20, №2 УДК 519.676, 519.245, 539.2 Стохастическая модель роста нановискеров методом молекулярно-лучевой эпитаксии∗ К.К. Сабельфельд, Е.Г. Каблукова Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения Российской академии наук, просп. <...> М.А. Лаврентьева, 6, Новосибирск, 630090 E-mails: karl@osmf.sscc.ru (Сабельфельд К.К.), kablukovae@sscc.ru (Каблукова Е.Г.) Сабельфельд К.К., Каблукова Е.Г. Стохастическая модель роста нановискеров методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Сиб. журн. вычисл. математики / РАН. <...> В работе предложена стохастическая модель роста нановискеров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе вероятностных механизмов поверхностной диффузии, взаимного затенения, перерассеяния адатомов и вероятности выживания. <...> На основе данной модели построен алгоритм прямого моделирования, позволивший численно исследовать кинетику роста нановискеров с начального распределения высот от десятков нанометров до высот порядка нескольких тысяч нанометров, при этом временн´ ой диапазон соответствует экспериментальному выращиванию нановискеров вплоть до 3– 4 часов. <...> В данной работе нами сформулировано утверждение, получившее подтверждение в расчетах: при определенных условиях, вполне реализуемых в реальных экспериментах, распределение по высотам сужается, т. е. в ансамбле нановискеров высоты со временем все более выравниваются. <...> Для этого необходимо, чтобы начальное распределение по радиусам было узким, а плотность заполнения была не очень высокой. <...> DOI: 10.15372/SJNM20170206 Ключевые слова: нановискеры, адатомы, диффузия по поверхности, вероятность выживания, многократное рассеяние, устойчивое распределение по высотам. <...> A stochastic model of the nanowires growth by molecular beam epitaxy // Siberian J. <...> In this paper a stochastic model of the nanowire growth by molecular beam epitaxy based on probability mechanisms of surface diffusion, mutual shading, adatoms rescattering and survival probability is proposed. <...> A direct simulation algorithm based on this model is implemented, and a comprehensive study of the growth kinetics of a family of nanowires initially distributed at a height of about <...>