Р О С С И Й С К А Я А К А Д Е М И Я Н А У К
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА
Том 58
А В Т О М Е Т Р И Я
2022
НОЯБРЬ — ДЕКАБРЬ
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО/НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Галкин Н. Г., Горошко Д. Л., Ткаченко И. А., Галкин К. Н. Ферромагнетизм самоупорядоченных
наностержней α-FeSi2 на вицинальной поверхности Si(111)-4◦ от 2 до 300 К . . . . . .
Антонов В. А., Попов В. П., Тарков С. М., Мяконьких А. В., Ломов А. А., Руденко
К. В. Перенос тонких плёнок кремния с SiO2 и HfO2 на С-сапфир: влияние толщины
подложки на сегнетоэлектрические свойства диоксида гафния . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Пономарев С. А., Захожев К. Е., Рогило Д. И., Курусь Н. Н., Щеглов Д. В., Милёхин
А. Г., Латышев А. В. Ван-дер-ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого
SnSe2 на поверхностях Si(111) и Bi2Se3(0001) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Тимофеев В. А., Машанов В. И., Никифоров А. И., Скворцов И. В., Лошкарев И. Д.,
Коляда Д. В., Фирсов Д. Д., Комков О. С. Особенности оптических переходов в множественных
квантовых ямах GeSiSn/Si . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Рубцова Н. Н., Ковалёв А. А., Ледовских Д. В., Преображенский В. В., Путято М. А.,
Семягин Б. Р. Исследование полупроводниковых квантовых ям, связанных туннелированием
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ В ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЯХ
Пещерова С. М., Осипова Е. А., Чуешова А. Г., Колесников С. С., Рыбьяков М. Ю.,
Кузнецов А. А., Аршинский В. Л. Метод быстрой идентификации параметров ориентации
мультикристаллического кремния . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Романов В. В., Кожевников В. А., Яшин Ю. П., Баграев Н. Т., Руль Н. И. Анализ
экспериментальной кривой намагниченности кремниевого наносандвича с использованием
численного моделирования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Кудрич С. В., Спирина А. А., Шварц Н. Л. Формирование капель золота и их движение по
поверхности Si(111): моделирование Монте-Карло . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ОПТИЧЕСКИЕ И ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ, СИСТЕМЫ И ТЕХНОЛОГИИ
Чиж К. В., Арапкина Л. В., Дубков В. П., Ставровский Д. Б., Юрьев В. А., Сторожевых
М. С. Структуры PtSi/поли-Si для ИК-приёмников: исследование процессов формирования
и разработка метода изготовления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Латухина Н. В., Нестеров Д. А., Полуэктова Н. А., Шишкина Д. А., Услин Д. А.
Влияние покрытий, содержащих ионы редкоземельных элементов, на фотоэлектрические характеристики
структур с пористым кремнием . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИЗМЕРЕНИЙ
Черкова С. Г., Володин В. А., Скуратов В. А., Stoffel M., Rinnert H., Vergnat M. ИКфотолюминесценция
кремния, облучённого высокэнергетичными ионами Хе, после отжигов
98
Коношенко П. Е., Микерин С. Л., Корольков В. П. Исследование зависимости показателя
преломления экспонированных позитивных фоторезистов от условий предварительной
термической обработки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
Указатель статей, опубликованных в журнале «Автометрия» в 2022 году . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
НОВОСИБИРСК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ РАН
79
90
54
64
71
Володин В. А., Zhang F., Юшков И. Д., Yin L., Камаев Г. Н. Нестехиометрические германосиликатные
плёнки на кремнии для микроэлектроники: мемристоры и другие применения
3
4
12
21
28
37
42
ВЫХОДИТ 6 РАЗ В ГОД
№ 6
Стр.2
ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР С. К. Турицын
ЗАМЕСТИТЕЛИ ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА: С. А. Бабин (первый заместитель),
О. И. Потатуркин, С. М. Борзов, В. П. Косых
ОТВЕТСТВЕННЫЙ СЕКРЕТАРЬ В. П. Корольков
РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:
Алехандро Асевес (США), Н. Берлофф (Великобритания) С. Вабниц (Италия),
С. Варшней (Индия), И. Р. Габитов (США), Ф. Грёлю (Франция), В. П. Драчев,
Н. Н. Евтихиев, А. М. Желтиков (США), Коста де Ангелис (Италия), М. М. Лаврентьев,
О. Е. Наний, Ю. Рао (Китай), Э. У. Рафаилов (Великобритания), М. Ю. Сумецкий
(Великобритания), В. Супрадеепа (Индия), Н. В. Суровцев, А. В. Тайченачев, Ю. Фенг (КНР),
А. А. Фотиади (Бельгия), П. Чжоу (КНР), Д. В. Чуркин, А. В. Шафаренко (Великобритания)
РЕДАКЦИОННЫЙ СОВЕТ:
М. П. Федорук (председатель), В. П. Бессмельцев, И. В. Бычков, Н. А. Винокуров,
Ю. Н. Золотухин, Г. Н. Кулипанов, Ю. Н. Кульчин, А. В. Латышев, В. К. Малиновский,
Д. М. Маркович, Е. С. Нежевенко, В. А. Сойфер, А. А. Спектор, Ю. В. Чугуй,
А. М. Шалагин, Ю. И. Шокин
УЧРЕДИТЕЛИ ЖУРНАЛА:
Сибирское отделение РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
Заведующая редакцией Р. П. Швец
Ответственный за выпуск доктор физико-математических наук А. Г. Милёхин
Подготовлено к печати Сибирским отделением РАН
Подписано в печать 30.11.2022. Выход в свет 30.12.2022. Формат (60 Ч 84) 1/8. Усл. печ. л. 13,95.
Уч.-изд. л. 11,2. Тираж 100 экз. Свободная цена. Заказ № 352.
Регистрационный номер ПИ № ФС77-83391 от 24.06.2022
выдан Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий
и массовых коммуникаций
Адрес редакции: Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
просп. Академика Коптюга, 1, Новосибирск 630090,
тел. 8(383) 330-79-38, E-mail: automr@iae.nsk.su
Сибирское отделение РАН
630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 17
Отпечатано в Сибирском отделении РАН
630090, г. Новосибирск, Морской просп., 2
тел. 8 (383) 330-84-66
E-mail: e.lyannaya@sb-ras.ru https://www.sibran.ru
-c Сибирское отделение РАН, 2022
-c Институт автоматики и
электрометрии СО РАН, 2022
-c Новосибирский национальный
исследовательский государственный
университет, 2022
Стр.3