Межслойное обменное взаимодействие в пленках (726,00 руб.)

Первый автор	Яковлев
Авторы	Варнаков С.Н., Рауцкий М.В., Исхаков Р.С.
Страниц	8

ID	959534
Аннотация	Межслойное обменное взаимодействие трехслойных эпитаксиальных пленок Fe3Si/ Ge/ Fe3Si исследовано методом ферромагнитного резонанса. Образцы с технологической толщиной слоя Ge tGe 1 и 4 нм были получены напылением из отдельных термических источников методом молекулярно- лучевой эпитаксии. Величина эффективной константы межслойного обменного взаимодействия J12 является положительной и равной 0. 7 эрг/ см2 при tGe = 1 нм, а при tGe = 4 нм становится отрицательной и равной по модулю 0. 18 эрг/ см2. Таким образом, в исследуемых структурах в зависимости от толщины промежуточного слоя реализуется либо ферромагнитный ( tGe = 1 нм) , либо антиферромагнитный ( tGe = 4 нм) тип межслойного обменного взаимодействия. DOI: 10. 7868/ S3034576626040075

Межслойное обменное взаимодействие в пленках / И.А. Яковлев [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2026 .— №7 .— С. 489-496 .— URL: https://rucont.ru/efd/959534 (дата обращения: 12.08.2026)