Pw, 85.60.Gz Получение и исследование анодных оксидных пленок и фотодиодных структур на основе антимонида индия Е. А. Кожаринова, Н. И. Батырев, Л. А. Костышина, Е. В. Умникова Выращены анодные оксидные плёнки на подложках InSb в электролитах на основе гидроксида калия, персульфата аммония и сернистого натрия. <...> Изготовлены фоточувствительные элементы и проведена их термообработка. <...> По измеренным ВАХ p–n-переходов установлено, что высокое качество изделий, соизмеримое с базовым (Na2S) вариантом, формируется в электролите на основе персульфата аммония. <...> Показана возможность увеличения предела термической стойкости фотодиодных структур InSb до 190 оС при использовании этого электролита. <...> Ключевые слова: фотодиод, структура, антимонид индия, электролит, анодная оксидная плёнка, АОП, качество плёнок, пробивное напряжение, темновой ток, термостойкость. <...> Для регистрации излучения в ИК-области спектра (3–5 мкм) широко используются фотодиоды (ФД) на основе InSb. <...> Она выражается в пробивных напряжениях p–n-переходов, измеренных после термообработки фоточувствительных элементов, и зависит от качества защиты p–n-переходов. <...> В структурах антимонида индия защита осуществляется с помощью двухслойного диэлектрика (см. рис. <...> Нижним слоем является анодная оксидная пленка (АОП), которую выращивают на Кожаринова Елена Анатольевна1, ведущий инженертехнолог. <...> Статья поступила в редакцию 16 марта 2017 г. © Кожаринова Е. А., Батырев Н. И., Косышина Л. А., Умникова Е. В., 2017 поверхности InSb в электролите. <...> Для этого успешно используют электролит на основе сернистого натрия Na2S [3, 4]. <...> Такая пленка обеспечивает высокое качество границы InSb-АОП и требуемые параметры фотодиодов. <...> Структура матричного фоточувствительного элемента на основе InSb. <...> Температура начала деградации фоточувствительных структур не превышает 120–130 оС. <...> Повышение термостойкости АОП позволило бы увеличить температуру операций при изготовлении фотодиодов и, тем самым, уменьшить процент <...>