Представляет Институт проблем управления РАН УДК 53.082.743 ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ НАНОЭЛЕМЕНТЫ ДЛЯ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ1 С. И. Касаткин, А. М. Муравьев, Н. В. Плотникова, В. В. Амеличев, В. В. Дягилев, И. А. Гамарц, В. В. Лопатин, А. Н. Сауров Представлены результаты разработки для систем контроля тонкопленочных анизотропных магниторезистивных наноэлементов на основе многослойных металлических ферромагнитных наноструктур и исследования этих наноэлементов в Институте проблем управления РАН и НПК “Технологический Центр” МИЭТ. <...> Ключевые слова: магниторезистивный датчик, анизотропный магниторезистивный эффект, многослойные металлические ферромагнитные наноструктуры. <...> ВВЕДЕНИЕ Магниторезистивные (МР) элементы на основе многослойных металлических наноструктур — часть спинтроники, имеющая как практические результаты, так и прекрасные перспективы. <...> Данное направление магнитной спинтроники базируется на последних достижениях фундаментальных исследований в области магнетизма тонких пленок и интегральной планарной технологии. <...> Оно включает исследование МР запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУПВ) на основе МР запоминающих элементов (ЗЭ) [1] и логических наноэлементов (ЛЭ) [2], датчиков магнитного поля и электрического тока [3], головок считывания [4], гальванических развязок, спиновых транзисторов [5], биосенсоров [6]. <...> МР наноэлементы обладают достоинствами, характерными для всех магнитных элементов: энергонезависимостью и неограниченным числом циклов перезаписи для ЗЭ, широким температурным диапазоном, радиационной стойкостью, стойкостью к электромагнитным воздействиям, но к ним добавляется работоспособность при субмикронных размерах. <...> Использование многослойных наноструктур приводит к многократному уменьшению гистерезиса и увеличению устойчивости магнитного состояния наноэлемента, что, в свою очередь, позволяет перейти к субмикронным размерам элементов <...>