ГИГАГЕРЦОВЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ ОТКЛИК И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПРИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ КИРАЛЬНЫХ МЕТАПОВЕРХНОСТЕЙ И МЕТАСТРУКТУР С CdS, CdSe, GaAs, Si (726,00 руб.)

Первый автор	Крафтмахера
Авторы	Бутылкина В.С., Фишера П.С.
Страниц	11

ID	955664
Аннотация	В условиях свободного пространства в диапазоне 3−12 ГГц исследована трансформация резонансных откликов киральных метаструктур и метаповерхностей с полупроводниковыми включениями при фотовозбуждении. Применены цепочки мета- атомов ( планарных электропроводящих киральных кольцевых элементов с разрывами, нагруженными CdS- , CdSe- включениями) . Обнаружено, что при изменении мощности оптического излучения Pλ = 0−250 мВт ( λ = 0. 97 мкм) , направляемого оптоволокном в область определенного разрыва, в спектре коэффициента прохождения гигагерцовых волн происходит плавная селективная трансформация соответствующего резонансного отклика без изменения резонансных откликов других элементов в зависимости от геометрии и вида метаструктуры. Также были исследованы цилиндрические образцы на основе киральных многозаходных медных спиралей с полупроводниковыми сердечниками GaAs, Si: метадиполи ( мини- резонаторы) . Исследуемые структуры могут быть полезны для применений в управляемых фильтрах и антеннах; для экспресстестов, востребованных развитием новых технологий и разнообразием полупроводников.

Крафтмахера, Г.А. ГИГАГЕРЦОВЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ ОТКЛИК И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПРИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ КИРАЛЬНЫХ МЕТАПОВЕРХНОСТЕЙ И МЕТАСТРУКТУР С CdS, CdSe, GaAs, Si / Г.А. Крафтмахера, В.С. Бутылкина, П.С. Фишера // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования .— 2026 .— №2 .— С. 54-64 .— URL: https://rucont.ru/efd/955664 (дата обращения: 14.08.2026)