК

Второе направление исследовано меньше, чем первое, что объясняется функциональной зависимостью энергии <...> Ветровой режим в исследованных регионах России определялся численным моделированием по данным измерений <...> Реализуемость логарифмического профиля скорости ветра V(h) в ПзСА, согласно модели (21), исследована <...> Гипотеза авторов подтверждается также уменьшением на большинстве исследованных АС значений параметра <...> Пробой диэлектриков: веб-сайт.

Предпросмотр: Известия Российской академии наук. Энергетика №4 2017.pdf (0,1 Мб)
34

№5 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2019]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

через диэлектрик. <...> Для обнаружения пробоя разработано программное обеспечение, позволяющее одновременно исследовать две <...> Исследована зависимость максимальной температуры перегрева p–n-перехода от силы тока I и расположения <...> Для установления причин такого несоответствия исследована конструкция чувствительного элемента (ЧЭ) ММА <...> В каждой группе исследовано не менее пяти образцов.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2019.pdf (5,5 Мб)
35

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛИСТИРОЛЬНЫХ ПЛЕНОК, МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФУЛЛЕРЕНАМИ [Электронный ресурс] / Носков [и др.] // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология .— 2013 .— №2 .— С. 38-43 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/420832

Автор: Носков

Проведена модификация полистирола малыми добавками фуллеренов (до 1 масс. % С60) и исследованы электрические свойства полученных композиционных пленок. На основании результатов измерений емкости и тангенса угла диэлектрических потерь сделан вывод о неполярности изученных фуллерен-полистирольных композитов. Выявлена немонотонная зависимость диэлектрической проницаемости от состава пленки с минимумом при 0.035 масс. % С60. Установлено, что допирование полистирола малыми количествами фуллеренов не приводит к заметному увеличению статической электропроводности и возникновению процессов диэлектрической релаксации.

. % С60) и исследованы электрические свойства полученных композиционных пленок. <...> что при использовании переменных электрических полей высокой частоты будет наблюдаться типичное для диэлектриков <...> Как известно, полистирол относится к твердоаморфным диэлектрикам, которые не содержат полярных групп. <...> Для неполярных диэлектриков поляризуемость связана с диэлектрической проницаемостью уравнением Мосотти <...> Физика диэлектриков (область слабых полей).

36

Поляризация когерентного оптического излучения в движущейся среде [Электронный ресурс] / Гладышев // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2013 .— №8 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/276767

Автор: Гладышев
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости поляризации когерентного оптического излучения. Обнаружен переходный процесс поворота плоскости поляризации, а также изменения степени эллиптичности в течение 15…20 мин при установившейся частоте вращения. Измерения проводились на разных частотах в диапазоне от нуля до 200 Гц. В области частот 10…30 Гц наблюдался угол поворота поляризации до 80…90°. При дальнейшем росте частоты вращения оптического диска угол поворота уменьшался до 10…20°.

Для вращательной способности диэлектрика получено следующее выражение: 2 2 1 .n nR cn    Умножив это <...> Изучению поворота плоскости поляризации и изображения во вращающемся диэлектрике посвящен ряд работ [ <...> Исследовали поляризацию когерентного излучения от лазера с длиной волны 0,632991  мкм, прошедшего вращающийся <...> Схема экспериментальной установки Оптическая схема позволяет исследовать амплитудные и фазовые характеристики <...> Влияние упругой радиальной деформации вращающегося диэлектрика.

37

Влияние состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами [Электронный ресурс] / Белов, Плаксин, Шевяков // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №1 .— С. 82-85 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/376628

Автор: Белов

Приведены результаты исследования влияния состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами. Отмечено, что качество заполнения связано с отсутствием или наличием на поверхности затравочного слоя меди пленки оксида, характеризующейся гидрофобными свойствами. Показано, что для однородного заполнения канавок медью в переходных окнах в межуровневых слоях диэлектриков при создании медной многоуровневой металлизации кремниевых ИС время межоперационного хранения пластин после осаждения затравочного слоя меди до заполнения канавок медью не должно превышать максимально допустимого (~6 ч).

По данным технологиям после формирования в межслойном диэлектрике канавок (в переходных окнах) одним <...> В настоящей работе исследовано влияние состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического <...> Проводили фотолитографию и вытравливали в слое диэлектрика канавки с латеральным размером 0,15 мкм. <...> В каждом случае перед электрохимическим осаждением меди исследовали гидрофильность и гидрофобность поверхности <...> каждой серии пластин делали боковой скол и с использованием растровой электронной микроскопии (РЭМ) исследовали

38

№6 [Известия высших учебных заведений. Электроника, 2017]

На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.

Методами поликонденсации исследованы новые медьсодержащие полимерные композиции на основе алициклического <...> Морфологию поверхности пленок исследовали с помощью атомно-силового микроскопа Ntegra Therma (Россия) <...> Исследовано влияние профиля распределения In в квантовых ямах на внешний квантовый выход, однородность <...> Исследованы три варианта изменения содержания In в твердом растворе Ga1–xInxN по толщине квантовой ямы <...> Указаны эффекты, возникающие при замене диэлектрика SiO2 на high-k диэлектрик.

Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2017.pdf (1,1 Мб)
39

ФОТОПРИЕМНИК С УПРАВЛЯЕМОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ НА ОСНОВЕ In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al-СТРУКТУР [Электронный ресурс] / Зейналова // Автоматизация, телемеханизация и связь в нефтяной промышленности .— 2015 .— №1 .— С. 21-25 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/431320

Автор: Зейналова

В статье исследованы спектральная характеристика, кинетика фототока In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al-структур при различных напряжениях и проведен анализ факторов, влияющих на чувствительность структур металл–диэлектрик– полупроводник–диэлектрик–металл к воздействию электрического поля и подсветки с целью создания фотоприемника с управляемой чувствительностью. Обнаружено, что полученная структура In2O3–SiO2–Si–SiO2–Al чувствительна к электрическому полю и подсветке и на основе этих структур можно создать высокочувствительный фотоприемник с управляемым электрическим полем.

В работе исследовано влияние электрического поля и подсветки на фоточувствительность структур In2O3–SiO2 <...> В статье [2] исследованы обратные вольтамперные характеристики (ВАХ) МТДП-структур, в которых толщина <...> В этой статье исследованы спектральная характеристика, кинетика фототока In2O3–SiO2–Si–SiO2–Alструктур <...> Можно предположить, что при малых значениях приложенного напряжения оно, в основном, падает в диэлектрике <...> С изменением напряжения зонная структура кремния с двухсторонним диэлектриком изменяется с приложенным

40

№7 [Письма в журнал технической физики, 2017]

Явления АСИП в анизотропных средах для солитонов исследованы в работе [9]. <...> Представленные аналитические результаты позволяют надеяться на то, что исследованные двухкомпонентные <...> Тем не менее следует отметить, что исследованная схема в этом вопросе имеет значительные преимущества <...> При толщине диэлектрика 0.1mm амплитуда силы тока поджига составила 7.5−10A, при толщине диэлектрика <...> Подобные домены были подробно исследованы для ККЛ среднего ИК-диапазона [20].

Предпросмотр: Письма в журнал технической физики №7 2017.pdf (0,1 Мб)
41

Aдмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) в широком диапазоне температур [Электронный ресурс] / Войцеховский [и др.] // Успехи прикладной физики .— 2017 .— №1 .— С. 55-63 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/594239

Автор: Войцеховский

Рассмотрены особенности электрофизических свойств n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) с диэлектриками Al2O3 или SiO2/Si3N4. Пленки HgCdTe были выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров МДП-структур на основе n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из адмиттанса структур, измеренного в широком диапазоне температур и частот

Дзядух Рассмотрены особенности электрофизических свойств n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) с диэлектриками <...> Структура металл– диэлектрик–полупроводник часто используется для исследования свойств диэлектрика, границы <...> Затем наносились индиевые полевые электроды, причем площадь электрода определялась для каждой исследованной <...> Основные особенности гистерезиса для МДП-структур с диэлектриками SiO2/Si3N4 и Al2O3 близки и подробно <...> подложки, максимумы емкости сопровождаются максимумами проводимости и наблюдались примерно для половины исследованных

42

№2 [Успехи прикладной физики, 2016]

Основан в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация

Якубович В рамках обзора исследовалась природа избыточного низкочастотного шума. <...> Экспериментально исследованы свойства избыточного шума в большом числе разнообразных объектов. <...> В работах [42—48] исследован электрический низкочастотный шум в полимерных диэлектрических пленках. <...> диэлектрика, x ~ (t)1/2 — глубина прогрева диэлектрика,  = /(Cm) — температуропроводность диэлектрика <...> ,  — теплопроводность диэлектрика.

Предпросмотр: Успехи прикладной физики №2 2016.pdf (0,7 Мб)
43

№6 [Вода: химия и экология, 2011]

Журнал публикует оригинальные научные статьи и обзоры теоретического и практического характера, посвященные инновационным исследованиям в области химии и технологии водоподготовки, водоснабжения, водоотведения, контроля качества вод и мониторинга водных объектов.

Пробы исследовались также на наличие фенолокисляющих микроорганизмов [5]. <...> На исследованном участке р. <...> На исследованном участке р. <...> ), вторая, сформированная на SiO2 – диэлектриком, обеспечивающим рН-чувствительность. <...> Сезонная динамика обилия водяных клещей в исследованных водоемах.

Предпросмотр: Вода химия и экология №6 2011.pdf (0,3 Мб)
44

№1 [Прикладная физика, 2017]

Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом. Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам. В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.

Логинов Исследована дисперсия скорости и координаты нерелятивистской заряженной частицы в осциллирующем <...> Обсуждение результатов При пробое по поверхности диэлектрика у поверхности диэлектрика образуется облако <...> Были исследованы смеси с соотношениями Xe(Kr)/Сl2 = (200÷15)/1 при давлениях от 300 до 15 Торр. <...> Лопухин 30 Заключение В работе исследованы зависимости параметров дефектности от угла наклона стенок <...> Методом дифракции света на ультразвуке [6, 7] исследовались электромеханические характеристики новых

Предпросмотр: Прикладная физика №1 2017.pdf (0,7 Мб)
45

Дефекты гибридизации матричных фоточувствительных элементов и схем считывания [Электронный ресурс] / Иродов [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №5 .— С. 52-55 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/513672

Автор: Иродов

Представлены результаты исследований индиевых микроконтактов на кристаллах БИС считывания и матричных фоточувствительных элементов после их гибридизации и последующей расстыковки, зависимости усилия отрыва от площади микроконтактов, а также вероятность появления дефектов БИС считывания после гибридизации. Индиевые микроконтакты на кристаллах БИС считывания изготовлены по технологии ионного травления, на кристаллах МФЧЭ методом химического травления. Исследованы фотоприемники форматов 320256 с шагом 30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм на основе антимонида индия

Исследованы фотоприемники форматов 320256 с шагом 30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм на основе антимонида <...> контактами;  дефекты МФЧЭ или БИС считывания, связанные с повреждением поверхностного или межслойного диэлектрика <...> процессе гибридизации, но при этом возрастает вероятность повреждения поверхностного или межслойного диэлектрика <...> Заключение В работе исследованы дефекты после гибридизации в матричных фотоприемниках форматов 640512 <...> Вероятными причинами возникновения дефектов в БИС считывания являются повреждения верхнего слоя диэлектрика

46

Физические основы технологии получения и диагностики протонных проводников и полупроводников n- и p-типов [Электронный ресурс] / Тимохин // Прикладная физика .— 2013 .— №5 .— С. 28-33 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/432202

Автор: Тимохин

В настоящее время растёт интерес к протонным проводникам и полупроводникам, поскольку самым безопасным и легко управляемым способом транспорта водорода является протонный перенос в твердотельных протонных проводниках. Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических диэлектриков небольшой. Особенно актуальным представляется разработка способов получения и диагностики протонных проводников и полупроводников с заданными свойствами.

Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических <...> диэлектриков небольшой. <...> Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических <...> диэлектриков небольшой. <...> В исследованных кристаллах эти поРис. 3.

47

О новых подходах в описании стационарного электрического поля внутри диэлектрических сред и на границе их раздела [Электронный ресурс] / Чуев // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2014 .— №6 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/279872

Автор: Чуев
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Проанализированы известные изображения стационарного электрического поля внутри диэлектрических сред и на границе их раздела, отмечена парадоксальность этих изображений в представлении различными векторами: электрической напряженности и электрической индукции. Предложены иные варианты изображения полей, которые лишены указанных парадоксов. Однако эти варианты требуют пересмотра устоявшихся представлений, в частности представлений о преломлении линий вектора электрической индукции на границе двух сред и усилении электрической индукции внутри диэлектрика. Предложена новая модель, объясняющая поведение электрических векторов на границе двух сред.

Ключевые слова: электрическое поле, электрические векторы, диэлектрики, принцип суперпозиции. <...> и внутреннего (для диэлектрика) электрического поля. <...> поля ε0E0, ослабленного за счет поляризованности P диэлектрика. <...> Этот аспект рассматриваемой проблемы подробно исследован в работе [8]. <...> образует вектор ε0Е, характеризующий электрическое поле внутри диэлектрика. 3.

48

Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) [Электронный ресурс] / Войцеховский [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №4 .— С. 58-62 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/467462

Автор: Войцеховский

Экспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с Al2O3 в качестве диэлектрического покрытия. Показано, что для структур с варизонным слоем характерна бóльшая глубина и ширина провала емкости на низкочастотной вольт-фарадной характеристике, а также бóльшие значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда, чем для структур без варизонного слоя. Установлено, что основные особенности гистерезиса емкостных зависимостей, характерные для варизонных структур с SiO2/Si3N4, наблюдаются и для МДП-структур с Al2O3. Причины увеличения гистерезиса ВФХ при создании варизонного слоя в структурах с SiO2/Si3N4 или с Al2O3 остаются дискуссионными, хотя можно предположить, что определенную роль в формировании гистерезиса играет кислород

Сидоров Экспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием <...> Технологические параметры некоторых исследованных гетероструктур приведены в табл. 1. <...> Для структур № 1 и № 3 диэлектрик Al2O3 наносился сверху варизонного слоя. <...> Заключение В работе исследовано влияние приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe <...> на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с диэлектриком Al2O3.

49

Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si [Электронный ресурс] / Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2007 .— №1 .— С. 89-99 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/269732

М.: ПРОМЕДИА

Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (=8 нм) пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO[2]/Si и HfO[2] + SiO[2]/Si, от состава пленок x. Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. Шероховатость поверхности пленок составила для Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x]0, 23+[-]0, 05 нм и 0, 49+х[-]0, 5 нм, соответственно, и не зависела от x. Работа выхода в слоях Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] варьировалась в пределах 4, 9-5, 0 эВ и 4, 3-4, 8 эВ, соответственно, в зависимости от x. Удельное сопротивление пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x] изменяется в пределах (4Х10{-5}) - (2Х10{-3}) Ом {. } см и (5Х10{-6}) - (3Х10{-5}) Ом {. } см, соответственно, в зависимости от x.

Пушкин ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК NixSi1–x И HfxSi1–x НА ПОДЛОЖКАХ HfO2/Si И SiO2/Si * Исследованы <...> В частности эквивалентная толщина подзатворного диэлектрика в ближайшем будущем уменьшится до 1 нм [ <...> Методика эксперимента Исследовались пленки переменного состава NixSi1–x и HfxSi1–x, осажденные на поверхности <...> Между слоем диэлектрика HfO2 и подложкой наносился промежуточный слой SiO2 толщиной ≈0,5 нм. <...> Измерения удельного сопротивления диэлектрика дали значения ~10 8 Ом · см.

50

№10 [Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2017]

Петухов 64 Сравнительный анализ методов измерения потенциалов зарядки диэлектриков при электронном облучении <...> Исследована динамика формирования положительного клина травления на границе кремний–полиимид. <...> После кристаллизации капли исследовали микроструктуру ее поверхности. <...> При аккумулировании заряда Qt(t) в диэлектрике в процессе облучения первичными электронами 2 с током <...> Сначала заряжают пятно на поверхности диэлектрика высокоэнергетическим пучком электронов.

Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №10 2017.pdf (0,1 Мб)
Страницы: 1 2 3 ... 2124