УДК 53.082.743 МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ НАНОЭЛЕМЕНТЫ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ1 С. И. Касаткин, Н. П. Васильева, А. М. Муравьев, Н. В. Плотникова, Д. В. Вагин Представлены результаты разработки магниторезистивных наноэлементов на основе многослойных металлических ферромагнитных наноструктур, включающие создание комплекса контрольно-измерительной аппаратуры, проектирование и исследование этих наноэлементов и приборов на их основе. <...> В. А. Трапезникова РАН в течение ряда лет ведется разработка магниторезистивных (МР) наноэлементов на основе многослойных металлических ферромагнитных наноструктур и приборов на их основе — одного из наиболее активно развиваемых в мире наукоемких направлений магнитной наноэлектроники [1, 2]. <...> Данное направление включает в себя: МР запоминающие устройства с произвольной выборкой (ЗУПВ) на основе запоминающих элементов (ЗЭ) [3] и логических наноэлементов (ЛЭ) [4, 5]; датчики магнитного поля и тока [6]; головки считывания; гальванические развязки; спиновые транзисторы [7]; биосенсоры [8]. <...> МР наноэлементы обладают достоинствами, характерными для всех магнитных элементов, — энергонезависимостью, неограниченным числом циклов перезаписи для ЗЭ, широким температурным диапазоном, радиационной стойкостью, — но к ним добавляется работоспособность при субмикронных размерах. <...> В последние годы в МР наноэлементах используют анизотропный (АМР) и две разновидности гигантского МР эффекты: спин-вентильный МР (СВМР) и спин-туннельный МР (СТМР) эффекты. <...> Коэффициент АМР эффекта достигает 2,5 %, СВМР эффект — десятков процентов, а для СТМР эффекта уже получены значения до нескольких сотен процентов. <...> Использование многослойных наноструктур приводит к многократному уменьшению гистерезиса и увеличению устойчивости магнитного состояния, что, в свою очередь, позволяет перейти к субмикронным размерам элементов. <...> Улучшение характеристик и расширение функциональных возможностей МР наноэлементов, связанные <...>