УДК 681.586.773:66.018.86 МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ ВОЗДЕЙСТВИЯ РАДИАЦИИ НА ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫЕ ДАТЧИКИ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН А. Ю. <...> Никифоров, Д. В. Бойченко, О. А. Калашников, А. С. Артамонов, Д. В. Бобровский, А. А. Демидов, В. А. Полунин, А. И. Шереметьев Представлены результаты расчетного моделирования и экспериментального исследования радиационного поведения пьезорезистивных датчиков механических величин на основе кремния и карбида кремния при воздействии импульсного ионизирующего излучения. <...> Предложены методы повышения стойкости пьезорезистивных датчиков к эффектам мощности дозы. <...> Подавляющее большинство современных датчиков механических величин (ДМВ) построено на основе мостовых первичных преобразователей (ПП) пьезорезистивного типа на кремнии и карбиде кремния (SiC). <...> Оценку радиационной стойкости ДМВ необходимо проводить по следующим основным видам эффектов, возникающих под действием заданных радиационных факторов: — эффекты смещения (структурные повреждения) под действием флюенсов нейтронов и протонов; — поверхностные ионизационные (дозовые) эффекты, возникающие вследствие гамма, электронного и протонного ионизирующих излучений (ИИ); — объемные ионизационные эффекты (мощности дозы) под действием импульса ИИ. <...> Эффекты смещения (дефектообразования), вызываемые действием флюенса нейтронов, способны вызвать деградацию параметров ДМВ по двум основным причинам: из-за увеличения проводимости (уменьшения сопротивления) изолирующего окисла вследствие накопления структурных повреждений и в результате увеличения сопротивления поликремния вследствие захвата свободных носителей на структурные дефекты и снижения подвижности носителей. <...> Основной причиной возможного роста токов утечки является механизм Пула-Френкеля через донороподобные центры в запрещенной зоне диэлектрика. <...> Как показано в работе [2], даже при относительно высокой исходной проводимости диэлектрика, равной 10–12 (Ом•см)–1 заметные <...>