Термистор с проводниками, помещенный в гармонически изменяющееся магнитное поле, представляет собой проводящий контур, в котором наводится синусоидальная ЭДС индукции Ei согласно выражению: Ei = –∆Φ/∆t = BSωsinωt. <...> ЭДС индукции Ei в данном случае является помехой, так как она искажает величину напряжения UT, падающего на термисторе. <...> Важно также отметить, что ИП, интегрируемые в обмотку ЭД, должны закрепляться соответствующим образом, так как на проводники с током, находящиеся в магнитном поле, в соответствии с законом Ампера воздействует механическая сила F = ilBsin(l, B). <...> Воздействие этой силы может привести к отрыву ИП с посадочных мест, которые в этом случае могут вызвать заклинивание ЭД. <...> Ток, протекающий через термистор, вызывает его саморазогрев, что также искажает истинное значение температуры. <...> Если известен коэффициент диссипации термистора δth, то погрешность, вносимую саморазогревом, можно вычислить по выражению T = P/δth, где P — мощность, рассеиваемая термистором. <...> В нашем случае δth = 1,5 мВт/К, величина P зависит от сопротивления термистора, поэтому не является величиной постоянной. <...> Таким образом, общая погрешность измерения температуры обмоток ЭД при использовании ВП, оснащенных в качестве ИП термисторами, будет зависеть от стабильности источника питания, разброса параметров радиоэлектронных компонентов, входящих в измерительную цепь, погрешностей ИП и УСД, а также влияния внутренних и внешних помех. <...> Касаткин, А. М. Муравьев, В. В. Амеличев, С. А. Поломошнов, И. А. Решетников Представлены результаты экспериментальных исследований магнитожестких Cr-CoNi наноструктур и теоретического анализа работоспособности анизотропных магниторезистивных (АМР) преобразователей магнитного поля c наномагнитами на основе магнитожестких наноструктур. <...> Использование наномагнитов позволяет, в первую очередь, уменьшить токи управления и расширить область работоспособности МР преобразователей магнитного поля. <...> ВВЕДЕНИЕ <...>