ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ FUNDAMENTAL RESEARCHES УДК 537.621:537.624 DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-2-109-119 Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения А. <...> А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва, Россия gddemin@gmail.com Использование спин-диодного эффекта, возникающего в магнитных туннельных переходах под действием токовой передачи вращательного момента, открывает перспективу значительного повышения микроволновой чувствительности по сравнению с полупроводниковыми диодами Шоттки в гигагерцовом диапазоне частот. <...> Проведен теоретический анализ спин-диодного эффекта выпрямления микроволнового сигнала на магнитном туннельном переходе при резонансном возбуждении спиновых колебаний в незакрепленном магнитном слое в результате токовой передачи вращательного момента. <...> В линейном макроспиновом приближении рассчитаны частотные характеристики резонансного отклика спинового диода на микроволновый сигнал в зависимости от направления и величины приложенного магнитного поля и тока смещения. <...> Показано, что в отсутствие тока смещения максимальное выпрямленное напряжение на переходе достигается при взаимно перпендикулярной геометрии намагничивания его берегов и падает с ростом резонансной частоты колебаний в магнитном поле при сохранении равновесной ориентации спинов в слоях. <...> При включении тока смещения резонансная амплитуда вынужденных колебаний спинов свободного слоя при микроволновом возбуждении резко возрастает вблизи критической точки потери устойчивости равновесного состояния спинового диода. <...> В этой точке ширина линии ограничивается только нелинейными эффектами. <...> Ключевые слова: магнитный туннельный переход; переносимый вращательный момент; спиновый диод; макроспиновая модель; ферромагнитный резонанс; микроволновая чувствительность. <...> Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения // Изв. вузов <...>