УДК 537.322.11 ТЕРМО-ЭДС В Ag-Pd ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СФОКУСИРОВАННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА АЛЕКСАНДРОВ В. А. <...> Экспериментально исследована термо-ЭДС в серебро-палладиевых толстопленочных резисторах при локальном нагревании их поверхности излучением полупроводникового лазера. <...> Величина сигнала термо-ЭДС является максимальной при облучении лазером границ контактов резистивной пленки с электродами, знак сигнала зависит от полярности включения резисторов в измерительную схему и расположения пятна лазера на границах электродов и краях неоднородностей в материале резистивной пленки. <...> Термо-ЭДС в резисторах при воздействии на поверхность периодическими импульсами лазера имеет постоянную и импульсную составляющие. <...> Частота и длительность фронта термоэлектрических однополярных импульсов на электродах резисторов равны, соответственно, частоте и длительности импульсов лазера. <...> В серебро-палладиевых толстопленочных резисторах термо-ЭДС чувствительна к взаимодействию с водородом, восстановляющим оксид палладия на поверхности резистивной пленки. <...> Термоэлектрические явления обнаружены также в рутениевом чип-резисторе и в тонкопленочной резистивной структуре хром-медьникель при сканировании поверхности лучом лазера. <...> Термо-ЭДС в пленочных резисторах при воздействии лазерным излучением объясняется эффектом Зеебека при локальном нагревании области контактов электродов с резистивной пленкой, образующих распределенные плоские термопары. <...> В толстопленочных резисторах в качестве функциональных материалов используются различные оксиды металлов, например оксид олова SnO2, оксид рутения RuO2, оксид палладия PdO и др. <...> Исследования фотогальванических эффектов при воздействии импульсами лазера в серебро-палладиевых (Ag-Pd) толстопленочных резисторах [1 – 4], сформированных путем последовательного нанесения и вжигания проводниковой и резистивной паст на керамическую <...>