ИНДУЦИРОВАННЫЕ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ КВАНТОВЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДВУХСЛОЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ В ШИРОКИХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ (726,00 руб.)

Первый автор	Дорожкин
Страниц	10

ID	952197
Аннотация	При помощи емкостного и магнитотранспортного методов исследованы электронные системы в квантовых ямах GaAs шириной W = 50, 60 нм, образованные в нулевом магнитном поле двумя слоями двумерных электронов. Установлено, что в квантовом пределе по магнитному полю ( т. е. при полных факторах заполнения спиновых подуровней спектра Ландау ν 2) такие системы переходят в однослойные состояния, демонстрирующие квантовый эффект Холла ( КЭХ) при значениях ν = 2, 1, 2/ 3, т. е. в условиях, когда состояния КЭХ, имеющие щель в энергетическом спектре ( несжимаемые состояния) , формируются всеми электронами системы. Обнаружено, что в квантовых ямах шириной 50 нм при отклонении магнитного поля от нормали к плоскости квантовой ямы в области факторов заполнения 1 < ν< 2 дополнительно может возникать двухслойное состояние, обусловленное образованием несжимаемого состояния электронами слоя с большей плотностью при заполнении ими только одного нижнего спинового подуровня ( т. е. при факторе заполнения в этом слое νFL = 1) . В квантовой яме шириной 60 нм такое двухслойное состояние существует и в перпендикулярном поле, а также при νFL = 2/ 3. Определены условия, при которых при изменении магнитного поля происходит последовательность квантовых фазовых переходов между двухслойными и однослойными состояниями электронных систем в изученных широких квантовых ямах.

Дорожкин, С.И. ИНДУЦИРОВАННЫЕ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ КВАНТОВЫЕ ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДВУХСЛОЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ В ШИРОКИХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ / С.И. Дорожкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2026 .— №2 .— С. 233-242 .— URL: https://rucont.ru/efd/952197 (дата обращения: 17.06.2026)