УДК 681.5.621.357.7 СИСТЕМА ОПТИМАЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ВАННОЙ С ТОКОНЕПРОВОДЯЩИМ ЭКРАНОМ О. М. <...> Проталинский, Ю. В. Литовка, А. А. Пашкевич Описана система управления процессом нанесения гальванического покрытия в электролитической ячейке с токонепроводящим экраном. <...> При нанесении гальванических покрытий для получения равномерного слоя металла-покрытия помимо приемов, описанных в работах [1—4], целесообразно использовать еще один метод повышения равномерности — применение токонепроводящего перфорированного экрана между анодом и деталью-катодом. <...> Это позволяет, подобрав параметры экрана, получить более равномерное покрытие. <...> Необходимо, однако, разработать систему оптимального управления гальванической ванной с токонепроводящим экраном. <...> Пусть заданы размеры электролитической ячейки (гальванической ванны): форма, размеры и размещение в ванне анода и детали-катода. <...> Заданы также форма и размеры токонепроводящего экрана с круглыми отверстиями и его размещение между анодом и катодом. <...> Необходимо найти число N отверстий, их диаметры Di, i = 1, 2, ., N и координаты центров отверстий xi, yi, i = 1, 2, ., N, при которых неравномерность полученного покрытия будет минимальной. <...> Оценим неравномерность следующим выражением: R = ∫ δ xyz ,, Sk -------------------------------------() δmin– δmin - dSk,(1) где Sk — площадь поверхности катода; δ(x, y, z) — толщина покрытия в точке катода с пространственными координатами (x, y, z); δmin — минимальная толщина покрытия (δmin l δзад, где δзад — заданная толщина покрытия). <...> Здесь: T — время нанесения покрытия; Э — электрохимический эквивалент металла покрытия; ρ — плотность металла покрытия; η — катодный выход по току; ik — катодная плотность тока; τ — текущее время; χ — электропроводность электролита; ϕ — потенциал электрического поля в любой точке гальванической ванны с координатами (x, y, z); Sи — площадь поверхности изолятора; n — нормаль к поверхности изолятора; Sa — площадь поверхности анода; F1 — функция анодной <...>