Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/ InGaAs, излучающими в диапазоне ∼ 1. 55мкм (726,00 руб.)

Первый автор	Лакунцова
Авторы	Климко Г.В., Седова И.В., Хахулин С.А., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Серов Ю.М., Веретенников А.И., Вейшторт Г.П., Мясоедов А.В., Сорокин С.В.
Страниц	10

ID	955482
Аннотация	В работе методами структурной и оптической характеризации исследованы гетероструктуры с квантовыми точками InAs/ InGaAs, излучающими в диапазоне длин волн ∼ 1. 55 мкм, содержащие метаморфные буферные слои InxGa1−xAs/ GaAs( 001) различной толщины и с различным профилем изменения состава, выращенные методом молекулярно- пучковой эпитаксии. Максимальная мольная доля In в слое переменного состава InxGa1−xAs составила xmax = 0. 44 при его толщине, изменяющейся в диапазоне от 220 до 1100 нм. Установлена взаимосвязь между наблюдаемыми особенностями в спектрах фотоотражения и фотолюминесценции c параметрами метаморфных гетероструктур. Показано, что наиболее высокоэнергетическая S- образная особенность в спектрах фотоотражения связана с переходами в инверсном слое InxGa1−xAs, расположенном вблизи поверхности структуры. Наблюдаемое в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции плечо на коротковолновой стороне широкого пика, связанного с излучением из квантовых точек InAs/ InGaAs, позволяет соотнести его с переходами из верхней части метаморфных буферных слоев InxGa1−xAs. DOI: 10. 7868/ S3034576626010015

Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/ InGaAs, излучающими в диапазоне ∼ 1. 55мкм / О.Е. Лакунцова [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2026 .— №1-2 .— С. 3-12 .— URL: https://rucont.ru/efd/955482 (дата обращения: 13.09.2026)