ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР А. М. ШАЛАГИН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
ЗАМЕСТИТЕЛИ ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА: Ю. Н. ЗОЛОТУХИН,
В. К. МАЛИНОВСКИЙ
ОТВЕТСТВЕННЫЙ СЕКРЕТАРЬ
А. Л. АСЕЕВ
С. А. БАБИН
С. М. БОРЗОВ
И. В. БЫЧКОВ
В. П. КОСЫХ
Г. Н. КУЛИПАНОВ
Ю. Н. КУЛЬЧИН
А. В. ЛАТЫШЕВ
Д. М. МАРКОВИЧ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. П. БЕССМЕЛЬЦЕВ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:
Новосибирский государственный университет
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт динамики систем
и теории управления им. В. М. Матросова СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
Дальневосточное отделение РАН
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН
Е. С. НЕЖЕВЕНКО Институт автоматики и электрометрии СО РАН
О. И. ПОТАТУРКИН Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. А. СОЙФЕР
А. А. СПЕКТОР
С. К. ТУРИЦЫН
Институт систем обработки изображений РАН
Новосибирский государственный технический университет
Г. Е. ФАЛЬКОВИЧ
Ю. В. ЧУГУЙ
Ю. И. ШОКИН
Институт фотонных технологий
университета Астон, Великобритания
Институт Вейцмана, Израиль
Конструкторско-технологический институт
научного приборостроения СО РАН
Институт вычислительных технологий СО РАН
УЧРЕДИТЕЛИ ЖУРНАЛА:
Сибирское отделение РАН,
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Ответственный за выпуск доктор физико-математических наук А. Г. Милёхин
Заведующая редакцией Р. П. ШВЕЦ
Сдано в набор 06.08.2020. Подписано в печать 30.09.2020. Выход в свет 30.10.2020.
Формат (60 Ч 84) 1/8. Офсетная печать. Усл. печ. л. 13,95. Усл. кр.-отт. 11,2. Уч.-изд. л. 11,2.
Тираж 209 экз. Свободная цена. Заказ № 138.
Журнал зарегистрирован в Министерстве РФ по делам печати, телерадиовещания
и средств массовых коммуникаций 31.05.2002.
Свидетельство ПИ № 77-12809
Адрес редакции: Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
просп. Академика Коптюга, 1, Новосибирск 630090,
тел. 8(383) 330-79-38, E-mail: automr@iae.nsk.su
http://sibran.ru
Издательство СО РАН, Морской просп., 2, Новосибирск 630090.
Отпечатано на полиграфическом участке Издательства СО РАН
-c Сибирское отделение РАН,
-c Институт автоматики и
электрометрии СО РАН, 2020
Стр.2
Р О С С И Й С К А Я А К А Д Е М И Я Н А У К
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА
Том 56
А В Т О М Е Т Р И Я
2020
СЕНТЯБРЬ — ОКТЯБРЬ
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Пономарев С. А., Рогило Д. И., Петров А. С., Щеглов Д. В., Латышев А. В. Кинетика
травления поверхности Si(111) молекулярным пучком селена . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Ремесник В. Г., Сабинина И. В.,
Сидоров Ю. Г., Швец В. А., Якушев М. В., Латышев А. В. Современное состояние
и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Дерябин А. С., Долбак А. Е., Есин М. Ю., Машанов В. И., Никифоров А. И., Пчеляков
О. П., Соколов Л. В., Тимофеев В. А. Молекулярно-лучевая эпитаксия напряжённых
наногетероструктур на основе Si, Ge, Sn. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Журавлев К. С., Протасов Д. Ю., Бакаров А. К., Торопов А. И., Гуляев Д. В., Лапин
В. Г., Лукашин В. М., Пашковский А. Б. Новый тип гетероструктур для мощных
pHEMT-транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Малин Т. В., Милахин Д. С., Мансуров В. Г., Кожухов А. С., Протасов Д. Ю., Лошкарев
И. Д., Журавлев К. С. Рост нитридных гетероэпитаксиальных транзисторных
структур: от эпитаксии буферных слоёв до пассивации поверхности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Сидоров Г. Ю., Горшков Д. В., Сидоров Ю. Г., Сабинина И. В., Варавин В. С. Влияние
обработки поверхности на плотность заряда на границе раздела эпитаксиальных плёнок
GdHgTe и Al2O3, выращенного методом атомно-слоевого осаждения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Емельянов Е. А., Петрушков М. О., Путято М. А., Лошкарев И. Д., Васев А. В., Семягин
Б. Р., Преображенский В. В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдого раствора
InAsSb: влияние скорости роста на состав эпитаксиальных слоёв . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Милёхин А. Г., Дуда Т. А., Родякина Е. Е., Аникин К. В., Кузнецов С. А.,
Milekhin I. A., Zahn D. R. T., Латышев А. В. Плазмон-усиленная колебательная спектроскопия
полупроводниковых нанокристаллов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Рябцев И. И., Митянин К. Ю., Бетеров И. И., Третьяков Д. Б., Энтин В. М., Якшина
Е. А., Альянова Н. В., Неизвестный И. Г. Квантовые вычисления на основе
одиночных ультрахолодных атомов в оптических ловушках. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Гайслер В. А., Деребезов И. А., Гайслер А. В., Дмитриев Д. В., Торопов А. И.,
Качанова М. М., Живодков Ю. А., Кожухов А. C., Щеглов Д. В., Латышев А. В.
Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур . . . . . . . . . . . . . . .
Рубцова Н. Н., Борисов Г. М., Ковалев А. А., Ледовских Д. В., Преображенский В. В.,
Путято М. А., Семягин Б. Р., Кузнецов С. А., Пивцов В. С. Свойства квантовых
ям и их применение в фемтосекундных лазерах ближнего ИК-диапазона с субгигагерцовой
частотой следования импульсов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Щеглов Д. В., Ситников С. В., Федина Л. И., Рогило Д. И., Кожухов А. С., Латышев
А. В. От самоорганизации моноатомных ступеней на поверхности кремния к субнанометровой
метрологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
64
72
81
4
12
27
36
44
52
58
3
ВЫХОДИТ 6 РАЗ В ГОД
№ 5
91
98
Боев М. В., Брагинский Л. С., Ковалёв В. М., Магарилл Л. И., Махмудиан М. М.,
Энтин М. В. Транспортные свойства двумерных топологических изоляторов и экситонных
конденсатов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
Стр.3
2
АВТОМЕТРИЯ. 2020. Т. 56, № 5
Тарасов А. С., Голяшов В. А., Ищенко Д. В., Ахундов И. О., Климов А. Э., Эпов В. С.,
Кавеев А. К., Супрун С. П., Шерстякова В. Н., Терещенко О. Е. Эффект поля и
спин-вентильный эффект в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe . . . . . . . . . . . . 121
ИЗДАТЕЛЬСТВО СО РАН
НОВОСИБИРСК
2020
Стр.4