Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. <...> Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. <...> Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. <...> Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. <...>
Микроэлектроника_№2_2018.pdf
СОДЕРЖАНИЕ
Том 47, номер 2, 2018
КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ
Генерация и концентрирование терагерцевого излучения в микрорезонаторе с открытой
квантовой точкой
А. В. Цуканов, И. Ю. Катеев
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Электрофизические параметры и спектры излучения плазмы трихлорида бора
Д. Б. Мурин, А. В. Дунаев
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Автоэмиссионные свойства наноструктурированных кремниевых катодных матриц
Р. К. Яфаров, С. Ю. Суздальцев, В. Я. Шаныгин
Влияние технологических режимов на электрофизические свойства пленок легированного
полиакрилонитрила частицами металлов
Т. А. Бедная, С. П. Коноваленко
Атомно-слоевoe осаждение нитрида алюминия с использованием
трис(диэтиламидо)алюминия и гидразина или аммиака
А. И. Абдулагатов, Ш. М. Рамазанов, Р. С. Даллаев, Э. К. Мурлиев, Д. К. Палчаев,
М. Х. Рабаданов, И. М. Абдулагатов
ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Инфракрасные детекторы с барьером Шоттки, чувствительные к излучению с энергией
квантов больше высоты потенциального барьера
Э. А. Керимов, Н. Ф. Казымов, С. Н. Мусаева
Частотные характеристики нитрид-галлиевых полевых транзисторов с ловушками
в барьерном слое
А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, О. А. Рубан
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Элемент совпадения на основе ячейки памяти STG DICE для ассоциативных запоминающих
устройств, сбоеустойчивых к воздействиям одиночных ядерных частиц
Ю. В. Катунин, В. Я. Стенин
Вниманию авторов
158
175
146
153
115
124
106
93
131
Стр.1