УДК 621.3.049.776:62-524 РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ В ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ Р. Р. <...> Бабаян, В. П. Морозов Рассмотрена математическая модель тепловых процессов в гибридных микросхемах, позволяющая сократить время счета при проектировании. <...> Повышение степени интеграции гибридных интегральных микросхем (ГИС) требует расчета условий отвода тепла и решения задач стабилизации температуры [1]. <...> Расчет температур элементов конструкции ГИС возможен с помощью уравнения для теплового потока, аналогичного закону Ома. <...> Достоинства моделирования на основе электрических аналогий тепловых процессов — сравнительная простота и дешевизна. <...> Недостатки — невысокая точность и неудобства при использовании метода в системах автоматизированного проектирования (САПР) ГИС. <...> Рассмотрим ГИС металлостеклованной или бескорпусной конструкции (рис. <...> 1) с подложкой, приклеенной к основанию корпуса или к теплоотводящей шине. <...> Такая конструкция ГИС характеризуется прямоугольной многослойной структурой, в которой 1 23 4 2 3 5 кондуктивный теплообмен осуществляется с одной или обеих больших поверхностей подложки в любой комбинации с торцами. <...> При выборе тепловой модели ГИС считаем, что влиянием теплопроводности и толщины тонких пленок на температурное поле ГИС можно пренебречь. <...> Пленочные тепловыделяющие элементы заменим плоскими источниками тепла. <...> Такие допущения правомерны, так как тонкопленочные элементы имеют толщину на 3—6 порядков меньшую, чем толщина подложки, и, следовательно, изменяют теплопроводность подложки не более, чем на 1 %. <...> Общей тепловой моделью такой конструкции ГИС служит двухслойный прямоугольный параллелепипед, на одной из больших граней которого находятся плоские прямоугольные источники тепла (рис. <...> Коэффициенты теплопроводности материалов слоев обозначим λ1 и λ2. <...> Как показал численный эксперимент на конечно-разностной модели, влияние коэффициента конвективной теплоотдачи α с поверхности подложки <...>