ТЕОРИЯ И ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 681.586.72:621.3.088 ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ВОДОРОДА НА ОСНОВЕ МДП-ТРАНЗИСТОРНЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Б. И. <...> Подлепецкий, А. В. Коваленко, М. Ю. Никифорова Рассмотрены случайные и систематические погрешности интегральных датчиков водорода на основе МДП-транзисторных чувствительных элементов (МДПЧЭ). <...> Даны рекомендации по уменьшению результирующих погрешностей интегральных датчиков на основе МДПЧЭ. <...> Ключевые слова: статические случайные и систематические погрешности, интегральный датчик водорода, МДП-транзисторный чувствительный элемент, влияющие факторы. <...> Исследования, проведенные на кафедре микро- и наноэлектроники Московского инженернофизического института, показали, что для интегральных датчиков (ИД) водорода по конструктивно-технологическим (КТХ), метрологическим и эксплуатационным характеристикам перспективны ЧЭ на основе МДП-транзисторов с палладиевым затвором (ТЧЭ) [1—4]. <...> Наилучшие характеристики имеют датчики ИДВ-3, которые содержат четыре базовых элемента: два основных ЧЭ (тонкопленочный палладиевый резистор и n-канальный МДП-транзистор со структурой Pd—Ta2O5— SiO2—Si), вспомогательный ЧЭ (МДП-транзистор с алюминиевым затвором, стоковый p-n-переход которого применяется как ТЧЭ) и нагреватель на основе диффузионного резистора. <...> Опыт применения датчиков ИДВ-3 показал, что в ряде случаев нестабильность чувствительности и быстродействия ТЧЭ приводят к погрешностям измерения, требующим периодической калибровки приборов и ограничивающим их использование [4]. <...> В результате экспериментальных исследований метрологических и эксплуатационных характеристик ИДВ-3 установлено, что погрешности измерения концентрации водорода датчиками на основе ТЧЭ определяются температурным и временным дрейфами начального значения порогового напряжения [4], разбросом параметров отклика, влиянием внешних факторов (сопутствующих <...>