МЕМРИСТИВНЫЕ СОСТОЯНИЯ В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ, КОНТРОЛИРУЕМЫЕ ФОТО- ЭЛЕКТРО- ИНДУЦИРОВАННЫМИ ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ (726,00 руб.)

Первый автор	Панинa
Авторы	Емелинa Е.В., Капитановаb О.О., Буйловаa М.А., Сорокинa П.Б.
Страниц	8

ID	955661
Аннотация	Рассмотрены мемристивные состояния в низкоразмерных структурах на основе графена и халькогенидов переходных металлов, контролируемые структурными фазовыми переходами. Гетероструктуры графен/ оксид графена, биграфен- диаман, полученные облучением, сфокусированным электронным пучком, демонстрируют нелинейное поведение и энергонезависимые мемристивные состояния, контролируемые изменением sp3–sp2гибридизации атомов углерода. Моделирование модифицированной структуры биграфена и экспериментальная оценка доли sp3- гибридизованного углерода указывают на образование нанокластеров диамана в биграфене, плотность которых зависит от условий электронного облучения. Рассмотрены также фазовые переходы в халькогенидах переходных металлов при изменении их размерности и возможность формирования энергонезависимых мемристивных состояний для детектирования и энергоэффективной обработки электрических и оптических сигналов.

МЕМРИСТИВНЫЕ СОСТОЯНИЯ В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ, КОНТРОЛИРУЕМЫЕ ФОТО- ЭЛЕКТРО- ИНДУЦИРОВАННЫМИ ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ / Г.Н. Панинa [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования .— 2026 .— №2 .— С. 25-32 .— URL: https://rucont.ru/efd/955661 (дата обращения: 11.08.2026)