Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 528615)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
  Расширенный поиск
Результаты поиска

Нашлось результатов: 5043 (2,14 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

Импульсные блоки питания для IBM PC

Автор: Куличков А. В.
М.: ДМК-Пресс

Книга посвящена вопросам ремонта и обслуживания импульсных источников вторичного электропитания, которые используются практически во всем современном импортном и отечественном радиоэлектронном оборудовании. В книге рассмотрены теоретические вопросы проектирования и расчета импульсных источников питания, подробно описаны основы их схемотехники и принципы функционирования. Описываются различные способы стабилизации выходных напряжений, способы защиты источников питания от перегрузок во вторичных цепях, а также рассматриваются способы отключения источников питания при повышении выходных напряжений выше установленных пределов. В качестве примеров рассмотрены источники питания современных компьютеров AT и ATX форм-факторов. В соответствующих разделах рассмотрены типовые неисправности и методы их поиска и устранения.

Диод VD2 оказывается запертым, а диод VD1 – от� крытым. <...> Тип диодов VD1 и VD2 – 1N4148. <...> Цепь, состоящая из резистора R55, транзистора Q11 и диода D31, шунтирует нижний выпрями� тельный диод <...> Диод открывает� ся. <...> При низком уровне на выходе DA4 диод D2 за� крыт, а при высоком уровне этот диод открывается.

Предпросмотр: Импульсные блоки питания для IBM PC.pdf (23,1 Мб)
2

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДИОДОВ С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА∗ [Электронный ресурс] / Бобрешов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2016 .— №3 .— С. 11-20 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/507725

Автор: Бобрешов

В работе проведено экспериментальное исследование особенностей работы диода с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов. Исследование проводилось для различных режимов работы диодов. Показано, что накопление заряда в его активной области обусловливает появление разности потенциалов между анодом и катодом на стадии высокой обратной проводимости. Также представлены результаты исследования работы нескольких последовательно включенных ДНЗ. Результаты работы могут быть использованы при разработке генераторов сверхкоротких импульсных сигналов на базе диодов с накоплением заряда

Исследование проводилось для различных режимов работы диодов. <...> ПРОЦЕСС ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА В формирователях СКИ диод с накоплением заряда выполняет <...> Диод при этом находится в состоянии с высокой проводимостью. <...> После замыкания ключа VT через диод протекал обратный ток. <...> Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением / А. С.

3

СТРОИМ… ГОЛОГРАММУ [Электронный ресурс] / Акилов // Юный техник .— 2016 .— №4 .— С. 67-73 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/405334

Автор: Акилов

Нам подойдет одночастотный лазер, излучение которого имеет большую длину когерентности. Где его взять? Попробуйте раздобыть старенький пишущий DVD-привод (именно старенький, который можно разобрать).

Blu�ray ROM содержит сине�фиоле� товый диод 405 нм, мощностью 15 мВт; Blu�ray RW — сине�фиолетовый диод <...> Можно ли испортить лазерный диод? Даже очень про� сто. <...> Лазерные диоды боятся даже статического электричества. <...> лазерный диод резисторы 2х10 Ом конденсатор 10 мкФ 16 В диод 1N4001 переменный резистор 100 Ом LM317 <...> 7,2 В Электрическая схема блока питания лазерного диода.

4

Защита интегральных микросхем от электростатического разряда

Издательский дом ВГУ

В пособии даны общие представления о различных моделях ESD событий, методов их тестирования, представлены схемные реализации различных стратегий защиты от ESD входных и выходных IO - ячеек, клампов питания, описана методология проектирования архитектуры защиты от ESD для всей микросхемы при одном и нескольких доменах питания

Прямо смещенные диоды могут использоваться как ESD диоды, например, в rail-based схемах защиты от ESD <...> Однако у диодов есть и недостатки. <...> Роль ESD диодов могут выполнять паразитные диоды МОП транзисторов, например сток-подложка n-МОП/p-МОП <...> Пробой кремниевого управляемого диода (SCR) Кремниевый управляемый диод (Silicon-Controlled Rectifier <...> ESD диоды могут быть выполнены на паразитных диодах сток-подложка n-МОП/p-МОП транзисторов выходного

Предпросмотр: Защита интегральных микросхем от электростатического разряда.pdf (1,3 Мб)
5

Исследование полупроводниковых диодов и выпрямителей в "Electronics Workbench" метод. указания к лаб. практикуму

Автор: Быковская
ОГУ

на диоде maxUпр. . <...> приложено к диоду. <...> катода потенциал, диод будет открыт. <...> 4Д , нагрузку и диод 2Д к точке a . <...> ,б.Если считать диоды идеальными, то напряжение на нагрузке RН равно напряжению фазы с открытым диодом

Предпросмотр: Исследование полупроводниковых диодов и выпрямителей в Electronics Workbench.pdf (0,3 Мб)
6

Промышленная электроника учеб. пособие

Автор: Михайлов Д. Д.
КГТУ

Учебное пособие написано в соответствии с действующей программой курса промышленной электроники. Содержит все основные разделы курса. Рассмотрена физика явлений в полупроводниковых приборах и основные принципы построения электронных схем.

Диоды Электронно-дырочный переход. <...> В течение второго полупериода на аноде диода VD будет относительно катода отрицательный потенциал, диод <...> , либо включить несколько однотипных диодов последовательно. • Во-вторых, допустимый ток диода должен <...> В этой схеме в течение первого полупериода (интервал 0 π) диод 1VD будет открыт, так как к аноду диода <...> , а обратное к первому диоду, поэтому открытым будет диод 2VD и по нагрузке проходит ток.

Предпросмотр: Промышленная электроника. Учебное пособие.pdf (0,1 Мб)
7

Методы генерации СШП импульсных сигналов. Часть 1. Особенности формирования видеоимпульсов субнаносекундной длительности

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

В учебном пособии рассмотрены основные особенности, структура и классификация формирователей импульсных сигналов субнаносекундной длительности, основные области применения. Методическое пособие подробно останавливается на физических процессах, протекающих во время генерации.

Сд емкость диода. <...> , протекающие в диоде с накоплением заряда. <...> накопление носителей в I области диода. <...> протекания прямого тока через диод. <...> Выбрать набор режимов работы диода. 2. План работы: 2.1.

Предпросмотр: Методы генерации СШП импульсных сигналов. Часть 1. Особенности формирования видеоимпульсов субнаносекундной длительности .pdf (0,2 Мб)
8

Расчет электронных схем метод. указания для практ. занятий

Автор: Раимова А. Т.
ОГУ

В методических указаниях для практических занятий по разделу «Электроника» изложен материал, помогающий студентам при выполнении практических заданий по изучению полупроводниковых приборов, расчету и анализу электронных схем в процессе обучения, на практических занятиях, в дипломных и исследовательских работах. Методические указания для практических занятий являются основным учебным руководством при выполнении практических заданий по курсам «Электротехника и электроника», «ТОЭ и электроника» и «Электротехника и промышленная электроника» студентами инженерно- технических неэлектротехнических направлений подготовки.

диод, импульсный диод, туннельный диод, светодиод, фотодиод и пр. <...> Рисунок 1.1 – Схема включения силового диода Если приложить к диоду разность потенциалов U, то величину <...> Вычислить и сравнить прямые напряжения на диодах при Т=300 К, если через каждый диод протекает прямой <...> Решение Ток диода определяется по формуле (1.1). Тогда: Для германиевого диода: . Отсюда U300 мВ. <...> Выписываем из таблицы 2.1 параметры указанных диодов: Таблица 2.1 – Параметры диодов Тип диода Iдоп,

Предпросмотр: Расчет электронных схем.pdf (0,5 Мб)
9

Проверка формулы Шокли для p–n-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия метод. указания к выполнению лаб. работы Ф-60 по курсу общей физики

Автор: Фетисов И. Н.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены физические процессы в p–n-переходе и элементарная теория перехода, описана методика экспериментальной проверки формулы Шокли для вольт-амперной характеристики перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.

В результате получают полупроводниковый диод. <...> К диоду можно подключить источник напряжения U, при этом через диод будет протекать ток силой I. <...> Практически диод пропускает ток только в одном направлении. <...> Особенности вольт-амперных характеристик реальных диодов ВАХ реальных диодов имеют отличия от описываемой <...> Напряжение U на диоде и ток диода I измеряют двумя цифровыми тестерами.

Предпросмотр: Проверка формулы Шокли для р-п-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия.pdf (0,3 Мб)
10

Энергетическое предприятие снижает риск взрыва [Электронный ресурс] / А. Школьник, Гуревич // Электроэнергия. Передача и распределение .— 2015 .— №2 (29) + журнал «Transmission and Distribution World» (США) .— С. 154-157 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/500140

Автор: Школьник Анатолий

IEC разрабатывает схему защиты для исключения взрывов трансформаторов рабочего тока

Защитное устройство состоит из двойного диода 1 (или двух инверсно подключённых диодов) с обычным электродом <...> Термореле 2 расположено с хорошим термоконтактом на диоде 1. <...> Это высокое напряжение было подано на диод 1. <...> В течение двух-трех секунд диод нагрел главное термореле до температуры замыкания и замкнул диод накоротко <...> (или два подключённых инверсно диода) 1 и нормально разомкнутое термореле 2.

11

МОДЕЛЬ ДИОДА С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА ДЛЯ АНАЛИЗА СХЕМ ГЕНЕРАЦИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ [Электронный ресурс] / Бобрешов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2012 .— №2 .— С. 11-16 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522404

Автор: Бобрешов

Проведен анализ методов моделирования диодов с накоплением заряда. Показана необходимость учета влияния токов утечки заряда из активной области и образованного ими «паразитного» заряда, накапливающегося в легированных областях диода, на процесс быстрого восстановления его обратного сопротивления. Разработана модель диода с накоплением заряда, с учетом основных нелинейных процессов в режиме генерации сверхкоротких импульсов

активной области диода; стадия рассасывания «паразитного» заряд диода. <...> диода стационарны. <...> I — ток в цепи диода, IR — ток рекомбинации заряда в активной области диода, IL — ток утечки заряда <...> из активной области диода. <...> На рассматриваемой стадии процесса имеет большое значение напряжение на диоде и ток диода как функции

12

Трансформаторный импульсный преобразователь для авиакосмической силовой электроники [Электронный ресурс] / С. Резников [и др.] // Силовая электроника .— 2017 .— №1(64) .— С. 52-54 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/578220

Автор: Резников Станислав

В статье описано нетрадиционное схемотехническое решение для трансформаторного импульсного преобразователя, входящего в состав электроэнергетических комплексов космических летательных аппаратов и авиабортовых резервноаккумуляторных источников бесперебойного питания. Решение демонстрирует высокие показатели надежностной, массо-энергетической и технологической эффективности и качества электроэнергии (включая малые помехоизлучения) преобразователя, а также его пригодность в качестве унифицированного модуля при реализации модульно-масштабируемой архитектуры

VT3) –N2'–N2" и LБ2–СФ3–LД2– –(обратный диод VT3)–N2'–LБ2 («прямоходовая» трансформация ЭДС LБ2). <...> дальнейшей рекуперации в СФ1 в течение длительности паузы Δtп = γп·Тшим/2); N2'–VD3–СФ2–СФ3– (обратный диод <...> токами в цепях Сф1–LБ1–(N1'–VT1)//(N1"–VT2)–LД1–Сф1 (без потокосцепления ТПТ) и LБ2–СФ3–LД2–((обратный диод <...> VT3)-N2")//((обратный диод VT4)–N2")–LБ2 («прямоходовая» трансформация ЭДС LБ2). <...> потокосцепление реактора Lст нарастает вместе с токами в цепях СФ1–LСТ"–VTСТ2–СФ1 и LСТ'–(обратный диод

13

Авиабортовой электроэнергетический комплекс с магнитоэлектрическими стартер-генераторами для полностью электрифицированных самолетов [Электронный ресурс] / С. Резников [и др.] // Силовая электроника .— 2016 .— №6(63) .— С. 50-55 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/543741

Автор: Резников Станислав

В статье рассмотрена структура магистрального канала авиабортового электроэнергетического комплекса с магнитоэлектрическими стартер-генераторами и дифференциальными звеньями постоянного повышенного напряжения для параллельного включения каналов. Предлагаются нетрадиционные схемотехнические решения для многофункциональных импульсных преобразователей в качестве базовых унифицированных модулей для синтеза модульно-масштабируемой архитектуры электроэнергетического комплекса, позволяющие улучшить технологичность в производственной, монтажной и эксплуатационно-ремонтной областях. Решения защищены приоритетом РФ и реализуемы с учетом импортозамещения в номенклатуре силовых полупроводниковых приборов. Статья представляет интерес для широкого круга специалистов в области транспортной (в особенности авиабортовой) силовой электроники и автономных систем электроснабжения, в частности, полностью электрифицированных самолетов

в цепях LБ1–СБ1–VD1–LБ1 и LБ2–VT4–VD4–LБ2, а затем и в цепях LБ1– СБ1–N1–Cф1–LБ1 и N2–СБ2–обратный диод <...> трансреактора (Т–L); два модуляторных ключа (VT1,2 и VT3,4); шунтирующий ключ (VTш1,2); блокирующий диод <...> ключа 13–8 (прямоходовая подзарядка конденсатора 5) и 28–27–обратный диод ключа 26–20–21– обратный диод <...> ключа 26–20–21–обратный диод ключа 24–28 (прямоходовая зарядка стойки 20–21) в течение длительности <...> Плавная зарядка снабберного конденсатора 32 происходит после выключения ключа 11 через зарядный диод

14

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТОКА АКТИВНОЙ МОЩНОСТИ В ЦЕПЯХ С НЕЛИНЕЙНОЙ НАГРУЗКОЙ [Электронный ресурс] / Шклярский, Бунтеев, Барданов // Естественные и технические науки .— 2014 .— №1 .— С. 141-146 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/490319

Автор: Шклярский

В настоящее время сложно найти систему электроснабжения, кривая напряжения в которой не искажена. Для расчета несинусоидальных режимов специалистами всего мира применяется разложение кривых токов и напряжений в тригонометрические ряды Фурье. Электрическая энергия в таком случае передается не только на основной, но и на высших гармониках.

Диод в данном случае не потребляет энергию, когда через него протекает ток, на нем нет падения напряжения <...> Когда на диоде есть падение напряжения, по цепи не протекает ток (Рис.1.3). <...> постоянно, также как и падение напряжения на каждой гармонике присутствует на диоде постоянно. <...> Учтя это можно представить диод в виде серии источников напряжения, соответствующих падениям напряжения <...> Вся энергия, «полученная» диодом на первой гармонике, «отдается» им на остальных гармониках.

15

Энциклопедия электронных схем. Т. 6. Ч. I. Кн. 4

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Вниманию читателей предлагается русский перевод американского издания «Encyclopedia of Electronic Circuits. Volume 6». В книге собраны принципиальные схемы и краткие описания различных электронных устройств, взятые составителями из фирменной документации и периодических изданий. Основное внимание уделено аналоговым и импульсным схемам. В русском издании исправлены ошибки и опечатки, присутствующие в оригинале. Часть I содержит более 300 схем и статей. В приложениях приведены некоторые справочные данные.

Выход фильтров зашунтирован на «землю» конденсатором С1 и PIN*диодом D1. <...> 1N3193 D2 Диод 1N3195 D3 Диод 1N1763A D4 Стабилитрон, 12 В, 0,25 Вт R1 Резистор, 1 кОм, 0,5 Вт R2 Резистор <...> При включении системы зажигания и отключенной фаре загорается свето* диод. <...> Вход� ной сигнал подается на входы компаратора через диоды CR2 и CR1. <...> на� пряжения обратного смещения диода D2.

Предпросмотр: Энциклопедия электронных схем. Том 6. Часть I. Книга 4.pdf (1,4 Мб)
16

Исследование неуправляемых и управляемых выпрямительных устройств метод. указания к лаб. работе

М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены схемы управляемых и неуправляемых выпрямителей. Представлены электрические схемы исследуемых устройств, таблицы для экспериментальных данных и расчетные формулы.

(прямое включение диода). <...> велико (обратное включение диода). <...> Основными электрическими параметрами выпрямительных диодов являются: Iпр.ср – средний прямой ток диода <...> На интервале заряда ток протекает через открытый диод VD. <...> В интервалы времени заряда емкости диод открыт, и пиковый ток диода может в несколько раз превышать номинальный

Предпросмотр: Исследование неуправляемых и управляемых выпрямительных устройств.pdf (0,2 Мб)
17

Изучение вакуумного диода метод. указания к лаб. работе № 17

Автор: Перунова
ОГУ

Методические указания включают подробное теоретическое изложение вопросов, связанных с протеканием тока через вакуумный диод (работа выхода электронов из металла, вид и особенности вольтамперной характеристики вакуумного диода), описание экспериментальной установки и методики проведения эксперимента. Дано подробное описание методики обработки результатов эксперимента.

вакуумного диода. 2 Снять вольтамперную характеристику (ВАХ) вакуумного диода. 3 Используя ВАХ диода <...> Работает диод в схеме следующим образом. <...> Для диода 1Ц11П коэффициент 216,2 0,1 10 3 2В с /кг Кл . <...> участку цепи, содержащему вакуумный диод. <...> 4 Как устроен вакуумный диод? 5 Как выглядит ВАХ вакуумного диода?

Предпросмотр: Изучение вакуумного диода.pdf (0,2 Мб)
18

О «феноменальном» поведении диодов [Электронный ресурс] / А. Винтрих [и др.] // Силовая электроника .— 2017 .— №1(64) .— С. 10-15 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/578208

Автор: Винтрих Арендт

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановление, генерация электромагнитных шумов, переход транзистора в реверсивный режим. Одним из наиболее интересных и малоизученных феноменов является аномальное поведение диодов при малом времени коммутации тока.

Рис. 2. «2�пульсный тест»: напряжение на затворе, ток IGBT и диода FWD Рис. 1. <...> На рис. 5 приводится сравнение уровня перенапряжения на CAL-диоде и диоде с платиновой диффузией и мягкой <...> Обратное восстановление диодов с «резкой» и «мягкой» характеристикой Рис. 5. <...> (Err, Qrr и Irr) должны рассматриваться с учетом времени проводимости диода. <...> Обратный ток IR диода D1 представляет собой разницу между ними, т. е. IR = IC–IL.

19

Исследования параметров и характеристик SIC-диодов Шоттки в гибридных IGBT-модулях ОАО «Электровыпрямитель» [Электронный ресурс] / А. Бормотов [и др.] // Силовая электроника .— 2016 .— №5(62) .— С. 14-17 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/512395

Автор: Бормотов Алексей

Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей

В данных модулях применяют кремниевые кристаллы IGBT и карбидокремниевые диоды Шоттки в качестве диодов <...> Самые низкие времена переключения tс = 19 нс — у диодов SiC D2, самые высокие tс = 55 нс — у диодов SiC <...> У диода SiC D3 величина Qrr при diF/dt = 1250 А/мкс почти в 4 раза больше, чем у диодов SiC D1 и SiC <...> Но все же более низкое значение Qс от diF/dt дает диоду SiC D2 преимущества перед диодами других типов <...> , диоды SiC D1 и SiC D2 наиболее подходят для работы в качестве оппозитных диодов в гибридных IGBT-модулях

20

НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ГИСТЕРЕЗИСНОГО ТИПА, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ПЕРЕЗАРЯДКОЙ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ В ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЕ ПОЛУПРОВОДНИКА [Электронный ресурс] / Буданов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2009 .— №1 .— С. 26-34 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/522213

Автор: Буданов

В работе предложен гистерезисный преобразователь, относящийся к классу гистеронов Маделунга, описывающий детерминировано-стохастический процесс перезарядки системы глубокоуровневых центров в запрещенной зоне полупроводника, состоящей из донорного уровня и акцепторной ловушки, а также рассмотрены некоторые его свойства. Показано, что явление самонакопления заряда полупроводниковыми приборами определяется процессами обмена носителями заряда, как между глубокими уровнями, так и между глубокоуровневыми центрами и обеими разрешенными зонами

Поэтому для простоты изложения модели в данной задаче будем рассматривать диод Шоттки Me—In 2 Te 3 . <...> Емкость диода Шоттки Me–In 2 Te 3 определяется соотношением [7] C t,T = S q N t,T + N t,T U U t kT q <...> В модели рассматривался линейный закон изменения напряжения, подаваемого на диод U t = U + dU dt t( ) <...> ◊0 , (11) где U 0 — величина напряжения, подаваемого на диод Шоттки в момент времени t = 0 . <...> Кроме емкости в работе определялась и величина тока, проходящего через диод Me–In 2 Te 3 , как I t T

21

10 увлекательных проектов аналоговой электроники

Автор: Хернитер Марк Е.
М.: ДМК-Пресс

В этой книге рассматриваются несколько случаев и примеров разработки проектов, отобранных с одной, ярко выраженной целью, — продемонстрировать читателям несколько полезных стильных «штучек», которые могут быть созданы с использованием аналоговой техники. Подобные примеры поощряют далее изучать аналоговую электронику, а также демонстрируют, в каких областях техники аналоговая электроника все еще сохраняет свой немалый потенциал. В качестве примеров схемотехнических решений были выбраны: схема управления вентилятором, предназначенным для задувания пламени свечи, с использованием полупроводникового диода в качестве температурного датчика, датчик присутствия кровососущих летающих насекомых, использующий ИК-диод и фототранзистор, электрошок, развивающий напряжение на выходных электродах порядка 1 000 В при питании схемы от батареек с напряжением 18 В, схема умножителя напряжения, а также схема управления частотой вращения электродвигателя постоянного тока.

напряжения на диоде. <...> Диод D4, приведенный на схеме управления, называется "независимым, обгонным или шунтирующим" диодом, <...> напряжением диода. <...> Такой диод уже от� мечался нами в качестве "шунтирующего" диода. <...> Этот диод иногда обозначается как "антипараллельный" или "шунтирующий" диод, или же как корпусной диод

Предпросмотр: 10 увлекательных проектов аналоговой электроники.pdf (8,1 Мб)
22

Электронные компоненты учеб. пособие

Сиб. федер. ун-т

Изложены краткие теоретические сведения об электронных компонентах. Приведена методика выполнения лабораторных работ по исследованию их характеристик.

диоды, диоды Шоттки, диода Ганна, варакторы, диоды с накоплением заряда). <...> К этим диодам относятся диоды Мотта, p-i-n-диоды, диоды Шоттки, диоды с накоплением заряда Импульсные <...> Вольт-амперная характеристика обращенного диода Обращенный диод – полупроводниковые диоды, в которых <...> Наиболее известны и распространены следующие виды диодов СВЧ: лавинно-пролетные диоды (диоды Рида, диоды <...> Мисавы, диоды Тагера и т. д.), p-i-n-диоды, диоды Ганна, точечно-контактные диоды, диоды с переходом

Предпросмотр: Электронные компоненты учебное пособие (гриф УМО).pdf (1,1 Мб)
23

Экспериментальная исследовательская задача «Колебательный контур, содержащий два последовательно соединенных конденсатора» [Электронный ресурс] / С.П. Жакин, Рогова // Физическое образование в вузах .— 2016 .— №3 .— С. 151-162 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/478327

Автор: Жакин Сергей Петрович

В статье показана методика решения экспериментальных задач, поставленных на основе демонстрационного эксперимента. В данном варианте они носят исследовательский характер и способствуют развитию логического и творческого мышления и закреплению знаний.

Диод, конденсаторы и катушку можно считать идеальными. <...> Схема зарядки конденсатора, содержащая катушку и диод. <...> Диод – любой кремниевый, например КД 213. <...> Вопрос: «Какую роль играет диод в каждом случае? <...> Кроме этого, энергия теряется и на диоде.

24

Энциклопедия электронных схем. Т. 7. Ч. III

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Вниманию читателей предлагается русский перевод американского издания "Encyclopedia of Electronic Circuits. Volume 7". В книге собраны принципиальные схемы и краткие описания различных электронных устройств, взятые составителями из фирменной документации и периодических изданий; представлены схемы различных генераторов, современных источников питания – от миниатюрных преобразователей до высоковольтных. Приводятся как радиочастотные схемы, так и схемы для фотографии и различных действующих моделей. В русском издании исправлены ошибки и опечатки, присутствующие в оригинале. Часть III содержит около 400 схем и статей.

В качестве диода D1 используется высококачественный ВЧ кремниевый диод любого типа. <...> Диоды D3 и D4 – 1N753. <...> В каче* стве PIN*диодов допустимо применять диоды MV3404 или аналогичные. <...> Все диоды типа IN4148. <...> *диод типа MV3404).

Предпросмотр: Энциклопедия электронных схемТом 7. Часть III.pdf (16,0 Мб)
25

Методы генерации СШП импульсных сигналов. Часть 2. Методы улучшения энергетических параметров СШП импульсов, формируемых генераторами на основе ДНЗ

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

В учебном пособии рассмотрены основные особенности, структура и классификация формирователей импульсных сигналов субнаносекундной длительности, основные области применения. Методическое пособие подробно останавливается на физических процессах, протекающих во время генерации.

ток (ток накачки) Iпр, за счет которого происходит накопление заряда в активной области диода. <...> обратного сопротивления диода, сопровождаемое резким скачком тока. <...> Это может быть объяснено влиянием нелинейной зависимости емкости диода. <...> SRD сначала уменьшается, а затем меняет знак, то есть начинается рассасывание заряда диода. <...> Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов / И. В. Грехов, Г. А.

Предпросмотр: Методы генерации СШП импульсных сигналов. Часть 2. Методы улучшения энергетических параметров СШП импульсов, формируемых генераторами на основе ДНЗ.pdf (0,3 Мб)
26

Элементы и устройства электроники метод. указания

Автор: Дегтярев Г. И.
ОГУ

Методические указания разработаны в соответствии с содержанием курса «Электротехника и электроника», определяемым Федеральным государственным образовательным стандартом по направлениям подготовки специалистов 151000.62 Технологические машины и оборудование. Методические указания могут быть использованы в учебном процессе студентами других технических специальностей, изучающих дисциплины: «Электротехника и промышленная электроника», «Электротехника, электроника и схемотехника». Методические указания содержат краткие теоретические сведения по теме лабораторной работы, рабочее задание, порядок обработки результатов измерений, содержание отчета и тестовые задания для защиты лабораторных работ.

, фотодиоды, светоизлучающие диоды и др. <...> Вычислите прямое и обратное статическое сопротивление диода. 1.9.30 Полупроводниковый диод и резистор <...> 1VD и 3VD открыты, а диоды 2VD и 4VD – закрыты. <...> Ток нI течет через диод 1VD , нагрузочный резистор нR и диод 3VD . <...> При этом ток нI течет через диод 2VD , нагрузочный резистор нR и диод 4VD в том же направлении, что и

Предпросмотр: Элементы и устройства электроники.pdf (0,3 Мб)
27

Сборник задач по дисциплине «Электроника» учеб.-метод. пособие

Автор: Ситникова С. В.
Изд-во ПГУТИ

Учебно-методическое пособие предназначено для организации самостоятельной работы и практических занятий студентов. К дисциплинам цикла «Электроника» относятся дисциплины: «Электротехника и электроника», «Электроника», «Электроника и схемотехника», «Электротехника, электроника и схемотехника». Для организации практических аудиторных занятий учебно-методическое пособие представляет собой сборник типовых задач, часть из которых содержит несколько вариантов исходных данных. Краткие теоретические сведения включают в себя расчетные соотношения, необходимые для выполнения заданий.

ДИОДЫ Диод – электропреобразовательный прибор, содержащий, как правило, один электрический переход и <...> , шкалы, экраны), инфракрасные диоды (ИКД), ультрафиолетовые диоды (УФД) и т.д. <...> Выпрямительные диоды на основе р–n–перехода. 3. Выпрямительные диоды Шоттки. 4. <...> Импульсные диоды. 5. Графоаналитический расчет параметров диодов. 6. Варикапы. 7. <...> Обращенные диоды и туннельные диоды. 9. Светодиоды. Индикаторы на светодиодах. 10.

Предпросмотр: Сборник задач по дисциплине Электроника Учебно-методическое пособие.pdf (0,1 Мб)
28

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДИОДОВ НА РАБОТУ СХЕМЫ ЭМГ НА ОСНОВЕ ДУПЛИКАТОРА БЕННЕТА [Электронный ресурс] / Драгунов, Доржиев // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2015 .— №2 .— С. 57-68 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/465495

Автор: Драгунов

В статье проводится математическое моделирование работы схемы электростатического микроэлектромеханического генератора (ЭМГ) на основе дупликатора Беннета с одним переменным конденсатором. Данная схема позволяет за счет преобразования энергии механических колебаний в электрическую энергию осуществлять подзаряд химического источника питания. Основным достоинством схемы является то, что в отличие от большинства схем для подзаряда источника питания она не содержит трудно изготавливаемого по интегральной технологии индуктивного элемента и переключателей, требующих дополнительных схем синхронизации, потребляющих энергию. Проведено моделирование работы схемы с использованием модели идеального диода, которое показало, что в установившемся режиме ток подзаряда источника питания не принимает отрицательных значений – отсутствует фаза разряда источника. Введение в модель диода обратных токов привело к появлению фазы разряда источника питания, которая вызвана компенсацией утечек заряда конденсаторов через запертые диоды. Проведено моделирование работы схемы с учетом емкостей диодов в предположении, что они не зависят от приложенного к диодам напряжения. Получено аналитическое выражение, позволяющее оценить средний ток подзаряда источника питания с учетом обратных токов и емкостей диодов и определить условия, при которых этот ток будет положительным. Показано, что напряжение пробоя диодов ограничивает возможность увеличения тока подзаряда путем увеличения напряжения на элементах схемы.

приложенного к диодам напряжения. <...> DI – ток диода; SI – обратный ток насыщения; DV – напряжение на диоде; m – коэффициент неидеальности <...> создавая ток подзаряда, равный сумме прямого тока диода 3D и обратного тока диода 2D , при этом через <...> Анализ влияния емкостей диодов Как известно, емкость полупроводникового диода принято разделять на две <...> котором обратный ток диодов резко возрастает.

29

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРЕДПРОБОЙНОЙ СТАДИИ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА В ДИОДЕ С ОСТРИЙНЫМ КАТОДОМ С ПОМОЩЬЮ ЛАЗЕРНОГО ЗОНДИРОВАНИЯ [Электронный ресурс] / Паркевич [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №4 .— С. 4-13 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/592346

Автор: Паркевич

Лазерными методами (одновременное применение многокадровой интерферометрии, теневого и шлирен-фотографирования) исследована предпробойная стадия газового разряда в диоде с сильной перенапряженностью поля на катоде при атмосферном давлении. Пространственное разрешение методов составляет приблизительно 20 мкм. Зондирующий импульс лазера (Nd:YAG-лазер LS-2151 с длительностью импульса на полувысоте 70 пс, энергией в импульсе до 40 мДж) синхронизован с импульсом напряжения с точностью примерно 1 нс. Большая напряженность поля на катоде достигается использованием на электродах тонких одиночных металлических острий. Показано, что начальная стадия пробоя разрядного промежутка сопровождается появлением на торце острия облака плотной плазмы с электронной плотностью около 5·1019 см−3 масштабом в десятки микрон, а также резким ростом суммарного тока в диоде. После появления на торце катодного острия плотного облака плазмы аналогичное образование формируется на поверхности анода, после чего происходит их смыкание и образование трубчатого токового канала. Динамика пробоя, а также параметры возникающей плазмы регистрировались посредством указанных выше методик по трем независимым оптическим каналам, разнесенным по времени

ЖЭТФ, 2017, том 151, вып. 4, стр. 627–636 c© 2017 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРЕДПРОБОЙНОЙ СТАДИИ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА В ДИОДЕ <...> Схема диода с геометрией острие–плоскость приведена на рис. 2б. <...> На рис. 5, 6 представлены интерферограммы и шлирен-изображения диода до подачи напряжения на диод и через <...> На рис. 5в приведено нулевое шлирен-изображение диода. <...> В этот момент суммарный ток через диод составляет около 600 А.

30

Учебное пособие по курсу «Схемотехника аналоговых электронных устройств»

Автор: Кравец А. В.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ

В данной работе изложен теоретический материал, соответствующий курсу «Схемотехника аналоговых электронных устройств». Соответствует программе курса «Схемотехника аналоговых электронных устройств» для студентов всех форм обучения по направлению «Радиотехника».

напряжения на диоде. <...> При отрицательном значении напряжения входного сигнала диод D1 открыт, а диод D2 закрыт. <...> При Uвх < 0 диод D1 открыт, а диод D2 закрыт. <...> Если Uвх > 0, то диод D1 закрыт, а диод D2 открыт. <...> на форму напряжения на диоде.

Предпросмотр: «Схемотехника аналоговых электронных устройств» .pdf (0,8 Мб)
31

Цветомузыкальные установки

Автор: Кадино Эрве
М.: ДМК-Пресс

В книге известного французского автора изложены принципы работы и особенности практического применения тиристоров и симисторов. Подробно описываются оптосимисторы, анализируются различные способы их защиты от помех. Автор предлагает около 25 радиолюбительских конструкций различного назначения и уровня сложности. Описание электрических схем, рекомендации по изготовлению и настройке параметров, чертежи печатных плат – эта подробная информация поможет радиолюбителям в изготовлении цветомузыкальных устройств.

тиристора тремя диодами (рис. 1.2). <...> Например, в оптопаре диод включается последовательно со свето+ диодом D4, а резистор R15 будет ограничивать <...> Лазерный диод имеет три вывода и состоит из собственно лазерного диода (диода, излучающего лазерный <...> Анод лазерного диода и катод управляющего диода подключаются к общему выводу, соединенному с корпусом <...> Монтаж лазерного диода Таблица 9.5.

Предпросмотр: Цветомузыкальные установки.pdf (11,2 Мб)
32

Материалы и компоненты электронных средств лаб. практикум

Автор: Юзова В. А.
Сиб. федер. ун-т

В лабораторном практикуме изложены краткие теоретические сведения об электронных материалах и компонентах. Рассмотрены методы исследования и измерения свойств материалов и номинальных характеристик активных и пассивных компонентов электронных схем. Описаны процессы и явления, протекающие в материалах и компонентах электронной техники. Показаны связь и влияние типа, конструкции, материала компонента на электрофизические и эксплуатационные характеристики.

на диоде. <...> диод мог идти ток. <...> или группы диодов для работы. 3. <...> Дайте определение диода. Относится ли диод к пассивным компонентам электронных схем? <...> Назовите основные характеристики диода. 5. Какой зависимостью описывается работа диода? 6.

Предпросмотр: Материалы и компоненты электронных средств. Лабораторный практикум (гриф УМО).pdf (1,3 Мб)
33

Лабораторный практикум по дисциплине «Электроника». Ч. 2 учеб.-метод. пособие

Автор: Арефьев А. С.
Изд-во ПГУТИ

Учебно–методическое пособие предназначено для проведения лабораторных занятий у студентов, обучающихся по направлениям (специальностям) и профилям подготовки бакалавров и специалистов: 09.03.01 – Программное обеспечение средств ВТ и АС, 09.03.04 – Разработка программно–информационных систем, 10.03.01 – Безопасность телекоммуникационных систем, 10.05.02 – Информационная безопасность телекоммуникационных систем, 11.03.01 – Радиотехника, 11.03.02 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи, 11.05.01 – Радиоэлектронные системы и комплексы, 12.03.03 – Оптические информационные технологии, 27.03.04 – Управление и информатика в технических системах, 27.03.05 – Управление инновациями. К дисциплинам цикла «Электроника» относятся следующие дисциплины: – «Электротехника и электроника» (27.03.04, 27.03.05, 12.03.03), – «Электроника» (11.03.02, 11.03.01, 09.03.04, 11.05.01), – «Электроника и схемотехника» (10.05.02, 10.03.01), – «Электротехника, электроника и схемотехника» (09.03.01).

Буквенное обозначение диода Тип диода Особенности конструкции диода Полярность напряжения при прямом <...> включении диода Д 220, Д 220 А Диод кремниевый, универсальный. <...> Диод точечный в стеклянном корпусе. Д 9 Д Диод германиевый, выпрямительный. <...> Тип диода Особенности конструкции диода Полярность напряжения при прямом включении диода Д 9 Е Диод <...> зависимость силы тока в диоде I от приложенного к диоду напряжения U.

Предпросмотр: Лабораторный практикум по дисциплине Электроника Учебно-методическое пособие. Ч. 2.pdf (0,2 Мб)
34

Приборы СВЧ и оптического диапазона учебное пособие : Направление подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи. Профиль подготовки «Сети связи и системы коммутации». Бакалавриат

Автор: Велигоша Александр Васильевич
изд-во СКФУ

Пособие содержит теоретический материал по вопросам общих принципов построения и применения электровакуумных и полупроводниковых приборов СВЧ-диапазона приборов (лазеров), предназначенных для работы устройств в оптическом диапазоне частот, контрольные вопросы, глоссарий, литературу. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи, профилю подготовки «Сети связи и системы коммутации» всех форм обучения.

Разновидности выпрямляющих структур диодов Шоттки: а – меза-диод; б – планарный диод; в – мультиконтактная <...> диодов, вытесняя традиционные точечные диоды. <...> Работа полупроводниковых диодов в диапазоне СВЧ Сверхчастотный полупроводниковый диод (СВЧ-диод) – это <...> смесительные диоды. <...> Туннельный диод Туннельным диодом называют полупроводниковый диод на основе -перехода с сильнолегированными

Предпросмотр: Приборы СВЧ и оптического диапазона.pdf (0,4 Мб)
35

Исследование переходных процессов в электронном ключе на биполярном транзисторе

Автор: Охремчик Сергей Аркадьевич
Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета

Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре радиофизики физического факультета Воронежского государственного университета.

Этот способ состоит в том, что между коллектором и базой БТ включают диод Шоттки ДШ, как показано на <...> Для диодов Шоттки характерно также малое напряжение отпирания UД ОТП = 0.3… 0.4 В. <...> Когда напряжение UБК достигает UД ОТП = 0.3… 0.4 В, диод Шоттки открывается. <...> Измеренные значения tФ, tРАС, tСП и F занесите в таблицу 3 (в строку № 2 – Диод Шоттки). <...> Диод Шоттки как способ повышения быстродействия ТК. Схема его подключения к БТ. 19.

Предпросмотр: Исследование переходных процессов в электронном ключе на биполярном транзисторе.pdf (0,9 Мб)
36

Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение учеб. пособие

Автор: Музылева И. В.
ЛГТУ

В учебном пособии рассматриваются свойства классических полупроводниковых материалов и их применение в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Предназначено для студентов направлений «Электроэнергетика и электротехника» профиля «Электропривод и автоматика» и «Мехатроника и робототехника», а также для студентов смежных специальностей.

конструкция диодов на рис. 22 и 23. <...> диоддиод, предназначенный для работы в импульсных схемах. <...> Туннельный диод (диод Эсаки) полупроводниковый диод, содержащий pn -переход с очень малой толщиной запирающего <...> Стабилитрон или диод Зенера – полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя <...> ДИОДЫ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ Для создания диода достаточно создать только один pn-переход.

Предпросмотр: Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение .pdf (0,4 Мб)
37

Защита входных каскадов АЦП с дискретизацией на ВЧ: отнюдь не черная магия [Электронный ресурс] / У. Джайямохан, Сотников // Компоненты и технологии .— 2015 .— №6 (167) .— С. 114-118 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/381884

Автор: Джайямохан Умеш

Проектирование входного аналогового интерфейса любого высокопроизводительного аналого-цифрового преобразователя (АЦП), особенно АЦП с дискретизацией на высокой частоте (ВЧ), является критически важным этапом с точки зрения достижения желаемого качества системы. Во многих случаях АЦП с дискретизацией на ВЧ выполняет оцифровку сигналов, имеющих полосу в сотни мегагерц. В зависимости от требований к системе входной интерфейс может быть активным (на базе усилителя) или пассивным (на базе трансформатора или балуна), и в обоих случаях для обеспечения оптимальных показателей АЦП в представляющей интерес полосе частот необходимо очень внимательно отнестись к выбору компонентов.

TVS и когда диод не используется. <...> ограничения) они играют роль обратно смещенного диода. <...> Процесс ограничения в диодах TVS иллюстрирует временная диаграмма на рис. 8. <...> Входной интерфейс АЦП с защитой на базе диодов TVS Рис. 7. <...> Несимметричный входной сигнал АЦП, ограниченный диодом Шоттки Рис. 12.

38

Конспект лекций по учебной дисциплине «Электроника»

Изд-во ПГУТИ

Конспект лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлениям: 210700 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи; 210400 – Радиотехника; 230100 – Информатика и вычислительная техника; 200700 – Фотоника и оптоинформатика; 222000 – Инноватика; 231000 – Программная инженерия; 220400 – Управление в технических системах.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ДИОДАХ. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ. <...> диодов. <...> Диод Шоттки – это 1) полупроводниковый диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник; 2) диод с <...> ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ Импульсный полупроводниковый диод — это полупроводниковый диод, имеющий малую длительность <...> Инфракрасные диоды; 4. Лазерный диод; 5. Светоизлучающий диод. Ответы:____________ 12.

Предпросмотр: Конспект лекций по учебной дисциплине «ЭЛЕКТРОНИКА».pdf (0,2 Мб)
39

Расчет электрических цепей практикум

Автор: Перунова М. Н.
ОГУ

Практикум написан на основе многолетнего опыта работы автора в классах с углубленным изучением физики и опыта подготовки школьников к олимпиадам различного уровня. Задачник представляет собой пособие, в котором рассмотрены и систематизированы основные приемы расчета электрических цепей. Применение каждого приема проиллюстрировано на примерах и сопровождается системой задач для самостоятельного решения, как простых, так и повышенной сложности и олимпиадных.

ВАХ идеального диода выглядит следующим образом: Диод заперт, не пропускает через себя ток, то есть его <...> Диод в цепи идеальный. <...> Если между этими точками включить диод так, как показано на рисунке в условии задачи, то диод оказывается <...> Поскольку диод идеальный, то есть его сопротивление в прямом направлении равно нулю, напряжение на диоде <...> Диод идеальный.

Предпросмотр: Расчет электрических цепей.pdf (0,4 Мб)
40

№5 [Силовая электроника, 2009]

«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.

и мосты; • быстродействующие диоды, в том числе диоды Шоттки; Низкочастотные выпрямительные диоды и <...> диод» (г. <...> Быстродействующие диоды Быстродействующие (fast recovery) диоды делятся на диоды с «тонкой базой» по <...> диодов. <...> (IXYS) 2 свободных диода 200 100 0,94 SOT-227B SiC-диоды Шоттки CSD10060A (CREE) 1 диод 600 10 1,8 (

Предпросмотр: Силовая электроника №5 2009.pdf (1,3 Мб)
41

100 лучших радиоэлектронных схем

М.: ДМК-Пресс

Книга содержит множество разнообразных схем источников питания, усилителей, приемников и передатчиков, устройств бытовой электроники и автоматики, радиоизмерительных приборов, установок звуковых и световых эффектов. Даны технические характеристики рассматриваемых устройств; на схемах и в тексте указаны номиналы используемых элементов. Для каждой схемы приведена монтажная плата, для некоторых – разводка печатной платы.

диода. <...> диода. <...> В корпусе свер� лим отверстия для передающего диода и диода D3. <...> В корпусе свер� лим отверстия для передающего диода и диода D3. <...> Включается передатчик, и передающий диод направляется в сторону приемного диода.

Предпросмотр: 100 лучших радиоэлектронных схем.pdf (11,5 Мб)
42

№2 [Радиоконструктор, 2008]

Журнал для радиолюбителей и профессионалов, рассматривающий вопросы радиолюбительского конструирования и ремонта электронной техники. Основные направления публикаций: аудио, видео, радиоприем, радиосвязь, измерения, охранные устройства, бытовая электроника, ремонт, автомобильная электроника, зарубежная электроника, справочники. Отлично подобранный и оформленный материал.

Диод VD1 – любой выпрямительный кремниевый диод с допустимым прямым током не ниже 0,7А. <...> на 1СО падение напряжения на диоде уменьшается на 2,01 mV). <...> напряжения (падение напряжения на диоде при 0 СО, которое у моего диода 671mV) и падения напряжения <...> напряжения (падение напряжения на диоде при 0 СО, которое у моего диода 671mV) и падения напряжения <...> Диод VD1 – любой выпрямительный кремниевый диод с допустимым прямым током не ниже 0,7А.

Предпросмотр: Радиоконструктор №2 2008.pdf (1,0 Мб)
43

Энциклопедия электронных схем. Т. 7. Ч. I

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Вниманию читателей предлагается русский перевод американского издания "Encyclopedia of Electronic Circuits. Volume 7". В книге собраны принципиальные схемы и краткие описания различных электронных устройств, взятые составителями из фирменной документации и периодики; основное внимание уделено аналоговым и импульсным схемам. В русском издании исправлены ошибки и опечатки, присутствующие в оригинале. Часть I содержит около 300 схем и статей. В приложениях дана информация о наиболее распространенных и популярных в Америке радиоэлементах – как активных, так и пассивных.

диоды, 3 А, 50 ВИмпульсные диоды, 3 А, 50 ВИмпульсные диоды, 3 А, 50 ВИмпульсные диоды, 3 А, 50 В D3 <...> как диод обратного хода. <...> Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы <...> Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы <...> Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы и аналоговые микросхемы Диоды, транзисторы

Предпросмотр: Энциклопедия электронных схемТом 7. Часть I.pdf (17,0 Мб)
44

Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты учеб. пособие

Автор: Девятков Г. Н.
Изд-во НГТУ

Изложены матричные модели идеального и реального диодов с приоткрыванием p–n-перехода, а также методы автоматизированного синтеза согласующее-фильтрующих цепей широкополосных преобразователей частоты. Рассмотрено необходимое программное обеспечение для их проектирования на персональных ЭВМ.

обратного сопротивления (ДНЗ), диоды с эффектом смыкания перехода (ЭСП-диоды) [1]. <...> В диоде различают барьерную (при приложении к диоду обратного напряжения) и диффузионную (при приложении <...> Пробивное напряжение диода прu . 5. Предельная частота прf . 6. Мощность рассеяния диода расP . 6. <...> диода за период основной частоты. <...> ; jI – ток j-й гармоники диода; m– размерность вектора тока, протекающего через диод.

Предпросмотр: Моделирование и автоматизированное проектирование широкополосных преобразователей частоты.pdf (0,3 Мб)
45

Электротехника и электроника метод. пособие для самостоят. работы по изучению дисциплины

УГУЭС

В пособии рассматриваются основные разделы курса и задачи для самостоятельного решения с целью закрепления полученных знаний.

Рис 10.4 При подаче к диоду прямого напряжения диод открыт и пропускает прямой ток, при этом падение <...> При подаче обратного напряжения диод заперт и до достижения его значения Uобр.макс. через диод протекаем <...> (Rпр.д. – прямое сопротивление диода) 𝐼2𝑚𝑅𝐻 ≈ 𝑈2𝑚. <...> диод, выше напряжения обмоток двух других фаз. <...> В это время диоды 𝑉𝐷2 и 𝑉𝐷3заперты. В следующую треть периода открыт диод 𝑉𝐷2и т.д.

Предпросмотр: Электротехника и электроника.pdf (0,4 Мб)
46

Интересные радиолюбительские конструкции

Автор: Граф Рудольф Ф.
М.: ДМК-Пресс

Книга содержит множество разнообразных схем источников питания, усилителей, приемников и передатчиков, устройств бытовой электроники и автоматики, радиоизмерительных приборов, установок звуковых и световых эффектов. Даны технические характеристики рассматриваемых устройств; на схемах и в тексте указаны номиналы используемых элементов. Для каждой схемы приведена монтажная плата, для некоторых – разводка печатной платы.

Сигнал с детекторного диода воспринимается LTC1440 – микромощным ком* паратором, а второй диод является <...> диода в гнезда + и –. <...> При отсут* ствии диодов 1N67A можно использовать диоды 1N34. <...> (проверяемые диоды). <...> Для «малых» токов используют диоды типа 1N4148 или подобные, для «боль� ших» – маленькие диоды Шоттки

Предпросмотр: Интересные радиолюбительские конструкции.pdf (8,4 Мб)
47

Введение в электронику

Автор: Фигьера Бернар
М.: ДМК-Пресс

Книга известных французских авторов Бернара Фигьера и Робера Кноэрра адресована начинающим радиолюбителям. Авторы преследуют две цели: во-первых, вызвать у читателей живой интерес к электронике и, во-вторых, предоставить им возможность самим попрактиковаться в изготовлении полезных и несложных устройств. Книга предлагает тридцать тестированных схем, охватывающих практически все разделы любительской электроники: технику для дома, автомобиля, дистанционное управление, охранные системы, измерения и даже игры. Каждая схема сопровождается подробными объяснениями и многочисленными рекомендациями. Также рассматриваются базовые понятия, функции и назначение различных электронных компонентов. Значительно упрощает обучение справочный материал, представленный в виде таблиц.

Диоды Полупроводниковый диод образуется простым соединением крис* талла типа n с кристаллом типа p. <...> Диоды малой мощности используются Рис. 1.11. <...> Их часто называют сигнальными диодами. <...> Импульсы отрицательной полярности «срезаются» диодом VD3. <...> Диоды VD3, VD4 и VD5 снижают напряжение на 1,8 В.

Предпросмотр: Введение в электронику.pdf (13,0 Мб)
48

Создаем современные сварочные аппараты

Автор: Володин В. Я.
М.: ДМК-Пресс

Появившись более ста лет назад, электродуговая сварка произвела технологическую революцию. К настоящему времени она практически вытеснила все остальные технологии сварки металла. В книге приводятся необходимые сведения по ручной и полуавтоматической электродуговой сварке, а также, в порядке усложнения, — описания различных сварочных источников, пригодных для повторения. Повествование сопровождается необходимыми методиками расчета, схемами и чертежами. Большое внимание уделяется компьютерному моделированию с помощью популярной бесплатной программы LTspice. Следуя авторским рекомендациям, читатели смогут самостоятельно сконструировать и изготовить сварочные аппараты для ручной и полуавтоматической сварки, а желающие приобрести готовое устройство — сделать правильный выбор.

Диоды VD5, VD6 — типа Д112-25. Эти диоды можно установить на общем радиаторе типа О151. <...> Диод D1 — типа КД213Б. <...> Диод VD9—VD48 состоит из 40 параллельно включенных диодов КД213Б. <...> Возвратный диод VD49—VD54, состоящий из 6 параллельно включенных диодов, — КД213Б. <...> Вместо диодов типа BYT30PI600 использованы диоды 15ETH06, а вместо BYV54V200 — 80EBU02.

Предпросмотр: Создаем современные сварочные аппараты.pdf (2,3 Мб)
49

Электронные системы охраны

Автор: Кадино Эрве
М.: ДМК-Пресс

В книге французского автора рассматривается широкий спектр электронных систем охраны и сигнализации. Цель настоящего издания – дать детальное представление о всех звеньях охранного комплекса. Наряду с недорогими устройствами охраны помещений описаны самодельные конструкции для применения в быту: сигнализация при пожаре, датчики утечки воды, самые разнообразные противоугонные системы, программаторы для популярных контроллеров.

Пока в сети присутствует напряжение, диод D5 светится. <...> В этом случае диод D3 выполняет ту же функцию, что и диод D2. <...> ) диоды. <...> Диод 1N4001 относится к серии 1N400x (до 1N4007). <...> Диод 1N4001, как правило, применяется в низковольтных схемах и может быть заме' нен любым диодом из серии

Предпросмотр: Электронные системы охраны.pdf (12,8 Мб)
50

МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБРЫВА ЦЕПИ И КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ [Электронный ресурс] / Резниченко // Актуальные проблемы современной науки .— 2016 .— №1 (86) .— С. 187-190 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/411478

Автор: Резниченко

Материал содержит краткие теоритические сведения о микросхемах. Более подробно рассматривается принцип работы ее выводов. В статье описывается метод определения обрыва цепи и короткого замыкания.

верхнего диода (рисунок 4). <...> Тест контактирования – верхний диод Алгоритм проведения теста для верхнего диода: 1. <...> Измерить падение напряжение на диоде. 4. <...> Тест контактирвоания – нижний диод Алгоритм проведения теста (нижний диод): 1. <...> Измерить падение напряжение на диоде.

Страницы: 1 2 3 ... 101