В. Ю. Кнеллеp УДК 621.3.049.77.53.089.52 ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ДАТЧИКОВ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ СО СТРУКТУРОЙ ЭЛЕКТРОД–ДИЭЛЕКТРИК–ПОЛУПРОВОДНИК1 Б. И. Подлепецкий Представлены обобщенные данные по разработкам полупроводниковых датчиков дозы ионизирующего излучения, концентраций ионов в электролитах и молекул водородосодержащих газов с чувствительными элементами (ЧЭ) на основе полевых транзисторов со структурой электрод-диэлектрик-полупроводник. <...> Рассмотрены общие закономерности физических принципов работы транзисторных ЧЭ, их электрические, физические, электрофизические модели и схемотехнические модели датчиков на основе таких ЧЭ, а также конструктивно-технологические особенности транзисторных ЧЭ каждого типа датчиков. <...> Дана оценка перспектив создания интегральных датчиков, приборов и микросистем на основе транзисторных ЧЭ. <...> Ключевые слова: чувствительные элементы на полевых транзисторах со структурой электрод-диэлектрик-полупроводник, электрофизическая модель, конструктивно-технологические и эксплуатационные характеристики. <...> ВВЕДЕНИЕ К настоящему времени на основе транзисторов со структурой электрод-диэлектрик-полупроводник (ЭДПТ) разработаны не только активные элементы интегральных микросхем, но и чувствительные элементы датчиков и измерительных приборов. <...> Показано, что ЭДПТ чувствительны к изменению многих величин: температуры, механического напряжения, мощности световых излучений и радиации, влажности, концентраций ионов и атомов в жидкости и концентраций молекул газов, поэтому ЭДПТ можно рассматривать как многофункциональный чувствительный элемент (ЧЭ) датчиков различных физических величин. <...> Принцип работы ЭДПТ основан на “эффекте поля” — модуляции электрической проводимости приповерхностного слоя полупроводника под действием перпендикулярного к поверхности полупроводника электрического поля. <...> Однако из-за отсутствия особо чистых полупроводниковых <...>