КОНСТРУИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 681.586’33.72 О ПОКАЗАТЕЛЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КОНСТРУКЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ Е. В. <...> Игнатьева, Ю. А. Михайлов Введено понятие показателя чувствительности конструкции Пкч и изложена методика расчета толщины мембраны кремниевых интегральных преобразователей давления различных типономиналов. <...> Кристаллы кремниевых интегральных преобразователей давления (ИПД), изготавливаемые на основе технологий микросистемной техники и выпускаемые НПК “Технологический центр” МИЭТ, применяются в составе датчиков давления для преобразования измеряемой механической величины в электрический сигнал. <...> Кристалл состоит из толстой несущей части и тонкого упругого элемента (УЭ) в виде мембраны, полученного путем локального анизотропного травления кремния с обратной стороны кристалла. <...> На лицевой стороне кристалла в теле УЭ сформированы четыре ионнолегированных тензорезистора p-типа проводимости, объединенных в мостовую схему, а на несущей части размещена схема термокомпенсации (биполярный n-p-n-транзистор и резистивный делитель). <...> Различные типономиналы по давлению реализуются путем изменения толщины мембраны; остальные конструктивные параметры кристаллов, такие, как размеры мембраны и жесткого центра, расположение тензорезисторов, схема термокомпенсации чувствительности, сохраняются неизменными для всех типономиналов ИПД. <...> В работах [1—4], приводятся эмпирические данные по толщине мембраны для различных типономиналов. <...> Однако для проектирования нового типа кристалла ИПД необходима методика расчета толщины мембраны и сопоставление нескольких конструкций ИПД на основе комплексного параметра. <...> Удельная чувствительность УЭ [5] для кристалла с плоской Тензорезисторы Кремниевая мембрана мембраной квадратной формы (рис. <...> 1) зависит от его геометрических размеров следующим образом: Sуд = 0,126π44 (1 – µ), (1) aм 2 -----dм 2 где Sуд — чувствительность <...>